JP5253457B2 - イオンビーム抽出装置 - Google Patents

イオンビーム抽出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5253457B2
JP5253457B2 JP2010135025A JP2010135025A JP5253457B2 JP 5253457 B2 JP5253457 B2 JP 5253457B2 JP 2010135025 A JP2010135025 A JP 2010135025A JP 2010135025 A JP2010135025 A JP 2010135025A JP 5253457 B2 JP5253457 B2 JP 5253457B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
grid
ion
grids
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010135025A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010225595A (ja
Inventor
榮姫 李
允▲クヮン▼ 全
振碩 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2010225595A publication Critical patent/JP2010225595A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5253457B2 publication Critical patent/JP5253457B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
    • A47G21/00—Table-ware
    • A47G21/10—Sugar tongs; Asparagus tongs; Other food tongs
    • A47G21/103—Chop-sticks
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
    • A47G21/00—Table-ware
    • A47G21/12—Toothpick holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/022—Details
    • H01J27/024—Extraction optics, e.g. grids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

本発明は、半導体中性ビームエッチャーのイオンビーム生成に係り、特に、スリットの形成されたグリッドに印加される電圧を制御することによってイオンビームの方向と強度を調節するイオンビーム抽出装置に関する。
近来、半導体素子の高集積化への要求が高まるに伴い、半導体集積回路の設計においてデザインルールがより減少し、０．２５μｍ以下の臨界寸法(Critical Dimension)が要求されるに至った。このようなナノメートル級半導体素子を実現するための蝕刻装備としては、現在、高密度プラズマ蝕刻装置(High Density Plasma Etcher)、反応性イオン蝕刻装置(Reactive Ion Etcher)などのイオン強化用蝕刻装備が主として使用されている。
半導体全工程において、イオンビームまたは中性ビームでウエハを加工するためには高イオンフラックス(flux)生成のためのグリッド(grid)が必要である。
図１及び図２は、従来のグリッド３を有する中性ビームチャンバーを示す図である。中性ビームエッチング(etching)に使用されるグリッド３は、図１及び図２に示すように、ウエハ９の全面をカバーできるような面積に複数の円形の穴５が穿孔され、イオンソース(プラズマ)１から生成されたイオンビームが通過するようになっている。これら各穴５の直径は約３〜６ｍｍである。
イオンビームの進行経路上においてイオンソース１の後端に配置されるグリッド３は、電圧印加により電場を生じさせイオンビームを加速させると同時に、イオンビームが通過する複数の穴５によりイオンビームを集束しエネルギーを調節することができる。
このグリッド３の後端には、入射するイオンビームを反射させて中性ビームに変換する反射体７がグリッド３からやや離れて配置され、この反射体７は、ウエハ９の側壁の効率的なエッチングのために、ウエハ９に対して若干の角度(約５〜９゜)を有するように設けられている。
このように構成される従来のグリッド３は、イオンソース１から生成されたイオンが電場を通過する際にイオンを抽出した後に、これら抽出されたイオンを集束し、半導体基板のウエハ９の対象膜質をエッチングするのに使用される中性ビームを生成する。
このときに、イオンフラックス(flux)は、プラズマの密度、グリッド３の形態・厚さ・大きさ、及び電場の影響を受ける。しかも、グリッド３には複数の穴５が形成されているので、ウエハ９に対するエッチング率(etching rate)の均一性(uniformity)を改善するためにウエハ９を回転させるのが一般的である。
しかしながら、従来の中性ビームに使用されるグリッド３は、ウエハ９の全面をカバーできるような面積に円形の穴５を形成し、これら穴５にイオンを通過させるため、イオン抽出面積が全体プレートの面積に対して２０〜３０％にも至らず、よって、電場やプラズマの密度を上げなければならないという問題があった。
