JP5234045B2 - スパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態に係るスパッタリングターゲットについて説明する。本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、シリカを主成分とするマトリクス中に、酸化ビスマス粒子が分散している。
まず、本実施形態にかかるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
図1を参照して、本実施形態に係る光ディスク(光メディア)200について説明する。
平均粒径0.3μmのBi2O3粒子と、平均粒径0.4μmのSiO2粒子とを用意した。そして、Bi2O3粒子とSiO2粒子とのモル比が45:55となるようにそれぞれを秤量し、ボールミル中でアセトンを溶媒として湿式混合した。
続いて、混合粒子をプレスして成形体を得た。成形条件は、圧力2000kgf/cm2、温度は室温とした。
その後、得られた成形体を焼成した。最高温度は820℃とし、保持時間は10時間とした。
そして、得られた焼成体を、平面研削盤と円筒研磨機により200mmφ、厚さ6mmに成形してスパッタリング用ターゲットを得た。得られたターゲットのSEM写真を図2に示す。なお、図中の白っぽい部分がBi2O3粒子、グレーの部分がSiO2マトリクス、黒い部分は空孔である。
Bi2O3粒子とSiO2粒子とのモル比を60:40とする以外は実施例1と同様にした。
Bi2O3粒子とSiO2粒子とのモル比を30:70とする以外は実施例1と同様にした。
Bi2O3粒子とSiO2粒子とのモル比を25:75とする以外は実施例1と同様にした。
Bi2O3粒子とSiO2粒子とのモル比を70:30とする以外は実施例1と同様にした。
SiO2に代えてFe2O3粒子を用い、さらに、Bi2O3粒子とFe2O3粒子とのモル比を40:60とする以外は実施例1と同様とした。
SiO2に代えてAl2O3粒子を用い、さらに、Bi2O3粒子とAl2O3粒子とのモル比を40:60とする以外は実施例1と同様とした。
スパッタリングターゲットのSEM写真を撮影し、シリカマトリクス相に、酸化ビスマス粒子が分散しているか否かを判断し、分散している場合には酸化ビスマス粒子100個の定方向接線径の算術平均から平均粒径を求めた。なお、全ての実施例ではシリカのマトリクス中に、酸化ビスマス粒子が分散していたが、全ての比較例では、酸化ビスマス粒子の分散構造は見られず均一な相であった。
スパッタリングターゲットをスパッタリング装置にセットし、RF電源により電力を3kWまで徐々に印加して、スパッタリングターゲットが割れるか否かを観察した。割れた場合は割れた時の電圧を、割れなかった場合には3kWを最大投入可能電圧とした。
これらの結果を表1に示す。
Claims (3)
- シリカを主成分とするマトリクス、及び、前記マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備え、
前記マトリクスが連続相であり、
前記酸化ビスマス粒子の平均粒径が3〜7μmである、スパッタリングターゲット。 - 前記シリカと、前記酸化ビスマスと、の合計に対するシリカのモル分率が、40〜70%である請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- 光記録層を備える光メディアの製造方法であって、
請求項1又は2記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより前記光記録層を成膜する工程を備える光メディアの製造方法。
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