JP5250536B2 - 体積感知型ディスペンサー制御方法 - Google Patents

体積感知型ディスペンサー制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5250536B2
JP5250536B2 JP2009279545A JP2009279545A JP5250536B2 JP 5250536 B2 JP5250536 B2 JP 5250536B2 JP 2009279545 A JP2009279545 A JP 2009279545A JP 2009279545 A JP2009279545 A JP 2009279545A JP 5250536 B2 JP5250536 B2 JP 5250536B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
volume
resin
product
amount
optical scanner
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009279545A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011005476A (ja
Inventor
キ マン ヤン
スージン イ
ミンキュ チョイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Protec Co Ltd Korea
Original Assignee
Protec Co Ltd Korea
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Protec Co Ltd Korea filed Critical Protec Co Ltd Korea
Publication of JP2011005476A publication Critical patent/JP2011005476A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5250536B2 publication Critical patent/JP5250536B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29DPRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/00634Production of filters
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29DPRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/0074Production of other optical elements not provided for in B29D11/00009- B29D11/0073
    • B29D11/00807Producing lenses combined with electronics, e.g. chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

本発明は分配制御方法に係り、より詳しくはポンプでレジンを分配する量の正確度を飛躍的に向上させることができる体積感知型ディスペンサー制御方法に関する。
ディスペンサーは電子部品の生産過程で一定量のレジンを連続的に注入する装備で、半導体製造工程にたくさん利用されている。
半導体製造工程中に使用されるレジンは、半導体デバイスを接着させるか、あるいは半導体デバイスを被覆して保護する役目をする。半導体製造工程の分配工程としては、アンダーフィル(Underfill)工程とLEDモールド形成工程を例として挙げることができ、これらの工程はレジンを塗布するディスペンサーによって自動になされる。
特に、LED製造工程において、LEDチップが搭載されたパッケージに蛍光物質が混合されたシリコンを分配することで、LEDから発光される光の色を調節するかLEDチップを構造的に安定化させるのに分配工程は必須である。
このようなLED工程またはアンダーフィル工程などにおいて、正確な量のレジンをそれぞれの製品に塗布することが非常に重要である。レジンの分配量が正確でない場合、不良品が発生することになり、結果として生産性を落として製造原価を上昇させる原因になる。
従来は、分配されたレジンの重さを秤で測定し、これを分配制御部にフィードバックする方法で分配量を調節した。
ところで、ディスペンサーに使用されるレジンポンプで調節可能なレジン量の最小単位に比べ、秤を用いて測定可能な重さの最小単位がもっと大きいものが一般的である。よって、秤を用いて測定可能な正確度に限界があるため、レジンの分配量を調節する正確度も制限されるしかない。特に、ジェット方式のポンプを使用する場合には、分配する液滴の数で分配量を制御することになるが、秤で測定可能な重さの最小単位が1個の液滴の重さより大きいものが一般的である。したがって、秤による方法では液滴単位で分配量を補正することができない。また、スクリュー方式のポンプを使用する場合にも、スクリューの回転角度に比例して分配されるレジンの量を秤では精密に測定することができないことが一般的である。
レジンの分配量を調節するために高精度の秤を使用すれば、ディスペンサーの総製造価格が必要以上に上昇する問題点がある。また、秤を用いて重さを測定することができる速度にも限界があるため、全体としての生産速度を低下させる問題点がある。
したがって、本発明は前述した問題点を解決するためになされたもので、ポンプによって分配されるレジンの量を正確に測定し、その結果をフィードバックすることで、分配されるレジンの量をより正確に制御することができる体積感知型ディスペンサー制御方法を提供することをその目的とする。
前記のような目的を達成するために、本発明は、ポンプでレジンを吐き出して製品に所定量のレジンを分配するように制御する体積感知型ディスペンサー制御方法において、前記ポンプで前記製品にレジンを分配する予備分配段階;前記予備分配段階が済んだ製品を光スキャナでスキャンして、分配されたレジンの体積を測定する体積測定段階;前記体積測定段階で感知されたレジンの量と所定の分配量との差を用いて、追加に分配されるレジンの量を計算する補正体積算定段階;及び前記補正体積算定段階で計算されたレジンの補正量を反映して前記製品にレジンを分配する補正分配段階;を含む、体積感知型ディスペンサー制御方法を提供する。
本発明の体積感知型ディスペンサー制御方法は、光スキャナを用いてレジンの分配量を正確に測定することにより、ディスペンサーによって塗布されるレジンの量をより正確に制御することができる効果がある。
また、本発明の体積感知型ディスペンサー制御方法は、レジンの分配量を速かに測定して正確に分配することにより、分配作業の生産性を向上させる効果がある。
本発明の第1実施例による体積感知型ディスペンサー制御方法を説明するためのフローチャートである。 図1に示す体積感知型ディスペンサー制御方法を実行するためのディスペンサーの概略図である。 図1に示す体積感知型ディスペンサー制御方法によって製品を生産する過程を示す断面図である。 図1に示す体積感知型ディスペンサー制御方法によって製品を生産する過程を示す断面図である。 図1に示す体積感知型ディスペンサー制御方法によって製品を生産する過程を示す断面図である。 本発明の第2実施例による体積感知型ディスペンサー制御方法を説明するためのフローチャートである。
以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の第1実施例による体積感知型ディスペンサー制御方法を説明するためのフローチャート、図2は図1に示す体積感知型ディスペンサー制御方法を実行するためのディスペンサーの概略図である。
まず、本発明の体積感知型ディスペンサー制御方法を実施するためのディスペンサー100の一例を図2に基づいて説明する。ディスペンサー100は、ベース10と、ローダー20と、アンローダー30と、ポンプ40と、光スキャナ50とを備えている。
ローダー20は、複数の製品80が実装されている基板またはリードフレームL1、L2をベース10に供給する。以下、リードフレームL1、L2を供給する場合を例として説明する。リードフレームL1、L2は多数の製品80が実装された状態でローダー20によって供給され、分配作業が済んだリードフレームL1、L2はアンローダー30に伝達して貯蔵される。
ベース10には、ローダー20から供給されたリードフレームL1、L2をアンローダー30に向けて移送または返送することができる製品移送装置(図示せず)が設置されている。ベース10にはポンプ40と光スキャナ50が製品移送装置の上側に設置される。このように、ポンプ40と光スキャナ50はインライン状態で順次設置され、製品移送装置がポンプ40と光スキャナ50の間で製品80を移送しながら後続作業を補助することになる。
ポンプ40は、ベース10に対して前後方向、左右方向、かつ上下方向にそれぞれ移動できるようにベース10に設置されることが一般的である。ポンプ40は製品80にシリコン84またはエポキシのようなレジンを分配する。ポンプ40の下流側には光スキャナ50が配置される。
光スキャナ50は光源51と受光部52を備えている。光源51から発生したレーザーまたは可視光線は光源51の下側を通る製品80で反射されて受光部52に受信される。光スキャナ50は、受光部52で感知された可視光線またはレーザーを分析して製品80の表面高さを計算することになる。
光スキャナ50を経たリードフレームL1、L2は製品移送装置によってアンローダー30に伝達され、アンローダー30は作業が済んだリードフレームL1、L2を貯蔵する。
ポンプ40と光スキャナ50はそれぞれ制御部60に連結されてその作動が制御される。制御部60には格納部61が連結され、分配作業を実行するのに必要な情報が格納部61に格納される。
以下、前述したようなディスペンサー100を用いて図3〜図5に示すLED(Light Emitting Diode)素子に蛍光物質を含むシリコン84を分配する場合を例として、第1実施例による体積感知型ディスペンサー制御方法について説明する。
まず、分配情報格納段階(S130)を実行する。リードフレームL1、L2に実装されたそれぞれのLED素子80のLEDチップ83ごとに特性が違うことができる。この場合、それぞれのLEDチップ83の特性によってシリコン84の分配量が変わることになる。このように、リードフレームL1、L2に実装されたそれぞれのLEDチップ83ごとに別に設定されたシリコン84の分配量を分配情報と称する。このような分配情報を製品供給者から受けて格納部61に格納する。
ついで、予備スキャン段階(S110)を実行する。ローダー20によって供給されたリードフレームL1、L2を光スキャナ50の下側を通るようにすることで、リードフレームL1、L2に実装されたそれぞれのLED素子80の3次元形状を光スキャナ50で測定する。この際、LEDチップ83は図3に示すような状態である。パッケージの内部にLEDチップ83が接着され、パッケージの電極にLEDチップ83がワイヤ82でボンディングされた状態である。光スキャナ50は、図3に示すように、シリコン84が分配される前の状態のLED素子80の3次元形状をスキャニングすることになる。
光スキャナ50は、物体の外形をスキャニングする一般的な光スキャナ50を使用する。光スキャナ50は、レーザーを使用する場合と、可視光線を使用する場合がある。可視光線を用いて物体の外形をスキャニングする場合には、物体のイメージ情報もともに得ることができる利点がある。
このように、可視光線を用いてLED素子80の外形をスキャニングする場合には、制御部60において、画像処理方法によってLED素子80のワイヤ82が切れたかなど、製品80の不良を判断する不良感知段階(S120)を実行することになる。不良感知段階(S120)で不良と判断されたLED素子80は後続の工程で分配しないようにすることで、工程の損失を防止することができ、作業速度を向上させることができる。
一方、可視光線でないレーザーを光源51として用いる光スキャナ50を使用する場合には、別途のカメラを用いてイメージを獲得することで、不良感知段階(S120)を実行することもできる。また、前述したように、別途のカメラを備えずにレーザー光源51の光スキャナ50を使用する場合には、不良感知段階(S120)を省略して次の段階に進めば良い。
ついで、ポンプ40を用いてLED素子80にレジンを分配する予備分配段階(S140)を実行する。図4に示すように、LED素子80にシリコン84を分配することになる。この際、先立って分配情報格納段階(S130)に格納された分配情報を用いて、それぞれのLED素子80に予め割り当てられたシリコン84の分配量よりやや少ない量のシリコン84を分配することになる。このような方法で、リードフレームL1、L2に実装されているすべてのLED素子80に対して一括してシリコン84を分配した後、体積測定段階(S150)を実行する。
予備分配段階(S140)が済んだリードフレームL1、L2を製品移送装置が光スキャナ50に移送すれば、光スキャナ50は、光源51と受光部52を用いてそれぞれのLED素子80の3次元形状をスキャニングする方法で体積測定段階(S150)を実行する。体積測定段階(S150)で測定されたLED素子80の体積と予備スキャン段階(S110)で測定されたLED素子80の体積間の差を計算する方法によって、分配されたシリコン84の体積を測定することになる。
ついで、前記光スキャナ50によって測定されたイメージを用いて、分配されたレジンに含まれた気泡を感知する気泡感知段階(S160)を実行する。光スキャナ50において可視光線を光源51として使用する場合には、スキャニングされたイメージを使用し、レーザーを光源51として使用する場合には、別途のカメラによって撮像されたイメージを使用して、分配されたシリコン84に気泡が含まれているか否かを判断する。LED素子80のような製品は分配されたシリコン84の内部に気泡が含まれていれば不良品と判定されるので、これを予めチェックすることで品質を向上させることができる。また、気泡が含まれたLED素子80に対しては後続の作業を行わないので、工程上の損失を防止し、作業速度を向上させることができる。
ついで、補正体積算定段階(S170)を実行する。制御部60は、格納部61から受信した分配情報によるシリコン84の分配量と体積測定段階(S150)で測定されたシリコン84の体積間の差を計算する方法で、さらに分配すべきシリコン84の量を計算することになる。リードフレームL1、L2に実装されたそれぞれのLED素子80別にシリコン84の補正量を計算して格納部61に格納した後、製品移送装置はさらにリードフレームL1、L2をポンプ40の位置に移送する。
このような状態で、制御部60はポンプ40を制御して補正分配段階(S180)を実行する。ポンプ40は、リードフレームL1、L2に実装されたそれぞれのLED素子80に対して、図5に示すように、予め計算された補正量程度のシリコン84をさらに分配することになる。ジェット方式のポンプ40を使用する場合には、ジェッティング(jetting)回数を計算し、計算された回数に相当するシリコン84の液滴を吐き出す方法で補正分配段階(S180)を実行することができる。スクリュー方式のポンプ40を使用する場合には、スクリューを計算された角度だけ回転させる方法で補正分配段階(S180)を実行することになる。補正分配段階(S180)が済んだリードフレームL1、L2は製品移送装置によってアンローダー30に伝達されて作業を完了する。
従来、秤を用いてレジンの分配量を制御する場合、秤の精度の限界のため分配量をより正確に制御するのに限界がある。しかし、光スキャナ50を使用すれば、分配正確度を飛躍的に向上させることができる。光スキャナ50の分解能は一般的に数μm未満であるので、秤を用いて分配量を制御する場合に比べ、非常に高い正確度を確保することができる。また、秤を用いて分配量を測定する場合に比べ、光スキャナ50を用いて分配量を測定する場合の速度がずっと速いので、分配作業の生産性を飛躍的に向上させることができる。
ついで、図6を参照して本発明の第2実施例による体積感知型ディスペンサー制御方法について説明する。
第2実施例の体積感知型ディスペンサー制御方法においても、図2に示すようなディスペンサー100を用いて分配作業を実行する。第1実施例の体積感知型ディスペンサー制御方法はそれぞれのLED素子80ごとに分配すべきシリコン84の量が異なる場合に実施することができるが、第2実施例の体積感知型ディスペンサー制御方法はそれぞれのLED素子80ごとに分配すべきシリコン84の量が均等な場合に実施する点で違いがある。
まず、図3のような状態で、LED素子80の3次元形状をスキャンする予備スキャン段階(S210)を行うことで、シリコン84の分配前の体積を計算する。
ついで、図4のように、適正量よりやや少ない量のシリコン84をLED素子80に分配する予備分配段階(S220)を行う。
このような状態で、光スキャナ50によって体積測定段階(S230)を行うことで、分配されたシリコン84の量を測定し、これから不足したシリコン84の量を計算する補正体積算定段階(S240)を実行する。
このように計算された補正体積を用いて、制御部60は、ポンプ40で分配する正確なシリコン84の量を貯蔵し、このように補正された値によってLED素子80に対して分配作業を実行するようにポンプ40を制御する。前述したように、分配すべきシリコン84の量を光スキャナ50で補正した状態で、その値を基準として一括してリードフレームL1、L2のすべてのLED素子80に対してシリコン84を分配する段階を補正分配段階(S250)と言う。第1実施例の補正分配段階(S180)は図4のように一部が満たされたLED素子80に対して不足なシリコン84を補充する段階であるのに対し、第2実施例の補正分配段階(S250)は全体的に分配するシリコン84の量を補正して格納した後、その値のとおりにリードフレームL1、L2のすべてのLED素子80に対して一括して分配作業を行う点で違いがある。よって、図6のように、それぞれのLED素子80ごとに補正分配段階(S250)を実行した後、リードフレームL1、L2のすべてのLED素子80に対して作業を完了したかを確認し(S260)、作業を完了するまで補正分配段階(S250)を繰り返し実行することになる。
すなわち、第2実施例の体積感知型ディスペンサー制御方法は、いくつかのLED素子80に対して補正体積を算定してポンプ40の分配量を補正した後には、別に分配量の補正を行わず、補正された値によってそれぞれのLED素子80に対して一度に分配作業を行うものである。リードフレームL1、L2のLED素子80に対してそれぞれ分配すべきシリコン84の量が均等である場合にはより早い速度で分配作業を実行することができる利点がある。
以上、本発明の好適な実施例を説明したが、本発明はこれまで図示しながら説明した範囲に限定されるものではない。
例えば、第1実施例では不良感知段階(S120)と気泡感知段階(S160)を行うものとして説明したが、製品の特性によってはこのような段階を省略することもできる。
また、第1実施例及び第2実施例において、予備スキャン段階(S110、S210)を行うものとして説明したが、予備スキャン段階(S110、S210)を省略することができる。光スキャナ50を用いて分配作業前の製品の3次元形状をスキャニングせずに別の方法で測定、計算、設計された製品の外形を予め制御部60に提供し、その値を用いて、補正体積算定段階(S240)で補正すべきレジンの分配量を計算することもできる。
前記では、3次元スキャン方法によって製品またはシリコンの体積を計算するものとして説明したが、パッケージの内側上端とシリコンの外形線の高さを測定する方法でシリコンの体積を計算することもできる。
また、前記では、LED素子80を製品の例として説明したが、本発明はLED素子80だけでなくアンダーフィルのような多様な分野の電子部品の生産工程にも適用できる。
本発明は、LED素子だけでなくアンダーフィルのような多様な分野の電子部品の生産工程に適用可能である。
10 ベース、20 ローダー、30 アンローダー、40 ポンプ、50 光スキャナ、60 制御部、80 LED素子、81 パッケージ、82 ワイヤ、83 LEDチップ、84 シリコン、100 ディスペンサー、S110,S210 予備スキャン段階、S120 不良感知段階、S130 分配情報格納段階、S140,S220 予備分配段階、S150,S230 体積測定段階、S160 気泡感知段階、S170,S240 補正体積算定段階、S180,S250 補正分配段階。

Claims (9)

  1. ポンプでレジンを吐き出して製品に所定量のレジンを分配するように制御する体積感知型ディスペンサー制御方法において、
    前記ポンプで前記製品にレジンを分配する予備分配段階;
    前記予備分配段階が済んだ製品を光スキャナでスキャンして、分配されたレジンの体積を測定する体積測定段階;
    前記体積測定段階で感知されたレジンの量と所定の分配量との差を用いて、追加に分配されるレジンの量を計算する補正体積算定段階;及び
    前記補正体積算定段階で計算されたレジンの補正量を反映して前記製品にレジンを分配する補正分配段階;を含み、
    前記補正分配段階は、前記予備分配段階を経た製品に対し、前記補正体積算定段階で計算されたレジンの補正量だけさらにレジンを分配することを特徴とする、体積感知型ディスペンサー制御方法。
  2. 多数の製品に対して前記予備分配段階を実行し、
    前記予備分配段階が済んだ多数の製品に対して順次それぞれ前記体積測定段階及び補正体積算定段階を実行した後、
    前記製品に対して順次前記補正分配段階を行うことを特徴とする、請求項1に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  3. 前記それぞれの製品に別途に割り当てられた製品別レジン分配量を入力されて格納部に格納する分配情報格納段階;をさらに含み、
    前記補正体積算定段階は、前記分配情報格納段階で格納された前記製品別レジン分配量を用いてレジンの補正量を計算することを特徴とする、請求項2に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  4. 前記予備分配段階に先立ち、前記製品の3次元形状を前記光スキャナで測定する予備スキャン段階;をさらに含み、
    前記補正体積算定段階は、前記体積測定段階で測定された値と前記予備スキャン段階で測定された値の差を用いてレジンの補正量を計算することを特徴とする、請求項1〜のいずれか1項に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  5. 前記体積測定段階は、レーザーを光源とする光スキャナを用いて行うことを特徴とする、請求項に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  6. 前記体積測定段階は、可視光線を光源とする光スキャナを用いて行うことを特徴とする、請求項に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  7. 前記体積測定段階を実行した後、前記光スキャナによって測定されたイメージを用いて、分配されたレジンに含まれた気泡を感知する気泡感知段階;をさらに含むことを特徴とする、請求項に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  8. 前記予備スキャン段階は、可視光線を光源とする光スキャナを用いて行い、
    前記予備スキャン段階を実行した後、前記光スキャナによって測定されたイメージを用いて製品の不良を確認する不良感知段階;をさらに含み、
    前記不良感知段階で不良と判断された製品に対し、後続の各段階を実行しないことを特徴とする、請求項に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
  9. 前記予備分配段階、体積測定段階及び補正分配段階は、順次配置されたポンプと光スキャナ、及び前記ポンプと光スキャナに沿って前記製品を移送する製品移送装置を用いて一括工程で行うことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の体積感知型ディスペンサー制御方法。
JP2009279545A 2009-06-29 2009-12-09 体積感知型ディスペンサー制御方法 Active JP5250536B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0058285 2009-06-29
KR1020090058285A KR101073976B1 (ko) 2009-06-29 2009-06-29 체적 감지형 디스펜서 제어 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011005476A JP2011005476A (ja) 2011-01-13
JP5250536B2 true JP5250536B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=43379801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009279545A Active JP5250536B2 (ja) 2009-06-29 2009-12-09 体積感知型ディスペンサー制御方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8080192B2 (ja)
JP (1) JP5250536B2 (ja)
KR (1) KR101073976B1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101197229B1 (ko) * 2011-01-26 2012-11-02 주식회사 프로텍 Led 소자 제조 방법 및 led 소자 제조 장치
KR102356244B1 (ko) * 2015-01-05 2022-01-28 현대모비스 주식회사 하우징의 핫멜트 도포 장치 및 방법
KR20210021160A (ko) 2019-08-14 2021-02-25 삼성디스플레이 주식회사 액적 측정 방법, 액적 측정 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210104222A (ko) 2020-02-14 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치, 액적 측정 방법, 및 표시 장치의 제조방법
KR102474000B1 (ko) 2022-03-07 2022-12-05 주식회사피에스디이 나노 임프린팅을 위한 디스펜서 및 그 제조 방법
KR102454787B1 (ko) 2022-05-06 2022-10-14 주식회사피에스디이 몰드 자동 교체형 나노 임프린팅 리소그래피 장치 및 그 방법
KR102690004B1 (ko) * 2022-08-22 2024-07-30 (주)나노젯코리아 언더필 디스펜싱 장치
WO2024054070A1 (ko) * 2022-09-08 2024-03-14 주식회사 레신저스 광와이어 제조 장치 및 제조 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5724627A (en) * 1980-07-18 1982-02-09 Fujitsu Ltd Quantitative dropping of liquid
JPH0615711A (ja) * 1992-04-08 1994-01-25 Dr Spiess Kunststoff Recycling Gmbh & Co 合成物質、特にリサイクル合成物質から資材を自動的に造るための方法および装置
US5518388A (en) * 1993-12-14 1996-05-21 United Technologies Corporation Automated apparatus and method for resin transfer molding
JPH11298200A (ja) * 1998-04-10 1999-10-29 Nagoya Denki Kogyo Kk プリント基板の部品実装プロセスにおける自動品質管理方法およびその装置
JP4015007B2 (ja) * 2001-11-16 2007-11-28 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2004273541A (ja) 2003-03-05 2004-09-30 Seiko Epson Corp 樹脂塗布装置、アンダーフィル材の充填方法、半導体チップの実装方法、半導体実装基板および電子機器
JP2006116789A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成形機及びその樹脂供給制御方法
JP4551324B2 (ja) * 2005-12-28 2010-09-29 芝浦メカトロニクス株式会社 ペーストの塗布量測定装置及びペースト塗布装置
JP2008076151A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 I-Pulse Co Ltd 検査装置および検査方法
JP2008145300A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Sharp Corp 蛍光体層厚み判定方法および発光装置の製造方法
WO2008141218A2 (en) * 2007-05-11 2008-11-20 Shiloh Industries, Inc. Composite component and method of manufacturing the same
JP2009092485A (ja) * 2007-10-06 2009-04-30 Djtech Co Ltd 印刷半田検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110000942A (ko) 2011-01-06
US8080192B2 (en) 2011-12-20
KR101073976B1 (ko) 2011-10-17
JP2011005476A (ja) 2011-01-13
US20100327468A1 (en) 2010-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5250536B2 (ja) 体積感知型ディスペンサー制御方法
KR101197229B1 (ko) Led 소자 제조 방법 및 led 소자 제조 장치
TWI537061B (zh) A coating method for a liquid material, a coating apparatus, and a memory medium having a memory program
US20170345728A1 (en) Flow metering for dispense monitoring and control
US9021983B2 (en) Stage apparatus and process apparatus
KR20180054679A (ko) 디스펜스 모니터링 및 제어
KR101482372B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법 및 발광 소자의 제조 장치
CN110383428B (zh) 半导体制造装置以及半导体制造方法
JP6993791B2 (ja) インプリント装置
KR101087697B1 (ko) 와이어 검사형 디스펜싱 방법 및 와이어 검사형 디스펜서
TWI471953B (zh) Liquid material filling method and device
US20040186621A1 (en) Method of implementing multiple pump speeds for dispensing a viscous material
JP5705661B2 (ja) 液体定量吐出装置及び液体定量吐出方法
KR102091935B1 (ko) 3차원 스캐너를 이용한 점성 용액 디스펜싱 방법
US10322545B1 (en) Measuring ink stream deposition rate of an aerosol-jet printer
TW201304025A (zh) 用於晶粒安裝的鍵合層厚度控制
JP7546321B2 (ja) 圧縮成形装置
CN116351666B (zh) 点胶方法和点胶设备
JP2006324494A (ja) 塗布装置
JP2014161818A (ja) 塗布装置
KR20210157882A (ko) 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법
KR101535740B1 (ko) 형광체 공급 방법
Buršík et al. New method for adjustment of elevation of the ceramic flatness for direct deposition

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5250536

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250