JP5229222B2 - 光学情報記録媒体及び光学情報再生装置，光学情報再生方法，光学情報再生用プログラム - Google Patents

Description

本発明は、高密度に情報を記憶する光学情報記録媒体及びそれに記憶された情報を再生する光学情報再生装置，光学情報再生方法，光学情報再生用プログラムに関する。

レーザ光を用いて記録情報の読み取りが行われる光学情報記録媒体である光ディスクは、画像や音楽等の情報を流通・保管するメディアとして広く利用されている。

光ディスクは、ディスク内に記録ピットを形成することによって情報を記録しており、記録ピットが小さいほど高密度に情報を記録でき、その記憶容量は大きくなる。通常、記録ピットの大きさは、情報の再生に用いられるレーザ光の集光スポットサイズに依存しており、集光スポットサイズをより小さくできれば、それに対応して記録ピットをより小さくでき、高密度に記録された情報を誤り無く再生することができる。

また、レーザ光は、光の回折効果により、対物レンズによって集光された集光点においても一点には収束されず有限の大きさのスポット径で集光される。このような現象を回折限界という。この回折限界により、レーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）とすると、再生できるピット長の限界はλ／(４ＮＡ)となる。例えば、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の光学系では、ピット長１１９ｎｍが再生限界となる。

これにより、光ディスクのピット長を小さくして記憶容量を大きくするためには、情報再生に用いるレーザ光の波長λを小さくするか、対物レンズのＮＡを大きくすればよい。しかし、レーザ光の波長を４０５ｎｍより小さくするにあたっては、短波長で実用的な透過率をもつ光学部品の製造が困難であるという問題があり、対物レンズのＮＡを０．８５より大きくするにあたっては、そのような高ＮＡの特殊な対物レンズの製造は困難であるという製造面の問題と、対物レンズと光ディスク表面との距離が小さくなることから対物レンズと光ディスクとの衝突の可能性が高くなるという安全性の問題とがあった。

そこで、回折限界を超えて再生分解能を向上させる技術として媒体超解像技術が知られている。媒体超解像技術には、温度あるいは光強度により光学特性が非線形に変化する超解像膜が用いられる。例えば、ある温度で光反射率が急峻に変化する超解像膜を用いた媒体超解像技術が特許文献１に開示されている。この特許文献１に記載された媒体超解像技術では、超解像膜として相変化材料を用い、結晶状態（固相）と融点以上で溶融した状態（液相）との光反射率の差を利用している。特許文献１について図１９乃至図２１を用いて説明する。

図１９は、特許文献１に開示された超解像光ディスクの断面図である。図１９に示す超解像光ディスク４０は、記録ピットが予め形成された透明基板４１上に超解像膜４２を設けている。照射するレーザ光の強度を調整することで、その集光スポット内の一部分に生じる高温領域が超解像膜４２として用いた相変化材料の融点を超えるようにし、超解像膜４２の一部分に液相状態を発生させる。

図２０は、特許文献１に開示された超解像光ディスクの光反射率の温度特性を示すグラフである。図２０に示すグラフにおいて、縦軸は超解像光ディスク４０の光反射率を示し、横軸は超解像膜４２の温度を示している。超解像膜４２を、液相状態での光反射率が固相状態での光反射率よりも高くなるようにすることで、超解像膜４２の融点を境として超解像光ディスクの光反射率が急峻に変化するので、集光スポット内の高温領域にある記録ピットのみを読み取ることができる。

図２１は、特許文献１に開示された超解像光ディスクの透明基板４１にスパイラル状のトラックに沿って予め形成された記録ピットのうち、１つのトラックの記録ピットを拡大して取り出した図である。ここでは簡略化のため記録ピット５３を全て短ピットで示している。

図２１に示すように、対物レンズを通過したレーザ光は、超解像膜４２上に集光スポット５０として照射される。集光スポット５０の近傍では温度上昇が起こり、特に超解像膜４２の融点を超えた溶融領域５１では、超解像膜４２が固相状態から液相状態に変化することで光反射率が上昇する。一方、集光スポット５０のうち超解像膜４２の融点を超えていない非溶融領域５２では、超解像膜４２が固相状態のままで光反射率がほとんど変化しない。このため、光反射率の高い溶融領域５１のみが記録ピットを読み出す開口として機能することになる。

この結果、情報再生に寄与する開口の大きさを回折限界で決まる集光スポットサイズよりも小さくでき、微小な記録ピット５３を検出することができる。このように、超解像膜４０の高温領域が光反射率の上昇で開口として機能することにより集光スポットの進行方向後方に開口が形成される超解像再生方式を、ＲＡＤ（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式という。

また、超解像再生を可能とする光記憶媒体の他の例として、特許文献２には、開口領域の面積をより狭くするように構成された光記憶媒体が開示されており、特許文献３には、特許文献１と同様の超解像再生を可能にした書換可能な光記憶媒体が開示されている。

このような超解像再生方式において、開口からの反射光のみによって記録情報の再生ができれば、あたかも再生限界のピット長が小さくなったかのようにすることができる。しかし、実際には、集光スポットの開口以外の領域からの反射光である背景光が存在しており、開口からの反射光と背景光とを光学的に分離することは困難である。

図２２は、特許文献１に開示された超解像光ディスクにおいて、開口からの反射光と背景光とを分離できたと仮定した場合の、開口からの反射光のみによる再生信号振幅のピット長依存性と、集光スポット内の開口以外の領域からの反射光である背景光による再生信号振幅のピット長依存性との関係の一例を示す図である。

特許文献１又は２に開示された方式では、背景光によって混入するノイズのために超解像再生信号のＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）が低下し、この結果、超解像再生できる最短ピット長の増大、すなわち超解像再生分解能の低下が生じ、所望の超解像性能が得られなくなるという問題が生じていた。

この問題を鑑み、特許文献４では、干渉層を設けて開口と開口以外の領域との光反射率差を大きくし安定した超解像再生を可能とする光記憶媒体が開示されている。超解像再生分解能を向上させるためには、光ディスクの特性を、開口と開口以外の領域との光反射率差が大きくて集光スポット内の開口以外の領域の光反射率が０に近い値になるようにする必要がある。

一方で、情報再生時以外の待機時にも超解像再生に必要な高い強度のレーザ光を照射し続けると、安定なサーボ動作はできるが、レーザ光自体の劣化や長時間の加熱による光ディスクの劣化が促進され、それらの寿命を縮めるという課題があった。これに対し、レーザや光ディスクの劣化を防ぐため、情報再生時以外の待機時にはレーザ光の強度を超解像再生に必要な強度よりも低い強度に抑える必要がある。

特開平５−８９５１１号公報 特開平８−８７７７５号公報 特開平９−１３４５４６号公報 特開２００１−１８９０３３号公報

しかしながら、集光スポット内の開口以外の領域の光反射率が０に近い値となる光ディスクに対して、待機時に、超解像再生に必要な強度よりも低い強度のレーザ光を照射しても、光ディスクからの反射光が弱いので、サーボ動作が不安定になり、情報再生そのものができなくなるという不都合があった。

そこで、本発明は、超解像再生方式において、情報再生時には集光スポット内の開口以外の領域の光反射率が０に近い値となるようにして、背景光起因のノイズを抑制すると共に、高強度のレーザ光を照射し続けることによるレーザ光自身や光ディスクの劣化を抑制することを、その目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の光学情報記録媒体は、レーザ光の照射によって記録情報が読み取られるように構成された光学情報記録媒体であり、複数の超解像膜層からなる反射制御膜層を有し、この反射制御膜層は、照射光に対する光反射率が温度変化に対応して可逆的に変化し、常温からの温度上昇に対しては当該光反射率が連続的に低下し変位点温度で急峻に増大する特性を備えたことを特徴とする。

本発明の光学情報再生装置は、上記の光学情報記録媒体に対しレーザ光を出力する光源と、光学情報記録媒体からの戻り光から再生信号を検出する情報再生手段とを備えた光学情報再生装置であって、待機時と情報再生時とで光源からのレーザ光の光量を切り換え制御する照射光量設定手段を備え、この照射光量設定手段が、情報再生時には反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を変位点温度以上にするように光源の出力光レベルを設定し、待機時には反射制御膜層の最高到達温度を変位点温度未満にするように光源の出力光レベルを設定する機能を備えたことを特徴とする。

本発明の光学情報再生方法は、上記の光学情報記録媒体に対してレーザ光を照射し記録情報の再生を行う光学情報再生方法であって、光学情報記録媒体に記憶された情報を再生するか否かを判断する情報再生判断ステップと、情報再生時には反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を変位点温度以上にするようにレーザ光の光量を調節する情報再生時光照射ステップと、待機時には反射制御膜層の最高到達温度を変位点温度未満にするようにレーザ光の光量を調節する待機時光照射ステップとを設けたことを特徴とする。

本発明の光学情報再生用プログラムは、上記の光学情報記録媒体に対してレーザ光を照射し情報の再生を行う光学情報再生装置にあって、情報再生時のレーザ光の光量を反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を変位点温度以上にするような値に設定する情報再生時光量設定処理と、待機時のレーザ光の光量を反射制御膜層の最高到達温度を変位点温度未満にするような値に設定する待機時光量設定処理と、光学情報記録媒体に記憶された情報を再生するか否かを判断し待機時と情報再生時とでレーザ光の光量の値を切り換える照射光量切替処理とをコンピュータに実行させることを特徴とする。

本発明によれば、情報再生時には光学情報記録媒体における集光スポット内の開口以外の領域の光反射率を０に近い値にして背景光起因のノイズを抑制することができ、さらには、照射するレーザ光強度を小さくすれば集光スポット内の光反射率がサーボ制御に十分な値になるので、待機時に照射するレーザ光強度を再生時よりも低くして、レーザ光自身や光ディスクの劣化を抑制することができる。

以下、本発明における一実施形態を、図面を参照して説明する。

図１は、本発明に係る第１実施形態の光学情報記録媒体１０の構成を示す断面図である。図１に示すように、本第１実施形態の光学情報記録媒体１０は、第１の超解像膜１２及び第２の超解像膜１４からなる反射制御膜層１７を有しており、光入射面と反対の面に記録ピットが予め形成された透明基板１１の記録ピットが形成された面上に、反射制御膜層１７を積層して構成されている。

図１に示すように、反射制御膜層１７は、第１の超解像膜１２上に、第１の誘電体膜１３を介して第２の超解像膜１４を積層し、さらに、第２の誘電体膜１５を介して反射膜１６を積層して構成されている。

第１の超解像膜１２は、照射されるレーザ光に対する複素屈折率が温度変化に対応して連続的に変化する薄膜であり、第２の超解像膜１４は、照射されるレーザ光に対する複素屈折率が変位点温度で急峻に変化する薄膜である。複素屈折率の急峻な変化としては、例えば溶融に伴う固相から液相への変化が挙げられる。

図２は、本第１実施形態の光学情報記録媒体１０の照射光に対する光反射率特性を示すグラフである。図２に示すグラフにおいて、横軸は第２の超解像膜１４の温度を示し、Ｔ１は常温であり、Ｔ２は第２の超解像膜１４が急峻な光学変化を起こす変位点温度である。図２に示すように、第２の超解像膜１４の温度がＴ１からＴ２に上昇する過程では、第１の超解像膜１２の光学変化に応じて光学情報記録媒体１０の光反射率は連続的に低くなり０に近付く。そして、第２の超解像膜１４の温度がさらに上昇してＴ２に到達すると、第２の超解像膜１４の急峻な光学変化に伴って光学情報記録媒体１０の光反射率は急峻に増大する。ここで、図２に示すグラフの横軸を第２の超解像膜１４の温度と規定したのは、一般に光学情報記録媒体１０には厚さ方向に温度分布が生じ、各層によって温度が異なるためである。

図３は、本第１実施形態の光学情報記録媒体１０に対して、強度値Ｐのレーザ光又は強度値Ｑのレーザ光が照射された場合の、各集光スポットによって得られる第２の超解像膜１４の温度分布範囲を図２のグラフに対応させた図である。図３に示すとおり、強度Ｐのレーザ光を光学情報記録媒体１０に照射して集光スポット領域の一部分の温度をＴ２以上にすると、集光スポット領域の一部分の光反射率を十分に高くしてその部分に超解像開口を形成し、それ以外の領域の光反射率を著しく低くして光反射率を０に近い状態にでき、開口以外からの背景光を抑制できる。一方、レーザ光強度をＰよりも低いＱに設定すれば、光反射率レベルが集光スポット全体にわたって確保されている。

図４は、光学情報記録媒体１０上での集光スポットと開口の位置関係を示す図である。ここで、簡略化のため記録ピット２３は全て短ピットで示している。図２に示すような光反射率特性を有する光学情報記録媒体１０に対して、図３に示す高い強度のレーザ光を集光して照射すると、図４に示すように、光学情報記録媒体１０上に生じた温度分布により集光スポット２０のうち第２の超解像膜１４の温度がＴ２以上の領域が開口２１として形成される。

また、集光スポット２０のうち第２の超解像膜１４の温度がＴ２未満となる開口２１以外の領域２２は、光反射率が著しく低くなり背景光を低減させるのに有効な良質の光学マスクとなる。この結果、集光スポットよりも小さな開口で記録ピットを検出でき、さらに、背景光からのノイズを低減できるため、光学情報記録媒体１０の記録密度を著しく高めることができ、その記録されたデータの再生を正確に行うことができる。

第２の超解像膜１４の温度がＴ１付近の温度の場合の光学情報記録媒体１０の照射光に対する光反射率をＲ１、Ｔ２よりわずかに低い温度の場合の光反射率をＲ２、Ｔ２よりわずかに高い温度の場合の光反射率をＲ３とすると、サーボ誤差信号を取得するのに十分な反射光量を得るために、Ｒ１を３％以上となるようする。また、背景光を十分に低減するために、Ｒ２を１％以下となるようにする。

また、超解像効果の大きさ、すなわち、どの程度まで微小な記録ピットを検出できるかは、基本的にＲ３とＲ２の比（以下、コントラストとする）によって決まる。図５は、コントラストと再生限界以下の微小な記録ピットの再生分解能の関係を表すグラフである。ここで、図５に示す再生分解能とは、再生限界ピット長の半分の長さのピットを短ピット、再生限界ピット長の３倍の長さのピットを長ピットとし、短ピットの再生信号振幅と長ピットの再生信号振幅との比の対数を２０倍した値である。

図５に示すとおり、再生分解能はコントラストの増加に伴って増加し、あるところで飽和してほぼ一定の値になる。再生限界ピット長の半分の長さのピットを記録ピットとして用いるためには、再生分解能として少なくとも−３０ｄＢは必要であるので、コントラストは１０以上の値を示すようにする。一方、Ｒ２を小さくすればコントラストを大きくできるが、製造公差の観点からＲ２が極端に低くなる媒体を設計通りに製造することは困難であり、コントラスト３００以上で再生分解能がほぼ一定値となっていることから、コントラストは３００あれば十分である。

本第１実施形態における第１の超解像膜１２は、第２の超解像膜１４よりも融点が十分に高く、また、光学情報記録媒体１０の繰り返し再生回数を増やすために、温度の上昇にしたがって複素屈折率が変化した後再度元の温度に低下したときに複素屈折率が確実に元に戻るような特性を有する材料で構成されている。このような材料としては無機半導体材料などがあり、バンドギャップを波長換算した値が、照射されるレーザ光の波長近傍の値である無機半導体がさらに望ましい。その理由は、温度の上昇に伴いバンドギャップが小さくなることで、それを波長換算した値が大きくなり、レーザ光波長付近で消衰係数が増大する光学変化が起きるからである。

また、本第１実施形態における第２の超解像膜１４は、溶融前の状態が結晶状態であり、光学情報記録媒体１０の繰り返し再生回数を増やすため、溶融後に融点より温度が低下したときに再び結晶状態に戻るような特性を有する材料で構成されている。また、成膜後の初期状態で結晶状態である材料がよい。初期状態が結晶状態であれば、光学情報記録媒体１０を加熱して超解像膜を結晶状態にする初期化とよばれる処置が省略でき、光学情報記録媒体１０の製造プロセスを簡易化できる。溶融によって光学変化が起きる第２の超解像膜１４の材料としては、カルコゲン化合物をはじめとする相変化材料などがあり、特に成膜後に結晶状態でありかつ溶融後に冷却により再び結晶状態に戻る材料として、ＧｅＴｅとＢｉ_２Ｔｅ_３からなる擬二元合金などがある。

本第１実施形態の光学情報記録媒体１０は、波長４０５ｎｍのレーザ光によって情報が読み取られるように構成された記録媒体であり、このため、第１の超解像膜１２はＺｎＯで構成され、第２の超解像膜１４はＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２で構成されている。光学情報記録媒体１０は、ポリカーボネートを用いた透明基板１１上に、トラックピッチ４００ｎｍ、ピット深さ７０ｎｍ、ピット幅１００ｎｍ、ピット長５０〜５００ｎｍの記録ピットを形成し、この上に厚さ１０ｎｍのＺｎＯからなる第１の超解像膜１２を形成し、厚さ１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体膜１３を介して、厚さ１５ｎｍのＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２からなる第２の超解像膜１４を形成し、その上にさらに厚さ２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第２の誘電体膜１５を介して、厚さ５０ｎｍのＡｇからなる反射膜１６を積層して構成されている。

ここで、第１の超解像膜１２の材質としてＺｎＯを用いているが、これに限らず、室温で波長４００ｎｍ近傍に相当するバンドギャップを有する無機半導体材料であれば、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＧａＮなどを第１の超解像膜１２として用いてもよい。

図６は、第１の超解像膜１２に用いた光学定数（複素屈折率ｎ＋ｉｋの実部と虚部）の温度特性を示す図である。また、図７は第２の超解像膜１４に用いたＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２の光学定数の温度特性を示す図である。さらに、図８は光学情報記録媒体１０の光反射率の温度特性を示す図である。図６乃至８は、いずれも波長４０５ｎｍのレーザ光を用いた場合を示している。

第１の超解像膜１２に用いたＺｎＯは、図６にみられるように、温度変化に伴い光学定数が連続的に変化する。一方、第２の超解像膜１４に用いたＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２は、図７にみられるように、溶融に伴う固相から液相への相状態の変化により融点５７３℃付近で光学定数の急峻な変化が起こる。

このような第１の超解像膜１２と第２の超解像膜１４とにおける二つの光学変化を多層膜の光学干渉効果を利用して組み合わせることで、光学情報記録媒体１０は図８に示すような光反射率の温度依存性を有することになる。

これにより、光学情報記録媒体１０上の集光スポットのうち、第２の超解像膜１４の温度がおおよそ５７３℃以上となる領域が開口となり、それ以外の周囲の領域は有効な光学マスクとして機能する領域となる。

このように構成された光学情報記録媒体１０においては、Ｒ１＝４．１％、Ｒ２＝０．１％、Ｒ３＝２５．８％となる。Ｒ１が３％以上であるのでサーボ誤差信号を取得するに十分な反射光量が得られる。また、Ｒ２は１％以下であるので背景光を十分に低減することができる。さらに、コントラストは約２６０となり、十分に大きなコントラストが取れている。

このように構成された光学情報記録媒体１０に対して、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、再生限界ピット長１５６ｎｍの光学系を用い、線速を６．６ｍ／ｓ、再生パワーを２．５ｍＷとし、各ピット長における単一周波数信号のＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を測定した。この結果を図９に示す。また、比較例として、同じ記録ピットが形成された透明基板上に厚さ５０ｎｍのＡｌからなる反射膜のみを積層した光学情報記録媒体についても、各ピット長に相当する単一周波数信号のＣＮＲを図９に示す。図９に示すとおり、反射膜のみを積層した比較例では１５６ｎｍより短いピットから信号が検出されないのに対し、本第１実施形態では、１５６ｎｍを大幅に下回る８０ｎｍの長さのピットからＣＮＲが４０ｄＢを超える信号が得られている。

また、本第１実施形態において、再生パワーを変化させて単一周波数信号のＣＮＲを測定した。測定に用いたピット長は１５０ｎｍである。最高到達温度（融点比）と単一周波数信号のＣＮＲとの関係を図１０に示す。単一周波数信号のＣＮＲは最高到達温度が融点を超えると増加し、１．０８倍付近でピークを迎え、その後減少する。最高到達温度が融点比１．０２倍から１．３倍の範囲で単一周波数信号のＣＮＲは４０ｄＢを超えることがわかる。

さらに比較例として、本第１実施形態と同様の記録ピットが形成された透明基板１１上に超解像膜として第２の超解像膜１４のみを積層した光学情報記録媒体を同様の再生条件で再生した。この従来例の光学情報記録媒体は、透明基板１１上に厚さ１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体膜を介して、厚さ１５ｎｍのＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２からなる第２の超解像膜１４を積層し、その上にさらに厚さ２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第２の誘電体膜を介して、厚さ５０ｎｍのＡｇからなる反射膜を積層した構成である。このような従来例の光学情報記録媒体において、各ピット長における単一周波数信号のＣＮＲを図９に示す。

図９からわかるように、比較例では１５６ｎｍより短いピットのＣＮＲが低いのに対し、本第１実施形態では、１５６ｎｍを大幅に下回るピット長で４０ｄＢを超える高いＣＮＲが得られており、開口の周囲がマスクとして有効に機能して良好な超解像再生が可能である。

ここで、本第１実施形態において、第１の超解像膜１２としてバンドギャップの変化によって光学定数が変化する半導体材料を用い、第２の超解像膜１４として溶融によって光学定数の変化が起きる相変化材料用いているが、これに限定されるものではなく、集光スポットで発生する熱によって光学定数の変化が引き起こされる材料であればどんなものでもよい。

以上のように、本第１実施形態においては、光反射率が変位点温度で急峻に変化する図２０に示すような光学特性を有する比較例の光学情報記録媒体に、屈折率又は消衰係数が温度変化に伴って緩やかに且つ可逆的に変化する第１の超解像膜１２の層を加えて多層膜の光学干渉効果を利用することで、常温から変位点温度までの間に光反射率が連続的に低下していく図２又は図８に示すような光学特性を有する光学情報記録媒体１０を得ている。

次に、本発明に係る第１実施形態の光学情報再生装置３０について説明する。

図１６は、本第１実施形態の光学情報再生装置３０の全体構成を示す図である。図１６に示す光学情報再生装置３０において、光ヘッド部３１は、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の光学系を用いて、上述した光学情報記録媒体１０に対してレーザ光を照射すると共に、この光学情報記録媒体１０からの戻り光を受光する。光学情報記録媒体１０に記録された情報は、戻り光の強度変化として光ヘッド部３１で検出され、情報再生手段３２で再生信号として読み取られる。

アシンメトリ検出部３３は、情報再生手段３２で読み取られた再生信号からアシンメトリ情報を抽出する。レーザパワー調整部３４は、光学情報記録媒体１０に対して照射するレーザ光の強度を設定してその設定値をレーザ駆動回路３５に与える。レーザ駆動回路３５は、レーザパワー調整部３４から与えられたレーザ光強度の設定値に応じて光ヘッド部３１の内部に備えられた光源を駆動制御する。

レーザパワー調整部３４は、外部装置からの指令等を受けて光学情報記録媒体１０に記憶されている情報を再生するか否かを判断し、情報再生時と待機時とで光源からのレーザ光の光量を切り換え制御する照射光量設定手段として機能し、情報再生時には集光スポット内の一部分が第２の超解像膜１４を変位点温度以上になるようにレーザ光の光量を図３のＰに設定し、待機時にはレーザ光の光量を情報再生時より低い値である図３のＱに設定する。レーザパワー調整部３４は、情報再生時のレーザ光強度設定値Ｐ及び待機時の設定値Ｑを予め記憶している。

サーボ誤差検出回路３６は、光ヘッド部３１に検出された反射光強度の変化からサーボ誤差信号を検出する。サーボ制御回路３７はサーボ誤差検出回路３６で検出されたサーボ誤差信号が所定の値に近付くよう光ヘッド部３１の対物レンズの位置を駆動制御する。

次に、本第１実施形態の光学情報再生装置３０の動作について説明する。ここで、光学情報再生方法についても、その各ステップを示して同時に説明する。

まず、レーザパワー調整部３４が外部装置からの指令等を受けて光学情報記録媒体１０に記憶されている情報を再生するか否かを判断する（情報再生判断ステップ）。

光学情報記録媒体１０に記憶された情報を再生する場合は、レーザパワー調整部３４から与えられる再生時のレーザ光強度設定値Ｐに応じてレーザ駆動回路３５がレーザ光源を駆動制御する（情報再生時光照射ステップ）。再生時レーザ光強度Ｐは、図３で示すように、光学情報記録媒体１０の第２の超解像膜１４の一部分を溶融させ超解像開口を形成できる程度に十分高い強度である。このとき、超解像開口以外の領域の光反射率は著しく低いが、超解像開口の領域の光反射率はそれを補って十分なほど高いため、サーボ誤差検出回路３６では十分な大きさのサーボ誤差信号が検出される。

待機時は、レーザパワー調整部３４から与えられるレーザ光強度の待機時設定値Ｑに応じてレーザ駆動回路３５が光ヘッド部３１の内部に備えられたレーザ光源を駆動制御する（待機時時光照射ステップ）。待機時レーザ光強度Ｑは、図３で示すように、サーボ誤差信号を取得するに十分な反射光量を得られる光反射率レベルが集光スポット全体にわたって確保される強度である。このとき、サーボ誤差検出回路３６により十分な大きさをもつサーボ誤差信号が検出され、サーボ制御回路３７が光ヘッド部３１のフォーカス位置とトラック位置を駆動制御する。

情報再生時と待機時とでのレーザ光強度の切換およびそれに伴う光反射率の変化の速度は、サーボ制御回路３７の応答速度に比べて十分に速いので、フォーカス位置、トラック位置は安定なままフォーカスサーボ、トラックサーボが外れたりすることなくレーザ光強度を切り換えられる。

そして、フォーカスサーボ、トラックサーボが安定になると情報再生手段３２が再生信号を読み出す。予め登録されている再生時レーザ光強度Ｐが適切であれば、最適な大きさの開口が形成され、超解像再生信号のビットエラーレートは図１７の実線の極小値ＢＥＲｏとなる。

しかし、ビットエラーレートが最小となるレーザ光強度は、光学情報記録媒体毎の光学特性や熱特性のばらつき、あるいは環境温度の変化などによって変化するため、予め登録されているレーザ光強度Ｐからずれる場合がある。この場合、レーザ光強度が予め登録されている値のままでは開口は最適な大きさからはずれ、適切な超解像効果を維持できなくなる。例えば、環境温度が上昇してレーザ光強度とビットエラーレートとの関係を示す曲線が図１７の実線から点線のように低強度側にシフトした場合、レーザ光強度がＰのままでは、開口は望ましいサイズより大きく形成され、この結果ビットエラーレートは極小値よりも大きいＢＥＲ１に増加してしまう。

そこで、本第１実施形態では、開口の大きさによって変化するアシンメトリの情報を用いて、超解像再生に適するようにレーザ光強度の調整を行う。ここで、レーザ光強度とアシンメトリは図１８に示すような関係である。

アシンメトリ検出部３３で抽出されたアシンメトリ情報に基づいて、アシンメトリが最適値Ａｏとなるようにレーザパワー調整部３４においてレーザ駆動回路３５へのレーザ光強度の設定値を調整する。具体的には、アシンメトリがＡ１のように最適値Ａｏよりも大きい場合には、レーザ光強度をマイナス方向に変化させ、逆にアシンメトリが最適値Ａｏよりも小さい場合には、レーザ光強度をプラス方向に変化させる。このようにして、アシンメトリが最適値Ａｏとなるようレーザ光強度を常に制御することで、レーザ光強度はビットエラーレートを極小とする最適値Ｐ’となり、このとき再生信号のビットエラーレートも極小値ＢＥＲｏとなる。この結果、光学情報記録媒体１０の熱特性、光学特性のばらつきや環境温度などの外的変動要因がある場合でも、開口の大きさを常に最適な大きさに維持することができ、安定した超解像再生ができる。

ビットエラーレートが極小となるアシンメトリの最適値Ａｏとしては、予めレーザパワー調整部３４に光学情報記録媒体１０におけるアシンメトリ最適値として登録されている値を用いてもよい。また、光学情報記録媒体１０の所定の記録領域に光学情報記録媒体１０のアシンメトリ最適値として記録されている値を用いてもよい。さらに、アシンメトリ最適値が０であるように光学情報記録媒体１０への情報記録がなされていれば、アシンメトリ最適値のレーザパワー調整部３４への事前登録や光学情報記録媒体１０への事前記録を省くことができる。さらには、光ヘッド部３１と光学情報記録媒体１０の組み合わせにおいて、ビットエラーレートが極小となるアシンメトリの最適値をキャリブレーションするのがよい。キャリブレーションは、例えば、光学情報記録媒体１０の内周部あるいは外周部などユーザ情報が記録されていない領域に適宜設けられたテストエリアにおいて、ビットエラーレート計測用に予め記録されたテストパターンを用いて行うことができる。

このように本第１実施形態の光学情報再生装置３０は、アシンメトリに基づいてレーザ光強度を調整するように構成されているが、これに限定されるものではなく、再生信号の状態を表す他の指標を用いてレーザ光強度を調整するように構成することも可能である。例えば、アシンメトリの代わりに再生信号の平均ＤＣレベルあるいは再生信号振幅あるいは長さの異なる複数種類のピットからの再生信号の振幅の比を用いてレーザ光強度を調整するような構成であってもよい。

ここで、上述したレーザパワー調整部３４については、その機能内容をプログラム化してコンピュータに実行させるように構成してもよい。

また、本第１実施形態の光学情報記録媒体１０は、誘電体膜と超解像膜とを交互に積層した構成であるが、これに限定されるものではなく、光学情報記録媒体１０の構成は、第２の超解像膜１４の温度が急峻な光学変化を起こす温度よりわずかに低い温度の時の光反射率が、わずかに高い温度の時の光反射率や室温付近の温度の時の光反射率よりも低い構成であれば、どのような構成であってもよい。例えば、反射膜１６あるいは第１の誘電体膜１２のいずれかを省いてもよい。これにより、第２の超解像膜１４の溶融の前後におけるコントラストは若干低下するが、光学情報記録媒体１０の構成を簡略化できる。特に、反射膜１６を省くことができれば、光学情報記録媒体１０の製造に必要な成膜材料の数を少なくすることができ、媒体製造装置の簡易化や製造コストの低減、製造時間の短縮に貢献できる。

また、透明基板１１と第１の超解像膜１２との間に屈折率の異なる複数の誘電体膜あるいは半透明の金属膜を積層してもよい。これにより、第２の超解像膜１４の溶融の前後におけるコントラストがより大きくなり、分解能をより向上させて記録密度を増加させることができる。

またさらに、透明基板１１に形成された記録ピットに代えて、記録層を追加積層することで、光学情報記録媒体１０を書き換え可能な光ディスクとしてもよい。

以上のように、本第１実施形態においては、光学情報記録媒体１０が、使用される光学系のレーザ光波長での再生限界より小さい記録ピットによる高密度な情報記録を可能とし、光学情報再生装置３０が、光学情報記録媒体１０の極小ピットを読み取って情報を再生し、さらに、待機時の照射光強度を抑えることができる。

また、情報再生時には光学情報記録媒体における集光スポット内の開口以外の領域の光反射率が０に近い値となるので、背景光によるノイズを抑制することができ、照射するレーザ光強度を低くすれば集光スポット内の光反射率がサーボ制御に十分の値になるので、待機時には、照射するレーザ光強度を再生時よりも低くしてレーザ光自身や光ディスクの劣化を抑制することができる。

次に、本発明にかかる第２実施形態について説明する。

図１１は、本発明に係る第２実施形態の光学情報記録媒体１８の構成を示す断面図である。ここで、上述した第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付して示している。

図１１に示すように、本第２実施形態の光学情報記録媒体１８は、記録ピットが予め形成された透明基板１１上に反射制御膜層１９を積層してなり、反射制御膜層１９は、第１の誘電体膜１３上に第２の超解像膜１４を積層し、その上に第２の誘電体膜１５を介して第１の超解像膜１２を積層して構成されている。上述した第１実施形態と同様に、第１の超解像膜１２は、照射されるレーザ光に対する複素屈折率が温度に対して連続的に変化する薄膜であり、第２の超解像膜１４は照射されるレーザ光に対する複素屈折率が変位点温度で急峻に変化する薄膜である。

本第２実施形態の光学情報記録媒体１８は、ポリカーボネートを用いた透明基板１１上に、トラックピッチ４００ｎｍ、ピット深さ７０ｎｍ、ピット幅１００ｎｍ、ピット長５０〜５００ｎｍの記録ピットを形成し、この上に厚さ３５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体膜１３を介して、厚さ１５ｎｍのＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２からなる第２の超解像膜１４を積層し、その上にさらに厚さ４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる第２の誘電体膜１５を介して、厚さ４０ｎｍのＧｅＡｌからなる第１の超解像膜１２を積層して構成されている。

上述した第１実施形態の光学情報記録媒体１０と比較して、本第２実施形態の光学情報記録媒体１８は、反射膜１６を無くし、第１の超解像膜１２と第２の超解像膜１４の積層順を入れ換えて、第１の超解像膜１２として用いる材料をＺｎＯに代えてＧｅＡｌとした構成である。第１の超解像膜１２を半透明な材質のＧｅＡｌとしたことで、第１の超解像膜１２が第１実施形態での反射膜１６の機能を兼ねている。

図１２は、第１の超解像膜１２に用いたＧｅＡｌの波長４０５ｎｍのレーザ光に対する光学定数の温度特性を示す図である。図１３は、光学情報記録媒体１８の波長４０５ｎｍのレーザ光に対する光反射率の温度特性を示す図である。

第２の超解像膜１４に用いたＧｅＴｅ（Ｂｉ_２Ｔｅ_３）_２は、図６にみられるように、溶融に伴う固相から液相への相状態の変化により融点付近で光学定数の急峻な変化が起こる。一方、第１の超解像膜１２に用いたＧｅＡｌは、図１２にみられるように、温度変化に伴い光学定数が連続的に変化する。

このような第１の超解像膜１２及び第２の超解像膜１４における二つの光学変化を多層膜の光学干渉効果を利用して組み合わせることで、光学情報記録媒体１８は、図１３にみられるような光反射率の温度依存性を有することになる。これにより、光学情報記録媒体１８上の集光スポットのうち、第２の超解像膜１４の温度がおおよそ５７０℃以上の領域が開口となり、それ以外の周囲の領域は有効な光学マスクとなる。

第２の超解像膜１４の温度が常温付近の温度の場合の光学情報記録媒体１８の光反射率をＲ１１、変位点温度よりわずかに低い温度の場合の光反射率をＲ１２、変位点温度よりわずかに高い温度の場合の光反射率をＲ１３とすると、Ｒ１１＝４．０％、Ｒ１２＝２．０％、Ｒ１３＝２３．３％となる。よって、Ｒ１は３％以上となり、サーボ誤差信号を取得するに十分な反射光量が得られる。また、Ｒ２は１％を超えており背景光の低減効果はやや弱いものの、コントラストは約１２となり必要とされるコントラストは取れている。

このように構成された光学情報記録媒体１８に対して、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、再生限界ピット長１５６ｎｍの光学系を用い、線速を６．６ｍ／ｓ、再生パワーを２．５ｍＷとし、各ピット長に相当する単一周波数信号のＣＮＲを測定した。この結果を図１４に実線で示す。また、比較例として、記録ピットが形成された透明基板１１上に厚さ５０ｎｍのＡｌからなる反射膜のみを形成した光学情報記録媒体を同じ再生条件で再生した。この従来例における各ピット長に相当する単一周波数信号のＣＮＲを図１４に点線で示す。図１４からわかるように、比較例では１５６ｎｍより短いピットから信号が検出されないのに対し、本第２実施形態では１５６ｎｍを下回る１００ｎｍの長さのピットからＣＮＲが４０ｄＢを超える信号が得られており、良好な超解像再生が可能である。

また、本第２実施形態において、再生パワーを変化させて、単一周波数信号のＣＮＲを測定した。測定に用いたピット長は１５０ｎｍである。最高到達温度（常温からの差分、融点比）と単一周波数信号のＣＮＲとの関係を図１５に示す。単一周波数信号のＣＮＲは最高到達温度が融点を超えると増加し、１．０８倍付近でピークを迎え、その後減少する。最高到達温度が常温からの差分として融点比１．０２倍から１．２９倍の範囲で単一周波数信号のＣＮＲは４０ｄＢを超えることがわかる。

このように、本第２実施形態においては、光学情報記録媒体１８における第１の超解像膜１２が、第１実施形態の光学情報記録媒体１０における反射膜１６の機能を兼ねており、その結果、媒体製造に必要な成膜材料の数を減らすことができ、媒体製造装置の簡易化や製造コストの低減、製造時間の短縮に貢献できる。

本第２実施形態の光学情報記録媒体１８は、上述した第１実施形態の光学情報再生装置３０と同様の構成の光学情報再生装置によって記録情報の再生が可能である。よって、本第２実施形態も、第１実施形態と同様に、照射されるレーザ光での再生限界を超えて小さい記録ピットを正確に超解像再生することができ、さらに、待機時に再生時より低い強度のレーザ光を照射していてもサーボ制御に十分な反射光を確保できるので、高い強度のレーザ光を光学情報記録媒体１８に照射し続けることによるレーザ光自身や光学情報記録媒体１８の劣化を抑制することができる。これにより、光学情報記録媒体１８は、使用される光学系のレーザ光波長での再生限界より小さい記録ピットによる高密度な情報記録を可能とする。

本発明の他の実施形態に係る光学情報記録媒体は、レーザ光の照射によって記録情報が読み取られるように構成された光学情報記録媒体であり、複数の超解像膜層からなる反射制御膜層を有し、この反射制御膜層は、照射光に対する光反射率が温度変化に対応して可逆的に変化し、常温からの温度上昇に対しては当該光反射率が連続的に低下し変位点温度で急峻に増大する特性を備えた構成としてもよい。

このような光学情報記録媒体によれば、情報再生時に集光スポット領域の一部分の温度が変位点温度以上になるように照射光レベルを設定すると、集光スポット内の開口以外の領域の光反射率を０に近い状態にして背景光を抑制できると同時に、待機時に照射光レベルを再生よりも低く設定しても、光反射率レベルを集光スポット全体にわたって確保することができる。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した反射制御膜層は、照射光に対する光反射率が常温からの温度上昇にしたがって連続的に０に向かって低下すると共に変位点温度で当該低下した位置から急峻に増大する特性を備えてもよい。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した反射制御膜層は、変位点温度での照射光に対する光反射率の急峻な変化における高い方の光反射率値Ｒ３と低い方の光反射率値Ｒ２との比であるＲ３／Ｒ２が１０以上の値を示すような特性を備えてもよい。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した反射制御膜層は、常温から変位点温度までの範囲で温度変化に伴って屈折率又は消衰係数のいずれかが連続的に変化する第１の超解像膜と、変位点温度で屈折率又は消衰係数のいずれかが急峻に変化する第２の超解像膜とからなるように構成されてもよい。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した第２の超解像膜が、変位点温度を融点とする相変化材料であってもよい。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した第１の超解像膜が、照射されるレーザ光の波長に相当するバンドギャップを有する無機半導体材料であってもよい。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した反射制御膜層は、レーザ光の入射面側から順に、第１の超解像膜と第１の誘電体膜と第２の超解像膜と第２の誘電体膜と反射膜とを積層してなる構成であってもよい。

また、上記の光学情報記録媒体において、上述した反射制御膜層は、レーザ光の入射面側から順に、第１の誘電体膜と第２の超解像膜と第２の誘電体膜と第１の超解像膜とを積層してなる構成であってもよい。

本発明の他の実施形態に係る光学情報再生装置は、上記の光学情報記録媒体に対しレーザ光を出力する光源と、光学情報記録媒体からの戻り光から再生信号を検出する情報再生手段とを備えた光学情報再生装置であって、待機時と情報再生時とで光源からのレーザ光の光量を切り換え制御する照射光量設定手段を備え、この照射光量設定手段が、情報再生時には反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を変位点温度以上にするように光源の出力光レベルを設定し、待機時には反射制御膜層の最高到達温度を変位点温度未満にするように光源の出力光レベルを設定する機能を備えたことを特徴とする。

本発明の他の実施形態に係る光学情報再生方法は、上記の光学情報記録媒体に対してレーザ光を照射し記録情報の再生を行う光学情報再生方法であって、光学情報記録媒体に記憶された情報を再生するか否かを判断する情報再生判断ステップと、情報再生時には反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を変位点温度以上にするようにレーザ光の光量を調節する情報再生時光照射ステップと、待機時には反射制御膜層の最高到達温度を変位点温度未満にするようにレーザ光の光量を調節する待機時光照射ステップとを設けたことを特徴とする。

本発明の他の実施形態に係る光学情報再生用プログラムは、上記の光学情報記録媒体に対してレーザ光を照射し情報の再生を行う光学情報再生装置にあって、情報再生時のレーザ光の光量を反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を変位点温度以上にするような値に設定する情報再生時光量設定処理と、待機時のレーザ光の光量を反射制御膜層の最高到達温度を変位点温度未満にするような値に設定する待機時光量設定処理と、光学情報記録媒体に記憶された情報を再生するか否かを判断し待機時と情報再生時とでレーザ光の光量の値を切り換える照射光量切替処理とをコンピュータに実行させることを特徴とする。

以上、実施形態（及び実施例）を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態（及び実施例）に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

この出願は２００７年５月１７日に出願された日本出願特願２００７−１３２１１４を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

本発明に係る第１実施形態の光学情報記録媒体の構成を示す断面図である。 図１に開示した光学情報記録媒体の光反射率の温度変化を示す図である。 図１に開示した光学情報記録媒体の光反射率の温度変化と集光スポットの温度分布の関係を示す図である。 図１に開示した光学情報記録媒体上の集光スポットと開口の位置を示す図である。 コントラストと再生限界以下の微小な記録ピットの再生分解能の関係を示す図である。 ＺｎＯの光学定数の温度変化を表す図である。 ＧｅＴｅ（Ｂｉ２Ｔｅ３）２の光学定数の温度変化を表す図である。 図１に開示した光学情報記録媒体の光反射率の温度変化を具体的に示す図である。 ピット長とそのピット長に相当する信号のＣＮＲとの関係を示す図である。 図１に開示した光学情報記録媒体において再生光レベルを変化させた場合の最高到達温度と単一周波数信号のＣＮＲとの関係を表す図である。 本発明に係る第２実施形態の光学情報記録媒体の構成を示す断面図である。 ＧｅＡｌの光学定数の温度変化を表す図である。 図１１に開示した光学情報記録媒体の光反射率の温度変化を示す図である。 ピット長とそのピット長に相当する信号のＣＮＲとの関係を示す図である。 図１１に開示した光学情報記録媒体において再生光レベルを変化させた場合の最高到達温度と単一周波数信号のＣＮＲとの関係を表す図である。 本発明に係る第１実施形態の光学情報再生装置の構成を示すブロック図である。 図１６に開示した実施形態の光学情報再生装置による超解像再生におけるレーザ光強度とビットエラーレートの関係を説明する図である。 図１６に開示した実施形態の光学情報再生装置による超解像再生におけるレーザ光強度とビットエラーレートおよびアシンメトリの関係を説明する図である。 汎用型の超解像光ディスクの断面図である。 汎用型の従来の超解像光ディスクの光反射率の温度変化を表すグラフである。 汎用型の超解像光ディスク上の集光スポットと開口の位置を表す図である。 汎用型の超解像光ディスクにおけるピット長と再生信号振幅の関係を説明する図である。

符号の説明

１０ 光学情報記録媒体
１１ 透明基板
１２ 第１の超解像膜
１３ 第１の誘電体膜
１４ 第２の超解像膜
１５ 第２の誘電体膜
１６ 反射膜
１８ 光学情報記録媒体
２０ 集光スポット
２１ 開口
２２ 開口以外の領域
２３ 記録ピット
３０ 光学情報再生装置
３１ 光ヘッド部
３２ 情報再生手段
３３ アシンメトリ検出部
３４ レーザパワー調整部
３５ レーザ駆動回路
３６ サーボ誤差検出回路
３７ サーボ制御回路
４０ 超解像光ディスク
４１ 透明基板
４２ 超解像膜
５０ 集光スポット
５１ 溶融領域
５２ 非溶融領域
５３ 記録ピット

Claims (11)

1. レーザ光の照射によって記録情報が読み取られるように構成された光学情報記録媒体において、
   複数の超解像膜層からなる反射制御膜層を有し、
   前記反射制御膜層は、前記照射されるレーザ光に対する光反射率が温度変化に対応して可逆的に変化し、常温からの温度上昇に対しては当該光反射率が連続的に低下し変位点温度で急峻に増大するような特性を備えたことを特徴とする光学情報記録媒体。
2. 前記請求項１に記載の光学情報記録媒体において、
   前記反射制御膜層は、前記照射されるレーザ光に対する光反射率が常温からの温度上昇にしたがって連続的に零に向かって低下すると共に前記変位点温度で当該低下した位置から急峻に増大する特性を備えたことを特徴とする光学情報記録媒体。
3. 前記請求項１に記載の光学情報記録媒体において、
   前記反射制御膜層は、前記変位点温度での前記レーザ光に対する光反射率の急峻な変化における高い方の値Ｒ３と低い方の値Ｒ２との比であるＲ３／Ｒ２が１０以上の値を示すような特性を備えたことを特徴とする光学情報記録媒体。
4. 前記請求項１に記載の光学情報記録媒体において、
   前記反射制御膜層は、前記常温から前記変位点温度までの範囲で温度変化に伴って屈折率又は消衰係数のいずれかが連続的に変化する第１の超解像膜と、前記変位点温度で屈折率又は消衰係数のいずれかが急峻に変化する第２の超解像膜とからなることを特徴とする光学情報記録媒体。
5. 前記請求項４に記載の光学情報記録媒体において、
   前記第２の超解像膜が、前記変位点温度を融点とする相変化材料であることを特徴とする光学情報記録媒体。
6. 前記請求項４に記載の光学情報記録媒体において、
   前記第１の超解像膜が、前記照射されるレーザ光の波長に相当するバンドギャップを有する無機半導体材料であることを特徴とする光学情報記録媒体。
7. 前記請求項４に記載の光学情報記録媒体において、
   前記反射制御膜層は、前記レーザ光の入射面側から順に、前記第１の超解像膜と第１の誘電体膜と前記第２の超解像膜と第２の誘電体膜と反射膜とを積層してなることを特徴とする光学情報記録媒体。
8. 前記請求項４に記載の光学情報記録媒体において、
   前記反射制御膜層は、前記レーザ光の入射面側から順に、第１の誘電体膜と前記第２の超解像膜と第２の誘電体膜と前記第１の超解像膜とを積層してなることを特徴とする光学情報記録媒体。
9. 光学情報記録媒体に対しレーザ光を出力する光源と、前記光学情報記録媒体からの戻り光から再生信号を検出する情報再生手段とを備えた光学情報再生装置であって、
   前記光学情報記録媒体が複数の超解像膜層からなる反射制御膜層を有し、前記反射制御膜層が、前記照射されるレーザ光に対する光反射率が温度変化に対応して可逆的に変化し、常温からの温度上昇に対しては当該光反射率が連続的に低下し変位点温度で急峻に増大するような特性を備えたものであり、
   待機時と情報再生時とで前記光源からのレーザ光の光量を切り換え制御する照射光量設定手段を備え、
   前記照射光量設定手段が、情報再生時には前記反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を前記変位点温度以上にするように前記光量を設定し、待機時には前記反射制御膜層の最高到達温度を前記変位点温度未満にするように前記光量を設定する機能を備えたことを特徴とする光学情報再生装置。
10. 光学情報記録媒体に対してレーザ光を照射し記録情報の再生を行う光学情報再生方法であって、
    前記光学情報記録媒体として、複数の超解像膜層からなるものであって、前記照射されるレーザ光に対する光反射率が温度変化に対応して可逆的に変化し、常温からの温度上昇に対しては当該光反射率が連続的に低下し変位点温度で急峻に増大するような特性を備えた反射制御膜層を有する記録媒体を用い、
    前記光学情報記録媒体に記憶された情報を再生するか否かを判断し、
    情報再生時には前記反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を前記変位点温度以上にするように前記レーザ光の光量を調節し、
    待機時には前記反射制御膜層の最高到達温度を前記変位点温度未満にするように前記レーザ光の光量を調節することを特徴とする光学情報再生方法。
11. 光学情報記録媒体に対してレーザ光を照射し情報の再生を行う光学情報再生装置にあって、
    前記光学情報記録媒体として、複数の超解像膜層からなるものであって、前記照射されるレーザ光に対する光反射率が温度変化に対応して可逆的に変化し、常温からの温度上昇に対しては当該光反射率が連続的に低下し変位点温度で急峻に増大するような特性を備えた反射制御膜層を有する記録媒体を用い、
    コンピュータに、
    情報再生時の前記レーザ光の光量を前記反射制御膜層の集光スポットに対応する領域の一部分を前記変位点温度以上にするような値に設定する機能と、
    待機時のレーザ光の光量を前記反射制御膜層の最高到達温度を前記変位点温度未満にするような値に設定する機能と、
    前記光学情報記録媒体に記憶された情報を再生するか否かを判断し待機時と情報再生時とで前記レーザ光の光量の値を切り換える機能とを実行させることを特徴とする光学情報再生用プログラム。

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