JP5243249B2 - 粒子光学系 - Google Patents
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Description
図2は、本発明に係る系に用いられる静電レンズ装置の一実施の形態を概略的に示し、
図3は、隣接カラムの静電レンズ装置の各第1の電極素子のアレイの一実施の形態の(光軸方向における)正面図を概略的に示し、前記第1の電極素子は、共通の第1の取付プレートに取り付けられており、
図4は、図5に示す開口の周囲の隣接レンズの開口の構成の一実施の形態を概略的に示し、
図5は、本発明に係る静電レンズ装置に含まれる電極素子の開口の非円形の一実施の形態を概略的に示し、
図6は、図3に示す電極素子のアレイの実施の形態の線A−Aにおける断面図を概略的に示している。
Claims (24)
- 複数の粒子光学マルチビームレットカラムを含むマルチビームレット・マルチカラム粒子光学系であって、
前記複数の粒子光学マルチビームレットカラムは、同じ基板を同時に露光するためにアレイ状に配置され、
各粒子光学カラムは、光軸を有し、かつ、
荷電粒子の多重ビームレットのパターンを生成するための複数の開口を有する少なくとも1つのマルチ開口板を含むビームレット生成装置と、
少なくとも1つの電極素子を含む、前記ビームレット生成装置の下流の静電レンズ装置とを含み、
前記少なくとも1つの電極素子は、生成された荷電粒子の多重ビームレットを通過させる開口を有し、前記開口は、前記光軸に対向する内周縁部によって規定され、かつ、前記光軸に直交する平面において中心及び所定の形状を有し、
前記複数の荷電粒子カラムのうちの少なくとも1つにおいて、前記少なくとも1つの電極素子の前記開口の前記所定の形状は、前記開口の中心を中心とする理想的な円から凸部及び凹部のうちの少なくとも一方を有する非円形であり、
前記開口の中心に最も近接して位置する前記開口の内周縁部上の点との間の第1の距離は、前記開口の中心から最も遠くに位置する前記開口の内周縁部上の点との間の第2の距離よりも少なくとも約5%小さいことを特徴とするマルチビームレット・マルチカラム粒子光学系。 - 前記電極素子は、内周縁部を有する環状の内側電極部材を含み、前記開口は、前記内周縁部によって形成されている、請求項1に記載の粒子光学系。
- 前記複数の荷電粒子マルチビームレットカラムの前記少なくとも1つの前記静電レンズ装置は、同軸上に、かつ、前記光軸方向において離間して配置された2つ以上の電極素子を含む、請求項1に記載の粒子光学系。
- 前記少なくとも2つの電極素子の前記開口は、実質的に同じ非円形を有する、請求項3に記載の粒子光学系。
- 前記少なくとも2つの電極素子の第1の電極素子の前記開口は、前記少なくとも2つの電極素子の第2の電極素子の前記開口の面積よりも少なくとも5%だけ大きい面積を有する、請求項4に記載の粒子光学系。
- 前記複数のカラムは、各カラムの前記静電装置の前記少なくとも1つの電極素子の前記開口が第1の形状を有する、少なくとも1つのカラムを含む第1のカラム群を含み、各カラムの前記静電装置の前記少なくとも1つの電極素子の前記開口が前記第1の形状と異なる第2の形状を有する、少なくとも1つのカラムを含む第2のカラム群をさらに含む、請求項1に記載の粒子光学系。
- 前記第1の形状は、凹部の数、凸部の数、凸部の形状、凹部の形状、凸部のサイズ、凹部のサイズ、前記形状の対称性、及び、それらの任意の組み合わせのうちの少なくとも1つに関して前記第2の形状と異なる、請求項6に記載の粒子光学系。
- 前記第1のカラム群の各カラムは第1の隣接カラム構成によって囲まれ、前記第2のカラム群の各カラムは第2の隣接カラム構成によって囲まれ、前記第1の隣接カラム構成は前記第2の隣接カラム構成と異なる、請求項6に記載の粒子光学系。
- 前記第1の隣接カラム構成は、それぞれのカラムに最も近接して配置される隣接カラムの数、それぞれのカラムに2番目に近接して配置される隣接カラムの数、前記隣接カラム構成の対称性、及び、それらの任意の組み合わせのうち少なくとも1つに関して前記第2の隣接カラム構成と異なる、請求項8に記載の粒子光学系。
- 前記非円形は、半径が前記第2の距離と等しい理想的な円から前記開口の中心に向かって延びる1つ、2つ又は4つの凹部を有する形状を含む、請求項1に記載の粒子光学系。
- 各カラムは、少なくとも1つの最も近接する隣接カラムと、少なくとも1つの2番目に近接する隣接カラムとを有し、少なくとも1つのカラムの前記少なくとも1つの電極素子の前記開口の形状における凹部の数は、前記少なくとも1つのカラムの周囲の2番目に近接するカラムの数と等しく、前記凹部は、半径が前記第2の距離と等しい理想的な円から前記開口の中心に向かって延びる、請求項1に記載の粒子光学系。
- 前記粒子光学マルチビームカラムは、1からNのN行及び前記行に直交する1からMのM列の矩形アレイ状に配置され、
第3のカラム群が、列1、行2〜N−1と、列M、行2〜N−1と、行1、列2〜M−1と、行N、列2〜N−1とに配置されたカラムで構成され、前記第3のカラム群の各カラムの前記静電装置の前記少なくとも1つの電極素子の前記開口は、同じ第3の形状を有する、請求項1に記載の粒子光学系。 - 前記粒子光学マルチビームカラムは、1からNのN行及び前記行に直交する1からMのM列の矩形アレイ状に配置され、
第4のカラム群が、列1、行1と、列1、行Nと、列M、行1と、列M、行Nとに配置されたカラムで構成され、前記第4のカラム群の各カラムの前記静電装置の前記少なくとも1つの電極素子の前記開口は、同じ第4の形状を有する、請求項1に記載の粒子光学系。 - 前記粒子光学マルチビームカラムは、1からNのN行及び前記行に直交する1からMのM列の矩形アレイ状に配置され、
第5カラム群が、列2〜M−1、行2〜N−1に配置されたカラムで構成され、前記第5のカラム群の各カラムの前記静電装置の前記少なくとも1つの電極素子の前記開口は、同じ第5の形状を有する、請求項1に記載の粒子光学系。 - 隣接カラムの前記静電装置の前記少なくとも1つの電極素子は、基板平面から同じ距離を有し、かつ、前記隣接カラムの光軸に直交する平面において実質的に延びる取付構造上に配置されている、請求項1に記載の粒子光学系。
- 第1及び第2の取付構造をさらに含み、
互いに近接して配置されたカラムの光軸は平行に配置され、
前記近接するカラムのそれぞれは、同軸上に、かつ、前記カラムの光軸方向において離間して配置された第1の電極素子及び少なくとも第2の電極素子を含む2つ以上の電極素子を含み、
前記近接するカラムの前記第1の電極素子は、基板平面から同じ第1の距離を有し、かつ、前記第1の取付構造上に配置され、
前記近接するカラムの前記第2の電極素子は、前記基板平面から同じ第2の距離を有し、かつ、前記第2の取付構造上に配置され、前記第1及び第2の取付構造は、前記カラムの光軸に直交する平面において互いに平行に配置されている、請求項1に記載の粒子光学系。 - 前記第1及び第2の取付構造は、電気絶縁性のスペーサ素子によって離間されている、請求項16に記載の粒子光学系。
- 前記電極素子は、半径が前記第2の距離と等しいか又はそれより大きい実質的に円筒状の遮蔽部材をさらに含む、請求項3に記載の粒子光学系。
- 前記開口は、前記電極装置内で発生した静電界に対する多極補正を可能にするような形状及び構成を有する、請求項1に記載の粒子光学系。
- 各ビームレット生成装置は、荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子源と、前記荷電粒子源の下流のビームパターン形成構造とを含み、前記ビームパターン形成構造は、少なくとも前記マルチ開口板を含み、かつ、多重ビームレットのパターンが前記パターン形成構造の下流に形成されるように前記荷電粒子ビームの少なくとも一部をブランキングするよう構成されている、請求項1に記載の粒子光学系。
- 第1のカラムの前記静電レンズ装置の前記電極素子の前記少なくとも1つの開口の中心は、第2のカラムの前記静電レンズ装置の前記電極素子の前記少なくとも1つの開口の中心から少なくとも50mm離れて配置され、前記第2のカラムは、前記マルチビーム荷電粒子カラムアレイの前記第1のカラムに最も近接して配置されている、請求項1に記載の粒子光学系。
- 前記開口の形状は、それぞれのマルチビーム粒子光学カラムの光軸に関して非対称である、請求項1に記載の粒子光学系。
- 前記開口の中心は、それぞれのマルチビームレット粒子光学カラムの光軸上に配置されている、請求項1に記載の粒子光学系。
- マルチビーム・マルチカラム露光により基板を露光する方法であって、
請求項1に記載の粒子光学系の複数のマルチビームレット粒子光学カラムのそれぞれによって複数の多重ビームレットパターンを生成し、前記複数の多重ビームレットパターンを被露光基板の方へ導く工程と、
前記複数のマルチビームレット粒子光学カラムの前記静電レンズ装置の前記少なくとも1つの電極素子に電位を印加することによって静電界を発生させる工程と、
前記複数のマルチビームレット粒子光学カラムの前記静電レンズ装置の前記電極素子のそれぞれの開口を介して前記多重ビームレットパターンを伝達する工程と
を含む方法。
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