JP5209980B2 - 圧接型大電力用サイリスタモジュール - Google Patents
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Description
11,21 絶縁板
12 コモンバー
14,24 導電性カソードスペーサ
14a 穴
14b 収容溝
15 コイルバネ型ゲート電極信号線
15a コイル部分
15b 水平に延ばされた部分
15b1 先端側部分
15b2 根元側部分
18 カソード端子バー
19,29 圧接手段
19a,29a 加圧板
19b,29b ネジ
19c,29c 皿バネ
19d,29d 絶縁性芯出し部材
22 アノード端子バー
31,34,41,44,62,72 電極片
51 外囲ケース
52 蓋体
113,123 サイリスタチップ
113a,123a アノード電極
113b,123b ゲート電極
113c,123c カソード電極
181,191 アノードサブスペーサ
182,192 アノードサブスペーサホルダ
183,193 カソードサブスペーサ
183a 穴
184,194 カソードサブスペーサホルダ
316,326 ゲートスペーサ
316c 外周面
316d 穴
317,327 ゲートスペーサ
317b 下面
317c 外周面
317d 収容溝
317d1 天井面
Claims (9)
- 絶縁板(11)を放熱板(1)上に配置し、
アノード端子バー(12)を絶縁板(11)上に配置し、
概略四角形の導電性アノードサブスペーサ(181)と、導電性アノードサブスペーサ(181)を包囲する絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)とを、アノード端子バー(12)上に配置し、
下面にアノード電極(113a)を有し、上面の中心部分にゲート電極(113b)を有し、ゲート電極(113b)の周りにカソード電極(113c)を有し、アノードサブスペーサ(181)よりも大きい概略四角形のサイリスタチップ(113)を設け、
サイリスタチップ(113)を導電性アノードサブスペーサ(181)および絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)の上に配置し、
ゲート電極(113b)に対向する位置に円形の穴(183a)を有し、サイリスタチップ(113)よりも小さい概略四角形の導電性カソードサブスペーサ(183)を設け、
導電性カソードサブスペーサ(183)と、導電性カソードサブスペーサ(183)を包囲する絶縁性カソードサブスペーサホルダ(184)とを、サイリスタチップ(113)のカソード電極(113c)および絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)の上に配置し、
ゲート電極(113b)に対向する位置に円形の穴(14a)を有する環状の導電性カソードスペーサ(14)を、導電性カソードサブスペーサ(183)および絶縁性カソードサブスペーサホルダ(184)の上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)のコイル部分(15a)をゲート電極(113b)上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)のコイル部分(15a)と概略相補形状の円形の穴(316d)と、環状の導電性カソードスペーサ(14)の穴(14a)と嵌合する外周面(316c)とを有する環状の絶縁性第1ゲートスペーサ(316)を設け、
環状の絶縁性第1ゲートスペーサ(316)を環状の導電性カソードスペーサ(14)とコイルバネ型ゲート電極信号線(15)のコイル部分(15a)との間に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)のコイル部分(15a)の上端を水平方向に延ばすと共に、その水平方向に延ばされた部分(15b)を絶縁被覆し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)の水平方向に延ばされた部分(15b)の先端側部分(15b1)を、導電性カソードスペーサ(14)の上面に形成された収容溝(14b)内に収容し、
環状の導電性カソードスペーサ(14)の穴(14a)と嵌合する外周面(317c)を有する円形の絶縁性第2ゲートスペーサ(317)を、コイルバネ型ゲート電極信号線(15)および環状の絶縁性第1ゲートスペーサ(316)の上に配置し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)のコイル部分(15a)の上端および水平方向に延ばされた部分(15b)の根元側部分(15b2)を、絶縁性第2ゲートスペーサ(317)の下面(317b)に形成された収容溝(317d)内に収容し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)の水平方向に延ばされた部分(15b)の根元側部分(15b2)を、絶縁性第1ゲートスペーサ(316)の上面(316a)と絶縁性第2ゲートスペーサ(317)の収容溝(317d)の天井面(317d1)とによって狭持し、
カソード端子バー(18)を環状の導電性カソードスペーサ(14)および絶縁性第2ゲートスペーサ(317)の上に配置し、
それらを圧接手段(19)によって上下方向に圧接したことを特徴とする圧接型大電力用サイリスタモジュール。 - 概略四角形の導電性アノードサブスペーサ(181)の外周面と嵌合する穴(182a)と、係合突起(182b)とを絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)に設け、
概略四角形の導電性カソードサブスペーサ(183)の外周面と嵌合する穴(184a)と、概略四角形のサイリスタチップ(113)の外周面と嵌合する突起(184b)と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)の係合突起(182b)と係合する係合穴(184c)とを絶縁性カソードサブスペーサホルダ(184)に設け、
導電性アノードサブスペーサ(181)と、絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)と、サイリスタチップ(113)と、導電性カソードサブスペーサ(183)と、絶縁性カソードサブスペーサホルダ(184)とを組み立てた状態でアノード端子バー(12)上に載置したことを特徴とする請求項1に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。 - 絶縁性第1ゲートスペーサ(316)の上面(316a)に形成された係合突起(316e)または係合穴が圧入される係合穴(317e)または係合突起を絶縁性第2ゲートスペーサ(317)の下面(317b)に形成し、
コイルバネ型ゲート電極信号線(15)と、絶縁性第1ゲートスペーサ(316)と、絶縁性第2ゲートスペーサ(317)とを組み立てた状態で、サイリスタチップ(113)のゲート電極(113b)および環状の導電性カソードスペーサ(14)の収容溝(14b)の上に載置したことを特徴とする請求項1に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。 - アノード端子バー(12)の外周面、絶縁性アノードサブスペーサホルダ(182)の外周面、絶縁性カソードサブスペーサホルダ(184)の外周面、導電性カソードスペーサ(14)の外周面、および、カソード端子バー(18)の外周面と嵌合してそれらの芯出しを行うための嵌合部(51a1,51a2,51a3,51a4)を外囲ケース(51)に設けたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。
- 放熱板(1)に冷却水流路(1a)を形成し、水冷によって放熱板(1)を冷却したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。
- サイリスタチップ(113)のアノード電極(113a)、ゲート電極(113b)およびカソード電極(113c)を約7〜9μmの厚さでアルミニウム蒸着したことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。
- 加圧板(19a)と、2本のネジ(19b)と、皿バネ(19c)と、皿バネ(19c)を芯出しするために皿バネ(19c)の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材(19d)とによって圧接手段(19)を構成したことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。
- 概略球状の凸部(19a1a)を有する第1加圧板(19a1)と、凸部(19a1a)と嵌合する概略円錐状の穴(19a2a)を有する第2加圧板(19a2)と、2本のネジ(19b)と、皿バネ(19c)と、皿バネ(19c)を芯出しするために皿バネ(19c)の内縁と嵌合する絶縁性芯出し部材(19d)とによって圧接手段(19)を構成したことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。
- カソード端子バー(18)に電極片(31)を接合し、可撓性のカソード電極信号線(32)の一端を電極片(31)にファストンタブ(33)を介して接続し、カソード電極信号線(32)の他端を他の電極片(62)に接続し、他の電極片(62)を外囲ケース(51)に担持させたことを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の圧接型大電力用サイリスタモジュール。
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