JP5235223B2 - Method for forming sputtered thin film on substrate and carrier - Google Patents
Method for forming sputtered thin film on substrate and carrier Download PDFInfo
- Publication number
- JP5235223B2 JP5235223B2 JP2011113994A JP2011113994A JP5235223B2 JP 5235223 B2 JP5235223 B2 JP 5235223B2 JP 2011113994 A JP2011113994 A JP 2011113994A JP 2011113994 A JP2011113994 A JP 2011113994A JP 5235223 B2 JP5235223 B2 JP 5235223B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- frame
- thin
- frame side
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 46
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
本発明は、フラットパネルディスプレイ(FPD)を製造する際の、ガラス基板にスパッタ薄膜を形成する工程などに適用される、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアに関する。 The present invention relates to a method for forming a sputtered thin film on a substrate, which is applied to a step of forming a sputtered thin film on a glass substrate when manufacturing a flat panel display (FPD), and a carrier for carrying out the method. .
従来、基板への薄膜の形成方法および搬送キャリアとして知られているものには、例えば、特許文献1に記載のものがある。特許文献1には、四角形状の枠体と、枠体の対向する内周部と内周部の間に、その両端を枠体の各内周部と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成される搬送キャリアを用いた、ガラス基板へのMgO被膜などの蒸着被膜の形成方法が記載されている(例えば図2を参照のこと)。 Conventionally known methods for forming a thin film on a substrate and transport carriers include those described in Patent Document 1, for example. In Patent Document 1, a rectangular frame body, and an inner peripheral portion and an inner peripheral portion facing each other of the frame body, both ends thereof are connected to each inner peripheral portion of the frame body via an elastic member, thereby providing tension. A method of forming a vapor deposition film such as an MgO film on a glass substrate using a transport carrier composed of a thin member erected with an additional is described (for example, see FIG. 2).
特許文献1に記載の方法は、基板への蒸着被膜の形成方法として一応の評価をすることができるものである。しかしながら、この方法は、蒸着法に基づくものであるので、搬送キャリアに対して電気的な作用を考慮する必要がないことから、ここに記載の搬送キャリアの構成は、電気的な作用を何ら考慮したものではない。従って、真空状態のプラズマ雰囲気中で薄膜形成を行うスパッタ法に基づく方法に、特許文献1に記載の搬送キャリアを適用した場合、異常放電などを引き起こし、良質なスパッタ薄膜を安定して形成できないという問題がある。また、特許文献1に記載の方法は、蒸着法に基づくものとして評価した場合でも、次のような問題を有する。即ち、特許文献1に記載の方法は、その発明の詳細な説明の段落0012に記載の通り、ガラス基板を四角形状の枠体の内周部に設けた窓枠状の基板受けに載置することで保持するようにしている。従って、例えば、大型のガラス基板を加熱して蒸着被膜を形成する際、枠体自体を加熱しなければならないので、エネルギー消費量が膨大であるといった問題や、枠体の熱歪が起こるといった問題を有していた。また、ガラス基板を搬送キャリアにセットすることで初期に発生する機械応力を緩和することができないといった問題を有していた。さらに、ガラス基板に許容範囲を超える熱応力が発生するとこれを緩和することができないことに加え、ガラス基板の高熱による撓みを基板受けが十分に吸収することができないことで熱のびによって無視することのできない機械応力が発生するといった問題を有していた。その結果、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発するおそれがあるといった問題を有していた。このような問題は、基板を加熱してスパッタ薄膜を形成する場合には、同じように問題となる。
そこで本発明は、簡易な構成で、異常放電などを引き起こすことなく、1枚のガラス基板から複数枚のパネルを安定に調製することを可能にする、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a method for forming a sputtered thin film on a substrate and a method thereof that can stably prepare a plurality of panels from a single glass substrate without causing abnormal discharge or the like with a simple configuration. An object of the present invention is to provide a carrier for carrying out the above.