プラズマの密度を上げると、中性ビームチャンバーが通常、２または３個の電極(グリッド)で構成されているという点から、電場の調節だけではイオンビームの方向を調節しにくくなるという問題につながる。
また、ウエハ９を回転してもエッチング率(etching rate)の均一性は改善しにくく、よって、イオンビームの角度を変えるためにはイオンソース１の角度を変えなければならないという問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、スリットの形成されたグリッドを用いて長方形(Rectangular)のイオンビームを抽出することによって、イオンビームの抽出面積を増大させ、高イオンフラックスを生成しうるイオンビーム抽出装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、スリットの形成されたグリッドを複数個積層し、各グリッドに印加される電圧を制御することによってイオンビームの方向を調節しうるイオンビーム抽出装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、イオンビームの方向を電圧印加により調節することによって、ハードウェアを変形させずとも各種の工程に適用しうるイオンビーム抽出装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、イオンビームの方向と強度を調節することによってウエハに対するエッチング率の均一性を改善しかつ膜質の均一性を確保し、結果として半導体素子の生産性を向上させられるイオンビーム抽出装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係るイオンビーム抽出装置は、プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、前記イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧を制御してイオンビームの方向を調節する少なくとも一つのグリッドと、を備えることを特徴とする。
また、前記少なくとも一つのグリッドは、複数のプレートから構成され、複数のプレートには異なる電圧が印加されることを特徴とする。
前記複数のプレートは、互いに対応する形態に配置され、各対の対応するプレートの間にはイオンビームの通過する少なくとも一つのスリットが形成されることを特徴とする。
また、前記少なくとも一つのグリッドは、イオンビームが通過する少なくとも一つのスリットが形成されていることを特徴とする。
前記少なくとも一つのスリットは、複数個のスリットからなり、長方形のイオンビームを抽出することを特徴とする。
前記少なくとも一つのグリッドは、前記少なくとも一つのスリットが形成された複数のグリッドを前記イオンソースの後端の下に積層してなり、各グリッドに印加される電圧を制御して前記イオンビームの方向を調節することを特徴とする。前記複数のグリッドのそれぞれに形成される少なくとも一つのスリットは、中心がオフセットされている。
前記イオンビーム抽出装置は、前記少なくとも一つのグリッドを通過したイオンビームを反射させて中性ビームに変換させる反射体をさらに備え、前記反射体は、イオンソースと同角度でウエハに対して平行に設置されていることを特徴とする。
また、本発明に係るイオンビーム抽出装置は、プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、前記イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧を制御してイオンビームの方向を調節する複数のグリッドと、を備えることを特徴とする。
前記複数のグリッドは、前記イオンソースの後端の下に積層され、各グリッドには、前記イオビームが通過する少なくとも一つの対応するスリットが形成されていることを特徴とする。
前記複数のグリッドはそれぞれ、複数のプレートからなり、各グリッドに異なる大きさの電圧が印加されてイオンビームの方向が調節されることを特徴とする。
前記イオンビームの方向が、異なる印加電圧の大きさによって調節されるように、前記複数のグリッドに異なる電圧がそれぞれ印加されることを特徴とする。
本発明に係るイオンビーム抽出装置によれば、複数のスリットの形成されたグリッドを用いて長方形のイオンビームを抽出するため、イオンソースの出力を高めプラズマ密度を上げずともイオンの抽出面積を増大させイオン密度を高め、かつ、高イオンフラックスを生成することが可能になる。
また、本発明は、それぞれスリットの形成されたグリッドを複数個積層し、各グリッドに印加される電圧を調節することによってイオンビームの方向を調節するため、イオンソースと反射体の角度を変えなくてもイオンビームの方向を容易に調節することができ、結果としてハードウェアを変形せずとも様々な工程に適用できる効果が得られる。
また、本発明は、イオンビームの方向と強度を調節できるため、エッチングする膜質の均一性を確保し、かつ、ウエハに対するエッチング率の均一性を改善し、結果として半導体の生産性を大きく向上させられる効果が得られる。
従来の中性ビームチャンバーを示す概略構造図である。 図１に示す中性ビームチャンバーの従来グリッドを示す平面図である。 本発明による中性ビームチャンバーを示す概略構造図である。 本発明の第１実施形態によるグリッドを示す平面図である。 本発明の第２実施形態によるグリッドを示す平面図である。 図５のグリッドに形成されたスリットの一形態を示す図である。 図５のグリッドに形成されたスリットの他の形態を示す図である。 本発明の第１実施形態によるイオンビーム抽出装置を示す概略構造図である。 本発明の第２実施形態によるイオンビーム抽出装置を示す概略構造図である。 本発明の第３実施形態によるイオンビーム抽出装置を示す概略構造とシミュレーション結果を示す図である。
以下、本発明の好適な実施形態について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
図３は、本発明の一実施形態による中性ビームチャンバーを示す概略構造図である。
同図において、中性ビームチャンバーは、イオンビームを生成するイオンソース１０、イオンソース１０の後端に配置されるグリッド２０、グリッド２０の後端に配置される反射体３０と、及び反射体３０の後端に配置されるウエハ４０を備える。イオンソース１０で生成されたイオンビームは、グリッド２０に穿孔された複数のスリット２０ａ(図４)を通過した後に反射体３０から反射されて中性ビームに変換され、該中性ビームは、ウエハ４０に入射してウエハ４０の対象膜質をエッチングする。
イオンソース１０は、各種の反応ガスでイオンビームを生成するもので、高周波を供給してプラズマを生成するプラズマ発生装置を使用しても良く、様々な形態のイオンソースを使用しても良いことは言うまでもない。
イオンソース１０の後端部には、電圧印加によりイオンビームを加速させるとともに、イオンビームが通過する複数のスリット２０ａが形成されたグリッド２０が結合されている。グリッド２０は様々な形態を有することができ、これは、図４乃至図６Ｂに基づいて後述するものとする。
グリッド２０の後端には、入射するイオンビームを反射させて中性ビームに変換する反射体３０が、グリッド２０からやや離れて配置され、この反射体３０は、イオンソース１０と同角度でウエハ４０に平行して配置されている。
図４は、本発明の第１実施形態によるグリッドを示す平面図である。
図３及び図４を参照すると、本発明のグリッド２０は、それぞれ一定の直径を有する複数のスリット２０ａが形成された構造であり、複数のスリット２０ａを通過するイオンビームを長方形(Rectangular)形態に抽出することによって、イオンビームの抽出面積を全体プレートの面積に対して５０％以上に増大させることができ、その結果、全体プレートの面積に対して２０〜３０％のイオンビーム抽出面積を有する図１及び図２の従来グリッドに比べてイオン密度を高めることができる。
したがって、イオンソース１０の出力を高めてプラズマ密度を上げずともイオン密度を高めることができるため、高イオンフラックス生成が可能となり、イオンビームのフラックスを容易に調節することが可能になる。
図５は、本発明の第２実施形態によるグリッドを示す平面図である。
図３及び図５を参照すると、グリッドは、結合状態で互いに対応するように配置され、これらの間に複数のスリット２１ａが形成されるようにした第１及び第２グリッド２１，２２を含む２個のグリッドから構成される。第１及び第２グリッド２１，２２は、円弧状の第１及び第２電極部材２１ｂ，２２ｂをそれぞれ有する。さらに、第１及び第２グリッド２１，２２は、その全縁が円形を形成する複数の第１及び第２バー２１ｃ，２２ｃをそれぞれ有する。したがって、複数の第１及び第２バー２１ｃ，２２ｃが互いに対をなすことによって複数のスリット２１ａが長方形の形態に形成される。
円弧状の第１及び第２電極部材２１ｂ，２２ｂとの間にはアイソレータ５０が配置され、第１及び第２グリッド２１，２２に第１及び第２電圧Ｖ，Ｖ’(図示せず)が印加される。第１及び第２電圧Ｖ，Ｖ’は、異なる電圧にしても良く、同電圧にしても良い。
この結果、第１グリッド２１に第１電圧Ｖを、第２グリッド２２に第２電圧Ｖ’をそれぞれ印加することによってイオンビームの方向を調節することができ、これにより、ウエハ４０のエッチング率及びエッチングの均一性を改善することができる。
図６Ａは、図５のグリッドに形成されるスリットの一形態を示す図であり、図６Ｂは、図５のグリッドに形成されるスリットの他の形態を示す図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、図５に示す第１及び第２グリッド２１，２２の間に形成されたスリットの形態を示す図であり、第１及び第２電極部材２１ｂ，２２ｂの間にそれぞれ形成される複数の第１及び第２バー２１ｃ，２２ｃを様々な形態に変形したものである。
図７は、本発明の第１実施形態によるイオンビーム抽出装置を概略的に示す構造図である。
同図において、イオンソース１０の後端には第１電圧Ｖ１が印加される第１グリッド６１が配置され、第１グリッド６１の後端には第２電圧Ｖ２が印加される第２グリッド６２が配置され、第２グリッド６２の後端一側には第３電圧Ｖ３が印加される第３グリッド６３が配置され、第２グリッド６２の後端他側には第４電圧Ｖ４が印加される第４グリッド６４が配置され、第３及び第４グリッド６３，６４の後端には第５電圧Ｖ５が印加される第５グリッド６５が配置される。ここで、第３及び第４グリッド６３，６４は互いに対面するように配置される。積層されるグリッド６１〜６５の個数は必要に応じて増減可能である。例えば、グリッド６１〜６５に加えて、第６グリッド６６が第５グリッド６５の後端に配置されても良い。
複数のグリッド６１〜６５には、複数のスリット６１ａ，６２ａ，６３ａ，６５ａが各々形成されており、イオンビームはこれら複数のスリット６１ａ，６２ａ，６３ａ，６５ａを通って反射体３０及びウエハ４０に伝達される。
このように、様々な形態のグリッド６１〜６５を複数個積層し、各グリッド６１〜６５に印加される電圧を異ならせると、スリット６１ａ，６２ａ，６３ａ，６５ａを通過するイオンビームの方向を容易に調節することが可能になる。
図８は、本発明の第２実施形態によるイオンビーム抽出装置を概略的に示す構造図である。
同図において、イオンソース１０の後端には第１電圧Ｖ１が印加される第１グリッド７１が配置され、第１グリッド７１の後端には第２電圧Ｖ２が印加される第２グリッド７２が配置され、第２グリッド７２の後端一側には第３電圧Ｖ３が印加される第３グリッド７３が配置され、第２グリッド７２の後端他側には第４電圧Ｖ４が印加される第４グリッド７４が、第３グリッド７３と斜め対称する形態に配置され、第３及び第４グリッド７３，７４の後端には第５電圧Ｖ５が印加される第５グリッド７５が配置される。
このように、図８に示すグリッド７１〜７５のように様々な形態のグリッドを有する構造において、複数のスリット７１ａ〜７５ａはそれぞれ、中心が互いにオフセット(offset)されており、オフセットされたスリット７１ａ〜７５ａの直径の大きさは、各グリッド７１〜７５ごとに異なっていても良い。
この構造においても、各グリッド７１〜７５に印加される電圧の大きさは異なり、印加される電圧を調節することによってイオンビームの方向を変化させることができる。
図９は、本発明の第３実施形態によるイオンビーム抽出装置の概略及びこれを用いたシミュレーション結果を示す図である。
同図において、本実施形態のイオンビーム抽出装置は、図８に示すイオンビーム抽出装置と同様に、複数のスリット７１ａ〜７５ａがそれぞれ形成されたグリッド７１〜７５が上から底に順に積層されている。ただし、第１電圧Ｖ１が印加される第１グリッド７１のスリット７１ａの形態が図８におけるそれと異なっている。したがって、複数のスリット７１ａ〜７５ａは、多様な形態に変形されることができる。
図８におけると同様に、図９のスリット７１ａ〜７５ａもそれぞれ、中心が互いにオフセットされており、オフセットされたスリット７１ａ〜７５ａの直径の大きさは、各グリッド７１〜７５ごとに異なっていても良い。
このようなオフセットタイプのグリッド７１〜７５は、製作し易く且つ構造が簡素化する。
以上では具体例に挙げて本発明を説明してきたが、本発明は、これらの具体例に限定されず、本発明の技術的思想内で当分野で通常の知識を持つ者により各種の変形が可能であることは言うまでもない。
１０ イオンソース
２０ グリッド
２０ａ スリット
２１ 第１グリッド
２１ａ スリット
２１ｂ 第１電極部材
２１ｃ 第１バー
２２ 第２グリッド
２２ｃ 第２バー
３０ 反射体
４０ ウエハ
６１，６２，６３，６４，６５ グリッド
６１ａ，６２ａ，６３ａ，６５ａ スリット
７１〜７５ グリッド７１ａ〜７５ａ スリット

Claims (4)

  1. プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、
    前記イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧が制御されイオンビームの方向を調節する複数のグリッドと、
    を備え
    前記複数のグリッドは、前記イオンソースの後端の下に積層され、各グリッドには、前記イオンビームが通過する少なくとも一つの対応するスリットが形成され、
    少なくとも二つのグリッドは、イオンソースからのイオンビームの射出方向に対して互いに斜めに対称となるように配置されることを特徴とするイオンビーム抽出装置。
  2. 前記複数のグリッドはそれぞれ、複数のプレートからなり、各グリッドに異なる大きさの電圧が印加されてイオンビームの方向が調節されることを特徴とする請求項１に記載のイオンビーム抽出装置。
  3. 少なくとも二つのグリッドは、異なる寸法の対応するスリットを有することを特徴とする請求項１に記載のイオンビーム抽出装置。
  4. 前記イオンビームの方向が調節されるように、前記複数のグリッドに異なる電圧がそれぞれ印加されることを特徴とする請求項１に記載のイオンビーム抽出装置。
JP2010135025A 2005-01-07 2010-06-14 イオンビーム抽出装置 Expired - Fee Related JP5253457B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0001719 2005-01-07
KR1020050001719A KR100851901B1 (ko) 2005-01-07 2005-01-07 이온 빔 추출장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005295688A Division JP2006190970A (ja) 2005-01-07 2005-10-07 イオンビーム抽出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010225595A JP2010225595A (ja) 2010-10-07
JP5253457B2 true JP5253457B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=36652609

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005295688A Pending JP2006190970A (ja) 2005-01-07 2005-10-07 イオンビーム抽出装置
JP2010135025A Expired - Fee Related JP5253457B2 (ja) 2005-01-07 2010-06-14 イオンビーム抽出装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005295688A Pending JP2006190970A (ja) 2005-01-07 2005-10-07 イオンビーム抽出装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7285788B2 (ja)
JP (2) JP2006190970A (ja)
KR (1) KR100851901B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9627610B2 (en) 2014-11-25 2017-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a pattern using ion beams of bilateral symmetry, a method of forming a magnetic memory device using the same, and an ion beam apparatus generating ion beams of bilateral symmetry

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060236931A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Tilted Plasma Doping
JP2009217980A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオン源の電圧決定方法
KR101239575B1 (ko) * 2010-08-16 2013-03-05 고려대학교 산학협력단 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법
US8309937B2 (en) 2010-10-05 2012-11-13 Veeco Instruments, Inc. Grid providing beamlet steering
WO2012047914A2 (en) * 2010-10-05 2012-04-12 Veeco Instruments, Inc. Grid providing beamlet steering
JP5495138B2 (ja) * 2011-10-31 2014-05-21 日新イオン機器株式会社 イオン源
EP3319112A1 (de) 2016-11-07 2018-05-09 Meyer Burger (Germany) AG Vorrichtung zur extraktion von elektrischen ladungsträgern aus einem ladungsträgererzeugungsraum
US20180138007A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-17 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion Implanter
KR102673632B1 (ko) 2016-12-06 2024-06-13 삼성전자주식회사 이온 빔 추출을 위한 슬릿 구조체를 포함하는 이온 빔 장비, 및 이를 이용한 식각 방법 및 자기기억소자의 제조방법
CN107248490B (zh) * 2017-05-23 2019-02-22 北京师范大学 一种新型的离子源引出-加速结构
WO2020131831A1 (en) 2018-12-17 2020-06-25 Applied Materials, Inc. Ion beam source for optical device fabrication
KR20210064085A (ko) * 2019-11-25 2021-06-02 김동진 균일 두께 코팅을 위한 이온원을 포함하는 이온 빔 보조증착 시스템
CN110891360B (zh) * 2019-11-27 2024-05-31 中国原子能科学研究院 回旋加速器引出nA量级以下束流的调节装置与方法
KR20220076976A (ko) 2020-12-01 2022-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4381453A (en) * 1980-12-31 1983-04-26 International Business Machines Corporation System and method for deflecting and focusing a broad ion beam
JPH03266429A (ja) * 1990-03-16 1991-11-27 Fujitsu Ltd イオンビームエッチング装置
JP2774352B2 (ja) * 1990-03-28 1998-07-09 三菱電機株式会社 イオンビーム照射装置
GB9016567D0 (en) * 1990-07-27 1990-09-12 Marconi Space Systems Limited Ion thruster vector control
JP3362525B2 (ja) 1994-09-26 2003-01-07 日新電機株式会社 イオン注入装置
JP3186066B2 (ja) * 1996-01-23 2001-07-11 フラウンホーファー ゲゼルシャフト ツア フォルデルンク デア アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ イオンの広範囲注入のためのイオン源
JP4246401B2 (ja) 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
