JP5263104B2 - 複合半透膜の製造方法 - Google Patents
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Description
供給水(海水)透過水中のホウ素濃度をICP発光分析装置で分析し、次の式から求めた。
ホウ素除去率(%)=100×{1−(透過水中のホウ素濃度/供給水中のホウ素濃度)}
(膜透過流束)
供給水(海水)の膜透過水量を、膜面1平方メートルあたり、1日あたりの透水量(立方メートル)でもって膜透過流束(m3/m2/日)を表した。
<参考例>
微多孔性支持膜である布帛補強ポリスルホン支持膜(限外濾過膜)は、次の手法により製造した。すなわち、単糸繊度0.5デシテックスのポリエステル繊維と1.5デシテックスのポリエステル繊維との混繊糸からなる、通気度0.7cm3/cm2/秒、平均孔径7μm以下の湿式不織布であって、縦30cm、横20cmの大きさのものを、ガラス板上に固定し、その上に、ジメチルホルムアミド(DMF)溶媒のポリスルホン(ソルベイ社製、P3500)濃度15重量%の溶液(20℃)を、総厚み210〜215μmになるようにキャストし、直ちに水に浸積してポリスルホンの微多孔性支持膜を製造した。得られた微多孔性支持膜をPS支持膜と記す。
<実施例1>
参考例から得られたPS支持膜を、メタフェニレンジアミン(以下mPDAという)7.6重量%水溶液を含む縦35cm、横25cmの大きさのバットの液上面に固定し、室温下、15秒間支持膜の裏面のみをmPDA水溶液と接触させる方法で塗布した。次に、垂直に把持して液切りした後、PS支持膜を、mPDA3.8重量%水溶液を含むバットの上面に固定し、室温下、5秒間支持膜の表面のみをmPDA水溶液と接触させる方法で塗布して垂直に把持して液切りした。さらに、得られた支持膜を最初の裏面塗布から60秒後、トリメシン酸クロリド(以下TMCという)0.175重量%を含むn−デカン溶液を、160cm3/m2の割合で支持膜表面が完全に濡れるように塗布して1分間静置した。次に膜から余分な溶液を除去するために、膜を1分間垂直に把持して液切りした。その後、90℃の熱水に2分間浸漬し複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
mPDA水溶液の濃度、塗布時間を表1に示す条件へと変えた以外は実施例1と同様の方法で複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
<比較例1>
参考例から得られたPS支持膜をmPDA3.0重量%水溶液中に室温下120秒間浸漬し、該支持膜を垂直方向にゆっくりと引き上げ、エアーノズルから窒素を吹き付け支持膜表面から余分な水溶液を取り除いた後、0.175重量%を含むn−デカン溶液を、160cm3/m2の割合で支持膜表面が完全に濡れるように塗布して1分間静置した。次に膜から余分な溶液を除去するために、膜を1分間垂直に把持して液切りした。その後、90℃の熱水に2分間浸漬し複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
<比較例2>
参考例から得られたPS支持膜をmPDA3.8重量%水溶液中に室温下120秒間浸漬した以外は比較例1と同様の方法で複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
<比較例3>
参考例から得られたPS支持膜をmPDA7.6重量%水溶液中に室温下12秒間浸漬した以外は比較例1と同様の方法で複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
<比較例4>
参考例から得られたPS支持膜をmPDA7.6重量%水溶液中に室温下12秒間浸漬し、該支持膜を垂直方向にゆっくりと引き上げ垂直に把持して液切りした後、PS支持膜をmPDA3.8重量%水溶液を含むバットの上面に固定し、室温下5秒間支持膜の表面のみmPDA水溶液と接触させる方法で塗布し垂直に把持して液切りした後、TMCを溶解したn−デカン溶液を支持膜表面に塗布した以外は実施例1と同様の方法で複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
<比較例5〜7>
参考例から得られたPS支持膜をmPDA水溶液の濃度、塗布時間を表1に示す条件へと変えた以外は実施例1と同様の方法で複合半透膜を得た。透水量及びホウ素除去率を表1に示す。
Claims (1)
- 微多孔性支持膜の表面と裏面とにそれぞれ濃度の異なる多官能アミン水溶液を塗布した後、該微多孔性支持膜の表面から多官能酸ハロゲン化物溶液を塗布することにより、該微多孔性支持膜上にポリアミド分離機能層を形成させる複合半透膜の製造方法であって、該微多孔性支持膜の表面に塗布する多官能アミン水溶液の濃度が、該微多孔性支持膜の裏面に塗布する多官能アミン水溶液の濃度よりも低いことを特徴とする複合半透膜の製造方法。
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