本発明者らは、上記の点に鑑みて種々の検討を行った結果、ガラス基板にスパッタ薄膜を形成するために用いる搬送キャリアを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、枠体との間で絶縁した状態で、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材に、ガラス基板が搬送キャリアに載置されている状態を形成するための保持部材としての機能、および/または、ガラス基板における2つ以上のスパッタ薄膜形成領域を画定するためのマスク部材としての機能を担わせることで、上記の目的を達成することができることを知見した。 As a result of various investigations in view of the above points, the present inventors have determined that a carrier used for forming a sputtered thin film on a glass substrate is a rectangular frame and opposing frame sides of the frame. Consists of a thin member that is installed with tension applied by connecting both ends of the frame body to each frame side of the frame body via an elastic member while being insulated from the frame body. And a function as a holding member for forming a state in which the glass substrate is placed on the carrier, and / or two or more sputtered thin film formation regions in the glass substrate. It has been found that the above object can be achieved by providing a function as a mask member for defining.
上記の知見に基づいてなされた本発明の基板へのスパッタ薄膜の形成方法は、請求項1記載の通り、四角形状の基板を水平から垂直までの任意の角度に維持してスパッタ装置の処理室に搬送し、前記基板にスパッタ薄膜を形成するために用いられる搬送キャリアを、四角形状の枠体と、前記枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を前記枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、前記薄体状部材の厚みを0.1mm〜0.8mmとし、前記薄体状部材の熱膨張率を前記基板となるガラス基板の熱膨張率の±20%となるようにし、前記薄体状部材を、一方の対向する枠辺と枠辺の間に他方の枠辺に平行に1本以上、他方の対向する枠辺と枠辺の間に一方の枠辺に平行に1本以上、前記枠体との間で絶縁した状態で架設し、前記枠体と前記基板とが接することがないように前記薄体状部材のみで前記基板の載置面を構成し、且つ、前記基板の外周縁を前記薄体状部材によりマスクし、個々の前記薄体状部材に、前記基板が搬送キャリアに載置されている状態を形成するための保持部材としての機能、および、前記基板における2つ以上のスパッタ薄膜形成領域を画定するためのマスク部材としての機能を担わせ、前記基板にスパッタ薄膜を形成することを特徴とする。
また、本発明の搬送キャリアは、請求項2記載の通り、四角形状の基板を水平から垂直までの任意の角度に維持してスパッタ装置の処理室に搬送し、前記基板にスパッタ薄膜を形成するために用いられる搬送キャリアであって、四角形状の枠体と、前記枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を前記枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成され、前記薄体状部材の厚みを0.1mm〜0.8mmとし、前記薄体状部材の熱膨張率を前記基板となるガラス基板の熱膨張率の±20%となるようにし、前記薄体状部材を、一方の対向する枠辺と枠辺の間に他方の枠辺に平行に1本以上、他方の対向する枠辺と枠辺の間に一方の枠辺に平行に1本以上、前記枠体との間で絶縁した状態で架設し、前記枠体と前記基板とが接することがないように前記薄体状部材のみで前記基板の載置面を構成し、且つ、前記基板の外周縁を前記薄体状部材によりマスクし、個々の前記薄体状部材に、前記基板が搬送キャリアに載置されている状態を形成するための保持部材としての機能、および、前記基板における2つ以上のスパッタ薄膜形成領域を画定するためのマスク部材としての機能を担わせるようにしたことを特徴とする。
The method for forming a sputtered thin film on a substrate according to the present invention based on the above knowledge is characterized in that, as described in claim 1, a rectangular substrate is maintained at an arbitrary angle from horizontal to vertical, and a processing chamber of a sputtering apparatus. transported in a transport carrier which is used to form a sputtered film on the substrate, a rectangular frame, between opposite frame sides with the frame side of the frame, each of both ends of the frame A thin member formed by connecting a frame side and an elastic member to add a tension, and the thin member has a thickness of 0.1 mm to 0.8 mm, and the thin member The thermal expansion coefficient is ± 20% of the thermal expansion coefficient of the glass substrate serving as the substrate, and the thin member is parallel to the other frame side between the one frame side and the frame side. One or more, one parallel to one frame side between the other opposing frame sides Moreover, bridged while insulation between the frame body and constituting a mounting surface of said substrate only in a thin body member so as not to the frame body and said substrate are in contact, and, the The outer peripheral edge of the substrate is masked by the thin member, and the function as a holding member for forming the state in which the substrate is placed on the carrier in each thin member, and the substrate A function as a mask member for defining two or more sputtered thin film formation regions is formed, and a sputtered thin film is formed on the substrate.