JP4073204B2 (ja) * 2001-11-19 2008-04-09 株式会社荏原製作所 エッチング方法
KR100412953B1 (ko) 2001-11-26 2003-12-31 학교법인 성균관대학 중성빔을 이용한 식각장치
JP4112850B2 (ja) * 2001-11-27 2008-07-02 株式会社東芝 核融合プラズマ加熱用イオン源
US6759807B2 (en) 2002-04-04 2004-07-06 Veeco Instruments, Inc. Multi-grid ion beam source for generating a highly collimated ion beam
JP2004281232A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Ebara Corp ビーム源及びビーム処理装置
KR100531739B1 (ko) * 2003-06-26 2005-11-29 학교법인 성균관대학 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9627610B2 (en) 2014-11-25 2017-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a pattern using ion beams of bilateral symmetry, a method of forming a magnetic memory device using the same, and an ion beam apparatus generating ion beams of bilateral symmetry
US9871194B2 (en) 2014-11-25 2018-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Ion beam apparatus generating ion beams of bilateral symmetry

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010225595A (ja) 2010-10-07
US7285788B2 (en) 2007-10-23
US20060152164A1 (en) 2006-07-13
KR20060081230A (ko) 2006-07-12
KR100851901B1 (ko) 2008-08-13
JP2006190970A (ja) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5253457B2 (ja) イオンビーム抽出装置
CN109698109B (zh) 等离子体处理系统、电子束发生器及半导体器件制造方法
TWI529800B (zh) 高深寬比之介電層蝕刻方法與裝置
US7867409B2 (en) Control of ion angular distribution function at wafer surface
JP4855506B2 (ja) プラズマエッチング装置
TWI821470B (zh) 電漿源、圖案化基板的方法以及基板處理系統
JP2018523922A (ja) 方向性プラズマ及び反応性ガスを用いて基板を処理する装置及び技術
JP2011211168A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US11715621B2 (en) Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions
TW201322328A (zh) 掩膜層的刻蝕方法、刻蝕裝置及層間介質層的刻蝕方法
KR100866902B1 (ko) 중성 빔 그리드 구조
TWI647733B (zh) 離子源與離子植入系統
US6849858B2 (en) Apparatus and method for forming alignment layers
KR20080081873A (ko) 중성 빔 그리드 구조
KR101091556B1 (ko) 대면적 플라즈마 소스장치
CN111986974A (zh) 电子束等离子体源辅助等离子体源的磁约束系统及方法
JP6645921B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR101909101B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100777465B1 (ko) 중성빔 처리 장치
US20190237308A1 (en) Non-contact physical etching system
JP2012164927A (ja) エッチング装置
JPH05129094A (ja) プラズマ処理方法および処理装置
JP2008192732A (ja) 真空処理装置
JP2007310173A (ja) ドライエッチング方法および回折型光学部品
KR20080101330A (ko) 에천트의 선택적인 사용이 가능한 고밀도 플라즈마식각챔버

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121106

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130205

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees