JP5211154B2 - 複数の拡散溶接枠を具備するガス分配器及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、２又はそれ以上のチャンバを備えたＣＶＤ反応装置用のガス分配器に関し、各チャンバに供給ラインが開口し、少なくとも１つのチャンバは、ガス容器を形成し、かつ、別の少なくとも１つのチャンバと交差している多数の小管を介してガス分配器の下面に設けられたガス出口開口に連通している。

さらに本発明は、この種のガス分配器の製造方法に関する。

特許文献１、特許文献２、特許文献３及び特許文献４は、”シャワーヘッド”分配器としても知られるこの種のガス分配器を開示している。それらのガス分配器では、水平向きの複数のプレートを互いに上下に配置している。これらのプレートは、鉛直方向に互いに離間し、それぞれがチャンバの床と天井を形成している。チャンバの外周は、鋼製の環状外周部品により形成されている。ガス分配器における下方向きの面は、複数のガス出口開口を具備する。その上に位置するチャンバは冷却チャンバであり、例えば水である液体冷媒が流されている。この冷却チャンバの上方には、気密性をもって互いに分離した２つのガス容器がある。各ガス容器は１５，０００本以上の多数の小管によりガス分配器の下面に連通されている。これらの小管は、ガス出口開口に開口しており、それにより少なくとも冷却チャンバと交差している。

この種のガス分配器の製造は、作業困難である。なぜなら、多数の小管を、予め形成された孔に１つ１つはんだ付けしなければならないからである。一方のチャンバ壁及び小管がステンレス鋼であるのに対し、他方がはんだであり、異なる材料が用いられることも不利である。

特許文献５、特許文献６及び特許文献７は、複数のディスクからなるサンドイッチ状に形成されるガス入口分配器を開示している。個々のディスクは、ディスクの面内でガス分配が生じるように構成されている。このために、十字交差チャネルが設けられている。それにより、ブロック状の上昇路を形成し、それらの上昇路は、１つのガスが流れることができる中央開口を具備し、中央開口の周囲では別のガスが流れることができる。

特許文献８は、サンドイッチ状構成をもつガス分配器を開示している。下方ディスクと上方ディスクがそれぞれ広い面に切り欠きを具備し、格子形状で延在する溝により形成されている。それにより、中央開口をもつ長方形の台座が残る。これらの外側ディスクが１つの上に別の１つが位置し、対応する位置に孔を開けた内側ディスクが挿入されると、これは、多数の小管を形成し、各小管は、チャンバを通り抜けている。

特許文献９、特許文献１０、特許文献１１、特許文献１２及び特許文献１３は、互いに上下に位置する多数のディスクを有するガス分配器を開示している。ディスクの広い面にチャネルが設けられている。組み立てた状態で、これらのチャネルは閉じられている。

欧州特許第0687749号公報 独国特許第69504762号公報 米国特許第5871586号明細書 米国特許出願公開第2006/0021574号公報 独国特許第69630484号公報 欧州特許出願公開第1381078号公報 米国特許第6444042号明細書 米国特許出願公開第2002/0152960号公報 米国特許出願公開第2006/0201428号公報 米国特許第7168447号明細書 米国特許第6302964号明細書 米国特許出願公開第2002/0005442号公報 国際公開第2006/040275号パンフレット

本発明の目的は、製造容易でありかつ技術的に改良されたガス分配器を提供することである。

上記目的は、特許請求の範囲に特定された発明により達成される。特に、請求項２〜１４は、請求項１に特定されたガス分配器における基本的に有利な改良点に関係するが、各請求項は、上記目的を達成するための独立した解決手段を表現し、他の任意の請求項と組み合わせることが可能である。

先ず、ガス分配器は、互いに上下に配置された複数の加工されたディスクを有し、それらのディスクは、互いに結合され、特に圧力及び温度により互いに拡散溶接されている。特に、これら複数のディスクにより、複数の小管を設けることができる。これらの小管は、互いに上下に載置された複数の環状ディスクにより設けられ、実質的に互いに合致するように配置されている。小管は、これらの環状ディスクから形成される。複数のディスクは、好適にはステンレス鋼製であり、自由空間すなわち複数のディスクにより形成される開口の領域に、上記の環状ディスクを有する。複数の環状ディスクは、複数のウェブにより互いに連結されている。溶接状態では、互いに上下に位置する環状ディスクは小管を形成し、これらの小管は、対応するチャンバと交差している。チャンバ容器は、ウェブ間の介在空間により形成される。例えばガス又は液体である、チャンバに関係する流体がそのチャンバを通過する流れを確実に改善するために、ウェブの材料厚さは、複数のディスク自体すなわち小管を形成する環状ディスクよりも薄くされている。複数のディスクの材料厚さは、０．２mm〜２mmでよい。この材料厚さは、好適には、０．３mm〜１mmである。また、個々のディスクの延長面を視たときのウェブの材料厚さは、環状ディスクの外径よりも薄い。環状ディスクは、円形の外郭を有する。しかしながら、環状ディスクの外郭は、円形から外れていてもよい。複数のウェブは、ガス透過可能となるように実質的に互いに合致して位置するような措置が採られることが好ましい。互いに連結されたディスクのウェブは、ガス透過可能な壁を形成する。これは、上述したように、断面を薄くすることにより実現される。

しかしながら、異なるウェブ構成のディスクを互いに上下に配置することも可能である。本発明によるガス分配器は、従来技術のように、複数の異なる構成をもつディスクを有することが好適である。しかし、本発明では、ガス分配器の軸区画の各々が、複数の一体的に構成されたディスクにより形成され、製造の際にはそれらのディスクを互いに上下に載置するだけであり、異なる構成をもつディスクを交互にすることが可能である。小管の内径、すなわち流路の直径は、０．４mm〜１mmでよい。小管の表面密度すなわちガス出口開口の表面密度は、１０〜２０個／cm^２でよい。さらに別の請求項に係る方法によれば、少なくとも１８０mmの直径をもつガス分配器の製造が可能である。この直径は、少なくとも３８０mm、又は、少なくとも５００mmでもよい。７００mmを超える直径をもつガス分配器を製造することさえ可能である。このガス分配器は、全部で２つのガス容器を備えていることが好適である。これらのガス容器の一方は、一体部品から作製してもよい。他方のガス容器は、拡散溶接されたプレート構造の一部であってもよい。さらに、拡散溶接されたプレート構造は、上述の冷却チャンバを備え、この冷却チャンバは、互いに分離された２つガス容器をガス分配器の下面におけるガス出口開口に連通させる小管と交差している。本発明のさらに別の構成においては、交差する複数のウェブのウェブ中点に環状ディスクが載置されたプレートと、交差する複数のウェブの交点に環状ディスクが載置されたプレートとが、チャンバの領域において交互に設けられる。

さらに本発明は、この種のガス分配器の製造方法に関する。この製造方法は、金属製の、好適にはステンレス鋼製の、複数の加工されたディスクにより形成されたガス分配器におけるプレート構造に実質的に関連する。これらのプレートの各々は、金属シートにより形成される。その金属シートは、先ず、それらの外郭形状に切断又は打ち抜きされる。次に、これらのディスクが加工される。これらのディスクが個々のチャンバの間に配置されたならば、これらは複数の孔を有するだけである。１つのチャンバを形成する複数のディスクは、１つのウェブ構造を有し、複数のウェブは複数の環状ディスクを互いに接続している。このウェブ構造は、エッチング工程により作製可能である。このために、所定形状に切断された金属シートは、先ずフォトリソグラフィによりマスクされる。このことは、プレートの広い方の面に対して広範囲に亘って感光性レジストを塗布することを含む。露光ステップの後、フォトレジスト層の非露光区画又は露光区画が再び除かれる。その後、フォトレジストの無い区画がエッチングされる。好適には、異方性エッチング工程が用いられる。第２のエッチングにおいては、環状ディスク表面及び周縁部のみがマスクされ、ウェブの材料厚さを削減できる。このようにして加工されたプレートは、複数の環状ディスクが小管を形成しかつ広い方の面のチャンバが孔のみを有するように、互いに上下に載置される。最後に、プレートの積層物は、炉内で一緒に圧縮され、金属の、特にステンレス鋼の溶融温度未満の所定の温度とされる。プレートの積層物は、互いに上下に位置する広い面が互いに密着して結合するまで、この圧力及びこの温度に曝される。個々のプレートの識別を容易とするために、各プレートは、周縁突起の形態の識別タグを具備し、その上に識別手段が設けられる。これらのプレートは、平面視にて実質的に円形であり、さらに、その周縁部から突出し、位置決め孔を設けた位置決めラグを具備してもよい。位置決め器具は、複数の位置決めピンを備えている。位置決めピンが位置決め孔を貫通するように、位置決め器具上に位置決めラグを載置できる。これにより、複数の加工されたディスクを精確に互いに上下に配置できる。
複数のディスクは、取り外し可能な横に突出する位置決めラグを具備し、各位置決めラグは位置決め孔を設けており、複数のディスクが互いに上下に配置されるとき、位置決め孔が組立補助用の位置決めピンの上に載置される。
位置決めラグが、第１及び第２のディスクの各々における周縁部との境界上に孔及び切り欠きを形成して第１及び第２のディスクの各々に対し取り外し可能に連結されている。
複数のディスクに設けられかつ複数のディスクの拡散溶接後に取り外し可能な識別タグを有する。

本発明の実施例を、添付の図面に基づいて以下に説明する。

逆向きのガス分配器の斜視図である。 図１のラインII−IIの断面図であり、ガス分配器のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの区画が示されている。 図２の拡大詳細図である。 区画Ａを形成しているディスク３の平面図である。 区画Ｂを形成しているディスク４の平面図である。 ディスク４の格子構造の拡大詳細図である。 図４ａのラインIVb−IVbの断面図である。 区画Ｂを形成している第２ディスク４’の平面図である。 図５のディスクの格子構造の拡大詳細図である。 区画Ｃ、Ｅを形成しているディスク５の平面図である。 区画Ｄのディスク６の平面図である。 図７のディスク６の格子構造の拡大詳細図である。 ディスク３、４、５、６を互いに上下に配置して固定しかつ位置決めピン２４を用いて位置決めすることにより形成したディスク組物の、下面２’の方向からの平面図である。

実施例は、ＣＶＤ反応装置用のガス分配器に関連する。この種のガス分配器の利用については、特に、特許文献１に記載されている。ガス分配器は、ＣＶＤ反応装置の一部であり、コーティングされる基板を受容するサセプタの鉛直上方に配置されている。これらの基板は、サセプタの水平な表面上に載置される。サセプタの上方は、いわゆるプロセスチャンバであり、ガス分配器１、２の下面２’からこのチャンバ内へプロセスガスが導入される。このために、図１及び図２に逆向きに示されたガス分配器１、２は、ガス分配器１、２の下面２’に設けられた下向きの出口開口２３を具備し、ここから１つのプロセスガス又は多数の異なるプロセスガスを放出可能である。プロセスガスは、基板上に堆積される層を形成する成分を含む。プロセスガスはエアロゾルを含んでもよく、基板上でのみ濃縮される。この場合、サセプタは冷却される。しかし、プロセスガスは、さらに反応ガスを有してもよく、それらは加熱されたプロセスチャンバ内で分解し、分解生成物が基板上で成長することにより層を形成する。しかし、別の実施例では、ガス分配器の底部もまた、冷却チャンバ１４を流れる冷媒により冷却してもよい。この構成の場合、１又は複数の基板を搭載するサセプタが加熱されていれば、出口開口から放出される反応ガスは、実質的に分解されずに表面の領域へと流れ、すなわち拡散し、そこで表面と接触しつつ熱反応により分解する。従って、この場合も、反応ガスの分解生成物から基板上に層が形成される。プロセスチャンバは、周囲に対して気密性及び耐圧性をもって密閉された反応装置ハウジング内に収容されている。反応ガス又はエアロゾルは、反応装置の外部から供給ラインによりガス分配器に供給される。異なるプロセスガス又はエアロゾルが用いられる場合、ガス容器８、９の形態の専用チャンバを、各ガス又は各エアロゾルに対して設けてもよい。

図２は、この種のガス分配器の逆向きの断面構成を示している。ガス分配器は、一体のプレートにより形成されかつ第１ガス容器８である凹部の形態を具備する任意の上部ガス分配器１を有する。第１ガス容器８は、下部ガス分配器２の広い面により閉じられている。下部ガス分配器２の部品におけるこの広い面は、例えば１０，０００〜２０，０００本の多数のガス出口チャネル７により、下部ガス分配器の下面２’に連通している。下面２’にて、ガス出口チャネル７は、出口開口２３に開口する。

下部ガス分配器２はさらに、別の供給ラインにより供給される第２ガス容器９を有する。この第２ガス容器９は、小管１１と交差している。小管１１は、上方の第１ガス容器８のガス出口チャネル７を形成している。

下部ガス分配器２の部品はさらに、冷却チャンバ１４を有し、これは下面２’に隣接し、かつ、同様に小管１２、１３と交差している。小管１２、１３は、一方では第１ガス容器８のガス出口チャネル７を形成し、他方では第２ガス容器９のガス出口チャネル１０を形成している。

下部ガス分配器２は、複数の加工されたディスク３、４、５、６により形成されており、それらは約１mmの厚さであり、先ず適宜の手法で加工され、次に互いに上下に載置され、最後に圧力及び温度下で互いに拡散溶接される。

図２及び図２ａに示されたディスク構造は、５枚の異なる加工を施されたディスク３、４、４’、５及び６を有する。これらのディスクにより、図２に示された区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅを形成している。区画Ａは、複数のディスク３により形成され、図３に示されている。ここで扱う１枚の円形ディスクは、多数の均一に配置された直径０．４mm〜１mmの開口７を具備する。これらのガス出口チャネル７の表面密度は、１０〜２０個／cm^２であるか又は２０個／cm ^２ を超える。これらの開口は、ドリルにより開けてもよい。しかし、これらの開口は、エッチングされることが好適である。このために、ディスク３の広い面全体がフォトレジストによりコーティングされる。開口の構成に対応したマスクを用いて露光が行われる。続いて、非露光又は露光されたフォトレジストが除去され、開口がエッチングされる。

図４、図４ａは、区画Ｂのディスク４の平面図を示している。このディスク４は、一体の連続的な周縁部を具備し、周縁部の内側には、多数のウェブ１５により互いに結合された多数の環状ディスク１６を具備する。環状ディスク１６は、中央開口を有し、この中央開口は、ガス出口チャネル７を形成する。区画Ｂに設けられるディスク４の場合、環状ディスク１６は、ウェブ中点に位置する。ウェブ１５は互いに交差している。図４ｂに示されるように、ウェブ１５は、環状ディスク１６と比較してその材料厚さが薄い。

図５、図５ｂは、ディスク４と交互に配置可能な区画Ｂのディスク４’の一変形の平面図を示す。この変形の場合、多数の環状ディスク１６は、交差するウェブ１５の交点に位置する。ディスク４’におけるウェブ１５は、ディスク４のウェブに対して対角線方向に延在している。この場合も、ウェブ１５は、材料厚さを薄くされている。

ディスク３、又は後述するディスク５及び６と同様の方法により、ディスク４、４’をエッチングにより加工することができ、この場合も、ウェブ／環状ディスクの構造は、フォトリソグラフィにより生成され、ディスクの非マスク領域が異方性をもって実質的にエッチングされる。

図６は、多数のディスクを互いに上下に配置することにより区画Ｃ及び区画Ｅを形成するディスク５を示す。このディスクは、２倍の数の開口を有することのみにおいてディスク３と異なる。この場合、第１ガス容器８と連通するガス出口チャネル７及び第２ガス容器９と連通するガス出口チャネル１０が、交互に配置されている。

図７、７ａは、区画Ｄに関係するディスク５を示す。ディスク５は、既に述べたディスク４、４’に類似した構成を有する。しかし、この場合は、２倍の数の環状ディスク１７、１８を有する。なぜなら、それらはガス出口チャネル７、１０の双方の小管を形成するからである。この場合、ガス出口チャネル１０の環状ディスク１７は、交差するウェブ１５’の交点に位置し、ガス出口チャネル７を形成する環状ディスク１８は、ウェブ１５の中点に位置する。この場合も、ウェブ１５は材料厚さを薄くされている。

複数のウェブ１５、１５’の間のウェブ間領域は、容器を形成する。複数のウェブ１５の間にある介在空間は、第２ガス容器９を形成し、複数のウェブ１５’の間にある介在空間は、水の冷却チャンバ１４を形成する。ウェブ１５、１５’の材料厚さが薄くされているので、個々のウェブ間の空間は、互いに連通している。

ディスク３、４、４’、５及び６は、それぞれ周縁部から突出する芯出しラグ２０を設けており、それらは均等な角度分布で配置されている。これらの芯出しラグ２０は、孔開きウェブによりディスク３、４、４’、５及び６の周縁部に連結されている。

４つの位置決めピン２４を具備する位置決め器具が用意される。４つのピン２４は互いに平行であり、その直径は位置決め孔２１の内径に対応している。

図８は、互いに上下に載置されたディスクの積層物を示している。各芯出しラグ２０は、位置決めピン２４に嵌合している。

区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥに関係する各ディスク３、４、４’、５及び６は、は、その周縁部に識別タグ２６を具備する。その上には、プレートを取り違えないための識別手段が存在する。取り違えを避けるために、異なる区画Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅに関係するディスクの識別タグ２２は、異なる角度位置に設けられてもいる。

図８に示した積層物を形成するために、複数のプレートが互いに上下に配置されたとき、隣合うプレートの広い方の面同士が当接している。このプレートの積層物は、その後、炉内で圧力を受ける。ディスク３、４、４’、５、６の広い方の面は、それにより約１．５MPaの圧力で互いに対して圧縮される。同時に、ディスクの積層物は、ディスクを作製した金属の溶融温度よりもある程度低い温度まで加熱される。好適な温度は、１１００℃である。これらのプロセスパラメータにより、プレートの積層物は、真空下又は保護ガス雰囲気中において互いに上下に載置された個々のディスク３、４、４’、５及び６の広い面の部分が互いに密接して結合されるまで処理される。それにより、一体的な加工された一枚板を作製でき、これが、下部ガス分配器２の部分を形成する。この処理の所要時間は、約４時間である。

本発明の変形例においては、処理中に処理温度を５０℃上昇させる。処理温度は、１０００〜１２００℃の範囲とすることができる。

下部ガス分配器２の上部ガス分配器１への接続は、汎用的なはんだ付けで行える。

変形例においては、図示しないが、上部ガス分配器１を、反応装置ハウジングの壁の一部により形成してもよい。これは、例えば特許文献１の図２に示されている。さらに、一体的な上部ガス分配器１を設けずに、本発明によるガス分配器を作製することも可能である。

全ての開示された特徴は、（それ自体）本発明に関する。関係する／添付の優先権書類の開示内容（優先特許出願の複写）もまた、本願の特許請求の範囲にこれらの書類の特徴を包含させる目的も含め、その出願の開示全体をここに含める。

１ 上部ガス分配器
２ 下部ガス分配器
２’ 下面
３、４、４’、５、６ ディスク
７ ガス出口チャネル
８ 第１ガス容器
９ 第２ガス容器
１１、１２、１３ 小管
１４ 冷却チャンバ
１５、１５’ ウェブ
１６、１７、１８ 環状ディスク
２０ 位置決め（芯出し）ラグ
２１ 位置決め孔
２３ ガス出口開口

Claims (19)

1. ＣＶＤ反応装置用のガス分配器（1,2）であって、２又はそれ以上のチャンバ（8,9,14）を備え、各チャンバ（8,9,14）には供給ラインが開口しており、前記２又はそれ以上のチャンバ（8,9,14）のうち少なくとも１つの、ガス容器であるチャンバ（8,9）は、該ガス容器であるチャンバ（8,9）から下方に延びるガス出口チャネル（7,10）により前記ガス分配器（1,2）の下面（2'）に設けたガス出口開口（23）に連通し、前記ガス出口チャネル（7,10）は、少なくとも１つの別のチャンバ（9,14）と交差する領域にて小管（11,12,13）を形成している、前記ガス分配器（1,2）において、
   前記小管（11,12,13）の領域にて互いに上下に配置された複数の加工された第１のディスク（4,4',6）と、前記小管（11,12,13）の領域以外の領域にて互いに上下に配置された複数の加工された第２のディスク（3,5）と、を有し、前記複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）は圧力及び温度により互いに拡散溶接されることにより互いに固着して接続されており、
   前記小管（11,12,13）は、互いに合致するように上下に載置された複数の環状ディスク（16,17,18）により形成され
   前記複数の第１のディスク（4,4',6）の各々の面内では、多数の前記環状ディスク（16,17,18）が、ウェブ（15,15'）により、該第１のディスク（4,4',6）の周縁部に連結されているか又は互いに連結されていることを特徴とするガス分配器。
2. 前記第１のディスク（4,4',6）がステンレス鋼製であることを特徴とする請求項１に記載のガス分配器。
3. 前記ウェブ（15,15'）が、前記第１のディスク（4,4',6）よりも材料厚さが薄いことを特徴とする請求項１又は２に記載のガス分配器。
4. 前記第１のディスク（4,4',6）における互いに連結された前記ウェブ（15,15'）が、ガス透過可能な壁を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載のガス分配器。
5. 前記第１のディスク（4,4',6）の材料厚さが、０．３mm〜１mmであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一に記載のガス分配器。
6. 前記小管（11,12,13）の内径が、０．４mm〜１mmであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一に記載のガス分配器。
7. 前記小管（11,12,13）の表面密度が、１０〜２０個／cm^２又は２０個／cm^２を超えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一に記載のガス分配器。
8. 前記ガス分配器（1,2）の直径が、少なくとも１８０mm、少なくとも３８０mm、少なくとも５００mm、又は少なくとも７００mmであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一に記載のガス分配器。
9. 少なくとも２つの、前記ガス容器であるチャンバ（8,9）を有し、前記ガス容器であるチャンバ（8,9）の各々から下方に延びる前記ガス出口チャネル（7,10）が交差する前記別のチャンバ（9,14）の少なくとも１つが、冷却チャンバ（14）であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一に記載のガス分配器。
10. 前記冷却チャンバ（14）及び前記ガス容器であるチャンバ（8,9）が、互いに上下に配置されていることを特徴とする請求項９に記載のガス分配器。
11. １つの前記ガス容器であるチャンバ（9）を形成する前記複数の第１のディスク（4,4'）は、交差するウェブ（15）のウェブ中点に前記環状ディスク（16）が位置するプレートと、交差するウェブ（15）の交点に前記環状ディスク（16）が位置するプレートとが交互になるように、互いに交互になっていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一に記載のガス分配器。
12. 前記第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の各々は、取り外し可能な横に突出する位置決めラグ（20）を具備し、各位置決めラグは位置決め孔（21）を設けており、前記第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の各々が互いに上下に配置されるとき、前記位置決め孔（21）が組立補助用の位置決めピン（24）の上に載置されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一に記載のガス分配器。
13. 前記位置決めラグ（20）が、前記第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の各々における周縁部との境界上に孔及び切り欠きを形成して前記第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の各々に対し取り外し可能に連結されていることを特徴とする請求項１２に記載のガス分配器。
14. 前記複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の各々に設けられかつ該複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の拡散溶接後に取り外し可能な識別タグ（22）を有する請求項１〜１３のいずれか一に記載のガス分配器。
15. 請求項１〜１４のいずれか一に記載のＣＶＤ反応装置用のガス分配器（1,2）の製造方法であって、
    前記ガス分配器（1,2）が、２又はそれ以上のチャンバ（8,9,14）を備え、各チャンバ（8,9,14）には供給ラインが開口しており、前記２又はそれ以上のチャンバ（8,9,14）のうち少なくとも１つの、ガス容器であるチャンバ（8,9）は、該ガス容器であるチャンバ（8,9）から下方に延びるガス出口チャネル（7,10）により前記ガス分配器（1,2）の下面（2'）に設けたガス出口開口（23）に連通し、前記ガス出口チャネル（7,10）は、少なくとも１つの別のチャンバ（9,14）と交差する領域にて小管（11,12,13）を形成しており、
    前記製造方法は、
    （ａ）第１のディスク（4,4',6）であってその面内にて多数の環状ディスク（16,17,18）がウェブ（15,15'）により該第１のディスク（4,4',6）の周縁部に連結されているか又は互いに連結されている前記第１のディスク（4,4',6）と、第２のディスク（3,5）であってその面内にて前記第１のディスク（4,4',6）の環状ディスク（16,17,18）に対応する開口を具備する前記第２のディスク（3,5）とを、それぞれ複数ずつ、ステンレス鋼を含む金属から加工して作製し、
    （ｂ）前記複数の第１のディスク（4,4',6）を、前記環状ディスク（16,17,18）が互いに合致するように上下に載置することにより、前記ガス出口チャネル（7,10）における前記小管（11,12,13）を形成するとともに前記別のチャンバ（9,14）の空間を形成し、
    （ｃ）前記複数の第２のディスク（3,5）を、前記開口が互いに合致するように上下に載置し、
    （ｄ）前記第１のディスク（4,4',6）の前記環状ディスク（16,17,18）と前記第２のディスク（3,5）の前記開口とが互いに合致するように、前記複数の第１のディスク（4,4',6）の下に前記複数の第２のディスク（3,5）を配置することにより前記別のチャンバ(9,14）の床を形成するとともに、前記複数の第１のディスク（4,4',6）の上に前記複数の第２のディスク（3,5）を配置することにより前記別のチャンバ（9,14）の天井を形成し、
    （ｅ）圧力及び温度をかけることにより、互いに上下に配置された前記複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）を拡散溶接させることを特徴とする
    ガス分配器の製造方法。
16. 前記複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）は金属のシートから作製され、
    前記複数の第１のディスク（4,4',6）は、前記ウェブ（15,15'）及び前記環状ディスク（16,17,18）の配置に対応するマスクを適用された後、ウェブ間の介在空間がエッチングにより除去されることを特徴とする請求項１５に記載のガス分配器の製造方法。
17. 前記複数の第１のディスク（4,4',6）の厚さが、前記ウェブ（15,15'）の領域でエッチングにより薄くされていることを特徴とする請求項１６に記載のガス分配器の製造方法。
18. 前記マスクの形成において、フォトリソグラフィによるマスキングを行うことを特徴とする請求項１６又は１７に記載のガス分配器の製造方法。
19. 前記複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の各々が、位置決め孔（21）を設け横に突出する位置決めラグ（20）を具備し、互いに上下に配置された該複数の第１及び第２のディスク（3,4,4',5,6）の予備組立状態において、該位置決め孔に対して位置決め器具の位置決めピン（24）が通されることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか一に記載のガス分配器の製造方法。

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