Further, according to a second aspect of the present invention, the carrier according to the present invention maintains the rectangular substrate at an arbitrary angle from horizontal to vertical and transports it to the processing chamber of the sputtering apparatus to form a sputtered thin film on the substrate. a conveying carrier to be used for a rectangular frame, between opposite frame sides with the frame side of the frame, connecting the two ends through the respective frame sides and the elastic member of the frame A thin member formed by applying tension to the thin member, the thin member has a thickness of 0.1 mm to 0.8 mm, and the thermal expansion coefficient of the thin member is glass serving as the substrate. One or more of the thin members in parallel to the other frame side between one opposing frame side and the other opposing frame side, so as to be ± 20% of the thermal expansion coefficient of the substrate a frame side parallel to one or more in one frame sides during, shaped insulated between the frame In Erection and the so as not to the frame body and said substrate are in contact constitutes a mounting surface of the substrate only in a thin body member, and the mask by the thin body member outer peripheral edge of said substrate In each thin member, a function as a holding member for forming a state in which the substrate is placed on a transport carrier, and two or more sputtered thin film formation regions in the substrate are defined. It is characterized by having a function as a mask member for this purpose.
本発明によれば、簡易な構成で、異常放電などを引き起こすことなく、1枚のガラス基板から複数枚のパネルを安定に調製することを可能にする、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアが提供される。 According to the present invention, it is possible to stably prepare a plurality of panels from a single glass substrate with a simple configuration without causing abnormal discharge or the like, and a method for forming a sputtered thin film on a substrate, A carrier for carrying out the method is provided.
以下、本発明の基板へのスパッタ薄膜の形成方法を、FPDを製造する際の、ガラス基板にITOスパッタ薄膜を形成する場合を例にとって図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a method for forming a sputtered thin film on a substrate of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example the case of forming an ITO sputtered thin film on a glass substrate when manufacturing an FPD.
図1は、本発明の基板へのスパッタ薄膜の形成方法を実施するための搬送キャリアの一実施形態の概略平面図である。図1に示した搬送キャリアAは、ステンレスやチタンなどからなる四角形状の枠体1と、枠体1の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体1の各枠辺と弾性部材としてのスプリング3を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材2とから構成される。薄体状部材2は、図1における横方向に対向する枠辺と枠辺の間に縦方向の枠辺に平行に3本、縦方向の対向する枠辺と枠辺の間に横方向の枠辺に平行に4本、枠体1との間で絶縁した状態で(即ち、枠体1に対して電気的にフローティングした状態で)架設されている。枠体1と薄板状部材2の間での絶縁性は、ポリイミド樹脂からなる絶縁板4を、ポリイミド樹脂からなる図略の絶縁ブッシュを介して枠体1にボルト5で固定し、このようにして枠体1に固定された絶縁板4にスプリング3を固定することで確保されている(もちろん絶縁性の確保の方法はこの方法に限定されるものではない)。
FIG. 1 is a schematic plan view of an embodiment of a carrier for carrying out the method for forming a sputtered thin film on a substrate of the present invention. The transport carrier A shown in FIG. 1 includes a rectangular frame 1 made of stainless steel, titanium, or the like, and between the opposite frame sides of the frame 1, and both ends of each frame side of the frame 1. The
図2は、図1に示した搬送キャリアAにガラス基板Xを載置した状態を示す概略平面図である。この態様においては、個々の薄体状部材2を、ガラス基板Xが搬送キャリアAに載置されている状態を形成するための保持部材として機能させるとともに、ガラス基板Xにおける6つのスパッタ薄膜形成領域(斜線で示すYの部分)を画定するためのマスク部材として機能させる。これにより、異常放電などを引き起こすことなく、1枚のガラス基板から6枚のパネルを安定に調製することが可能となる。また、ガラス基板を加熱して各スパッタ薄膜形成領域にITOスパッタ薄膜を形成する際でも、枠体を加熱する必要がないので、省エネルギー化を図ることができる。加えて、枠体の熱歪を抑制することができる。また、両端にテンションを付加した薄体状部材が、ガラス基板を搬送キャリアにセットすることで初期に発生する機械応力を緩和する。また、薄体状であることで熱容量が小さいことから、ガラス基板との温度差が小さくなるので、ガラス基板に発生する熱応力を軽減するとともに、ガラス基板に発生する熱応力を緩和する。さらに、ガラス基板の高熱による撓みを均等に吸収することで熱のびによる機械応力も緩和する。従って、特許文献1に記載の方法のように、ガラス基板を枠体の内周部に設けた窓枠状の基板受けに載置するといった態様の他、薄体状部材をガラス基板の保持部材として機能させる場合であっても、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介さず固定するといった態様や、一方の端部のみ枠体の枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加し、他方の端部は枠体の枠辺と弾性部材を介さず固定するといった態様において起こりうる熱負荷によるガラス基板の割れなどを抑制することができる。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a state where the glass substrate X is placed on the transport carrier A shown in FIG. In this embodiment, each
薄体状部材の熱膨張率をガラス基板の熱膨張率の±20%とする。これにより、ガラス基板を加熱してITOスパッタ薄膜を形成する際、ガラス基板に発生する熱応力や機械応力をより効果的に緩和することができる。従って、熱負荷によるガラス基板の割れなどをより効果的に抑制することができる。例えば、ガラス基板としてホウケイ酸ガラスを用いる場合、薄体状部材はホウケイ酸ガラスと熱膨張率が近似するニッケル鉄合金からなるものが望ましい。 The thermal expansion coefficient of the thin member is set to ± 20% of the thermal expansion coefficient of the glass substrate. Thereby, when heating a glass substrate and forming an ITO sputtered thin film, the thermal stress and mechanical stress which generate | occur | produce in a glass substrate can be relieve | moderated more effectively. Therefore, the crack of the glass substrate by a heat load, etc. can be suppressed more effectively. For example, when borosilicate glass is used as the glass substrate, the thin member is preferably made of a nickel-iron alloy whose thermal expansion coefficient approximates that of borosilicate glass.
薄体状部材の厚みは0.1mm〜0.8mmとする。厚みが0.1mmを下回るとガラス基板の保持部材としての機能が十分でなくなるおそれがある一方、厚みが0.8mmを上回ると薄体状部材と薄体状部材の交差部分周囲に隙間が生じ、マスク部分へのITO成分の回り込み現象(所謂「膜ダレ現象」)が起こることで、ガラス基板におけるスパッタ薄膜形成領域への正確なITOスパッタ薄膜の形成ができなくなるおそれがある。 The thickness of the thin member is 0.1 mm to 0.8 mm. If the thickness is less than 0.1 mm, the function as a glass substrate holding member may not be sufficient. On the other hand, if the thickness exceeds 0.8 mm, a gap is generated around the intersection of the thin member and the thin member. If the ITO component wraps around the mask portion (so-called “film sagging phenomenon”), there is a possibility that an accurate ITO sputtered thin film cannot be formed on the sputtered thin film forming region of the glass substrate.
本発明の基板へのスパッタ薄膜の形成方法を実施するために用いるスパッタ装置は、図面による説明は省略するが、自体公知のものであってよく、搬送キャリアAによって水平から垂直までの任意の角度に維持された状態で処理室に搬送されてきたガラス基板Xに、真空状態のプラズマ雰囲気中で、ターゲットがイオン衝撃を受けることで生成したITO成分を付着させてITOスパッタ薄膜を形成することができる構造を有する装置であれば、どのような装置であってもよい。 The sputtering apparatus used for carrying out the method for forming a sputtered thin film on the substrate of the present invention is omitted from the description with reference to the drawings, but may be known per se, and any angle from horizontal to vertical by the carrier A An ITO sputtered thin film can be formed by adhering the ITO component generated by the target being subjected to ion bombardment in a vacuum plasma atmosphere on the glass substrate X that has been transported to the processing chamber while being maintained at Any device having a structure that can be used may be used.
なお、図1に示した搬送キャリアAは、ガラス基板Xにおける6つのスパッタ薄膜形成領域YにITOスパッタ薄膜を形成することで、1枚のガラス基板Xから6枚のパネルを調製するためのものであるが、薄体状部材2をスプリング3とともに枠体1から着脱自在とし、これらを枠体1の枠辺の任意の位置に任意の本数だけ架設することができるようにすれば、ガラス基板Xに2つ以上の任意の個数かつ任意の大きさのスパッタ薄膜形成領域Yを画定してITOスパッタ薄膜を形成することができるので、1枚のガラス基板Xから2枚以上の任意の枚数かつ任意の大きさのパネルを調製することができる。また、図1に示した搬送キャリアAに複数枚のガラス基板を載置するようにしてもよい。また、枠体1の内周部に、枠体1との間で絶縁した状態で、基板受けや基板押えを補助的に設けてもよい。
The transport carrier A shown in FIG. 1 is for preparing six panels from one glass substrate X by forming ITO sputtered thin films in the six sputtered thin film forming regions Y of the glass substrate X. However, if the
本発明は、簡易な構成で、異常放電などを引き起こすことなく、1枚のガラス基板から複数枚のパネルを安定に調製することを可能にする、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアを提供することができる点において産業上の利用可能性を有する。 The present invention provides a method for forming a sputtered thin film on a substrate and a method thereof that enable a plurality of panels to be stably prepared from a single glass substrate without causing abnormal discharge or the like with a simple configuration. It has industrial applicability in that it can provide a carrier for carrying out.
A 搬送キャリア
1 枠体
2 薄体状部材
3 スプリング
4 絶縁板
5 ボルト
X ガラス基板
Y スパッタ薄膜形成領域
A Transport carrier 1
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011113994A JP5235223B2 (en) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | Method for forming sputtered thin film on substrate and carrier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011113994A JP5235223B2 (en) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | Method for forming sputtered thin film on substrate and carrier |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005044249A Division JP2006225748A (en) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | Method for depositing sputter thin film onto substrate and carrier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011174185A JP2011174185A (en) | 2011-09-08 |
JP5235223B2 true JP5235223B2 (en) | 2013-07-10 |
Family
ID=44687288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011113994A Active JP5235223B2 (en) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | Method for forming sputtered thin film on substrate and carrier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5235223B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101366840B1 (en) | 2012-03-30 | 2014-02-26 | (주)에스엔텍 | Tray for high temperature process |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3885261B2 (en) * | 1996-11-21 | 2007-02-21 | 東レ株式会社 | Substrate support and substrate support method |
JP4246828B2 (en) * | 1999-01-07 | 2009-04-02 | 株式会社アルバック | Masking device in vacuum evaporation system |
JP4480239B2 (en) * | 2000-07-19 | 2010-06-16 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of color filter |
JP4590748B2 (en) * | 2001-02-08 | 2010-12-01 | ソニー株式会社 | mask |
JP2002363743A (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sputtering device |
-
2011
- 2011-05-20 JP JP2011113994A patent/JP5235223B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011174185A (en) | 2011-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006225748A (en) | Method for depositing sputter thin film onto substrate and carrier | |
TWI610393B (en) | Carrier for a substrate and method for carrying a substrate | |
KR102245762B1 (en) | Holder, carrier having the same, and method for fixing a substrate | |
KR102219198B1 (en) | Holding arrangement for substrates and apparatus and method using the same | |
KR200489874Y1 (en) | Substrate edge masking system | |
JP2006045663A (en) | Method for depositing vapor-deposited film on substrate and transport tray | |
JP5235223B2 (en) | Method for forming sputtered thin film on substrate and carrier | |
TWI653697B (en) | Substrate carrier and use thereof and system using the same for a reduced transmission of thermal energy | |
JP2011108822A (en) | Substrate folder | |
JP4516870B2 (en) | Method for simultaneously forming vapor deposition film on a plurality of substrates and transport tray | |
EP3294921B1 (en) | Methods and supports for holding substrates | |
KR20180057704A (en) | A carrier for transporting a substrate in a material deposition process and a method for transporting a substrate | |
JP5235225B2 (en) | Method for forming vapor deposition film on substrate and transfer tray | |
JP5447221B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
JP2006089793A (en) | Film deposition system | |
JP2012124406A (en) | Substrate transfer method | |
TWI442505B (en) | A pallet type substrate transport system, a film forming method, and a manufacturing method of an electronic device | |
JP5390213B2 (en) | boat | |
JP2013104128A (en) | Deposition-preventive plate, sputtering apparatus and apparatus for manufacturing thin-film solar cell | |
KR102654241B1 (en) | Substrate processing system, substrate chamber for vacuum processing system, and method for cooling a substrate | |
JP2002339061A (en) | Thin film depositing method | |
KR20100073480A (en) | Boat | |
KR20120128379A (en) | Glass Substrate Warpage Preventing Jig | |
JP2018512740A (en) | Carrier system for substrates to be processed | |
TWM460393U (en) | Loading adjustable glass substrate holding apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5235223 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |