JP5206144B2 - LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

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本発明は、発光装置、及び発光装置を具備する電子機器の技術分野に関する。特に、発光装置の保護回路に関する。   The present invention relates to a technical field of a light emitting device and an electronic apparatus including the light emitting device. In particular, the present invention relates to a protection circuit for a light emitting device.

発光装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、該複数の走査線と該複数のデータ線との交差に応じて設けられた発光素子と、発光素子に電流を供給する電流供給線と、電流供給線から発光素子への電流経路に設けられ発光素子への電流を制御する駆動トランジスタとから構成される。少なくとも発光素子と駆動トランジスタを含む単位回路は、一列に、もしくは、マトリクス状に複数形成され、走査線からの選択信号、及び、データ線からのデータ信号に応じて発光素子はそれぞれ発光する。   The light emitting device includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a light emitting element provided in accordance with the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and a current supply line for supplying a current to the light emitting element. And a driving transistor that is provided in a current path from the current supply line to the light emitting element and controls the current to the light emitting element. A plurality of unit circuits including at least a light emitting element and a driving transistor are formed in a row or in a matrix, and the light emitting elements emit light according to a selection signal from the scanning line and a data signal from the data line.

このような発光装置において、選択信号を走査線に供給する走査線駆動回路やデータ信号をデータ線に供給するデータ線駆動回路などの駆動回路の一部もしくは全部は、発光素子が設けられた基板に内蔵回路として作り込まれたり、或いは外付けIC回路として該基板に後付けされたりする。走査線駆動回路やデータ線駆動回路の劣化又は破壊の要因としては、特に発光装置の製造時又は運搬時に問題となる静電気放電のストレスによる破壊、即ち静電破壊が挙げられる。   In such a light emitting device, a part or all of a driving circuit such as a scanning line driving circuit that supplies a selection signal to the scanning line and a data line driving circuit that supplies a data signal to the data line is a substrate provided with a light emitting element. It is built in as a built-in circuit, or it is retrofitted to the substrate as an external IC circuit. As a cause of deterioration or destruction of the scanning line driving circuit or the data line driving circuit, there is destruction due to stress of electrostatic discharge, which is a problem particularly during manufacture or transportation of the light emitting device, that is, electrostatic breakdown.

また、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方の駆動回路を基板上に内蔵し、これらに電源を供給する駆動電源回路やタイミング制御回路などの回路を外付けIC回路として構成し、基板の走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方と外付けIC回路とを接続する場合がある。このような場合には、基板と外付けIC回路とを接続する製造工程において静電気が、基板上に形成した走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方の回路に流入して、これらの回路を破壊する虞がある。また、このような場合には、基板の走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方と外付けIC回路とを接続する接続端子が基板に設けられており、この接続端子を通じて静電気が発光装置内に流入する虞がある。このような静電気が駆動回路に接続された配線に印加されると、駆動回路が劣化又は破壊されかねない。   In addition, at least one of the scanning line driving circuit and the data line driving circuit is built in the substrate, and a driving power supply circuit and a timing control circuit for supplying power to these are configured as an external IC circuit. In some cases, an external IC circuit is connected to at least one of the scanning line driving circuit or the data line driving circuit. In such a case, static electricity flows into at least one of the scanning line driving circuit or the data line driving circuit formed on the substrate in the manufacturing process for connecting the substrate and the external IC circuit, and these circuits are connected. There is a risk of destroying. In such a case, a connection terminal for connecting at least one of the scanning line driving circuit or the data line driving circuit of the substrate and the external IC circuit is provided on the substrate, and static electricity is emitted from the light emitting device through the connection terminal. There is a risk of inflow. When such static electricity is applied to the wiring connected to the drive circuit, the drive circuit may be deteriorated or destroyed.

そこで、このような静電気による駆動回路の劣化又は破壊を防止するために、保護回路が、駆動回路の信号入出力に関係する信号経路に設けられる(例えば、特許文献1及び2参照。)。より具体的には、保護回路は、例えば駆動回路外部からクロック信号、反転クロック信号、スタートパルス等の各種信号が入力される入力端子に対して入力保護回路として設けられる。或いは、走査信号、エンドパルス等の駆動回路外部への各種信号が出力される出力端子に対して出力保護回路として設けられる。   In order to prevent such deterioration or destruction of the drive circuit due to static electricity, a protection circuit is provided in a signal path related to signal input / output of the drive circuit (see, for example, Patent Documents 1 and 2). More specifically, the protection circuit is provided as an input protection circuit for an input terminal to which various signals such as a clock signal, an inverted clock signal, and a start pulse are input from the outside of the drive circuit, for example. Alternatively, an output protection circuit is provided for an output terminal from which various signals such as scanning signals and end pulses are output to the outside of the driving circuit.

また、絶縁ゲート型トランジスタ回路装置の内部において、フローティング状態の回路部分に蓄積された静電気を効果的に放電することによって、静電気による素子の破壊を防止する技術も提案されている(例えば、特許文献3参照。)。   In addition, a technique for preventing destruction of elements due to static electricity by effectively discharging static electricity accumulated in a floating circuit portion inside an insulated gate transistor circuit device has been proposed (for example, Patent Documents). 3).

さらに、上述した内容の技術に限定されず、各種表示装置を静電気から保護するための技術が、数多く提案されている(例えば、特許文献4〜7参照。)。   Furthermore, the present invention is not limited to the technology described above, and many technologies for protecting various display devices from static electricity have been proposed (see, for example, Patent Documents 4 to 7).

特開平10−294383号公報JP-A-10-294383 特開2003−308050号公報JP 2003-308050 A 特開2000−98338号公報JP 2000-98338 A 特開平9−80469号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-80469 特開平10−39325号公報JP-A-10-39325 特開平11−72806号公報JP-A-11-72806 特開2000−89685号公報JP 2000-89685 A

発光装置は、上述のように、例えば、複数の走査線と、複数のデータ線と、該複数の走査線と該複数のデータ線との交差に応じて設けられた発光素子と、発光素子に電流を供給する電流供給線と、電流供給線から発光素子への電流経路に設けられ発光素子への電流を制御する駆動トランジスタとから構成される。特に、電流供給線は発光素子に電流を供給するため、他の配線に比べて太くなっており電流供給源と発光素子とは低抵抗で接続される。特に単位回路は少なくとも発光素子と駆動トランジスタとから構成され、一列に、もしくは、マトリクス状に複数の単位回路が形成されている場合には、このような複数の単位回路を均一に発光させるため、電流供給線を低抵抗とする必要がある。   As described above, the light emitting device includes, for example, a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a light emitting element provided in accordance with the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and a light emitting element. A current supply line that supplies current and a drive transistor that is provided in a current path from the current supply line to the light emitting element and controls the current to the light emitting element. In particular, since the current supply line supplies current to the light emitting element, the current supply line is thicker than other wirings, and the current supply source and the light emitting element are connected with low resistance. In particular, the unit circuit is composed of at least a light emitting element and a driving transistor, and in the case where a plurality of unit circuits are formed in a row or in a matrix, in order to uniformly emit such a plurality of unit circuits, The current supply line needs to have a low resistance.

しかしながら、このように電流供給線を低抵抗とするが故に、電流供給線を通じて単位回路に静電気が到達し、単位回路が静電気破壊により劣化もしくは破壊される虞がある。特に、2つの導電層とその間の誘電体膜を用いた素子を単位回路に備える場合には、誘電体膜が絶縁破壊を起こし、単位回路が劣化もしくは破壊される。2つの導電層とその間の誘電体膜を用いた素子としては、例えば、MOS電界効果型トランジスタや容量素子である。   However, since the current supply line has a low resistance as described above, static electricity reaches the unit circuit through the current supply line, and the unit circuit may be deteriorated or destroyed due to electrostatic breakdown. In particular, when a unit circuit is provided with an element using two conductive layers and a dielectric film between them, the dielectric film causes dielectric breakdown, and the unit circuit is deteriorated or destroyed. Examples of the element using the two conductive layers and the dielectric film between them include a MOS field effect transistor and a capacitive element.

また、電流供給線からデータ線に電流を流すことにより、駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込み、この電圧に応じた電流を発光素子に流す単位回路が提案されている。このような方式を電流プログラム方式と称する。この際、単位回路の駆動トランジスタを介して電流を流すことにより駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込む方式と、駆動トランジスタに対してミラー状に形成されたミラートランジスタを介して電流を流すことにより駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込む方式がある。このような電流プログラム方式では、電流供給線を低抵抗とするとともに、所定の電位を正確に書き込むためデータ線も同様に低抵抗とする必要がある。このような場合には、データ線を介して静電気が単位回路に到達する虞がある。   In addition, a unit circuit has been proposed in which a current is supplied from a current supply line to a data line so that a predetermined potential is written to the gate of the driving transistor and a current corresponding to this voltage is supplied to the light emitting element. Such a method is called a current program method. At this time, a method of writing a predetermined potential to the gate of the driving transistor by flowing a current through the driving transistor of the unit circuit and a current flowing through a mirror transistor formed in a mirror shape with respect to the driving transistor There is a method of writing a predetermined potential to the gate of the driving transistor. In such a current programming method, the current supply line needs to have a low resistance, and the data line also needs to have a low resistance in order to accurately write a predetermined potential. In such a case, static electricity may reach the unit circuit via the data line.

特に、電流供給線に電流を供給する電流供給回路やデータ線駆動回路を外付けIC回路として構成し、基板の発光素子と外付けIC回路とを接続する場合があるが、このような場合には基板の発光素子と外付けIC回路とを接続する接続端子から静電気が単位回路に到達する虞がある。   In particular, the current supply circuit for supplying current to the current supply line and the data line driving circuit may be configured as an external IC circuit, and the light emitting element on the substrate may be connected to the external IC circuit. There is a possibility that static electricity may reach the unit circuit from the connection terminal connecting the light emitting element of the substrate and the external IC circuit.

このように電流供給線及びデータ線で発生した静電気に起因する不慮の電圧によって、単位回路に含まれる各種トランジスタを静電破壊することがあり、発光装置の製造プロセスにおける歩留まりの低下を招く原因になる。特に、有機EL素子は電流駆動型の発光素子であることから、駆動電流やデータ信号を単位回路に供給する経路を確保しながら、電流供給線やデータ線で発生した静電気に起因する不慮の電圧が単位回路に印加されることを抑制することが重要である。   As described above, various transistors included in the unit circuit may be electrostatically damaged due to an unexpected voltage caused by static electricity generated in the current supply line and the data line, which causes a decrease in yield in the manufacturing process of the light emitting device. Become. In particular, since the organic EL element is a current-driven light-emitting element, an unexpected voltage caused by static electricity generated in the current supply line and the data line while securing a path for supplying a drive current and a data signal to the unit circuit. It is important to suppress that is applied to the unit circuit.

このように、発光装置は、静電気によって単位回路に含まれる素子が静電破壊されることを低減することによって製造プロセスにおける発光装置の歩留まりを向上させること、及び、駆動電流やデータ信号を単位回路に供給するための電流経路を確保して高品質の画像表示を行うことの2点を両立させることは困難であるが、上述した特許文献1〜7には、電流駆動型である発光装置に関して上述した2点の両方について認識した記載はみられない。   As described above, the light emitting device improves the yield of the light emitting device in the manufacturing process by reducing the electrostatic breakdown of the elements included in the unit circuit due to static electricity, and outputs the driving current and the data signal to the unit circuit. Although it is difficult to achieve both of the two points of securing a current path for supplying a high-quality image and performing high-quality image display, Patent Documents 1 to 7 described above relate to a current-driven light-emitting device. There are no recognized descriptions of both of the above two points.

よって、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、静電破壊から保護する保護回路を設けた発光装置を提供することを提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device provided with a protection circuit that protects against electrostatic breakdown.

上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、第1電極と第2電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記トランジスタを介して前記第1電極に電気的に接続される電流供給線と、を有する発光装置であって、前記周辺領域において、前記電流供給線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなる電流供給線用保護回路を有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a light emitting device according to the present invention includes a light emitting element having a first electrode and a second electrode in each of a plurality of unit circuits arranged in an element formation region on a substrate, and the light emitting element. A plurality of power lines that are connected to a peripheral region located around the element formation region and supply power of different potentials, and from the peripheral region to the element formation region. And a current supply line electrically connected to the first electrode through the transistor in the unit circuit, wherein the current supply line and the plurality of current supply lines are provided in the peripheral region. And a current supply line protection circuit including a protection element connected to the power supply line.

本発明に係る発光装置によれば、例えば製造時や運搬時等に或いは動作時に電流供給線及びその接続端子で発生した静電気を放出するための電流供給線用保護回路が電流供給線に設けられており、電流供給線及びその接続端子で発生した静電気を、電流供給線用保護保護回路によって複数の電源線に放出することができる。したがって、電流供給線及びその接続端子で発生した静電気に起因する不慮の電圧が単位回路に印加されることを抑制することが可能である。さらに、素子形成領域における電流供給線は、単位回路における発光素子の発光する領域、即ち、開口率を制限するものであり、周辺領域に形成された複数の電源線は電流供給線と比して抵抗が低い。したがって、電流供給線及びその接続端子で発生した静電気を複数の電源線に放出することができる。   According to the light emitting device of the present invention, the current supply line is provided with a protection circuit for the current supply line for discharging static electricity generated in the current supply line and its connection terminal, for example, during manufacture, transportation, etc. The static electricity generated in the current supply line and its connection terminal can be discharged to the plurality of power supply lines by the current supply line protection protection circuit. Therefore, it is possible to prevent an unexpected voltage due to static electricity generated in the current supply line and its connection terminal from being applied to the unit circuit. Further, the current supply line in the element formation region limits the area where the light emitting element emits light in the unit circuit, that is, the aperture ratio, and the plurality of power supply lines formed in the peripheral region are different from the current supply line. Low resistance. Therefore, static electricity generated in the current supply line and its connection terminal can be discharged to the plurality of power supply lines.

また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、第1電極と第2電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記トランジスタを介して前記第1電極に電気的に接続される電流供給線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路にデータ信号を供給するデータ線と、を有する発光装置であって、前記周辺領域において、前記データ線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなるデータ線用保護回路を有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a light emitting device according to the present invention includes a light emitting element having a first electrode and a second electrode in each of a plurality of unit circuits arranged in an element formation region on a substrate, and the light emission. A transistor for controlling a current flowing in the element, and a plurality of power supply lines that are wired in a peripheral region located around the element formation region and supply power of different potentials; and the element formation from the peripheral region A current supply line electrically connected to the first electrode via the transistor in the unit circuit, and a wiring extending from the peripheral region to the element formation region, the data being sent to the unit circuit. A data line for supplying a signal, and a protection element connected between the data line and the plurality of power supply lines in the peripheral region Characterized in that it has a protection circuit for Ranaru data lines.

本発明に係る発光装置によれば、例えば製造時や運搬時等に或いは動作時にデータ線及びその接続端子で発生した静電気を放出するためのデータ線用保護回路がデータ線に設けられており、データ線及びその接続端子で発生した静電気を、データ線用保護保護回路によって複数の電源線に放出することができる。したがって、データ線及びその接続端子で発生した静電気に起因する不慮の電圧が単位回路に印加されることを抑制することが可能である。さらに、素子形成領域におけるデータ線は、単位回路における発光素子の発光する領域、即ち、開口率を制限するものであり、周辺領域に形成された複数の電源線はデータ線と比して抵抗が低い。したがって、データ線及びその接続端子で発生した静電気を複数の電源線に放出することができる。   According to the light emitting device of the present invention, the data line is provided with a data line protection circuit for discharging static electricity generated at the data line and its connection terminal, for example, during manufacture, transportation, or operation. Static electricity generated in the data line and its connection terminal can be discharged to a plurality of power supply lines by the data line protection protection circuit. Therefore, it is possible to prevent an unexpected voltage due to static electricity generated at the data line and its connection terminal from being applied to the unit circuit. Further, the data line in the element formation region is a region where the light emitting element emits light in the unit circuit, that is, the aperture ratio is limited, and the plurality of power supply lines formed in the peripheral region have resistance compared to the data line. Low. Therefore, static electricity generated at the data line and its connection terminal can be discharged to a plurality of power supply lines.

特に、電流供給線からデータ線に電流を流すことにより、駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込み、この電圧に応じた電流を発光素子に流す電流プログラム方式の発光装置に適用することが好ましい。電流プログラム方式の発光装置では、単位回路とデータ線とが低抵抗で接続され、データ信号を供給するデータ線駆動回路とデータ線との接続部分において発生した静電気が単位回路に到達する虞があるが、データ線用保護回路を設けることによりこのような静電気が単位回路に到達するのを未然に防止することができる。   In particular, the present invention is preferably applied to a current-programmed light-emitting device in which a predetermined potential is written to the gate of the driving transistor by flowing a current from the current supply line to the data line, and a current corresponding to this voltage is supplied to the light-emitting element. In the current-programmed light emitting device, the unit circuit and the data line are connected with a low resistance, and static electricity generated at the connection portion between the data line driving circuit that supplies the data signal and the data line may reach the unit circuit. However, by providing the data line protection circuit, it is possible to prevent such static electricity from reaching the unit circuit.

また、本発明の発光装置は、先に記載の発光装置であり、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路に走査信号を供給する走査線を更に備えており、前記周辺領域において、前記走査線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子とからなる走査線用保護回路を有することを特徴とする。   The light-emitting device of the present invention is the light-emitting device described above, further comprising a scanning line that is wired from the peripheral region to the element formation region and that supplies a scanning signal to the unit circuit. In the region, a scanning line protection circuit including a protection element connected between the scanning line and the plurality of power supply lines is provided.

この態様によれば、走査線用保護回路によって、走査線及びその接続端子で発生した静電気を複数の電源線に放出することが可能である。さらに、走査線用保護回路は素子形成領域の周辺領域に設けられており、過剰な電流が素子形成領域に流れ込むことを抑制することができる。したがって、電流供給線及びデータ線のみならず、走査線を介して過剰な電流が素子形成領域に流れ込むことを抑制することも可能であり、電流供給線用保護回路及びデータ線用保護回路を電流供給線及びデータ線に設けた場合に比べて、さらに確実に単位回路を保護することができる。   According to this aspect, the scanning line protection circuit can discharge static electricity generated in the scanning line and its connection terminal to the plurality of power supply lines. Further, the scanning line protection circuit is provided in the peripheral region of the element formation region, and an excessive current can be prevented from flowing into the element formation region. Therefore, it is possible to prevent an excessive current from flowing into the element formation region through the scanning line as well as the current supply line and the data line. The unit circuit can be protected more reliably as compared with the case where the supply line and the data line are provided.

本発明に係る発光装置の、電流供給線用保護回路、データ線用保護回路保護回路、及び走査線用保護回路などの保護回路は、複数の電源線と電流供給線もしくはデータ線との間に設けられた保護素子により構成されることが好ましい。この保護素子は、ダイオードから構成される。発光装置を発光させる際、使用する電源線を用いて、かつ、発光させる際に印加される電源線の電位と電流供給線もしくはデータ線の電位を鑑みて、ダイオードの2つの端子に、それぞれ低電位が印加される電源線と高電位が印加される電源線とが接続される。ダイオードのこのようにすると、電流供給線やデータ線に保護抵抗を設ける場合に比べて、電流供給線やデータ線の電気抵抗を増大させることがない。よって、電流供給線用保護回路及びデータ線用保護回路は、駆動電流が単位回路に供給されることを阻害しないため、発光装置の動作時において、発光装置の各単位回路に所要の駆動電流を供給することができる。このように、電流供給線用保護回路を電流供給線の途中に設けた場合やデータ線用保護回路をデータ線の途中に設けた場合であっても、電流供給線用保護回路及びデータ線用保護回路は駆動電流に対して抵抗素子として機能しないため、発光素子の発光に必要な駆動電流を電流供給線もしくはデータ線から供給することができ、発光装置の発光を低下させることがない。   In the light emitting device according to the present invention, a protection circuit such as a current supply line protection circuit, a data line protection circuit protection circuit, and a scanning line protection circuit is provided between a plurality of power supply lines and current supply lines or data lines. It is preferable that the protective element is provided. This protection element is composed of a diode. When the light emitting device emits light, the power supply line to be used and the potential of the power supply line and the potential of the current supply line or data line applied at the time of light emission are set low on the two terminals of the diode. A power supply line to which a potential is applied and a power supply line to which a high potential is applied are connected. In this way, the electrical resistance of the current supply line and the data line is not increased as compared with the case where the protective resistance is provided for the current supply line and the data line. Therefore, since the current supply line protection circuit and the data line protection circuit do not hinder the drive current from being supplied to the unit circuit, a required drive current is supplied to each unit circuit of the light emitting device during the operation of the light emitting device. Can be supplied. As described above, even when the current supply line protection circuit is provided in the middle of the current supply line or the data line protection circuit is provided in the middle of the data line, the current supply line protection circuit and the data line protection circuit are provided. Since the protection circuit does not function as a resistance element with respect to the driving current, a driving current necessary for light emission of the light emitting element can be supplied from the current supply line or the data line, and light emission of the light emitting device is not reduced.

以上の結果、本発明に係る発光装置によれば、電流駆動型の発光素子の画質を低下させることなく、電流供給線もしくはデータ線、及びその接続端子で発生した静電気に起因する不慮の電圧が素子形成領域領域に印加されることを抑制することができる。これにより、発光装置に要求される、製造プロセスにおける歩留まりの低下の抑制と、高品質の発光という2つの課題を同時に解決することが可能である。   As a result, according to the light emitting device of the present invention, an unexpected voltage caused by static electricity generated in the current supply line or the data line and its connection terminal can be generated without degrading the image quality of the current driven light emitting element. Application to the element formation region can be suppressed. As a result, it is possible to simultaneously solve the two problems required for the light-emitting device, namely, suppression of a decrease in yield in the manufacturing process and high-quality light emission.

ここで、本発明に係る「複数の電源線」とは、発光素子を駆動するための各種素子に電源を供給するための配線であり、発光装置に通常設けられるものである。発光素子を駆動するための各種素子とは、走査線駆動回路、データ線駆動回路、単位回路等に含まれる各素子を指す。したがって、発光装置の配線仕様を大きく変更することなく、静電気を放出するための電流経路を確保することができる。さらに、例えば、複数の電源線は素子形成領域を囲むように設けられている場合には、各単位回路に延在する電流供給線及びデータ線から静電気を放出することができる。したがって、各単位回路に不慮の電圧が印加されることを抑制することができ、素子形成領域全体を静電破壊から保護することが可能である。また、複数の電源線は素子形成領域を囲むように設けられていることが望ましいが、電流供給線は周辺領域から素子形成領域にかけて配線されており、電源は素子形成領域を除く領域において電流供給線に接続されており、電流供給線用保護回路は素子形成領域の周辺領域において電流供給線と電源との間に少なくとも設けられていればよい。ここで、素子形成領域を除く領域とは、素子形成領域の周辺の領域、もしくは、外付けICを指している。同様に、データ線用保護回路あるいは走査線駆動回路は、素子形成領域に形成されたデータ線とデータ線駆動回路との間、あるいは、素子形成領域に形成された走査線と走査線駆動回路との間に少なくとも設けられていればよい。   Here, the “plurality of power lines” according to the present invention are wires for supplying power to various elements for driving the light emitting elements, and are normally provided in the light emitting device. Various elements for driving a light emitting element refer to each element included in a scanning line driving circuit, a data line driving circuit, a unit circuit, and the like. Therefore, a current path for discharging static electricity can be secured without greatly changing the wiring specifications of the light emitting device. Further, for example, when the plurality of power supply lines are provided so as to surround the element formation region, static electricity can be discharged from the current supply line and the data line extending to each unit circuit. Therefore, it is possible to prevent an unexpected voltage from being applied to each unit circuit, and it is possible to protect the entire element formation region from electrostatic breakdown. In addition, it is desirable that the plurality of power supply lines be provided so as to surround the element formation region, but the current supply line is wired from the peripheral region to the element formation region, and the power supply supplies current in a region excluding the element formation region. The current supply line protection circuit may be provided at least between the current supply line and the power supply in the peripheral region of the element formation region. Here, the region excluding the element formation region refers to a region around the element formation region or an external IC. Similarly, the data line protection circuit or the scanning line driving circuit is provided between the data line formed in the element formation region and the data line driving circuit or between the scanning line and the scanning line driving circuit formed in the element formation region. It suffices to be provided at least between the two.

また、本発明の発光装置は、先に記載の発光装置であり、前記周辺領域において、前記単位回路に走査線を介して走査信号を供給する走査線駆動回路、あるいは、前記単位回路にデータ線を介してデータ信号を供給するデータ線駆動回路を有しており、前記走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路は、相補型トランジスタからなり、前記複数の電源線は、前記走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線であることを特徴とする。   The light-emitting device of the present invention is the light-emitting device described above, and in the peripheral region, a scanning line driving circuit that supplies a scanning signal to the unit circuit via a scanning line, or a data line to the unit circuit A data line driving circuit for supplying a data signal through the scanning line, the scanning line driving circuit or the data line driving circuit is composed of complementary transistors, and the plurality of power supply lines are the scanning line driving circuit or the data A plurality of power supply lines for supplying power to the line driving circuit.

本発明に係る発光装置によれば、前記周辺領域において、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路が設けられており、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線を用いるため、別途複数の電源線を配線する必要がない。特に、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路は、素子形成領域に形成された走査線あるいはデータ線にそれぞれ接続されるものであり、素子形成領域に近接して設けられるものである。したがって、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線を保護回路に接続することが容易である。また、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路と複数の電源線との間には、さらに保護回路を設けることが望ましい。   According to the light emitting device of the present invention, a scanning line driving circuit or a data line driving circuit is provided in the peripheral region, and a plurality of power supply lines for supplying power to the scanning line driving circuit or the data line driving circuit are used. Therefore, it is not necessary to separately wire a plurality of power supply lines. In particular, the scanning line driving circuit or the data line driving circuit is connected to the scanning line or the data line formed in the element formation region, and is provided close to the element formation region. Therefore, it is easy to connect a plurality of power supply lines for supplying power to the scanning line driving circuit or the data line driving circuit to the protection circuit. Further, it is desirable to further provide a protection circuit between the scan line driver circuit or the data line driver circuit and the plurality of power supply lines.

また、本発明の発光装置は、先に記載の発光装置であり、前記周辺領域において、前記データ線と前記データ線駆動回路の間、もしくは、前記走査線と前記走査線駆動回路の間に、抵抗素子を設けたことを特徴とする。   Further, the light emitting device of the present invention is the light emitting device described above, and in the peripheral region, between the data line and the data line driving circuit, or between the scanning line and the scanning line driving circuit, A resistance element is provided.

この態様によれば、抵抗素子は、過剰な電流がデータ線及び走査線を介して単位回路に流れ込むことを抑制することができ、単位回路を静電破壊から保護することが可能である。   According to this aspect, the resistance element can suppress an excessive current from flowing into the unit circuit via the data line and the scanning line, and can protect the unit circuit from electrostatic breakdown.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記データ線用保護回路は、互いに直列に接続された複数のダイオードであり、前記複数のダイオードは、前記電流供給線と前記データ線とが交差する領域を挟むように配置されていることを特徴とする。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the data line protection circuit is a plurality of diodes connected in series to each other, and the plurality of diodes intersect the current supply line and the data line. It arrange | positions so that the area | region which carries out may be pinched | interposed.

この態様によれば、電流供給線及びデータ線が交差する領域、で静電気が溜まり易く、データ線用保護回路とされる複数のダイオードを電流供給線及びデータ線が交差する領域を挟むように配置することによって、この領域に溜まった静電気を重点的に電源線に放出することができる。したがって、電流供給線及びデータ線が交差する領域に溜まった静電気に起因する過剰な電流が単位回路に流れ込むことを抑制することが可能である。   According to this aspect, static electricity is likely to accumulate in a region where the current supply line and the data line intersect, and a plurality of diodes that are used as data line protection circuits are arranged so as to sandwich the region where the current supply line and the data line intersect. By doing so, static electricity accumulated in this region can be intensively discharged to the power supply line. Therefore, it is possible to prevent an excessive current caused by static electricity accumulated in a region where the current supply line and the data line intersect from flowing into the unit circuit.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記走査線用保護回路は、互いに直列に接続された複数のダイオードであり、前記複数のダイオードは、前記複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域を挟むように配置されていることを特徴とする。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the scanning line protection circuit is a plurality of diodes connected in series with each other, and the plurality of diodes includes one of the plurality of power supply lines and the scanning line. It arrange | positions so that the area | region which may intersect may be pinched | interposed.

この態様によれば、複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域で静電気が溜まり易く、走査線用保護回路とされる複数のダイオードを複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域を挟むように配置することによって、この領域に溜まった静電気を重点的に電源線に放出することができる。したがって、例えば、複数の電源線の一と前記走査線が交差する領域に溜まった静電気に起因する過剰な電流がダミー単位回路或いは単位回路に流れ込むことを抑制することが可能である。   According to this aspect, static electricity is likely to accumulate in a region where one of the plurality of power supply lines and the scanning line intersect, and the plurality of diodes serving as a scanning line protection circuit are connected to one of the plurality of power supply lines and the scanning line. By arranging so as to sandwich the region where the two cross each other, static electricity accumulated in this region can be intensively discharged to the power supply line. Therefore, for example, it is possible to suppress an excessive current caused by static electricity accumulated in a region where one of the plurality of power supply lines and the scanning line intersects the dummy unit circuit or the unit circuit.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記発光素子の第2電極側と電気的に接続された第2電極用配線を更に備えており、前記電流供給線及び前記データ線の少なくとも一方で発生した静電気を前記第2電極用配線に放出するための電流経路を更に備える。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, the light emitting device further includes a second electrode wiring electrically connected to the second electrode side of the light emitting element, and at least one of the current supply line and the data line. Is further provided with a current path for discharging the static electricity generated in step 2 to the second electrode wiring.

この態様によれば、発光素子の第2電極側と電気的に接続された第2電極用配線を介して、電流供給線及びデータ線の少なくとも一方で発生した静電気を第2電極用配線に放出することができる。第2電極用配線は発光素子を駆動するために設けられた配線であり、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることなく静電気を放出することができる。   According to this aspect, the static electricity generated in at least one of the current supply line and the data line is discharged to the second electrode wiring through the second electrode wiring electrically connected to the second electrode side of the light emitting element. can do. The second electrode wiring is a wiring provided for driving the light emitting element, and can discharge static electricity without providing a separate wiring for discharging static electricity.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記周辺領域において、前記電流供給線は、前記素子形成領域を囲むように延設された本線と、前記本線から前記素子形成領域内に延設された複数の支線とを含み、前記複数の支線は前記素子形成領域内で互いに電気的に接続されていることを特徴とする。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, in the peripheral region, the current supply line extends from the main line so as to surround the element forming region, and extends from the main line into the element forming region. The plurality of branch lines are electrically connected to each other within the element formation region.

この態様では、例えば、素子形成領域内に複数の単位回路が1列もしくはマトリクス状に配置されており、各単位回路に含まれる発光素子をアクティブ制御により駆動する形態を含む。この態様によれば、電流供給線の本線が素子形成領域の周辺領域において前記素子形成領域を囲むように延設されており、さらに素子形成領域内で互いに電気的に接続された複数の支線が設けられている。したがって、素子形成領域内で互いに電気的に接続された支線を介して素子形成領域内の何れかの支線で発生した静電気をこれら支線及び本線を介して素子形成領域の外部に放出することができる。これにより、素子形成領域全体を静電破壊から保護することができる。   In this aspect, for example, a plurality of unit circuits are arranged in one column or matrix in the element formation region, and the light emitting element included in each unit circuit is driven by active control. According to this aspect, the main line of the current supply line is extended so as to surround the element formation region in the peripheral region of the element formation region, and a plurality of branch lines electrically connected to each other in the element formation region are provided. Is provided. Therefore, static electricity generated in any branch line in the element formation region can be discharged to the outside of the element formation region through these branch lines and the main line via branch lines electrically connected to each other in the element formation region. . Thereby, the whole element formation region can be protected from electrostatic breakdown.

また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域は、発光領域と、該発光領域の周辺に形成された非発光領域とからなり、前記発光領域に配列された複数の単位回路の各々において、第1電極と第2電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御する第1のトランジスタと、を備え、前記非発光領域に設けられた複数のダミー単位回路の各々において、第2のトランジスタを備え、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記第1のトランジスタを介して第1電極に電気的に接続される電流供給線と、を有する発光装置であって、前記ダミー単位回路には、前記電流供給線が接続されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the light emitting device according to the present invention, the element formation region on the substrate includes a light emitting region and a non-light emitting region formed around the light emitting region, and is arranged in the light emitting region. Each of the plurality of unit circuits includes a light emitting element having a first electrode and a second electrode, and a first transistor for controlling a current flowing through the light emitting element, and the plurality of unit circuits provided in the non-light emitting region. Each of the dummy unit circuits includes a second transistor, which is wired from the peripheral region to the element formation region, and is electrically connected to the first electrode through the first transistor in the unit circuit. A light emitting device having a current supply line, wherein the current supply line is connected to the dummy unit circuit.

本発明に係る発光装置によれば、静電気が単位回路に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、発光装置を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   According to the light emitting device of the present invention, it is possible to prevent static electricity from reaching the unit circuit and damaging the unit circuit, and to prevent light emission or leakage current from flowing in the dummy unit circuit when the light emitting device emits light. can do.

また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域は、発光領域と、該発光領域の周辺に形成された非発光領域とからなり、前記発光領域に配列された複数の単位回路の各々において、第1電極と第2電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御する第1のトランジスタと、を備え、前記非発光領域に設けられた複数のダミー単位回路の各々において、第2のトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており前記単位回路に対して相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記第1のトランジスタを介して第1電極に電気的に接続される電流供給線と、を有する発光装置であって、前記ダミー単位回路には、前記複数の電源線のうち何れか一の電源線が接続されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the light emitting device according to the present invention, the element formation region on the substrate includes a light emitting region and a non-light emitting region formed around the light emitting region, and is arranged in the light emitting region. Each of the plurality of unit circuits includes a light emitting element having a first electrode and a second electrode, and a first transistor for controlling a current flowing through the light emitting element, and the plurality of unit circuits provided in the non-light emitting region. Each of the dummy unit circuits includes a second transistor, and a plurality of power supplies that are wired in a peripheral region located around the element formation region and supply power of different potentials to the unit circuit And a current supply line that is wired from the peripheral region to the element formation region and is electrically connected to the first electrode through the first transistor in the unit circuit. A light emitting device, the dummy unit circuit, characterized in that any one of the power supply line among the plurality of power supply lines are connected.

本発明に係る発光装置によれば、静電気が単位回路に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、発光装置を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   According to the light emitting device of the present invention, it is possible to prevent static electricity from reaching the unit circuit and damaging the unit circuit, and to prevent light emission or leakage current from flowing in the dummy unit circuit when the light emitting device emits light. can do.

本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記ダミー単位回路と前記複数の電源線のうち何れか一の電源線との間に設けられた保護素子からなるダミー単位回路用保護回路を更に備えたことを特徴とする。   In another aspect of the light emitting device according to the present invention, a dummy unit circuit protection circuit comprising a protection element provided between the dummy unit circuit and any one of the plurality of power supply lines is further provided. It is characterized by having.

この態様によれば、ダミー単位回路で発生した静電気を複数の電源線のうち何れか一の電源線に放出することができる。単位回路で発生した静電気はダミー単位回路用保護回路を介して電源線に放出されるため、単位回路が静電破壊されることを抑制することができる。尚、ダミー単位回路は駆動されないことから、発光装置の動作時において、複数の電源線のうち低電位の電源を供給する電源線に静電気を放出しても単位回路の駆動には何ら支障が生じない。   According to this aspect, static electricity generated in the dummy unit circuit can be discharged to any one of the plurality of power supply lines. Since the static electricity generated in the unit circuit is discharged to the power supply line through the dummy unit circuit protection circuit, the unit circuit can be prevented from being electrostatically destroyed. Since the dummy unit circuit is not driven, there is no problem in driving the unit circuit even if static electricity is discharged to the power supply line that supplies the low potential power among the plurality of power supply lines during the operation of the light emitting device. Absent.

また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、第1電極と第2電極を有する発光素子と、発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記トランジスタを介して前記第1電極に電気的に接続される第1電流供給線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記第2電極に電気的に接続される第2電流供給配線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路にデータ信号を供給するデータ線と、を有し、前記第2電極は前記複数の単位回路に共通に設けられる発光装置であって、前記周辺領域において、前記データ線と前記第1電流供給線の間に接続された第1の保護素子と、前記データ線と前記第2電流供給配線に接続された第2の保護素子とからなるデータ線用保護回路を有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a light emitting device according to the present invention includes a light emitting element having a first electrode and a second electrode in each of a plurality of unit circuits arranged in an element formation region on a substrate, and a light emitting element. A first current supply line that is wired from a peripheral region of the element formation region to the element formation region, and is electrically connected to the first electrode through the transistor. And a second current supply wiring electrically connected to the second electrode, and a wiring extending from the peripheral region to the element formation region, the unit circuit being wired from the peripheral region to the element formation region. A data line for supplying a data signal to the light emitting device, wherein the second electrode is provided in common to the plurality of unit circuits, and in the peripheral region, A data line protection circuit comprising a first protection element connected between a data line and the first current supply line, and a second protection element connected to the data line and the second current supply line It is characterized by having.

本発明に係る発光装置によれば、データ線の途中に設けられるデータ線用保護回路によって、データ線及びその接続端子で発生した静電気を第1電流供給線又は第2電流供給線に放出することができる。したがって、より確実に静電気を放出することができ、単位回路の静電破壊をより効果的に抑制することができる。   According to the light emitting device of the present invention, the data line protection circuit provided in the middle of the data line discharges static electricity generated in the data line and its connection terminal to the first current supply line or the second current supply line. Can do. Therefore, static electricity can be discharged more reliably, and electrostatic breakdown of the unit circuit can be more effectively suppressed.

また、本発明は、発光領域に配列された単位回路と、該発光領域の外側に配列され、前記単位回路を模擬したダミー単位回路とを有する発光装置であって、前記単位回路は、第1電極と第2電極とを有する発光素子と該発光素子に電流を供給するための第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを制御するためのデータ信号が供給される第2のトランジスタと、を備え、前記ダミー単位回路は静電気から前記単位回路を保護する回路であって、前記第1のトランジスタに相当する第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタに相当する第4のトランジスタと、を備え、前記第3のトランジスタのソース及び前記第4のトランジスタのソースには同電位が供給されることを特徴とする。
また、発光領域に配列された単位回路と、該発光領域の外側に配列され、前記単位回路を模擬したダミー単位回路とを有する発光装置であって、前記単位回路は、第1電極と第2電極とを有する発光素子と該発光素子に電流を供給するための第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを制御するためのデータ信号がデータ線から供給される第2のトランジスタと、を備え、前記ダミー単位回路は静電気から前記単位回路を保護する回路であり、前記単位回路と隣り合うように設けられ、前記第1のトランジスタに相当する第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタに相当する第4のトランジスタと、を備え、前記第4のトランジスタのソースは前記データ線に電気的に接続されていることを特徴とする。
発光領域に配列された単位回路と、該発光領域の外側に配列され、前記単位回路を模擬したダミー単位回路とを有する発光装置であって、前記単位回路は、第1電極と第2電極とを有する発光素子と電流供給線から供給される電流を該発光素子に供給するための第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを制御するためのデータ信号が供給される第2のトランジスタと、を備え、前記ダミー単位回路は静電気から前記単位回路を保護する回路であり、前記単位回路と隣り合うように設けられ、前記第1のトランジスタに相当する第3のトランジスタと、前記第2のトランジスタに相当する第4のトランジスタと、を備え、前記第3のトランジスタのソースは前記電流供給線に電気的に接続されていることを特徴とする。
そして、本発明に係わる電子機器は上記課題を解決するために、上述した発光装置を具備する。

The present invention is also a light emitting device having unit circuits arranged in a light emitting region and a dummy unit circuit arranged outside the light emitting region and simulating the unit circuit, wherein the unit circuit is a first circuit. A light-emitting element having an electrode and a second electrode, a first transistor for supplying current to the light-emitting element, and a second transistor to which a data signal for controlling the first transistor is supplied The dummy unit circuit is a circuit that protects the unit circuit from static electricity, and includes a third transistor corresponding to the first transistor and a fourth transistor corresponding to the second transistor. The same potential is supplied to the source of the third transistor and the source of the fourth transistor.
The light emitting device includes a unit circuit arranged in the light emitting region and a dummy unit circuit arranged outside the light emitting region and simulating the unit circuit. The unit circuit includes a first electrode and a second electrode. A light emitting element having an electrode, a first transistor for supplying current to the light emitting element, and a second transistor for supplying a data signal for controlling the first transistor from a data line. The dummy unit circuit is a circuit that protects the unit circuit from static electricity, is provided adjacent to the unit circuit, and corresponds to the third transistor corresponding to the first transistor and the second transistor. And a source of the fourth transistor is electrically connected to the data line.
A light emitting device having a unit circuit arranged in a light emitting region and a dummy unit circuit arranged outside the light emitting region and simulating the unit circuit, wherein the unit circuit includes a first electrode and a second electrode. A first transistor for supplying a current supplied from a current supply line to the light emitting element, a second transistor to which a data signal for controlling the first transistor is supplied, The dummy unit circuit is a circuit that protects the unit circuit from static electricity, and is provided adjacent to the unit circuit, and includes a third transistor that corresponds to the first transistor, and the second transistor And a source of the third transistor is electrically connected to the current supply line.
And the electronic device concerning this invention comprises the light-emitting device mentioned above in order to solve the said subject .

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明の発光装置を具備してなるので、静電気に対する耐性を向上させることが可能となるため、電子機器の製造における歩留まりを向上させ、出荷後における装置故障を防止することができる。さらに、発光素子に所要の駆動電流を供給することが可能であり、発光素子の十分な発光を確保することによって画質を低下させることもない。さらに、歩留まりが高く且つ故障し難く、高品位の表示が可能な、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。   According to the electronic device according to the present invention, since the above-described light emitting device of the present invention is provided, it is possible to improve resistance to static electricity, so that the yield in manufacturing electronic devices can be improved, Device failure can be prevented. Further, a required driving current can be supplied to the light emitting element, and image quality is not deteriorated by ensuring sufficient light emission of the light emitting element. In addition, high yield, low breakdown, high-quality display, such as mobile phones, electronic notebooks, word processors, viewfinder type or monitor direct-view type video tape recorders, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc. Various electronic devices can be realized.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。尚、以下の実施形態は、本発明に係る発光装置の一例としてアクティブマトリクス駆動有機EL装置を用いた発光装置を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, a light emitting device using an active matrix driving organic EL device will be described as an example of the light emitting device according to the present invention.

[第1実施形態]
(有機EL装置の構成)
図1は、本実施形態に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。
[First Embodiment]
(Configuration of organic EL device)
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL device 1 according to this embodiment.

図1において、有機EL装置1は、本発明に係る「電気光学パネル」の一例である有機ELパネル10、及び有機ELパネル10を保護する保護回路11を備える。尚、本実施形態では、特に、有機ELパネル10は、駆動回路内蔵型であり、その素子基板SUB上にデータ線駆動回路12a(Xドライバともいう)及び走査線駆動回路12b(Yドライバともいう)が設けられており、併せて保護回路11が設けられている。データ線駆動回路12a、走査線駆動回路12b、及び保護回路11は、好ましくは、素子形成領域14に作り込まれる各単位回路に含まれるトランジスタ(以下、TFTと称す。)の如き半導体素子と共に、素子基板の周辺領域に作り込まれる。または、データ線駆動回路12a及び走査線駆動回路12bの如き駆動回路の一部又は全部は、外付けICとして構築されて、素子基板に対して外付け又は後付けされる。このような場合には、外付けICと有機ELパネルとを接続する駆動回路用接続端子(図示せず)が設けられる。   In FIG. 1, the organic EL device 1 includes an organic EL panel 10 that is an example of an “electro-optical panel” according to the present invention, and a protection circuit 11 that protects the organic EL panel 10. In this embodiment, in particular, the organic EL panel 10 is a drive circuit built-in type, and a data line drive circuit 12a (also referred to as an X driver) and a scan line drive circuit 12b (also referred to as a Y driver) are provided on the element substrate SUB. ) And a protection circuit 11 are also provided. The data line driving circuit 12a, the scanning line driving circuit 12b, and the protection circuit 11 are preferably combined with a semiconductor element such as a transistor (hereinafter referred to as TFT) included in each unit circuit formed in the element forming region 14. It is built in the peripheral area of the element substrate. Alternatively, some or all of the driving circuits such as the data line driving circuit 12a and the scanning line driving circuit 12b are constructed as external ICs and are externally attached or retrofitted to the element substrate. In such a case, a drive circuit connection terminal (not shown) for connecting the external IC and the organic EL panel is provided.

有機ELパネル10は、走査線駆動回路12b、データ線駆動回路12a、プリチャージ回路15、素子形成領域14の周辺に延設された2本のロジック電源配線16及び17、第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成される第1電源配線18、第1電源配線19を備える。さらに、有機ELパネル10は、図2において示される単位回路20、電流供給線L2、及び本発明の「データ線」の一例であるデータ線L1を備える。   The organic EL panel 10 includes a scanning line drive circuit 12b, a data line drive circuit 12a, a precharge circuit 15, two logic power supply lines 16 and 17 extending around the element formation region 14, a first power supply line 18R, A first power supply wiring 18 and a first power supply wiring 19 configured to include 18G and 18B are provided. Further, the organic EL panel 10 includes the unit circuit 20 shown in FIG. 2, the current supply line L2, and the data line L1 which is an example of the “data line” of the present invention.

第1電源配線18は、各色の光を発光する有機EL素子の第1電極(陽極)に夫々電気的に接続される第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成されている。第1電極電源線18のうち1本の第1電極電源線が、図2において図示する電流供給線L2に相当し、有機EL素子29に駆動電流を供給する。有機ELパネル10が備える各単位回路20は、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の各色の波長の光を発光する発光素子の1例である有機EL素子を備えており、有機EL装置1はカラー発光可能な発光装置である。尚、図2においては、説明を簡略化するため、これら各色の有機EL素子に対応した電流供給線L2を1本のみ図示している。   The first power supply wiring 18 includes first power supply wirings 18R, 18G, and 18B that are electrically connected to the first electrode (anode) of the organic EL element that emits light of each color. One first electrode power line among the first electrode power lines 18 corresponds to the current supply line L2 illustrated in FIG. 2, and supplies a drive current to the organic EL element 29. Each unit circuit 20 included in the organic EL panel 10 includes an organic EL element that is an example of a light emitting element that emits light of wavelengths of R (red), G (green), and B (blue), The organic EL device 1 is a light emitting device capable of emitting color light. In FIG. 2, only one current supply line L2 corresponding to the organic EL elements of these colors is shown for the sake of simplicity.

第2電源配線19は、本発明に係る「第2電極用配線」の一例であり、各単位回路20が備える有機EL素子29の第2電極側と電気的に接続されている。   The second power supply wiring 19 is an example of the “second electrode wiring” according to the present invention, and is electrically connected to the second electrode side of the organic EL element 29 provided in each unit circuit 20.

保護回路11は、素子形成領域14を囲むように有機ELパネル10に設けられており、矩形状の素子形成領域14の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域14を挟むように夫々一対ずつ設けられたX側保護回路11a及びY側保護回路11bを含む。一方のX側保護回路11aは、データ線駆動回路12aと素子形成領域14との間にあり、一方のY側保護回路11bは、走査線駆動回路12bと素子形成領域14との間に延在する。X側保護回路11a及びY側保護回路11bは、素子形成領域14の周辺領域において素子形成領域14を囲むように延設されたロジック電源配線16及び17と電気的に接続されている。X側保護回路11a及びY側保護回路11bは、電流供給線L2で発生した静電気によって単位回路20に含まれる各種素子が静電破壊されることを抑制する。   The protection circuits 11 are provided in the organic EL panel 10 so as to surround the element formation region 14, and a pair of protection circuits 11 are provided so as to sandwich the element formation region 14 in a peripheral region located around the rectangular element formation region 14. X-side protection circuit 11a and Y-side protection circuit 11b. One X-side protection circuit 11 a is between the data line driving circuit 12 a and the element formation region 14, and one Y-side protection circuit 11 b extends between the scanning line driving circuit 12 b and the element formation region 14. To do. The X-side protection circuit 11 a and the Y-side protection circuit 11 b are electrically connected to logic power supply wirings 16 and 17 extending so as to surround the element formation region 14 in the peripheral region of the element formation region 14. The X-side protection circuit 11a and the Y-side protection circuit 11b suppress the electrostatic breakdown of various elements included in the unit circuit 20 due to static electricity generated in the current supply line L2.

図1及び図2において、走査線駆動回路12bは、書き込み選択信号線L6に対し、走査信号の一例たる書き込み選択信号S1を供給する回路である。書き込み選択信号S1は、スイッチング用TFT22をアクティブな状態又は非アクティブな状態に切り換えるための信号であり、後述するスイッチング用TFT22のゲートに供給される。   1 and 2, the scanning line driving circuit 12b is a circuit that supplies a write selection signal S1 as an example of a scanning signal to the write selection signal line L6. The write selection signal S1 is a signal for switching the switching TFT 22 to an active state or an inactive state, and is supplied to the gate of the switching TFT 22 described later.

データ線駆動回路12aは、画像信号生成回路71から送られた画像信号を所定のタイミングでサンプリングするサンプリング回路及びデータ線L1に対し画像信号に対応するデータ信号I1を供給する回路を備え、スイッチング用TFT22の導通状態に応じて、データ線L1にデータ信号I1を供給する。   The data line driving circuit 12a includes a sampling circuit that samples the image signal sent from the image signal generation circuit 71 at a predetermined timing, and a circuit that supplies the data signal I1 corresponding to the image signal to the data line L1, and is used for switching. A data signal I1 is supplied to the data line L1 in accordance with the conduction state of the TFT22.

走査線駆動回路12bの動作及びデータ線駆動回路12aの動作は、制御回路72から夫々供給されるクロック信号の如き同期信号によって相互に同期が図られ、アクティブマトリクス方式による発光が行われる。   The operation of the scanning line driving circuit 12b and the operation of the data line driving circuit 12a are synchronized with each other by a synchronizing signal such as a clock signal supplied from the control circuit 72, and light emission by an active matrix method is performed.

次に、図2を参照しながら、単位回路20について詳細に説明する。図2は、図1に示す有機ELパネル10の四隅の一部を拡大して示した平面図であって、有機ELパネル10における保護回路11、単位回路20、及びダミー単位回路28の構成を示した平面図である。   Next, the unit circuit 20 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of the four corners of the organic EL panel 10 shown in FIG. 1, and the configuration of the protection circuit 11, the unit circuit 20, and the dummy unit circuit 28 in the organic EL panel 10. It is the shown top view.

図2において、素子形成領域14には、単位回路20及び複数のダミー単位回路28が設けられている。単位回路20は素子形成領域14においてマトリクス状に複数配列され、ダミー単位回路28は素子形成領域14の周縁に設けられている。ここで、単位回路20を形成した領域を発光領域と称し、ダミー単位回路を形成した領域を非発光領域と称する。尚、図2においては、有機ELパネル10の四隅の一部に設けられた一の単位回路20を含む領域Aのみを示している。   In FIG. 2, a unit circuit 20 and a plurality of dummy unit circuits 28 are provided in the element formation region 14. A plurality of unit circuits 20 are arranged in a matrix in the element formation region 14, and the dummy unit circuits 28 are provided on the periphery of the element formation region 14. Here, a region where the unit circuit 20 is formed is referred to as a light emitting region, and a region where the dummy unit circuit is formed is referred to as a non-light emitting region. In FIG. 2, only the region A including one unit circuit 20 provided at a part of the four corners of the organic EL panel 10 is shown.

本実施形態における単位回路20は、スイッチング用TFT22、駆動TFT23、蓄積容量24、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機EL素子29を備えて構成される。   The unit circuit 20 in this embodiment includes a switching TFT 22, a driving TFT 23, a storage capacitor 24, and an organic EL element 29 which is an example of the “light emitting element” according to the present invention.

駆動TFT23のゲートは、蓄積容量24の一端に電気的に接続されると共に、スイッチング用TFT22のドレインと電気的に接続されている。駆動TFT23のソースは電流供給線L2に、ドレインは有機EL素子29の第1電極(陽極)に夫々接続されている。スイッチング用TFT22のゲートは書き込み選択信号線L6に、ソースは、データ線L1に夫々接続されている。   The gate of the driving TFT 23 is electrically connected to one end of the storage capacitor 24 and is also electrically connected to the drain of the switching TFT 22. The source of the driving TFT 23 is connected to the current supply line L 2, and the drain is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element 29. The switching TFT 22 has a gate connected to the write selection signal line L6 and a source connected to the data line L1.

本発明に係る「走査線」の一例である書き込み選択信号線L6は、走査線駆動回路12bから供給される書き込み選択信号S1をスイッチング用TFT22のゲートに供給し、スイッチング用TFT22を非アクティブな状態からアクティブな状態に切り換える。ここで、アクティブな状態とは、スイッチング用TFT22のソース及びドレイン間が導通可能な状態を意味する。アクティブな状態に切り換えられたスイッチング用TFT22は、データ線L1から供給されるデータ信号I1を、スイッチング用TFTのソース及びドレイン間に流し、蓄積容量24に電荷を蓄積する。蓄積容量24に蓄積された電荷によって、駆動TFT23のゲートにデータ電圧が印加され、駆動TFT23はゲートに印加されたデータ電圧に応じた動作状態となる。駆動TFT23は、電流供給線L2から有機EL素子29にデータ電位に応じた駆動電流を供給し、有機EL素子29を所定の輝度で発光させる。データ線駆動回路12a及び走査線駆動回路12bを同期させて各単位回路20に含まれる有機EL素子29を発光させることによって、有機EL装置1は画像を表示することができる。   The write selection signal line L6, which is an example of the “scan line” according to the present invention, supplies the write selection signal S1 supplied from the scan line driving circuit 12b to the gate of the switching TFT 22, and the switching TFT 22 is in an inactive state. Switch from to active state. Here, the active state means a state in which the source and drain of the switching TFT 22 can be conducted. The switching TFT 22 switched to the active state causes the data signal I1 supplied from the data line L1 to flow between the source and drain of the switching TFT, and accumulates charges in the storage capacitor 24. A data voltage is applied to the gate of the drive TFT 23 by the electric charge accumulated in the storage capacitor 24, and the drive TFT 23 enters an operation state corresponding to the data voltage applied to the gate. The drive TFT 23 supplies a drive current corresponding to the data potential from the current supply line L2 to the organic EL element 29, and causes the organic EL element 29 to emit light with a predetermined luminance. The organic EL device 1 can display an image by synchronizing the data line driving circuit 12a and the scanning line driving circuit 12b and causing the organic EL element 29 included in each unit circuit 20 to emit light.

本発明の有機EL装置はプリチャージ回路15を備えていてもよい。プリチャージ回路15は、データ信号の書き込み不足を防止するためにデータ線を充電もしくは放電させ、予めデータ線L1の電位をデータ信号電位に近づける。したがって、データ線L1へのデータ信号の書き込み能力不足は、殆ど又は実践上全く問題となることは無くなる。そして、相対的に十分な書き込み能力で書き込まれたデータ信号によって高品位の画像表示が可能となる。   The organic EL device of the present invention may include a precharge circuit 15. The precharge circuit 15 charges or discharges the data line to prevent insufficient writing of the data signal, and brings the potential of the data line L1 close to the data signal potential in advance. Therefore, the lack of the ability to write the data signal to the data line L1 hardly poses any problem in practice. High-quality image display can be performed by a data signal written with a relatively sufficient writing capability.

有機ELパネル10は、X側検査回路5a及びY側検査用5bを備えてもよい。X側検査回路5a及びY側検査用5bは、製造プロセスにおいて有機ELパネルに静電気が蓄積されているか否かを検査するために用いられる。   The organic EL panel 10 may include an X-side inspection circuit 5a and a Y-side inspection 5b. The X side inspection circuit 5a and the Y side inspection 5b are used for inspecting whether or not static electricity is accumulated in the organic EL panel in the manufacturing process.

(保護回路の構成)
次に、図2を参照しながら、保護回路11について詳細に説明する。
(Configuration of protection circuit)
Next, the protection circuit 11 will be described in detail with reference to FIG.

ロジック電源用配線16及び17は、本発明に係る「複数の電源線」の一例であり、素子形成領域14の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域14を囲むようにX方向及びY方向に夫々延設されている。ロジック電源用配線16及び17は、素子形成領域14を囲むように形成されているが、素子形成領域14の少なくとも1辺に形成されるものであってもよい。尚、素子形成領域14を囲むように形成されているのであれば、静電気が単位回路に及ぶのを未然に防止することが容易である。   The logic power supply wirings 16 and 17 are examples of the “plurality of power supply lines” according to the present invention, and are arranged in the X direction and the Y direction so as to surround the element forming region 14 in the peripheral region located around the element forming region 14. Each is extended. The logic power supply wirings 16 and 17 are formed so as to surround the element forming region 14, but may be formed on at least one side of the element forming region 14. In addition, if it is formed so as to surround the element formation region 14, it is easy to prevent static electricity from reaching the unit circuit.

図11に示すように、ロジック電源用配線16及び17は、各単位回路20に含まれる有機EL素子29を駆動するための素子、より具体的にはデータ線駆動回路12a及び走査線駆動回路12bに含まれ各種信号を単位回路20に供給する素子に電源を供給する。ここで、ロジック電源配線16は高電位側の電源V2を有機ELパネル10に供給し、ロジック電源配線17は低電位側の電源V3を有機ELパネル10に供給し、ロジック電源配線16aは、電源V2より低く電源V3より高い中間電位の電源V4を有機ELパネル10に供給する。図11は、走査線駆動回路12b、Y側保護回路11b、及び素子形成領域14を示す図である。走査線駆動回路12bは、例えば、クロック信号に応じてシフトパルスを転送するシフト転送回路121b、シフト転送回路からの出力を所定の電圧とするレベルシフト回路122b、及び、バッファ回路123bとからなる。これらに用いられる素子は、インバータ、クロックドインバータなどのように、高電位側の電源V2を供給するロジック電源配線16と低電位側の電源V3を供給するロジック電源配線17との間に設けられたスイッチング素子から構成される。このスイッチング素子は一般的に相補型スイッチング素子から構成される。図11のように、ロジック電源配線16、16a、17が、走査線駆動回路12b内において、素子形成領域14に沿って配線されており、各走査線L6毎に形成された走査線駆動回路12bの単位回路毎にそれぞれの電源が供給されている。シフト転送回路121bには、ロジック電源配線16a及び17より、中間電位の電源V4及び低電位側の電源V3が供給され、レベルシフト回路122b及びバッファ回路123bには、ロジック電源配線17及び16より、低電位側の電源V3及び高電位側の電源V2が供給されている。また、同様に、Y側保護回路11bにおいて、ロジック電源配線16及び17により、高電位側の電源V2及び低電位側の電源V3が供給されている。Y側保護回路11bに接続される電源は、高電位側の電源V2及び低電位側の電源V3を選んだが、電源V2、V3、V4の中から、一番高電位の電源と一番低電位の電源を選んで接続される。また、走査線駆動回路12b及びY側保護回路11bにおいて、ロジック電源配線16及び17はそれぞれ配線したが、配線を共通化することがレイアウトの観点から好ましい。さらに、図11では走査線駆動回路12b及びY側保護回路11bについて記載したが、データ線駆動回路12a及びX側保護回路11aも同様である。データ線駆動回路12aは、例えば、シフト転送回路、レベルシフト回路、バッファ回路、及び、サンプリング回路とを備えており、ロジック電源配線16及び17はデータ線駆動回路12a及びX側保護回路11aにおいて同様に接続される。   As shown in FIG. 11, the logic power supply lines 16 and 17 are elements for driving the organic EL elements 29 included in each unit circuit 20, more specifically, the data line driving circuit 12a and the scanning line driving circuit 12b. The power is supplied to the elements included in the circuit for supplying various signals to the unit circuit 20. Here, the logic power supply wiring 16 supplies the high potential side power supply V2 to the organic EL panel 10, the logic power supply wiring 17 supplies the low potential side power supply V3 to the organic EL panel 10, and the logic power supply wiring 16a A power supply V4 having an intermediate potential lower than V2 and higher than the power supply V3 is supplied to the organic EL panel 10. FIG. 11 is a diagram illustrating the scanning line driving circuit 12b, the Y-side protection circuit 11b, and the element formation region 14. The scanning line driving circuit 12b includes, for example, a shift transfer circuit 121b that transfers a shift pulse according to a clock signal, a level shift circuit 122b that uses an output from the shift transfer circuit as a predetermined voltage, and a buffer circuit 123b. Elements used for these are provided between a logic power supply wiring 16 that supplies a high-potential-side power supply V2 and a logic power supply wiring 17 that supplies a low-potential-side power supply V3, such as an inverter or a clocked inverter. Switching elements. This switching element is generally composed of a complementary switching element. As shown in FIG. 11, logic power supply wirings 16, 16a, and 17 are wired along the element formation region 14 in the scanning line driving circuit 12b, and the scanning line driving circuit 12b formed for each scanning line L6. Each unit circuit is supplied with power. The shift transfer circuit 121b is supplied with the intermediate potential power supply V4 and the low potential power supply V3 from the logic power supply wirings 16a and 17, and the level shift circuit 122b and the buffer circuit 123b are supplied with the logic power supply wirings 17 and 16. A low potential side power source V3 and a high potential side power source V2 are supplied. Similarly, in the Y-side protection circuit 11b, the high-potential-side power supply V2 and the low-potential-side power supply V3 are supplied by the logic power supply wirings 16 and 17. The power supply connected to the Y-side protection circuit 11b is selected from the power supply V2 on the high potential side and the power supply V3 on the low potential side, but the power supply with the highest potential and the power supply with the lowest potential are selected from the power supplies V2, V3, and V4. Select the power source for the connection. Further, in the scanning line driving circuit 12b and the Y-side protection circuit 11b, the logic power supply wirings 16 and 17 are respectively wired, but it is preferable from the viewpoint of layout that the wirings are shared. Furthermore, although the scanning line driving circuit 12b and the Y-side protection circuit 11b are described in FIG. 11, the same applies to the data line driving circuit 12a and the X-side protection circuit 11a. The data line drive circuit 12a includes, for example, a shift transfer circuit, a level shift circuit, a buffer circuit, and a sampling circuit, and the logic power supply lines 16 and 17 are the same in the data line drive circuit 12a and the X-side protection circuit 11a. Connected to.

X側保護回路11aは、電流供給線L2の途中に設けられロジック電源配線16及び17に電気的に接続された静電保護回路ESD2、データ線L1の途中に設けられロジック電源配線16及び17に電気的に接続された静電保護回路ESD1を備える。電流供給線L2は、単位回路20に含まれる有機EL素子29に駆動電流を供給する配線であり、単位回路20に含まれる駆動TFT23のソースと接続されている。データ線L1は、単位回路20にデータ信号を供給するデータ線であり、単位回路20に含まれるスイッチング用TFT22のソースと接続されている。   The X-side protection circuit 11a is provided in the middle of the current supply line L2 and electrically connected to the logic power supply wirings 16 and 17, and is provided in the middle of the data line L1 and is connected to the logic power supply wirings 16 and 17. An electrically connected electrostatic protection circuit ESD1 is provided. The current supply line L <b> 2 is a wiring that supplies a drive current to the organic EL element 29 included in the unit circuit 20, and is connected to the source of the drive TFT 23 included in the unit circuit 20. The data line L1 is a data line that supplies a data signal to the unit circuit 20 and is connected to the source of the switching TFT 22 included in the unit circuit 20.

電流供給線L2の途中に設けられた静電保護回路ESD2は、本発明に係る「電流供給線用保護回路」の一例であり、低電位の電源V3を供給するロジック電源配線17及び高電位の電源V2を供給するロジック電源配線16と電気的に接続されている。静電保護回路ESD2は、例えば、直列接続された2個のダイオードDa及びDbを備える。ダイオードDaのアノードは低電位の電源V3を供給するロジック電源配線17に接続され、ダイオードDbのカソードは高電位の電源V2を供給するロジック電源配線16に接続されている。ダイオードDaのカソード及びダイオードDbのアノードは素子形成領域14の周辺領域に延在する電流供給線L2と接続されている。   The electrostatic protection circuit ESD2 provided in the middle of the current supply line L2 is an example of the “current supply line protection circuit” according to the present invention, and includes a logic power supply wiring 17 for supplying a low potential power supply V3 and a high potential supply circuit. It is electrically connected to the logic power supply wiring 16 that supplies the power supply V2. The electrostatic protection circuit ESD2 includes, for example, two diodes Da and Db connected in series. The anode of the diode Da is connected to a logic power supply wiring 17 that supplies a low potential power supply V3, and the cathode of the diode Db is connected to a logic power supply wiring 16 that supplies a high potential power supply V2. The cathode of the diode Da and the anode of the diode Db are connected to a current supply line L2 extending in the peripheral region of the element formation region 14.

高電位のロジック電源配線16より高電位の静電気が電流供給線L2に発生した場合には、ダイオードDbを介して静電気が高電位のロジック電源配線16に放出され、低電位のロジック電源配線17より低電位の静電気が電流供給線L2に発生した場合には、ダイオードDaを介して静電気が低電位のロジック電源配線17に放出される。したがって、静電保護回路ESD2は、電流供給線L2で発生した静電気に起因する不慮の電圧が駆動TFT23に印加されることを抑制することができ、駆動TFT23が静電破壊されることを低減することができる。   When static electricity having a high potential is generated in the current supply line L2 from the logic power wiring 16 having a high potential, the static electricity is discharged to the logic power wiring 16 having a high potential through the diode Db and from the logic power wiring 17 having a low potential. When low potential static electricity is generated in the current supply line L2, static electricity is discharged to the low potential logic power supply wiring 17 via the diode Da. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD2 can suppress an unexpected voltage caused by static electricity generated in the current supply line L2 from being applied to the driving TFT 23, and reduce the electrostatic breakdown of the driving TFT 23. be able to.

静電保護回路ESD2は、電流供給線L2から有機EL素子29に駆動電流を供給する経路の途中に設けられているが、駆動電流に対して電気抵抗として機能しないことから有機EL素子29の発光を妨げることがなく、有機EL装置1の画質を低下させることがない。   The electrostatic protection circuit ESD2 is provided in the middle of a path for supplying a drive current from the current supply line L2 to the organic EL element 29. However, the electrostatic protection circuit ESD2 does not function as an electric resistance with respect to the drive current. And the image quality of the organic EL device 1 is not deteriorated.

データ線L1の途中に設けられた静電保護回路ESD1は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例である。静電保護回路ESD1は、静電保護回路ESD2と同様に2本のロジック電源配線16及び17に接続されている。静電保護回路ESD1は、電流供給線L2に設けられた静電保護回路ESD2と同様に直列接続された2つのダイオードを備え、データ線L1に発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線16又は17の一方に放出する。すなわち、静電保護回路ESD1は、電流供給線L2に設けられた静電保護回路ESD2によって放出することが困難である静電気を放出することができる。したがって、静電保護回路ESD1は、データ線L1に接続されたスイッチング用TFT22に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを抑制することができ、スイッチング用TFT22が静電破壊されることを低減することができる。   The electrostatic protection circuit ESD1 provided in the middle of the data line L1 is an example of the “data line protection circuit” according to the present invention. The electrostatic protection circuit ESD1 is connected to the two logic power supply wires 16 and 17 in the same manner as the electrostatic protection circuit ESD2. The electrostatic protection circuit ESD1 includes two diodes connected in series similarly to the electrostatic protection circuit ESD2 provided on the current supply line L2, and this static electricity is supplied to the logic power supply in accordance with the electrostatic potential generated on the data line L1. Release to one of the wirings 16 or 17. That is, the electrostatic protection circuit ESD1 can discharge static electricity that is difficult to be discharged by the electrostatic protection circuit ESD2 provided in the current supply line L2. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD1 can suppress an unexpected voltage caused by static electricity from being applied to the switching TFT 22 connected to the data line L1, and the switching TFT 22 can be prevented from being electrostatically damaged. Can be reduced.

尚、本実施形態においては、データ線L1の途中に抵抗素子R11が設けられており、単位回路20をより確実に静電気から保護することが可能である。   In the present embodiment, the resistance element R11 is provided in the middle of the data line L1, and the unit circuit 20 can be more reliably protected from static electricity.

このように、静電保護回路ESD1及びESD2によれば、有機EL素子29を発光させる際に必要な各種電流の流れを阻害することなく、電流供給線L2及びデータ線L1で発生した静電気から単位回路20を保護することが可能であると共に、有機ELパネル10の画質を低下させることがない。したがって、静電保護回路ESD1及びESD2によれば、単位回路20が静電破壊されることを低減すること及び有機EL装置1の画質を低下させないことを両立することができる。   Thus, according to the electrostatic protection circuits ESD1 and ESD2, the unit from the static electricity generated in the current supply line L2 and the data line L1 without hindering the flow of various currents necessary for causing the organic EL element 29 to emit light. The circuit 20 can be protected and the image quality of the organic EL panel 10 is not deteriorated. Therefore, according to the electrostatic protection circuits ESD1 and ESD2, it is possible to both reduce the electrostatic breakdown of the unit circuit 20 and not to deteriorate the image quality of the organic EL device 1.

Y側保護回路11bは、本発明に係る「走査線」の一例である書き込み選択信号線L6の途中に設けられロジック電源配線16及び17に電気的に接続された静電保護回路ESD6と、配線L5の途中に設けられた静電保護回路ESD5を備える。   The Y-side protection circuit 11b includes an electrostatic protection circuit ESD6 provided in the middle of the write selection signal line L6, which is an example of the “scan line” according to the present invention, and electrically connected to the logic power supply wirings 16 and 17. An electrostatic protection circuit ESD5 provided in the middle of L5 is provided.

静電保護回路ESD6は、本発明に係る「走査線用保護回路」の一例であり、上述した静電保護回路ESD1及びESD2と同様に直列接続された2つのダイオードを備える。静電保護回路ESD6は、書き込み選択信号線L6で発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線16又は17の一方に放出する。したがって、静電保護回路ESD6は、書き込み選択信号線L6で発生した静電気からスイッチング用TFT22が静電破壊されることを低減する。尚、本実施形態においては、書き込み選択信号線L6の途中に抵抗素子R61及びR62が設けられており、単位回路20をより確実に静電気から保護することが可能である。   The electrostatic protection circuit ESD6 is an example of the “scanning line protection circuit” according to the present invention, and includes two diodes connected in series like the electrostatic protection circuits ESD1 and ESD2 described above. The electrostatic protection circuit ESD6 discharges the static electricity to one of the logic power supply wirings 16 or 17 in accordance with the static electricity potential generated in the write selection signal line L6. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD6 reduces the electrostatic breakdown of the switching TFT 22 from static electricity generated in the write selection signal line L6. In the present embodiment, resistance elements R61 and R62 are provided in the middle of the write selection signal line L6, so that the unit circuit 20 can be more reliably protected from static electricity.

このように、本実施形態に係る保護回路11によれば、電流供給線L2、データ線L1、及び書き込み選択信号線L6で発生した静電気から単位回路20を保護すること可能であり、単位回路20に含まれるスイッチング用トランジスタ22及び駆動トランジスタ23の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さら、電流供給線L2、データ線L1、及び書き込み選択信号線L6で発生した静電気は、例えば、データ線駆動回路12a及び走査線駆動回路12bに含まれ有機EL素子29を駆動するために駆動される各種素子に電源を供給するロジック電源配線16及び17に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。   As described above, according to the protection circuit 11 according to the present embodiment, the unit circuit 20 can be protected from static electricity generated in the current supply line L2, the data line L1, and the write selection signal line L6. It is possible to suppress electrostatic breakdown of elements such as the switching transistor 22 and the drive transistor 23 included in. Further, static electricity generated in the current supply line L2, the data line L1, and the write selection signal line L6 is included in the data line driving circuit 12a and the scanning line driving circuit 12b, and is driven to drive the organic EL element 29, for example. Since it is discharged to the logic power supply wirings 16 and 17 for supplying power to the various elements, no additional wiring for discharging static electricity is provided.

したがって、本実施形態に係る有機パネル10の保護回路11によれば、設計を大きく変更することなく有機パネル10の静電気に対する耐性を高めることができ、製造プロセスにおける有機ELパネル10の歩留まりを向上させることが可能である。さらに有機EL装置1の画質を低下させることもないため、製造プロセスにおける歩留まりの向上させること及び画質を低下させないことを両立することができる高品質の有機EL装置1を提供することができる。   Therefore, according to the protection circuit 11 of the organic panel 10 according to the present embodiment, it is possible to increase the resistance of the organic panel 10 to static electricity without greatly changing the design, and to improve the yield of the organic EL panel 10 in the manufacturing process. It is possible. Furthermore, since the image quality of the organic EL device 1 is not lowered, it is possible to provide a high-quality organic EL device 1 that can achieve both improvement in yield in the manufacturing process and reduction in image quality.

(ダミー単位回路の構成)
ダミー単位回路28は、有機EL素子を備えていないことを除き、単位回路20に含まれる各種素子と同様の素子を含み、これら素子の接続は単位回路20における各種素子の接続と同様である。ダミー単位回路28に含まれるTFT33は、単位回路20に含まれる駆動TFT23に相当し、TFT33のソースは、電流供給線L2に駆動電流を供給する電源と接続された配線L4と接続されている。ダミー単位回路28に含まれるTFT32のソースは、配線L3と接続されている。また、ダミー単位回路28は、ダミー単位回路28と接続されていない有機EL素子を備えていてもよい。ダミー単位回路28に形成された有機EL素子は、有機EL素子製造における素子形成領域周辺部における製造不良を回避するために設けられる。
(Dummy unit circuit configuration)
The dummy unit circuit 28 includes elements similar to the various elements included in the unit circuit 20 except that no organic EL element is provided, and the connection of these elements is the same as the connection of the various elements in the unit circuit 20. The TFT 33 included in the dummy unit circuit 28 corresponds to the drive TFT 23 included in the unit circuit 20, and the source of the TFT 33 is connected to a wiring L4 connected to a power supply that supplies a drive current to the current supply line L2. The source of the TFT 32 included in the dummy unit circuit 28 is connected to the wiring L3. The dummy unit circuit 28 may include an organic EL element that is not connected to the dummy unit circuit 28. The organic EL element formed in the dummy unit circuit 28 is provided in order to avoid manufacturing defects in the periphery of the element formation region in the organic EL element manufacturing.

さらに、ダミー単位回路28は、単位回路20と同様に、有機EL素子と接続されていてもよい。このようにすることにより、単位回路20を静電気から保護することができる。   Further, the dummy unit circuit 28 may be connected to the organic EL element in the same manner as the unit circuit 20. By doing so, the unit circuit 20 can be protected from static electricity.

素子形成領域14の周辺領域の保護回路11において、配線L3及びL4の途中には夫々静電保護回路ESD3及びESD4が設けられている。静電保護回路ESD3及びESD4は、ロジック電源配線16及び17と接続されており、配線L3及びL4で発生した静電気をロジック電源配線16又は17に放出し、ダミー単位回路28及び単位回路20に含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを抑制する。尚、本実施形態においては、配線L3及びL4に抵抗素子R31、R32及びR41が夫々設けられていることにより、ダミー単位回路28をより確実に静電気から保護することが可能である。   In the protection circuit 11 in the peripheral region of the element formation region 14, electrostatic protection circuits ESD3 and ESD4 are provided in the middle of the wirings L3 and L4, respectively. The electrostatic protection circuits ESD3 and ESD4 are connected to the logic power supply wirings 16 and 17, discharge static electricity generated in the wirings L3 and L4 to the logic power supply wiring 16 or 17, and are included in the dummy unit circuit 28 and the unit circuit 20. Each element is prevented from being electrostatically damaged by static electricity. In the present embodiment, the resistance elements R31, R32, and R41 are provided on the wirings L3 and L4, respectively, so that the dummy unit circuit 28 can be more reliably protected from static electricity.

素子形成領域14の周辺領域の保護回路11において、静電保護回路ESD5は、本発明に係る「ダミー単位回路用保護回路」の一例であり、上述した静電保護回路ESD1及びESD2と同様の構成を備え、素子形成領域14の周辺に位置する周辺領域において、配線L5の途中に設けられている。静電保護回路ESD5は、ダミー単位回路28で発生した静電気を配線L5を介して受け取り、この静電気をロジック電源配線16及び17の一方に放出する。したがって、静電保護回路ESD5は、ダミー単位回路28で発生した静電気を素子形成領域14の外側に放出することができ、ダミー単位回路28が静電破壊されることを抑制することができる。尚、本実施形態においては、配線L5の途中に抵抗素子R51及びR52が設けられており、ダミー単位回路28をより確実に静電気から保護することが可能である。   In the protection circuit 11 in the peripheral region of the element formation region 14, the electrostatic protection circuit ESD5 is an example of the “dummy unit circuit protection circuit” according to the present invention, and has the same configuration as the electrostatic protection circuits ESD1 and ESD2 described above. And is provided in the middle of the wiring L5 in a peripheral region located around the element forming region 14. The electrostatic protection circuit ESD5 receives the static electricity generated in the dummy unit circuit 28 via the wiring L5, and discharges the static electricity to one of the logic power supply wirings 16 and 17. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD5 can discharge the static electricity generated in the dummy unit circuit 28 to the outside of the element forming region 14, and can suppress the dummy unit circuit 28 from being electrostatically destroyed. In the present embodiment, resistance elements R51 and R52 are provided in the middle of the wiring L5, so that the dummy unit circuit 28 can be more reliably protected from static electricity.

配線L5は、低電位の電源V3をダミー単位回路28に供給する。配線L5は、書き込み選択信号線L6と平行してダミー単位回路28内に延在する。このようにすることにより、静電気が単位回路20に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機EL装置1を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。また、配線L3及びL4には、それぞれ同一電位が供給されている。ここでは、電源V1がともに接続されている。図2では、電流供給線L2、配線L3、及び配線L4は共通の電源V1を夫々供給されている。電流供給線L2と配線L3とは同電位となっているため、トランジスタ33、トランジスタ32などにより消費電力が消費されない。静電気が単位回路20に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機EL装置1を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   The wiring L5 supplies a low-potential power supply V3 to the dummy unit circuit 28. The wiring L5 extends in the dummy unit circuit 28 in parallel with the write selection signal line L6. This prevents static electricity from reaching the unit circuit 20 and damaging the unit circuit, and prevents the dummy unit circuit from emitting light or leaking current when the organic EL device 1 emits light. can do. The same potential is supplied to the wirings L3 and L4. Here, the power supply V1 is connected together. In FIG. 2, the current supply line L2, the wiring L3, and the wiring L4 are respectively supplied with a common power source V1. Since the current supply line L2 and the wiring L3 are at the same potential, power consumption is not consumed by the transistor 33, the transistor 32, and the like. It is possible to prevent static electricity from reaching the unit circuit 20 and damaging the unit circuit, and to prevent the dummy unit circuit from emitting light or leak current when the organic EL device 1 emits light.

[第2実施形態]
次に、他の実施形態について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第1実施形態の各部と同様の要素については、1及び図2と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図12は、第2実施形態に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。
[Second Embodiment]
Next, another embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. Moreover, about the element similar to each part of 1st Embodiment among the following aspects, the code | symbol same as 1 and FIG. 2 is attached | subjected, and the description is abbreviate | omitted suitably. FIG. 12 is a diagram schematically showing the configuration of the organic EL device 1 according to the second embodiment.

図12において、有機EL装置1は、データ線駆動回路12a、走査線駆動回路12b、及び保護回路11、単位回路20が形成された素子形成領域14を備える。   In FIG. 12, the organic EL device 1 includes a data line driving circuit 12a, a scanning line driving circuit 12b, a protection circuit 11, and an element formation region 14 in which a unit circuit 20 is formed.

走査線駆動回路12bは、書き込み選択信号線L6に対し、走査信号の一例たる書き込み選択信号S1を供給する回路である。書き込み選択信号S1は、スイッチング用TFT22をアクティブな状態又は非アクティブな状態に切り換えるための信号であり、後述するスイッチング用TFT22のゲートに供給される。   The scanning line driving circuit 12b is a circuit that supplies a writing selection signal S1 as an example of a scanning signal to the writing selection signal line L6. The write selection signal S1 is a signal for switching the switching TFT 22 to an active state or an inactive state, and is supplied to the gate of the switching TFT 22 described later.

データ線駆動回路12aは、画像信号生成回路71から送られた画像信号を所定のタイミングでサンプリングするサンプリング回路及びデータ線L1に対し画像信号に対応するデータ信号I1を供給する回路を備え、スイッチング用TFT22の導通状態に応じて、データ線L1にデータ信号I1を供給する。   The data line driving circuit 12a includes a sampling circuit that samples the image signal sent from the image signal generation circuit 71 at a predetermined timing, and a circuit that supplies the data signal I1 corresponding to the image signal to the data line L1, and is used for switching. A data signal I1 is supplied to the data line L1 in accordance with the conduction state of the TFT22.

走査線駆動回路12bの動作及びデータ線駆動回路12aの動作は、制御回路72から夫々供給されるクロック信号の如き同期信号によって相互に同期が図られ、アクティブマトリクス方式による発光が行われる。また、ロジック電源用配線16及び17は、駆動電源回路73からデータ線駆動回路12a及びに走査線駆動回路12bに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線16は高電位側の電源V2を供給し、ロジック電源配線17は低電位側の電源V3を供給する。また、ロジック電源用配線16及び17は、保護回路11に接続されている。   The operation of the scanning line driving circuit 12b and the operation of the data line driving circuit 12a are synchronized with each other by a synchronizing signal such as a clock signal supplied from the control circuit 72, and light emission by an active matrix method is performed. The logic power supply lines 16 and 17 supply power from the drive power supply circuit 73 to the data line drive circuit 12a and the scanning line drive circuit 12b. Here, the logic power supply wiring 16 supplies the high potential side power supply V2, and the logic power supply wiring 17 supplies the low potential side power supply V3. The logic power supply wirings 16 and 17 are connected to the protection circuit 11.

単位回路20は、図2と同様に、スイッチング用TFT22、駆動TFT23、蓄積容量24、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機EL素子29を備えて構成される。また、データ線駆動回路12aと各単位回路20とはデータ線L1により接続され、走査線駆動回路12bと各単位回路20とは書き込み選択信号線L6により接続されている。   Similar to FIG. 2, the unit circuit 20 includes a switching TFT 22, a driving TFT 23, a storage capacitor 24, and an organic EL element 29 which is an example of the “light emitting element” according to the present invention. The data line driving circuit 12a and each unit circuit 20 are connected by a data line L1, and the scanning line driving circuit 12b and each unit circuit 20 are connected by a write selection signal line L6.

ここで、有機EL素子29は、第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極との間に挟持された発光層とからなり、第1電極は単位回路20に対応して設けられており、第2電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路20に対して共通に設けられている。単位回路20に設けられた各第1電極は、電流供給線L2及び第1電源配線18を介して、第1電源配線接続端子200により発光電源回路74と接続されている。素子形成領域14に設けられた第2電極は、第2電源配線19を介して、第2電源配線接続端子201により発光電源回路74と接続されている。発光電源回路74は、第1電源配線接続端子200と第2電源配線接続端子201との間に電源を供給する。ここで、図2と同様に、第1電源配線18は、各色の光を発光する有機EL素子の第1電極(陽極)に夫々電気的に接続される第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機EL素子に対応した電流供給線L2を1本のみ図示している。   Here, the organic EL element 29 includes a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode. The first electrode corresponds to the unit circuit 20. The second electrode is provided in common to the plurality of unit circuits 20 provided in a matrix. Each first electrode provided in the unit circuit 20 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 by the first power supply wiring connection terminal 200 via the current supply line L2 and the first power supply wiring 18. The second electrode provided in the element formation region 14 is connected to the light emitting power supply circuit 74 through the second power supply wiring 19 through the second power supply wiring connection terminal 201. The light emission power supply circuit 74 supplies power between the first power supply wiring connection terminal 200 and the second power supply wiring connection terminal 201. Here, as in FIG. 2, the first power supply wiring 18 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element that emits light of each color, and is connected to the first power supply wiring 18R, 18G, and 18B. In order to simplify the description, only one current supply line L2 corresponding to the organic EL elements of these colors is shown.

第2実施形態に係る保護回路11は、電流供給線L2に応じて、「電流供給線用保護回路」の一例としての静電保護回路ESD2を備える。静電保護回路ESD2は、第1電源配線18と素子形成領域14に形成された電流供給線L2との間に設けられている。   The protection circuit 11 according to the second embodiment includes an electrostatic protection circuit ESD2 as an example of a “current supply line protection circuit” according to the current supply line L2. The electrostatic protection circuit ESD <b> 2 is provided between the first power supply wiring 18 and the current supply line L <b> 2 formed in the element formation region 14.

このように、静電保護回路ESD2によれば、電流供給線L2、あるいは、第1電源配線接続端子で発生した静電気から単位回路20を保護すること可能であり、単位回路20に含まれるスイッチング用トランジスタ22及び駆動トランジスタ23の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路11は、図2の静電保護回路ESD2と同様に、静電保護回路を介してロジック電源用配線16及び17と接続されている。データ線駆動回路12a及び走査線駆動回路12bに含まれるロジック電源配線16及び17に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。   Thus, according to the electrostatic protection circuit ESD2, it is possible to protect the unit circuit 20 from static electricity generated in the current supply line L2 or the first power supply wiring connection terminal, and for switching included in the unit circuit 20 Electrostatic breakdown of elements such as the transistor 22 and the driving transistor 23 can be suppressed. Further, the protection circuit 11 is connected to the logic power supply wirings 16 and 17 through the electrostatic protection circuit, similarly to the electrostatic protection circuit ESD2 of FIG. Since it is discharged to the logic power supply wirings 16 and 17 included in the data line driving circuit 12a and the scanning line driving circuit 12b, no additional wiring for discharging static electricity is provided.

また、図2と同様に、データ線L1の途中に静電保護回路(図示せず)を設けてもよい。これは、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例である。このようにすることにより、データ線L1からスイッチング用TFT22を介して流入した静電気から単位回路20を保護することができ、駆動TFT23や蓄積容量24内で静電破壊が発生するのを未然に防止することができる。   Similarly to FIG. 2, an electrostatic protection circuit (not shown) may be provided in the middle of the data line L1. This is an example of the “data line protection circuit” according to the present invention. By doing so, the unit circuit 20 can be protected from static electricity flowing from the data line L1 through the switching TFT 22, and electrostatic breakdown can be prevented from occurring in the drive TFT 23 and the storage capacitor 24. can do.

[第2実施形態の変形例1]
次に、第2実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第2実施形態の各部と同様の要素については図12と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図13は、第2実施形態の変形例1に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。
[Modification 1 of the second embodiment]
Next, a modification of the second embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG. FIG. 13 is a diagram schematically illustrating the configuration of the organic EL device 1 according to Modification 1 of the second embodiment.

単位回路20は、図2と同様に、スイッチング用TFT22、駆動TFT23、蓄積容量24、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機EL素子29を備えて構成される。また、データ線駆動回路12aと各単位回路20とはデータ線L1により接続され、走査線駆動回路12bと各単位回路20とは書き込み選択信号線L6により接続されている。   Similar to FIG. 2, the unit circuit 20 includes a switching TFT 22, a driving TFT 23, a storage capacitor 24, and an organic EL element 29 which is an example of the “light emitting element” according to the present invention. The data line driving circuit 12a and each unit circuit 20 are connected by a data line L1, and the scanning line driving circuit 12b and each unit circuit 20 are connected by a write selection signal line L6.

ここで、有機EL素子29は、第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極との間に挟持された発光層とからなり、第1電極は単位回路20に対応して設けられており、第2電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路20に対して共通に設けられている。単位回路20に設けられた各第1電極は、電流供給線L2及び第1電源配線18を介して、第1電源配線接続端子200により発光電源回路74と接続されている。素子形成領域14に設けられた第2電極は、配線L7及び第2電源配線19を介して、第2電源配線接続端子201により発光電源回路74と接続されている。第2電極と配線L7とは、素子形成領域において単位回路と接続されている。発光電源回路74は、第1電源配線接続端子200と第2電源配線接続端子201との間に電源を供給する。ここで、図2と同様に、第1電源配線18は、各色の光を発光する有機EL素子の第1電極(陽極)に夫々電気的に接続される第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機EL素子に対応した電流供給線L2を1本のみ図示している。   Here, the organic EL element 29 includes a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode. The first electrode corresponds to the unit circuit 20. The second electrode is provided in common to the plurality of unit circuits 20 provided in a matrix. Each first electrode provided in the unit circuit 20 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 by the first power supply wiring connection terminal 200 via the current supply line L2 and the first power supply wiring 18. The second electrode provided in the element formation region 14 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 by the second power supply wiring connection terminal 201 through the wiring L7 and the second power supply wiring 19. The second electrode and the wiring L7 are connected to the unit circuit in the element formation region. The light emission power supply circuit 74 supplies power between the first power supply wiring connection terminal 200 and the second power supply wiring connection terminal 201. Here, as in FIG. 2, the first power supply wiring 18 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element that emits light of each color, and is connected to the first power supply wiring 18R, 18G, and 18B. In order to simplify the description, only one current supply line L2 corresponding to the organic EL elements of these colors is shown.

第2実施形態を変形した態様に係る保護回路11は、第1電源配線18と素子形成領域14に形成された電流供給線L2との間に設けられた静電保護回路ESD7を備える。静電保護回路ESD7は第1電源配線18と第2電源配線19との間に設けられた保護素子からなる。保護素子は、例えば静電保護回路ESD2と同様、ダイオードから構成される。第1電極は陽極であり第2電極は陰極であり、このような発光素子にて発光動作を行う際、配線7及び第2電源配線19は、電流供給線L2及び第1電源配線18に対して低電位であるため、静電保護回路ESD7は、入力端子が電流供給線L2に接続され、出力端子は配線L7に接続されたダイオードから構成される。第1電極は陰極であり第2電極は陽極である場合には、ダイオードの入力端子と出力端子とは逆に接続される。   The protection circuit 11 according to a modification of the second embodiment includes an electrostatic protection circuit ESD7 provided between the first power supply wiring 18 and the current supply line L2 formed in the element formation region 14. The electrostatic protection circuit ESD <b> 7 includes a protection element provided between the first power supply wiring 18 and the second power supply wiring 19. The protection element is formed of a diode, for example, like the electrostatic protection circuit ESD2. The first electrode is an anode and the second electrode is a cathode, and when performing a light emitting operation with such a light emitting element, the wiring 7 and the second power supply wiring 19 are connected to the current supply line L2 and the first power supply wiring 18. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD7 includes a diode whose input terminal is connected to the current supply line L2 and whose output terminal is connected to the wiring L7. When the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode, the input terminal and the output terminal of the diode are connected in reverse.

かかる保護回路11によれば、電流供給線L2あるいは第1電源配線接続端子で発生した静電気を第2電源配線19に放出できる。したがって、単位回路20に含まれるTFTの如き素子が静電破壊されることを抑制する。したがって、素子形成領域14内で静電気が発生した場合でも、単位回路20に含まれる素子に静電気に起因する不慮の電圧が印加される前に素子形成領域14の外側に静電気を放出することができ、単位回路20に含まれる素子の静電破壊を抑制することができる。   According to the protection circuit 11, static electricity generated in the current supply line L 2 or the first power supply wiring connection terminal can be discharged to the second power supply wiring 19. Therefore, it is possible to suppress electrostatic breakdown of elements such as TFTs included in the unit circuit 20. Therefore, even when static electricity is generated in the element formation region 14, the static electricity can be discharged outside the element formation region 14 before an unexpected voltage due to static electricity is applied to the elements included in the unit circuit 20. The electrostatic breakdown of the elements included in the unit circuit 20 can be suppressed.

[第2実施形態の変形例2]
次に、第2実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第2実施形態の各部と同様の要素については図12と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図14は、第2実施形態の変形例2に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。
[Modification 2 of the second embodiment]
Next, a modification of the second embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG. FIG. 14 is a diagram schematically illustrating a configuration of the organic EL device 1 according to the second modification of the second embodiment.

素子形成領域14には、単位回路20が形成された発光領域202と、発光領域202の周辺にダミー単位回路28が設けられた非発光領域とが設けられている。図2と同様に、単位回路20には、スイッチング用TFT22、駆動TFT23、蓄積容量24、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機EL素子29を備えて構成される。また、ダミー単位回路28は、有機EL素子を備えていなくてもよいし、ダミー単位回路28と接続されていない有機EL素子を備えていてもよい。また、ダミー単位回路28に形成された有機EL素子は、有機EL素子製造における素子形成領域周辺部における製造不良を回避するために設けられる。さらに、ダミー単位回路28は、単位回路20と同様に、有機EL素子と接続されていてもよい。このようにすることにより、単位回路20を静電気から保護することができる。   In the element formation region 14, a light emitting region 202 in which the unit circuit 20 is formed and a non-light emitting region in which the dummy unit circuit 28 is provided around the light emitting region 202 are provided. Similar to FIG. 2, the unit circuit 20 includes a switching TFT 22, a driving TFT 23, a storage capacitor 24, and an organic EL element 29 which is an example of the “light emitting element” according to the present invention. The dummy unit circuit 28 may not include an organic EL element, or may include an organic EL element that is not connected to the dummy unit circuit 28. Further, the organic EL element formed in the dummy unit circuit 28 is provided in order to avoid manufacturing defects in the periphery of the element formation region in the organic EL element manufacturing. Further, the dummy unit circuit 28 may be connected to the organic EL element in the same manner as the unit circuit 20. By doing so, the unit circuit 20 can be protected from static electricity.

さらに、ダミー単位回路28は、矩形に形成された発光領域202の周辺それぞれ1個ずつ設けられているが、複数個のダミー単位回路28が設けられてもよい。また、発光領域202を囲うようにダミー単位回路28を設けたが、発光領域202の少なくとも1辺に沿って形成されていればよい。   Further, one dummy unit circuit 28 is provided around each of the light emitting regions 202 formed in a rectangular shape, but a plurality of dummy unit circuits 28 may be provided. Further, although the dummy unit circuit 28 is provided so as to surround the light emitting region 202, it may be formed along at least one side of the light emitting region 202.

ダミー単位回路28に接続された配線L3及びL4は、それぞれ同一電位の配線がされている。ここでは、第1電源配線18と接続されている。このようにすることにより、静電気が単位回路20に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機EL装置1を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   The wires L3 and L4 connected to the dummy unit circuit 28 are wires having the same potential. Here, it is connected to the first power supply wiring 18. This prevents static electricity from reaching the unit circuit 20 and damaging the unit circuit, and prevents the dummy unit circuit from emitting light or leaking current when the organic EL device 1 emits light. can do.

また、配線L3及びL4の途中には夫々静電保護回路ESD4及びESD2が設けられていることが好ましい。静電保護回路ESD3及びESD4は、ロジック電源配線16及び17と接続されており、配線L3及びL4で発生した静電気をロジック電源配線16又は17に放出し、ダミー単位回路28及び単位回路20に含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを抑制する。尚、図2と同様に、配線L3及びL4に抵抗素子R31、R32及びR41が夫々設けられていることにより、単位回路20及びダミー単位回路28をより確実に静電気から保護することが可能である。   In addition, electrostatic protection circuits ESD4 and ESD2 are preferably provided in the middle of the wirings L3 and L4, respectively. The electrostatic protection circuits ESD3 and ESD4 are connected to the logic power supply wirings 16 and 17, discharge static electricity generated in the wirings L3 and L4 to the logic power supply wiring 16 or 17, and are included in the dummy unit circuit 28 and the unit circuit 20. Each element is prevented from being electrostatically damaged by static electricity. As in FIG. 2, the resistance elements R31, R32, and R41 are provided in the wirings L3 and L4, respectively, so that the unit circuit 20 and the dummy unit circuit 28 can be more reliably protected from static electricity. .

[第2実施形態の変形例3]
次に、第2実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第2実施形態の各部と同様の要素については図12と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図15は、第2実施形態の変形例3に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。
[Modification 3 of the second embodiment]
Next, a modification of the second embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIG. FIG. 15 is a diagram schematically illustrating a configuration of an organic EL device 1 according to Modification 3 of the second embodiment.

素子形成領域14には、単位回路20が形成された発光領域202と、発光領域202の周辺に設けられたダミー単位回路28とが設けられている。さらに、ダミー単位回路28に接続された配線L5は、配線17aを介してロジック電源配線17に接続されている。配線L5は、書き込み選択信号線L6と平行してダミー単位回路28内に延在する。このようにすることにより、静電気が単位回路20に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機EL装置1を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   In the element formation region 14, a light emitting region 202 in which the unit circuit 20 is formed and a dummy unit circuit 28 provided around the light emitting region 202 are provided. Furthermore, the wiring L5 connected to the dummy unit circuit 28 is connected to the logic power supply wiring 17 through the wiring 17a. The wiring L5 extends in the dummy unit circuit 28 in parallel with the write selection signal line L6. This prevents static electricity from reaching the unit circuit 20 and damaging the unit circuit, and prevents the dummy unit circuit from emitting light or leaking current when the organic EL device 1 emits light. can do.

[第3実施形態]
次に、図3乃至図6を参照しながら、本発明に係る電気光学パネルの保護回路の他の実施形態について説明する。図3は、本実施形態に係る有機EL装置100が備える単位回路120の構成を示す図であり、図4は、有機ELパネル110の四隅の一部を拡大して示した図であって、保護回路111の構成を示した図である。
[Third Embodiment]
Next, another embodiment of the electro-optical panel protection circuit according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the unit circuit 120 included in the organic EL device 100 according to the present embodiment, and FIG. 4 is an enlarged view of a part of the four corners of the organic EL panel 110. 2 is a diagram showing a configuration of a protection circuit 111. FIG.

図3及び図4において、本実施形態に係る有機EL装置100は、有機ELパネル110、有機EL素子129に駆動電流を供給する電流供給線L22、単位回路120にデータ信号を供給するデータ線L21、単位回路120に走査信号を供給する走査線L26、図示しないデータ線駆動回路及び走査線駆動回路、及び、データ線駆動回路及び走査線駆動回路に電源を供給するロジック電源配線116及び117を備える。尚、本実施形態及び第3実施形態に係る有機EL装置においては、有機EL装置内の有機ELパネル及び有機ELパネルの周辺領域に設けられる保護回路のレイアウトは第1実施形態で説明した有機EL装置と同様であり、詳細な説明は省略する。以下の実施形態においては、単位回路の構成及び保護回路の構成について主に説明する。   3 and 4, the organic EL device 100 according to the present embodiment includes an organic EL panel 110, a current supply line L22 that supplies a drive current to the organic EL element 129, and a data line L21 that supplies a data signal to the unit circuit 120. , A scanning line L26 for supplying a scanning signal to the unit circuit 120, a data line driving circuit and a scanning line driving circuit (not shown), and logic power supply wirings 116 and 117 for supplying power to the data line driving circuit and the scanning line driving circuit. . In the organic EL device according to the present embodiment and the third embodiment, the layout of the organic EL panel in the organic EL device and the protection circuit provided in the peripheral region of the organic EL panel is the organic EL described in the first embodiment. It is the same as the apparatus, and detailed description is omitted. In the following embodiments, the configuration of the unit circuit and the configuration of the protection circuit will be mainly described.

(単位回路の構成)
図3及び図4において、単位回路120は、駆動TFT123、スイッチング用TFT122a、122b、130、蓄積容量124及び有機EL素子129を備えて構成される。
(Unit circuit configuration)
3 and 4, the unit circuit 120 includes a driving TFT 123, switching TFTs 122a, 122b, 130, a storage capacitor 124, and an organic EL element 129.

駆動TFT123のソースは、有機EL素子129に駆動電流を供給する電流供給線L22に電気的に接続されており、他方、ドレインは、スイッチング用TFT130のドレイン、スイッチング用TFT122aのドレイン、及びスイッチング用TFT122bのソースに夫々電気的に接続されている。   The source of the driving TFT 123 is electrically connected to a current supply line L22 that supplies a driving current to the organic EL element 129, while the drain is the drain of the switching TFT 130, the drain of the switching TFT 122a, and the switching TFT 122b. Are electrically connected to the source of each.

スイッチング用TFT122aのゲート及びスイッチング用TFT122bのゲートは電気的に共通化されており、走査線L26に含まれる書き込み選択信号線L26b又はL26cに電気的に接続されている。   The gate of the switching TFT 122a and the gate of the switching TFT 122b are electrically shared, and are electrically connected to the write selection signal line L26b or L26c included in the scanning line L26.

スイッチング用TFT122aのソースはデータ線L21に電気的に接続されており、ドレインは、スイッチング用TFT122bのソースに電気的に接続されている。また、スイッチング用TFT122bのドレインは、蓄積容量124の一端に電気的に接続されている。スイッチング用TFT122a及び122bは、書き込み選択信号線L26aから供給される書き込み選択信号S1が高電位、即ちHレベルとなった際にアクティブとなる。   The source of the switching TFT 122a is electrically connected to the data line L21, and the drain is electrically connected to the source of the switching TFT 122b. Further, the drain of the switching TFT 122b is electrically connected to one end of the storage capacitor 124. The switching TFTs 122a and 122b become active when the write selection signal S1 supplied from the write selection signal line L26a becomes a high potential, that is, an H level.

蓄積容量124は、一方の端がスイッチング用TFT122bのドレインに電気的に接続されると共に、他端が電流供給線L22と電気的に接続されている。蓄積容量124は、駆動TFT123によって有機EL素子129に供給される電流を規定する電荷を蓄積する。   The storage capacitor 124 has one end electrically connected to the drain of the switching TFT 122b and the other end electrically connected to the current supply line L22. The storage capacitor 124 stores a charge that defines a current supplied to the organic EL element 129 by the driving TFT 123.

スイッチング用TFT130は、そのゲートに電気的に接続された選択信号線L26b又はL26cに供給される選択信号S2或いはS3がHレベルとなった時のみアクティブとなり、有機EL素子129に電流を供給する。スイッチング用TFT130のソースは、有機EL素子129の第1電極(陽極)に電気的に接続されており、ドレインは、駆動TFT123のドレインに電気的に接続されている。   The switching TFT 130 becomes active only when the selection signal S2 or S3 supplied to the selection signal line L26b or L26c electrically connected to the gate thereof becomes H level, and supplies a current to the organic EL element 129. The source of the switching TFT 130 is electrically connected to the first electrode (anode) of the organic EL element 129, and the drain is electrically connected to the drain of the driving TFT 123.

有機EL素子129は、第1電極(陽極)及び第2電極(陰極)間に有機EL層が挟持されてなり、第1電極から第2電極に向かう順方向電流に応じた輝度で発光する自発光素子である。また、有機EL素子129の第1電極は、スイッチング用TFT130のソースに接続される。一方、有機EL素子129の第2電極は、全ての単位回路120において共通であり、図示しない電源における低位側の電位(即ち、基準電位)に接続されている。   The organic EL element 129 includes an organic EL layer sandwiched between a first electrode (anode) and a second electrode (cathode), and emits light with luminance according to a forward current from the first electrode to the second electrode. It is a light emitting element. The first electrode of the organic EL element 129 is connected to the source of the switching TFT 130. On the other hand, the second electrode of the organic EL element 129 is common to all the unit circuits 120 and is connected to a lower potential (that is, a reference potential) in a power source (not shown).

電流供給線L22は、第1実施形態と同様に単位回路120に有機EL素子129の駆動電流を供給する。データ線L21は、Xドライバと電気的に接続されており、各単位回路120にデータ信号に対応したデータ信号I1を供給する。   The current supply line L22 supplies the drive current of the organic EL element 129 to the unit circuit 120 as in the first embodiment. The data line L21 is electrically connected to the X driver, and supplies the data signal I1 corresponding to the data signal to each unit circuit 120.

走査線L26は、Xドライバに電気的に接続された書き込み選択信号線L26aと、選択信号線L26b及びL26cとを備えて構成される。書き込み選択信号線L26aは、後述するプログラミングステージにおいて各画素の蓄積容量124に電荷を蓄積するための電圧をスイッチング用TFT122a及び122bのゲートに印加するために設けられた配線であり、選択信号線126b及び126cは各単位回路120が備えるスイッチング用TFT130をアクティブな状態又は非アクティブな状態に切り換えるための信号を供給するための配線である。   The scanning line L26 includes a write selection signal line L26a electrically connected to the X driver, and selection signal lines L26b and L26c. The write selection signal line L26a is a wiring provided for applying a voltage for accumulating charges in the storage capacitor 124 of each pixel to the gates of the switching TFTs 122a and 122b in a programming stage described later, and the selection signal line 126b. And 126c are wirings for supplying a signal for switching the switching TFT 130 provided in each unit circuit 120 to an active state or an inactive state.

本実施形態に係る有機EL装置100は、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の各色の波長の光を発光する有機EL素子を備えたカラー表示可能な表示装置である。選択信号線L26cは緑色の光を発光する有機EL素子を含む単位回路に選択信号GELGを供給する選択信号線であり、選択信号線L26bは赤色の光を発光する有機EL素子に選択信号S2を供給すると共に青色の光を発光する有機EL素子に選択信号S2を供給する。   The organic EL device 100 according to this embodiment is a display device capable of color display, which includes an organic EL element that emits light of each color wavelength of R (red), G (green), and B (blue). The selection signal line L26c is a selection signal line that supplies a selection signal GELG to a unit circuit including an organic EL element that emits green light, and the selection signal line L26b applies a selection signal S2 to the organic EL element that emits red light. The selection signal S2 is supplied to the organic EL element that emits blue light as well as being supplied.

次に、上記構成を有する有機EL装置100の動作について説明する。   Next, the operation of the organic EL device 100 having the above configuration will be described.

走査線駆動回路が書き込み選択信号線L26aにHレベルの書き込み選択信号S1を供給すると、この書き込み選択信号S1に対応する単位回路120(画素行)におけるスイッチング用TFT122a及び122bの両方のゲートに電圧が印加され、これらスイッチング用TFT122a及び122bがアクティブとなる。   When the scanning line driving circuit supplies an H level write selection signal S1 to the write selection signal line L26a, a voltage is applied to both gates of the switching TFTs 122a and 122b in the unit circuit 120 (pixel row) corresponding to the write selection signal S1. When applied, these switching TFTs 122a and 122b become active.

スイッチング用TFT122bがアクティブとなると、スイッチング用TFT122bのドレインとソースとの間が導通するので、駆動TFT123のゲートとドレインとが導通状態となって、駆動TFT123は単なるダイオードとして機能するようになる。   When the switching TFT 122b becomes active, the drain and source of the switching TFT 122b become conductive, so that the gate and drain of the drive TFT 123 become conductive, and the drive TFT 123 functions as a simple diode.

一方、Hレベルの書き込み選択信号S1が供給されるに伴い、スイッチング用TFT122aとゲート電圧が共通化されたスイッチング用TFT122bもアクティブとなる。結局、書き込み選択信号S1がHレベルにある期間では、データ線駆動回路内にある電流源によって供給されるデータ信号I1は、電流供給線L22、駆動TFT123、スイッチング用TFT122a、データ線L21を順次通過する経路で電流として流れることになる。この期間において、蓄積容量124には、駆動TFT123のゲートの電位と電流供給線L22の電位との電位差に対応する電荷が蓄積される。蓄積容量124に蓄積された電荷は、駆動TFT123によって有機EL素子129に供給される電流を規定する電荷であることから、この期間は、「プログラミングステージ」と称される。   On the other hand, as the H-level write selection signal S1 is supplied, the switching TFT 122b whose gate voltage is shared with the switching TFT 122a is also activated. As a result, during the period when the write selection signal S1 is at the H level, the data signal I1 supplied by the current source in the data line driving circuit sequentially passes through the current supply line L22, the driving TFT 123, the switching TFT 122a, and the data line L21. It will flow as a current through the path. During this period, charges corresponding to the potential difference between the gate potential of the driving TFT 123 and the potential of the current supply line L22 are stored in the storage capacitor 124. Since the charge stored in the storage capacitor 124 is a charge that defines a current supplied to the organic EL element 129 by the driving TFT 123, this period is referred to as a “programming stage”.

走査線駆動回路が書き込み選択信号S1を低電位(即ち、Lレベル)に制御すると、単位回路120を含む画素行のプログラミングステージは終了する。プログラミングステージの終了(即ち、Lレベルの書き込み選択信号S1の供給)に伴って、スイッチング用TFT122a及び122bは非アクティブ状態となる。しかしながら、蓄積容量124には電荷が蓄積されているので、駆動TFT123のゲートの電位は従前の値に保持される。   When the scanning line driving circuit controls the write selection signal S1 to a low potential (that is, L level), the programming stage of the pixel row including the unit circuit 120 is completed. With the end of the programming stage (that is, supply of the L level write selection signal S1), the switching TFTs 122a and 122b become inactive. However, since charges are stored in the storage capacitor 124, the potential of the gate of the drive TFT 123 is held at the previous value.

走査線駆動回路は、プログラミングステージが終了した単位回路120の選択信号線L26b或いはL26cに対し、所定のタイミングでHレベルの選択信号S2或いはS3を供給する。選択信号S2或いはS3の供給時には、スイッチング用TFT130がアクティブとなる。駆動TFT123のソースとドレインとの間には、このゲートが基準電位との間に有する電圧に基づいた電流が流れることとなる。この電流の経路は、電流供給線L22、駆動TFT123、スイッチング用TFT130、有機EL素子129を順次通過する経路で流れ、有機EL素子129が発光する。有機EL素子129の発光は、前段階のプログラミングステージで予めプログラミングされた電流値に基づいて行われるため、この有機EL素子129の発光期間は、「リプロダクションステージ」とも称される。   The scanning line driving circuit supplies an H level selection signal S2 or S3 to the selection signal line L26b or L26c of the unit circuit 120 that has completed the programming stage at a predetermined timing. When the selection signal S2 or S3 is supplied, the switching TFT 130 becomes active. Between the source and drain of the driving TFT 123, a current based on the voltage that the gate has between the reference potential and the gate TFT 123 flows. This current path flows through the current supply line L22, the driving TFT 123, the switching TFT 130, and the organic EL element 129 in order, and the organic EL element 129 emits light. Since the light emission of the organic EL element 129 is performed based on the current value programmed in advance in the previous programming stage, the light emission period of the organic EL element 129 is also referred to as a “reproduction stage”.

走査線駆動回路は、素子形成領域114において、画素行単位でプログラミングステージを実行すると共に、順次このプログラミングステージを実行する画素行を切り替えて走査を行っている。プログラミングステージが終了した画素行は、所定の遅延時間を隔ててリプロダクションステージに移行する。このプログラミングステージとリプロダクションステージとの切り替えタイミングは、走査線駆動回路によって適切に、例えば、ある画素行について、プログラミングステージとリプロダクションステージとが同時に実行されないように制御されている。   In the element formation region 114, the scanning line driving circuit executes the programming stage in units of pixel rows, and sequentially scans the pixel rows that execute the programming stage. The pixel rows for which the programming stage has been completed shift to the reproduction stage with a predetermined delay time. The switching timing between the programming stage and the re-production stage is appropriately controlled by the scanning line driving circuit so that, for example, the programming stage and the re-production stage are not simultaneously executed for a certain pixel row.

このようにして、有機EL装置100は、駆動TFT123、スイッチング用TFT122a及び122b、スイッチング用TFT130、蓄積容量124によって有機EL素子129を電流プログラム方式で駆動し、画像表示を行う。特に、電流供給線L22及びデータ線L21は、電流によるデータ信号I1のプログラミングを精密に行うため、低抵抗で電源もしくは電流源と単位回路120とを接続している。したがって、本実施形態に係る有機EL装置100では、電流供給線L22に接続された駆動TFT123、及びデータ線L21に接続されたスイッチング用TFT122aが静電破壊されることが多いため、電流供給線L22及びデータ線L21に接続された電流の経路であってプログラミングする際に電流が流れる経路、及び有機EL素子129が発光する際に駆動電流が流れる経路に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを低減することが重要になる。   In this way, the organic EL device 100 drives the organic EL element 129 by the current programming method by the driving TFT 123, the switching TFTs 122a and 122b, the switching TFT 130, and the storage capacitor 124, and performs image display. In particular, the current supply line L22 and the data line L21 connect the power supply or current source and the unit circuit 120 with a low resistance in order to precisely program the data signal I1 by current. Therefore, in the organic EL device 100 according to the present embodiment, the drive TFT 123 connected to the current supply line L22 and the switching TFT 122a connected to the data line L21 are often electrostatically damaged, and thus the current supply line L22. In addition, an unexpected voltage caused by static electricity is applied to a current path connected to the data line L21, a path through which a current flows when programming, and a path through which a drive current flows when the organic EL element 129 emits light. It is important to reduce this.

(保護回路の構成)
図3及び図4において、有機EL装置100は、有機ELパネル110の単位回路120及びダミー単位回路128を含む素子形成領域114の周辺領域に設けられた保護回路111を備える。
(Configuration of protection circuit)
3 and 4, the organic EL device 100 includes a protection circuit 111 provided in a peripheral region of the element formation region 114 including the unit circuit 120 and the dummy unit circuit 128 of the organic EL panel 110.

本実施形態に係る保護回路111は、素子形成領域114の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域114を挟むように夫々一対ずつ設けられたX側保護回路111a及びY側保護回路111bを含む。   The protection circuit 111 according to the present embodiment includes an X-side protection circuit 111a and a Y-side protection circuit 111b provided in pairs so as to sandwich the element formation region 114 in a peripheral region located around the element formation region 114, respectively.

X側保護回路111aは、電流供給線L22の途中に設けられロジック電源配線116及び117と電気的に接続された静電保護回路ESD22とデータ線L21の途中に設けられロジック電源配線116及び117と電気的に接続された静電保護回路ESD21とを備える。電流供給線L22は、単位回路120に含まれる有機EL素子129に駆動電流を供給する配線であり、単位回路120に含まれる駆動TFT123のソースと接続されている。データ線L21は、単位回路120にデータ信号に対応する電流I1を供給する信号線であり、単位回路120に含まれるスイッチング用TFT122aのソースと接続されている。   The X-side protection circuit 111a is provided in the middle of the current supply line L22 and electrically connected to the logic power supply wirings 116 and 117, and is provided in the middle of the data line L21 and the logic power supply wirings 116 and 117. And an electrostatic protection circuit ESD21 that is electrically connected. The current supply line L22 is a wiring that supplies a drive current to the organic EL element 129 included in the unit circuit 120, and is connected to the source of the drive TFT 123 included in the unit circuit 120. The data line L21 is a signal line that supplies the unit circuit 120 with a current I1 corresponding to the data signal, and is connected to the source of the switching TFT 122a included in the unit circuit 120.

電流供給線L22の途中に設けられた静電保護回路ESD22は、本発明に係る「電流供給線用保護回路」の一例であり、低電位の電源V3を供給するロジック電源配線117及び高電位の電源V2を供給するロジック電源配線116と電気的に接続されている。静電保護回路ESD22は、第1実施形態と同様に電流供給線L22に発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線116及び117の一方に放出する。したがって、静電保護回路ESD22は、電流供給線L22で発生した静電気をロジック電源配線116或いは117に放出することによって、単位回路120に含まれる駆動TFT123が静電破壊されることを抑制する。静電保護回路ESD22は、電流供給線L22から有機EL素子129に供給される駆動電流に対して電気抵抗として機能しないことから有機EL素子129の発光を妨げることがなく、有機EL装置100の画質を低下させることがない。   The electrostatic protection circuit ESD22 provided in the middle of the current supply line L22 is an example of the “current supply line protection circuit” according to the present invention, and includes a logic power supply wiring 117 for supplying a low potential power supply V3 and a high potential supply circuit. It is electrically connected to the logic power supply wiring 116 that supplies the power supply V2. The electrostatic protection circuit ESD22 discharges this static electricity to one of the logic power supply wirings 116 and 117 according to the potential of static electricity generated in the current supply line L22 as in the first embodiment. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD22 suppresses electrostatic breakdown of the driving TFT 123 included in the unit circuit 120 by discharging static electricity generated in the current supply line L22 to the logic power supply wiring 116 or 117. Since the electrostatic protection circuit ESD22 does not function as an electric resistance with respect to the drive current supplied from the current supply line L22 to the organic EL element 129, the electrostatic protection circuit ESD22 does not hinder the light emission of the organic EL element 129, and the image quality of the organic EL device 100 is reduced. Is not reduced.

データ線L21の途中に設けられた静電保護回路ESD21は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例である。静電保護回路ESD21と同様に2本のロジック電源配線116及び117に接続されている。静電保護回路ESD21は、静電保護回路ESD22と同様にしてデータ線L21で発生した静電気をロジック電源配線116或いは117に放出し、単位回路120に含まれるスイッチング用TFT122aが静電破壊されることを低減する。   The electrostatic protection circuit ESD21 provided in the middle of the data line L21 is an example of the “data line protection circuit” according to the present invention. Similar to the electrostatic protection circuit ESD21, it is connected to two logic power supply lines 116 and 117. Similarly to the electrostatic protection circuit ESD22, the electrostatic protection circuit ESD21 discharges static electricity generated on the data line L21 to the logic power supply wiring 116 or 117, and the switching TFT 122a included in the unit circuit 120 is electrostatically destroyed. Reduce.

静電保護回路ESD21は、電流供給線L22に設けられた静電保護回路ESD22が放出することが困難な静電気、即ちデータ線L21で発生した静電気を放出することが可能であり、単位回路120をデータ線L21で発生した静電気から保護することができる。尚、本実施形態においては、データ線L21の途中に抵抗素子R21が設けられており、単位回路120をより確実に静電気から保護することが可能である。   The electrostatic protection circuit ESD21 can discharge static electricity that is difficult to discharge by the electrostatic protection circuit ESD22 provided in the current supply line L22, that is, static electricity generated in the data line L21. It is possible to protect against static electricity generated in the data line L21. In the present embodiment, the resistance element R21 is provided in the middle of the data line L21, so that the unit circuit 120 can be more reliably protected from static electricity.

静電保護回路ESD21及びESD22によれば、有機EL素子129を発光させる際に必要な各種電流の流れを阻害することなく、電流供給線L22及びデータ線L21で発生した静電気から単位回路120を保護することが可能である。よって、単位回路120を静電気から保護すること及び有機EL装置100の画質を低下させないことを両立することができる。   According to the electrostatic protection circuits ESD21 and ESD22, the unit circuit 120 is protected from static electricity generated in the current supply line L22 and the data line L21 without obstructing the flow of various currents necessary for causing the organic EL element 129 to emit light. Is possible. Therefore, both the protection of the unit circuit 120 from static electricity and the deterioration of the image quality of the organic EL device 100 can be achieved.

Y側保護回路111bは、書き込み選択信号線L26a、選択信号線L26b及びL26cの夫々の途中に設けられロジック電源配線116及び117に電気的に接続された静電保護回路ESD26a、ESD26b及びESD26c、Y方向に延在する電流供給線L22および素子形成領域114間に設けられた静電保護回路ESD25、ロジック電源配線117とダミー単位回路128との間に設けられた静電保護回路ESD27を備える。   The Y-side protection circuit 111b is provided in the middle of each of the write selection signal line L26a and the selection signal lines L26b and L26c, and is electrically connected to the logic power supply wirings 116 and 117. An electrostatic protection circuit ESD25 provided between the current supply line L22 extending in the direction and the element formation region 114, and an electrostatic protection circuit ESD27 provided between the logic power supply wiring 117 and the dummy unit circuit 128 are provided.

静電保護回路ESD26a、ESD26b及びESD26cは、本発明に係る「走査線用保護回路」の夫々一例であり、上述した静電保護回路ESD11及び12と同様に直列接続された2つのダイオードを備えて構成される。静電保護回路ESD26a、ESD26b及びESD26cは、走査線L26で発生した静電気の電位に応じて静電気をロジック電源配線116及び117の一方に放出する。したがって、静電保護回路ESD26a、ESD26b及びESD26cは、走査線L26で発生した静電気からスイッチング用TFT122a及び122b、さらにスイッチング用TFT130を保護することができる。尚、本実施形態においては、走査線126の途中に抵抗素子R26が設けられており、単位回路120をより確実に静電気から保護することが可能である。   Each of the electrostatic protection circuits ESD26a, ESD26b, and ESD26c is an example of the “scanning line protection circuit” according to the present invention, and includes two diodes connected in series like the electrostatic protection circuits ESD11 and 12 described above. Composed. The electrostatic protection circuits ESD26a, ESD26b, and ESD26c discharge static electricity to one of the logic power supply wirings 116 and 117 in accordance with the static electricity potential generated in the scanning line L26. Therefore, the electrostatic protection circuits ESD26a, ESD26b, and ESD26c can protect the switching TFTs 122a and 122b and the switching TFT 130 from static electricity generated in the scanning line L26. In the present embodiment, the resistance element R26 is provided in the middle of the scanning line 126, so that the unit circuit 120 can be more reliably protected from static electricity.

配線118は、低電位のロジック電源配線117に電気的に接続されている。   The wiring 118 is electrically connected to the logic power wiring 117 having a low potential.

静電保護回路ESD27は、本発明に係る「ダミー単位回路用保護回路」の一例であり、素子形成領域114の周辺に位置する周辺領域に延在する配線118と素子形成領域114の間に設けられ、ダミー単位回路128で発生した静電気を配線118に放出する。尚、ダミー単位回路128及び配線118の間には、図中Y方向に延在する電流供給線L22aが延在する。電流供給線L22aは、他の配線と比べて太い配線であるうえ、配線が交差した領域には静電気が蓄積され易い。よって、電流供給線L22aより素子形成領域114側に静電保護回路ESD27を設けることにより、素子形成領域114に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを抑制することができると共に、ダミー単位回路128で発生した静電気を配線118に放出することが可能である。尚、本実施形態においては、配線118及び素子形成領域114の間に抵抗素子R27が設けられており、ダミー単位回路128をより確実に静電気から保護することが可能である。   The electrostatic protection circuit ESD 27 is an example of the “dummy unit circuit protection circuit” according to the present invention, and is provided between the wiring 118 extending in the peripheral region located around the element forming region 114 and the element forming region 114. The static electricity generated in the dummy unit circuit 128 is discharged to the wiring 118. A current supply line L22a extending in the Y direction in the drawing extends between the dummy unit circuit 128 and the wiring 118. The current supply line L22a is thicker than other wirings, and static electricity is likely to be accumulated in a region where the wirings intersect. Therefore, by providing the electrostatic protection circuit ESD27 closer to the element formation region 114 than the current supply line L22a, it is possible to suppress an unexpected voltage due to static electricity being applied to the element formation region 114, and to provide a dummy unit. Static electricity generated in the circuit 128 can be discharged to the wiring 118. In the present embodiment, the resistance element R27 is provided between the wiring 118 and the element formation region 114, so that the dummy unit circuit 128 can be more reliably protected from static electricity.

本実施形態においては、電流供給線L22は、素子形成領域114の周辺領域においてX方向及びY方向の夫々に延在する本線L22aと、各本線L22aから素子形成領域114内に延在する支線L22bとを含んで構成される。単位回路120は素子形成領域114においてマトリクス状に配列されていることから、支線L22bは、単位回路120の各行及び各列に沿って素子形成領域114内に延設されている。支線L22bは、素子形成領域114内で互いに電気的に接続されており、各単位回路120に有機EL素子129の駆動電流を供給すると共に素子形成領域114内で発生した静電気を外部に放出するための電流経路を構成する。このような支線L22bのレイアウトによれば、素子形成領域114に電流経路が張り巡らされていることになり、支線L22bを介して静電気を外部に容易に放出することができる。   In the present embodiment, the current supply line L22 includes a main line L22a extending in the X direction and the Y direction in the peripheral region of the element formation region 114, and a branch line L22b extending from each main line L22a into the element formation region 114. It is comprised including. Since the unit circuits 120 are arranged in a matrix in the element formation region 114, the branch line L22b extends in the element formation region 114 along each row and each column of the unit circuit 120. The branch line L22b is electrically connected to each other in the element formation region 114, and supplies the drive current of the organic EL element 129 to each unit circuit 120 and discharges static electricity generated in the element formation region 114 to the outside. Current path is configured. According to such a layout of the branch line L22b, a current path extends around the element formation region 114, and static electricity can be easily discharged to the outside through the branch line L22b.

Y側保護回路111bが備える静電保護回路ESD25は、静電保護回路ESD22と同様にY方向に延在する電流供給線L22の本線L22aで発生した静電気をロジック電源配線116或いは117に放出し、ダミー単位回路128を静電気から保護する。   The electrostatic protection circuit ESD25 included in the Y-side protection circuit 111b discharges the static electricity generated in the main line L22a of the current supply line L22 extending in the Y direction to the logic power supply wiring 116 or 117, similarly to the electrostatic protection circuit ESD22. The dummy unit circuit 128 is protected from static electricity.

本実施形態に係る保護回路111によれば、第1実施形態に係る保護回路11と同様に、設計を大きく変更することなく有機パネル110の静電気に対する耐性を高めることができ、製造プロセスにおける有機ELパネル110の歩留まりを向上させることが可能である。さらに有機EL装置100の画質を低下させることもないため、製造プロセスにおける歩留まりの向上させること及び画質を低下させないことを両立することができる高品質の有機EL装置を提供することができる。   According to the protection circuit 111 according to the present embodiment, similarly to the protection circuit 11 according to the first embodiment, the organic panel 110 can be improved in resistance to static electricity without greatly changing the design, and the organic EL in the manufacturing process can be improved. The yield of the panel 110 can be improved. Furthermore, since the image quality of the organic EL device 100 is not lowered, it is possible to provide a high-quality organic EL device capable of both improving the yield in the manufacturing process and not lowering the image quality.

[第3実施形態の変形例1]
次に、第3実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第3実施形態の各部と同様の要素については図3及び図4と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図5は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例を説明するための図であり、図6は、データ線及び電流供給線間に接続された保護ダイオードを説明するための図である。
[Modification 1 of the third embodiment]
Next, a modification of the third embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the third embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4 and the description thereof is omitted as appropriate. FIG. 5 is a diagram for explaining an example of the “data line protection circuit” according to the present invention, and FIG. 6 is a diagram for explaining a protection diode connected between the data line and the current supply line. is there.

図5において、トランジスタT1及びT2は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例を構成する。トランジスタT1は、有機EL素子29の第2電極(陰極)側CVTに電気的に接続された配線L29とデータ線L21とに電気的に接続されている。トランジスタT2は、データ線L21及び電流供給線L22の支線L22bに電気的に接続されている。トランジスタT1及びT2は静電保護回路ESD100を構成し、データ線21で発生した静電気を電流供給線L22b及び配線L29の少なくとも一方に逃がす。静電保護回路ESD100は、例えば、ダミー単位回路128内に延在する支線L22b及びデータ線L21を接続するように配設されている。ここで、配線L29は接地側と接続されていてもよい。   In FIG. 5, transistors T1 and T2 constitute an example of the “data line protection circuit” according to the present invention. The transistor T1 is electrically connected to the wiring L29 and the data line L21 that are electrically connected to the second electrode (cathode) side CVT of the organic EL element 29. The transistor T2 is electrically connected to the data line L21 and the branch line L22b of the current supply line L22. The transistors T1 and T2 constitute an electrostatic protection circuit ESD100 and allow static electricity generated on the data line 21 to escape to at least one of the current supply line L22b and the wiring L29. The electrostatic protection circuit ESD100 is disposed so as to connect, for example, a branch line L22b and a data line L21 extending in the dummy unit circuit 128. Here, the wiring L29 may be connected to the ground side.

また、図6に示すように、素子形成領域114に含まれる単位回路120に延在されるデータ線L21’及び電流供給線L22’の間に静電保護回路ESD101を接続しておくこともできる。ESD101は複数のトランジスタから構成され、データ線21’及び電流供給線L22’の一方で発生した静電気を他方に逃がすことができる。これにより、より確実に単位回路120’を静電気から保護することが可能である。   As shown in FIG. 6, an electrostatic protection circuit ESD101 can be connected between the data line L21 ′ and the current supply line L22 ′ extending to the unit circuit 120 included in the element formation region 114. . The ESD 101 includes a plurality of transistors, and can discharge static electricity generated in one of the data line 21 'and the current supply line L22' to the other. As a result, the unit circuit 120 'can be more reliably protected from static electricity.

[第3実施形態の変形例2]
次に、第3実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第3実施形態の各部と同様の要素については図3及び図4と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図16は、第3実施形態を変形した態様に係る有機EL装置100の構成を模式的に示した図である。
[Modification 2 of the third embodiment]
Next, a modification of the third embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the third embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4 and the description thereof is omitted as appropriate. FIG. 16 is a diagram schematically illustrating a configuration of an organic EL device 100 according to a modification of the third embodiment.

図16において、有機EL装置100は、データ線駆動回路112a、走査線駆動回路112b、及び保護回路111、単位回路120が形成された素子形成領域114を備える。   In FIG. 16, the organic EL device 100 includes a data line driving circuit 112a, a scanning line driving circuit 112b, a protection circuit 111, and an element formation region 114 in which a unit circuit 120 is formed.

走査線駆動回路112bは、選択信号線L26a、L26b、L26cに対し、走査信号の一例たる選択信号S1、S2、S3を供給する回路である。   The scanning line driving circuit 112b is a circuit that supplies selection signals S1, S2, and S3, which are examples of scanning signals, to the selection signal lines L26a, L26b, and L26c.

データ線駆動回路12aは、画像信号生成回路71から送られた画像信号を所定のタイミングでサンプリングするサンプリング回路及びデータ線L21に対し画像信号に対応するデータ信号Idataを供給する回路を備える。   The data line driving circuit 12a includes a sampling circuit that samples the image signal sent from the image signal generation circuit 71 at a predetermined timing and a circuit that supplies the data signal Idata corresponding to the image signal to the data line L21.

走査線駆動回路112bの動作及びデータ線駆動回路112aの動作は、制御回路72から夫々供給されるクロック信号の如き同期信号によって相互に同期が図られ、アクティブマトリクス方式による発光が行われる。また、ロジック電源用配線116及び117は、駆動電源回路73からデータ線駆動回路112a及びに走査線駆動回路112bに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線116は高電位側の電源V2を供給し、ロジック電源配線117は低電位側の電源V3を供給する。また、ロジック電源用配線116及び117は、保護回路111に接続されている。   The operation of the scanning line driving circuit 112b and the operation of the data line driving circuit 112a are synchronized with each other by a synchronizing signal such as a clock signal supplied from the control circuit 72, and light emission by an active matrix method is performed. The logic power supply wirings 116 and 117 supply power from the drive power supply circuit 73 to the data line drive circuit 112a and the scanning line drive circuit 112b. Here, the logic power supply wiring 116 supplies the power supply V2 on the high potential side, and the logic power supply wiring 117 supplies the power supply V3 on the low potential side. The logic power supply wirings 116 and 117 are connected to the protection circuit 111.

単位回路120は、図4と同様に、駆動TFT123、スイッチング用TFT122a、122b、130、蓄積容量124及び有機EL素子129を備えて構成される。   The unit circuit 120 includes a drive TFT 123, switching TFTs 122a, 122b, 130, a storage capacitor 124, and an organic EL element 129, as in FIG.

ここで、有機EL素子29は、第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極との間に挟持された発光層とからなり、第1電極は単位回路120に対応して設けられており、第2電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路120に対して共通に設けられている。単位回路120に設けられた各第1電極は、電流供給線L22b及び第1電源配線118を介して、第1電源配線接続端子200により発光電源回路74と接続されている。素子形成領域114に設けられた第2電極は、第2電源配線119を介して、第2電源配線接続端子201により発光電源回路74と接続されている。発光電源回路74は、第1電源配線接続端子200と第2電源配線接続端子201との間に電源を供給する。ここで、図2と同様に、第1電源配線18は、各色の光を発光する有機EL素子の第1電極(陽極)に夫々電気的に接続される第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機EL素子に対応した電流供給線L2を1本のみ図示している。   Here, the organic EL element 29 includes a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode. The first electrode corresponds to the unit circuit 120. The second electrode is provided in common to the plurality of unit circuits 120 provided in a matrix. Each first electrode provided in the unit circuit 120 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 by the first power supply wiring connection terminal 200 through the current supply line L22b and the first power supply wiring 118. The second electrode provided in the element formation region 114 is connected to the light emitting power supply circuit 74 through the second power supply wiring 119 through the second power supply wiring connection terminal 201. The light emission power supply circuit 74 supplies power between the first power supply wiring connection terminal 200 and the second power supply wiring connection terminal 201. Here, as in FIG. 2, the first power supply wiring 18 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element that emits light of each color, and is connected to the first power supply wiring 18R, 18G, and 18B. In order to simplify the description, only one current supply line L2 corresponding to the organic EL elements of these colors is shown.

本発明に係る発光装置は、「電流供給線用保護回路」の一例としての静電保護回路ESD22を備える。静電保護回路ESD22は、単位回路120に接続される電流供給線L22bと第1電源配線118との間に設けられている。   The light emitting device according to the present invention includes an electrostatic protection circuit ESD22 as an example of a “current supply line protection circuit”. The electrostatic protection circuit ESD22 is provided between the current supply line L22b connected to the unit circuit 120 and the first power supply wiring 118.

このように、第3実施形態を変形した態様に係る保護回路111によれば、第1電源配線118、電流供給線L22b、あるいは、第1電源配線接続端子200で発生した静電気から単位回路120を保護すること可能であり、単位回路120に含まれるスイッチング用トランジスタ122a及び駆動トランジスタ123の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路111は、図2の静電保護回路ESD2と同様に、静電保護回路を介してロジック電源用配線116及び117と接続されている。データ線駆動回路112a及び走査線駆動回路112bに含まれるロジック電源配線116及び117に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。   As described above, according to the protection circuit 111 according to a modification of the third embodiment, the unit circuit 120 is removed from static electricity generated in the first power supply wiring 118, the current supply line L22b, or the first power supply wiring connection terminal 200. It is possible to protect, and it is possible to suppress electrostatic breakdown of elements such as the switching transistor 122a and the driving transistor 123 included in the unit circuit 120. Further, the protection circuit 111 is connected to the logic power supply wirings 116 and 117 via the electrostatic protection circuit, similarly to the electrostatic protection circuit ESD2 of FIG. Since it is discharged to the logic power supply wirings 116 and 117 included in the data line driving circuit 112a and the scanning line driving circuit 112b, a wiring for discharging static electricity is not separately provided.

また、本発明に係る発光装置は、「データ線用保護回路」の一例としての静電保護回路ESD21を備える。静電保護回路ESD21は、データ線駆動回路112aとデータ線L21との間に設けられている。このように、第3実施形態を変形した態様に係る保護回路111によれば、データ線L21で発生した静電気から単位回路120を保護すること可能であり、単位回路120に含まれるスイッチング用トランジスタ122a及び駆動トランジスタ123の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路111は、図2の静電保護回路ESD2と同様に、静電保護回路ESD21を介してロジック電源用配線116及び117と接続されている。データ線駆動回路112a及び走査線駆動回路112bに含まれるロジック電源配線116及び117に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。   Further, the light emitting device according to the present invention includes an electrostatic protection circuit ESD21 as an example of a “data line protection circuit”. The electrostatic protection circuit ESD21 is provided between the data line driving circuit 112a and the data line L21. As described above, according to the protection circuit 111 according to a modification of the third embodiment, the unit circuit 120 can be protected from static electricity generated in the data line L21, and the switching transistor 122a included in the unit circuit 120 can be protected. In addition, electrostatic breakdown of elements such as the driving transistor 123 can be suppressed. Further, the protection circuit 111 is connected to the logic power supply wirings 116 and 117 via the electrostatic protection circuit ESD21, similarly to the electrostatic protection circuit ESD2 of FIG. Since it is discharged to the logic power supply wirings 116 and 117 included in the data line driving circuit 112a and the scanning line driving circuit 112b, a wiring for discharging static electricity is not separately provided.

また、素子形成領域14には、単位回路120を形成した発光領域202と、発光領域202の周辺に設けられたダミー単位回路128とが設けられている。   In the element formation region 14, a light emitting region 202 in which the unit circuit 120 is formed and a dummy unit circuit 128 provided around the light emitting region 202 are provided.

ダミー単位回路128に接続された配線L21及びL22bは、それぞれ同一電位の配線がされている。ここでは、第1電源配線118と接続されている。このようにすることにより、静電気が単位回路120に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機EL装置100を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   The wirings L21 and L22b connected to the dummy unit circuit 128 are wirings having the same potential. Here, it is connected to the first power supply wiring 118. This prevents static electricity from reaching the unit circuit 120 and damaging the unit circuit, and prevents the dummy unit circuit from emitting light or leaking current when the organic EL device 100 emits light. can do.

また、配線L21及びL22bの途中には夫々静電保護回路ESD24及びESD23が設けられていることが好ましい。静電保護回路ESD24及びESD23は「ダミー単位回路用保護回路」の一例である。静電保護回路ESD24及びESD23は、ロジック電源配線116及び117と接続されており、配線L21及びL22bで発生した静電気をロジック電源配線116又は117に放出し、ダミー単位回路128及び単位回路20に含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを抑制する。尚、図2と同様に、配線L21及びL22bに抵抗素子が夫々設けられていることにより、単位回路20及びダミー単位回路128をより確実に静電気から保護することが可能である。   In addition, electrostatic protection circuits ESD24 and ESD23 are preferably provided in the middle of the wirings L21 and L22b, respectively. The electrostatic protection circuits ESD24 and ESD23 are examples of the “dummy unit circuit protection circuit”. The electrostatic protection circuits ESD24 and ESD23 are connected to the logic power supply wirings 116 and 117, discharge static electricity generated in the wirings L21 and L22b to the logic power supply wiring 116 or 117, and are included in the dummy unit circuit 128 and the unit circuit 20. Each element is prevented from being electrostatically damaged by static electricity. As in FIG. 2, the resistance elements are provided in the wirings L21 and L22b, respectively, so that the unit circuit 20 and the dummy unit circuit 128 can be more reliably protected from static electricity.

さらに、ダミー単位回路128に接続された配線L27は、配線117aを介してロジック電源配線117に接続されている。このようにすることにより、静電気が単位回路120に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機EL装置100を発光させる時にダミー単位回路128で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。   Further, the wiring L27 connected to the dummy unit circuit 128 is connected to the logic power supply wiring 117 via the wiring 117a. This prevents static electricity from reaching the unit circuit 120 and damaging the unit circuit, and also causes the dummy unit circuit 128 to emit light or leak current when the organic EL device 100 emits light. Can be prevented.

[第3実施形態の変形例3]
次に、第3実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第3実施形態の各部と同様の要素については図3及び図4と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図17は、第3実施形態を変形した態様に係る有機EL装置100の構成を模式的に示した図である。
[Modification 3 of the third embodiment]
Next, a modification of the third embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the third embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4 and the description thereof is omitted as appropriate. FIG. 17 is a diagram schematically illustrating a configuration of an organic EL device 100 according to a modification of the third embodiment.

図17において、有機EL装置100は、データ線駆動回路112a、走査線駆動回路112b、及び保護回路111、単位回路120が形成された素子形成領域114を備える。   17, the organic EL device 100 includes a data line driving circuit 112a, a scanning line driving circuit 112b, a protection circuit 111, and an element formation region 114 in which a unit circuit 120 is formed.

また、ロジック電源用配線116及び117は、駆動電源回路73からデータ線駆動回路112a及びに走査線駆動回路112bに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線116は高電位側の電源V2を供給し、ロジック電源配線117は低電位側の電源V3を供給する。また、ロジック電源用配線116及び117は、保護回路111に接続されている。   The logic power supply wirings 116 and 117 supply power from the drive power supply circuit 73 to the data line drive circuit 112a and the scanning line drive circuit 112b. Here, the logic power supply wiring 116 supplies the power supply V2 on the high potential side, and the logic power supply wiring 117 supplies the power supply V3 on the low potential side. The logic power supply wirings 116 and 117 are connected to the protection circuit 111.

単位回路120は、図4と同様に、駆動TFT123、スイッチング用TFT122a、122b、130、蓄積容量124及び有機EL素子129を備えて構成される。   The unit circuit 120 includes a drive TFT 123, switching TFTs 122a, 122b, 130, a storage capacitor 124, and an organic EL element 129, as in FIG.

ここで、有機EL素子29は、第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極との間に挟持された発光層とからなり、第1電極は単位回路120に対応して設けられており、第2電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路120に対して共通に設けられている。単位回路120に設けられた各第1電極は、電流供給線L22及び第1電源配線118を介して、第1電源配線接続端子200により発光電源回路74と接続されている。素子形成領域114に設けられた第2電極は、配線29及び第2電源配線119を介して、第2電源配線接続端子201により発光電源回路74と接続されている。発光電源回路74は、第1電源配線接続端子200と第2電源配線接続端子201との間に電源を供給する。ここで、図2と同様に、第1電源配線18は、各色の光を発光する有機EL素子の第1電極(陽極)に夫々電気的に接続される第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機EL素子に対応した電流供給線L2を1本のみ図示している。   Here, the organic EL element 29 includes a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode. The first electrode corresponds to the unit circuit 120. The second electrode is provided in common to the plurality of unit circuits 120 provided in a matrix. Each first electrode provided in the unit circuit 120 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 by the first power supply wiring connection terminal 200 via the current supply line L22 and the first power supply wiring 118. The second electrode provided in the element formation region 114 is connected to the light emitting power supply circuit 74 through the wiring 29 and the second power supply wiring 119 through the second power supply wiring connection terminal 201. The light emission power supply circuit 74 supplies power between the first power supply wiring connection terminal 200 and the second power supply wiring connection terminal 201. Here, as in FIG. 2, the first power supply wiring 18 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element that emits light of each color, and is connected to the first power supply wiring 18R, 18G, and 18B. In order to simplify the description, only one current supply line L2 corresponding to the organic EL elements of these colors is shown.

本発明に係る発光装置は、「データ線用保護回路」の一例である静電保護回路ESD100を備える。静電保護回路ESD100は、データ線L21に接続されており、第1電源配線118とデータ線L21との間に設けられたダイオードと第2電源配線119とデータ線L21との間に設けられたダイオードとからなる。   The light emitting device according to the present invention includes an electrostatic protection circuit ESD100 which is an example of a “data line protection circuit”. The electrostatic protection circuit ESD100 is connected to the data line L21, and is provided between the diode provided between the first power supply wiring 118 and the data line L21, the second power supply wiring 119, and the data line L21. It consists of a diode.

かかる保護回路111によれば、データ線L21で発生した静電気から単位回路120を保護すること可能であり、単位回路120に含まれるスイッチング用トランジスタ122a及び駆動トランジスタ123の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路111は、電流供給線L22と配線29と接続されている。電流供給線L22と配線29に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。また、素子形成領域114に形成された電流供給線L22と第1電源配線118との間、及び、素子形成領域114に形成された配線29と第2電源配線119との間にそれぞれダイオードが形成されている。ここで、第1電源配線118は複数の電流供給線L22に電流を供給し、第2電源配線119は複数の配線29に電流を供給している。したがって、第1電源配線118は電流供給線L22の1本分と比して抵抗が低くなっている。同一の配線を用いるのであれば、第1電源配線118の配線幅は電流供給線L22より太くなっている。同様に、第2電源配線119は配線29の1本分と比して抵抗が低くなっている。同一の配線を用いるのであれば、第2電源配線119の配線幅は配線29より太くなっている。仮に、データ線L21で静電気が蓄積されても、第1電源配線118あるいは第2電源配線119から静電気を瞬く解消することができる。   According to the protection circuit 111, the unit circuit 120 can be protected from static electricity generated in the data line L21, and elements such as the switching transistor 122a and the drive transistor 123 included in the unit circuit 120 are electrostatically destroyed. This can be suppressed. Further, the protection circuit 111 is connected to the current supply line L22 and the wiring 29. Since it is discharged to the current supply line L22 and the wiring 29, a new wiring for discharging static electricity is not separately provided. Further, diodes are formed between the current supply line L22 formed in the element formation region 114 and the first power supply wiring 118, and between the wiring 29 formed in the element formation region 114 and the second power supply wiring 119, respectively. Has been. Here, the first power supply wiring 118 supplies current to the plurality of current supply lines L 22, and the second power supply wiring 119 supplies current to the plurality of wirings 29. Therefore, the resistance of the first power supply wiring 118 is lower than that of one current supply line L22. If the same wiring is used, the wiring width of the first power supply wiring 118 is larger than that of the current supply line L22. Similarly, the resistance of the second power supply wiring 119 is lower than that of one wiring 29. If the same wiring is used, the wiring width of the second power supply wiring 119 is larger than that of the wiring 29. Even if static electricity is accumulated in the data line L21, the static electricity can be quickly eliminated from the first power supply wiring 118 or the second power supply wiring 119.

[第4実施形態]
次に、図7及び図8を参照しながら、本発明に係る発光装置の他の実施形態について説明する。図7は、本実施形態に係る有機EL装置200が備える単位回路220の構成を示す図であり、図8は、有機ELパネル210の四隅の一部を拡大して示した図であって、保護回路211の構成を示した図である。
[Fourth Embodiment]
Next, another embodiment of the light-emitting device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of the unit circuit 220 included in the organic EL device 200 according to the present embodiment, and FIG. 8 is an enlarged view of a part of the four corners of the organic EL panel 210. 2 is a diagram illustrating a configuration of a protection circuit 211. FIG.

本実施形態に係る有機EL装置200は、有機ELパネル210、並びに有機EL素子229に駆動電流を供給する電流供給線L32、単位回路220にデータ信号を供給するデータ線L31、単位回路220に走査信号を供給する走査線L36、図示しないデータ線駆動回路及び走査線駆動回路、及びデータ線駆動回路及び走査線駆動回路に電源を供給するロジック電源配線216及び217を備える。   The organic EL device 200 according to the present embodiment scans the organic EL panel 210, the current supply line L32 that supplies a drive current to the organic EL element 229, the data line L31 that supplies a data signal to the unit circuit 220, and the unit circuit 220. A scanning line L36 for supplying signals, a data line driving circuit and a scanning line driving circuit (not shown), and logic power supply wirings 216 and 217 for supplying power to the data line driving circuit and the scanning line driving circuit are provided.

(単位回路の構成)
図7及び図8において、単位回路220は、第1〜第4のスイッチング素子として機能するTFT222a、222b、222c、及び223、駆動TFT230、容量素子として機能する蓄積容量224、有機EL素子229を備えて構成される。
(Unit circuit configuration)
7 and 8, the unit circuit 220 includes TFTs 222a, 222b, 222c, and 223 that function as first to fourth switching elements, a driving TFT 230, a storage capacitor 224 that functions as a capacitor, and an organic EL element 229. Configured.

駆動TFT230のソースは、有機EL素子229の第1電極(陽極)に接続される一方、スイッチング用TFT223のソースは、駆動TFT230のドレイン、及びスイッチング用TFT222cの一端(ドレイン)に夫々接続されている。ここで、スイッチング用TFT223のゲートは、選択信号線L36b或いはL36cに接続されている。このため、スイッチング用TFT223は、選択信号S2或いはS3がHレベルであればアクティブな状態となり、Lレベルであれば非アクティブな状態となる。   The source of the driving TFT 230 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element 229, while the source of the switching TFT 223 is connected to the drain of the driving TFT 230 and one end (drain) of the switching TFT 222c. . Here, the gate of the switching TFT 223 is connected to the selection signal line L36b or L36c. Therefore, the switching TFT 223 is in an active state when the selection signal S2 or S3 is at the H level, and is inactive when the selection signal S2 or S3 is at the L level.

駆動TFT230のソースは、有機EL素子229の第1電極(陽極)と接続される。一方、有機EL素子229は、電流供給線L32及び有機EL素子229の第2電極側(CVT)の間の経路に、スイッチング用TFT223及び駆動TFT230と共に電気的に介挿された構成となっている。   The source of the driving TFT 230 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element 229. On the other hand, the organic EL element 229 is configured to be electrically inserted together with the switching TFT 223 and the driving TFT 230 in a path between the current supply line L32 and the second electrode side (CVT) of the organic EL element 229. .

駆動TFT230のゲートは、蓄積容量224の一端及びスイッチング用TFT222cのソースに夫々接続されている。   The gate of the driving TFT 230 is connected to one end of the storage capacitor 224 and the source of the switching TFT 222c.

スイッチング用TFT222cは、駆動TFT230のドレイン及びゲート間に電気的に介挿されると共に、スイッチング用TFT222cのゲートは、制御線236に接続されている。このため、スイッチング用TFT222cは、制御信号GINITがHレベルとなったときにオンして、駆動TFT230をダイオードとして機能させる。   The switching TFT 222c is electrically inserted between the drain and gate of the driving TFT 230, and the gate of the switching TFT 222c is connected to the control line 236. For this reason, the switching TFT 222c is turned on when the control signal GINIT becomes H level, and causes the driving TFT 230 to function as a diode.

一方、スイッチング用TFT222bの一端(ドレイン)は、給電線237に接続される一方、その他端(ソース)は、TFT222aの一端(ドレイン)及び容量224の他端に夫々接続されている。スイッチング用TFT222bのゲートは、制御線236に接続されている。このため、スイッチング用TFT222bは、制御信号GINITがHレベルとなったときにアクティブな状態になる。   On the other hand, one end (drain) of the switching TFT 222b is connected to the power supply line 237, while the other end (source) is connected to one end (drain) of the TFT 222a and the other end of the capacitor 224, respectively. The gate of the switching TFT 222b is connected to the control line 236. Therefore, the switching TFT 222b becomes active when the control signal GINIT becomes H level.

さらに、TFT222aの他端(ソース)は、データ線L31に接続され、そのゲートは、走査線L36に含まれる書き込み信号線L36aに接続されている。このため、TFT222aは、書き込み選択信号S1がHレベルとなったときにアクティブな状態になり、データ線L31に供給されるデータ信号を容量224の他端に供給する。   Further, the other end (source) of the TFT 222a is connected to the data line L31, and its gate is connected to a write signal line L36a included in the scanning line L36. For this reason, the TFT 222a becomes active when the write selection signal S1 becomes H level, and supplies the data signal supplied to the data line L31 to the other end of the capacitor 224.

単位回路220は、TFT222b及び222cのアクティブな状態及び非アクティブな状態に切り換える切り換え動作を、制御線236に供給される制御信号GINITによって共通に制御する構成としたものである。単位回路220は、第2実施形態と同様に電圧プログラム方式によって有機EL素子229を発光させることができ、さらに、駆動TFT230の閾値電圧のばらつきに依存することなく、有機EL素子229に所要の駆動電流を流すことが可能である。単位回路220においては、駆動TFT230のゲートに印加する電圧を保持させる前に、制御信号GINITがHレベルとしてスイッチング用TFT222b及び222cをアクティブな状態として、蓄積容量224の両端を初期化する。これとともに、駆動TFT230をダイオードとして機能させ、駆動TFT230のゲート電位を駆動TFT230の閾値電圧に応じた値とする。制御信号GINITをLレベルとしてスイッチング用TFT222b及び222cを非アクティブな状態とした後、スイッチング用TFT222aをアクティブ状態として、データ線L31からデータ信号を駆動TFT230のゲート電に電圧として保持させる。有機EL素子229を発光させる際には、駆動TFT230のゲートに、蓄積容量224に保持された電荷の電位に応じて電圧が印加され、有機EL素子229に駆動電流が流れる。有機EL装置200においては、電流供給線L32に静電気が発生し易いため、電流供給線L32に接続されたスイッチングTFT223、駆動トランジスタ230及びデータ線L31に接続されたスイッチング用TFT222aが静電破壊されることを抑制することが重要になる。   The unit circuit 220 is configured to commonly control the switching operation of switching the TFTs 222b and 222c between the active state and the inactive state by the control signal GINIT supplied to the control line 236. Similar to the second embodiment, the unit circuit 220 can cause the organic EL element 229 to emit light by a voltage programming method, and further, the unit circuit 220 can drive the organic EL element 229 without depending on variations in the threshold voltage of the driving TFT 230. It is possible to pass an electric current. In the unit circuit 220, before holding the voltage applied to the gate of the driving TFT 230, the control signal GINIT is set to the H level, the switching TFTs 222b and 222c are activated, and both ends of the storage capacitor 224 are initialized. At the same time, the driving TFT 230 functions as a diode, and the gate potential of the driving TFT 230 is set to a value corresponding to the threshold voltage of the driving TFT 230. After the control signal GINIT is set to L level to make the switching TFTs 222b and 222c inactive, the switching TFT 222a is made active and the data signal from the data line L31 is held as the voltage on the gate power of the driving TFT 230. When the organic EL element 229 emits light, a voltage is applied to the gate of the driving TFT 230 according to the electric potential of the charge held in the storage capacitor 224, and a driving current flows through the organic EL element 229. In the organic EL device 200, since static electricity is likely to be generated in the current supply line L32, the switching TFT 223 connected to the current supply line L32, the driving transistor 230, and the switching TFT 222a connected to the data line L31 are electrostatically destroyed. It is important to suppress this.

(保護回路の構成)
図7を参照しながら、有機EL装置200が備える保護回路211について詳細に説明する。
(Configuration of protection circuit)
The protection circuit 211 provided in the organic EL device 200 will be described in detail with reference to FIG.

図7において、有機EL装置200は、単位回路220及びダミー単位回路228を含む素子形成領域214の周辺領域に設けられた保護回路211を備える。   In FIG. 7, the organic EL device 200 includes a protection circuit 211 provided in a peripheral region of the element formation region 214 including the unit circuit 220 and the dummy unit circuit 228.

本実施形態に係る保護回路211は、素子形成領域214の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域214を挟むように夫々一対ずつ設けられたX側保護回路211a及びY側保護回路211bを含む。なお、保護回路211のうち有機ELパネル210の四隅の一部について詳細に説明する。   The protection circuit 211 according to the present embodiment includes an X-side protection circuit 211 a and a Y-side protection circuit 211 b provided in pairs so as to sandwich the element formation region 214 in a peripheral region located around the element formation region 214. A part of the four corners of the organic EL panel 210 in the protection circuit 211 will be described in detail.

X側保護回路211aは、電流供給線L32の途中に設けられロジック電源配線216及び217と電気的に接続された静電保護回路ESD32と、データ線L31の途中に設けられロジック電源配線216及び217と電気的に接続された静電保護回路ESD31a及びESD31bとを備える。   The X-side protection circuit 211a is provided in the middle of the current supply line L32 and is electrically connected to the logic power supply wirings 216 and 217, and the logic power supply wirings 216 and 217 are provided in the middle of the data line L31. And ESD protection circuits ESD31a and ESD31b electrically connected to each other.

電流供給線L32は、単位回路220に含まれるスイッチング用TFT223のソースと接続され、単位回路220に含まれる有機EL素子229に駆動電流を供給する。データ線L31は、単位回路220にデータ信号を供給するデータ線であり、単位回路220に含まれるスイッチング用TFT222aのソースと接続されている。   The current supply line L32 is connected to the source of the switching TFT 223 included in the unit circuit 220 and supplies a drive current to the organic EL element 229 included in the unit circuit 220. The data line L31 is a data line that supplies a data signal to the unit circuit 220, and is connected to the source of the switching TFT 222a included in the unit circuit 220.

電流供給線L32の途中に設けられた静電保護回路ESD32は、本発明に係る「電流供給線用保護回路」の一例であり、低電位の電源を供給するロジック電源配線217及び高電位の電源を供給するロジック電源配線216と電気的に接続されている。静電保護回路ESD32は、直列接続された2個のダイオードを備えており、第1実施形態及び第3実施形態で説明した静電保護回路と同様に、電流供給線L32に発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線216及び217の一方に放出する。したがって、静電保護回路ESD32によれば、スイッチング用TFT223及び駆動TFT230が静電破壊されることを低減することができる。静電保護回路ESD32は、電流供給線L32から有機EL素子229に供給される駆動電流に対して電気抵抗として機能しないことから有機EL素子229の発光を妨げることがなく、有機EL装置200の画質を低下させることもない。   The electrostatic protection circuit ESD32 provided in the middle of the current supply line L32 is an example of the “current supply line protection circuit” according to the present invention, and includes a logic power supply wiring 217 for supplying a low potential power supply and a high potential power supply. Is electrically connected to a logic power supply wiring 216 for supplying the power. The electrostatic protection circuit ESD32 includes two diodes connected in series, and similarly to the electrostatic protection circuit described in the first and third embodiments, the potential of static electricity generated in the current supply line L32. In response to this, the static electricity is discharged to one of the logic power supply wirings 216 and 217. Therefore, the electrostatic protection circuit ESD32 can reduce the electrostatic breakdown of the switching TFT 223 and the driving TFT 230. Since the electrostatic protection circuit ESD32 does not function as an electric resistance with respect to the drive current supplied from the current supply line L32 to the organic EL element 229, the electrostatic protection circuit ESD32 does not interfere with the light emission of the organic EL element 229 and the image quality of the organic EL device 200 It does not decrease

データ線L31の途中に設けられた静電保護回路ESD31a及びESD31bは、本発明に係る「データ線用保護回路」の夫々一例である。静電保護回路ESD31a及び31bは、夫々ロジック電源配線216及び217に接続されている。静電保護回路ESD31a及び31bの夫々は、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、データ線L31で発生した静電気をロジック電源配線216及び217の一方に放出し、単位回路220に含まれるスイッチング用TFT222aが静電破壊されることを低減することができる。   The electrostatic protection circuits ESD31a and ESD31b provided in the middle of the data line L31 are examples of the “data line protection circuit” according to the present invention. The electrostatic protection circuits ESD 31a and 31b are connected to logic power supply wirings 216 and 217, respectively. Each of the electrostatic protection circuits ESD 31 a and 31 b discharges static electricity generated in the data line L 31 to one of the logic power supply wirings 216 and 217, and is included in the unit circuit 220, as in the first and second embodiments. It is possible to reduce the electrostatic breakdown of the switching TFT 222a.

2つの静電保護回路ESD31a及び31bは、データ線L31の途中であって素子形成領域214の周辺領域においてX方向に沿って延在する電流供給線L32及びY方向に延在するデータ線L31が交差する領域Bを挟み込む位置に設けられている。電流供給線L32及びデータ線L31が交差する領域Bは静電気が蓄積され易い領域であり、2つの静電保護回路ESD31a及びESD31bによれば、この領域に蓄積された静電気をロジック電源配線216或いは217に放出することができ、単位回路220に含まれるスイッチング用TFT223及びスイッチング用TFT222aが静電破壊されることを抑制することが可能である。尚、本実施形態においても、データ線L31の途中に抵抗素子R31a及びR31bが設けられており、単位回路220をより確実に静電気から保護することが可能である。   The two electrostatic protection circuits ESD31a and 31b include a current supply line L32 extending along the X direction and a data line L31 extending in the Y direction in the peripheral region of the element formation region 214 in the middle of the data line L31. It is provided at a position to sandwich the intersecting region B. A region B where the current supply line L32 and the data line L31 intersect is a region where static electricity is likely to be accumulated. According to the two electrostatic protection circuits ESD31a and ESD31b, the static electricity accumulated in this region is converted into the logic power supply wiring 216 or 217. The switching TFT 223 and the switching TFT 222a included in the unit circuit 220 can be prevented from being electrostatically damaged. Also in this embodiment, the resistance elements R31a and R31b are provided in the middle of the data line L31, so that the unit circuit 220 can be more reliably protected from static electricity.

静電保護回路ESD32、ESD31a及びESD31bによれば、有機EL素子229を発光させる際に必要な各種電流の流れを阻害することなく、電流供給線L32及びデータ線L31で発生した静電気から単位回路220を保護することが可能であると共に、有機EL装置200の画質を低下させることもない。   According to the electrostatic protection circuits ESD32, ESD31a and ESD31b, the unit circuit 220 can be formed from static electricity generated in the current supply line L32 and the data line L31 without obstructing the flow of various currents necessary for causing the organic EL element 229 to emit light. Can be protected, and the image quality of the organic EL device 200 is not deteriorated.

Y側保護回路211bは、書き込み選択信号線L36a、選択信号線L36b及びL36cの夫々の途中に設けられロジック電源配線216及び217に電気的に接続された静電保護回路ESD36a1、ESD36a2、ESD36b1、ESD36b2、ESD36c1、ESD36c2、電流供給線L32と素子形成領域214との間に設けられた静電保護回路ESD35、及び低電位側電源線217とダミー単位回路228との間に設けられた静電保護回路ESD34を備える。   The Y-side protection circuit 211b is provided in the middle of each of the write selection signal line L36a and the selection signal lines L36b and L36c, and is electrically connected to the logic power supply wirings 216 and 217. The ESD protection circuit ESD36a1, ESD36a2, ESD36b1, ESD36b2 ESD 36 c 1, ESD 36 c 2, electrostatic protection circuit ESD 35 provided between the current supply line L 32 and the element formation region 214, and electrostatic protection circuit provided between the low-potential-side power supply line 217 and the dummy unit circuit 228. An ESD 34 is provided.

静電保護回路ESD36a1、ESD36a2、ESD36b1、ESD36b2、ESD36c1、ESD36c2は、本発明に係る「走査線用保護回路」の夫々一例である。静電保護回路ESD36a1及び36a2は、書き込み選択信号線L36aで発生した静電気からスイッチング用TFT222aを保護することができる。同様に、静電保護回路ESD36b1、ESD36b2、ESD36c1、ESD36bは、選択信号線L36b及びL36cで発生した静電気をロジック電源配線216及び217の一方に放出する。したがって、静電保護回路ESD36a1、ESD36a2、ESD36b1、ESD36b2、ESD36c1、ESD36c2によれば、単位回路220に含まれる各素子が静電破壊されることを低減することができる。尚、本実施形態においては、走査線L36の途中に抵抗素子R36が設けられており、単位回路220をより確実に静電気から保護することが可能である。   The electrostatic protection circuits ESD36a1, ESD36a2, ESD36b1, ESD36b2, ESD36c1, and ESD36c2 are examples of the “scanning line protection circuit” according to the present invention. The electrostatic protection circuits ESD 36a1 and 36a2 can protect the switching TFT 222a from static electricity generated in the write selection signal line L36a. Similarly, the electrostatic protection circuits ESD36b1, ESD36b2, ESD36c1, and ESD36b discharge static electricity generated in the selection signal lines L36b and L36c to one of the logic power supply wirings 216 and 217. Therefore, the electrostatic protection circuits ESD36a1, ESD36a2, ESD36b1, ESD36b2, ESD36c1, and ESD36c2 can reduce the electrostatic breakdown of each element included in the unit circuit 220. In the present embodiment, the resistance element R36 is provided in the middle of the scanning line L36, so that the unit circuit 220 can be more reliably protected from static electricity.

静電保護回路ESD36a1及びESD36a1は、静電保護回路ESD36a1及びESD36a1の間の書き込み選択信号線L36aと、電流供給線L32とが交差する領域Cを挟むように配置されている。同様に、静電保護回路ESD36b1、ESD36b2、ESD36c1、及びESD36c2も選択信号線L36b及びL36cが交差する領域Cを挟むように配置されている。静電保護回路ESD36a1、ESD36a2、ESD36b1、ESD36b2、ESD36c1、ESD36c2は、電流供給線L32及び走査線L36が交差する領域Cには溜まった静電気に起因する不慮の電圧が単位回路220、或いはダミー単位回路228に印加されないように静電気を逃がすことが可能である。   The electrostatic protection circuits ESD36a1 and ESD36a1 are arranged so as to sandwich a region C where the write selection signal line L36a between the electrostatic protection circuits ESD36a1 and ESD36a1 and the current supply line L32 intersect. Similarly, the electrostatic protection circuits ESD36b1, ESD36b2, ESD36c1, and ESD36c2 are also arranged so as to sandwich the region C where the selection signal lines L36b and L36c intersect. The electrostatic protection circuits ESD36a1, ESD36a2, ESD36b1, ESD36b2, ESD36c1, and ESD36c2 are configured such that an unexpected voltage caused by static electricity accumulated in a region C where the current supply line L32 and the scanning line L36 intersect is a unit circuit 220 or a dummy unit circuit. It is possible to release static electricity so that it is not applied to 228.

低電位のロジック電源配線217と接続された静電保護回路ESD34は、ダミー単位回路228で発生した静電気をロジック電源配線217に放出し、ダミー単位回路228が静電破壊されることを抑制する。尚、ダミー単位回路228及び配線217の間には、図中Y方向に延在する電流供給線L32が延在する。電流供給線L32は、他の配線と比べて太い配線であるうえ、配線が交差した領域には静電気が蓄積され易い。よって、電流供給線L32より素子形成領域214側に静電保護回路ESD34を設けることにより、素子形成領域214に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを抑制することができると共に、ダミー単位回路228で発生した静電気をロジック電源配線216又は217に放出することが可能である。   The electrostatic protection circuit ESD 34 connected to the low-potential logic power supply wiring 217 discharges static electricity generated in the dummy unit circuit 228 to the logic power supply wiring 217 and suppresses the dummy unit circuit 228 from being electrostatically destroyed. A current supply line L32 extending in the Y direction in the drawing extends between the dummy unit circuit 228 and the wiring 217. The current supply line L32 is thicker than other wirings, and static electricity is likely to be accumulated in a region where the wirings intersect. Therefore, by providing the electrostatic protection circuit ESD 34 on the element formation region 214 side from the current supply line L32, it is possible to suppress an unexpected voltage due to static electricity being applied to the element formation region 214. Static electricity generated in the circuit 228 can be discharged to the logic power supply wiring 216 or 217.

本実施形態においては、電流供給線L32は、第2実施形態と同様に素子形成領域214の周辺領域において、電流供給線L32の本線と、この本線から素子形成領域214に延在する支線を含む。したがって、素子形成領域214内で発生した静電気を外部に放出するための電流経路を構成し、素子形成領域214で発生した静電気によって単位回路220が静電破壊されることを抑制することができる。   In the present embodiment, the current supply line L32 includes a main line of the current supply line L32 and a branch line extending from the main line to the element formation region 214 in the peripheral region of the element formation region 214 as in the second embodiment. . Therefore, a current path for discharging static electricity generated in the element formation region 214 to the outside can be configured, and the unit circuit 220 can be prevented from being electrostatically damaged by the static electricity generated in the element formation region 214.

本実施形態に係る保護回路211によれば、第1実施形態及び第2実施形態に係る保護回路と同様に、設計を大きく変更することなく有機ELパネルの静電気に対する耐性を高めることができ、製造プロセスにおける有機ELパネルの歩留まりを向上させることが可能である。さらに有機EL装置の画質を低下させることもないため、製造プロセスにおける歩留まりの向上させること及び画質を低下させないことを両立することができる高品質の有機EL装置を提供することができる。   According to the protection circuit 211 according to the present embodiment, the resistance to static electricity of the organic EL panel can be increased without significantly changing the design, as in the protection circuit according to the first and second embodiments. It is possible to improve the yield of the organic EL panel in the process. Furthermore, since the image quality of the organic EL device is not lowered, it is possible to provide a high-quality organic EL device capable of achieving both improvement in yield in the manufacturing process and reduction in image quality.

[第4実施形態の変形例]
次に、第4実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第3実施形態の各部と同様の要素については図7及び図8と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図18は、第4実施形態を変形した態様に係る有機EL装置200の構成を模式的に示した図である。
[Modification of Fourth Embodiment]
Next, a modification of the fourth embodiment will be described. In addition, you may combine each aspect illustrated below suitably. In addition, among the following aspects, the same elements as those in the third embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 7 and 8, and the description thereof is omitted as appropriate. FIG. 18 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL device 200 according to a modification of the fourth embodiment.

図18において、有機EL装置200は、データ線駆動回路12a、走査線駆動回路12b、及び保護回路211、単位回路220が形成された素子形成領域214を備える。   In FIG. 18, the organic EL device 200 includes a data line driving circuit 12a, a scanning line driving circuit 12b, a protection circuit 211, and an element formation region 214 in which a unit circuit 220 is formed.

また、ロジック電源用配線216及び217は、駆動電源回路73からデータ線駆動回路12a及びに走査線駆動回路12bに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線216は高電位側の電源V2を供給し、ロジック電源配線217は低電位側の電源V3を供給する。また、ロジック電源用配線216及び217は、保護回路211に接続されている。   The logic power supply wirings 216 and 217 supply power from the drive power supply circuit 73 to the data line drive circuit 12a and the scanning line drive circuit 12b. Here, the logic power supply wiring 216 supplies the high potential side power supply V2, and the logic power supply wiring 217 supplies the low potential side power supply V3. The logic power supply wirings 216 and 217 are connected to the protection circuit 211.

単位回路220は、図8と同様に、第1〜第4のスイッチング素子として機能するTFT222a、222b、222c、及び223、駆動TFT230、容量素子として機能する蓄積容量224、有機EL素子229を備えて構成される。   Similarly to FIG. 8, the unit circuit 220 includes TFTs 222a, 222b, 222c and 223 that function as first to fourth switching elements, a driving TFT 230, a storage capacitor 224 that functions as a capacitor, and an organic EL element 229. Composed.

ここで、有機EL素子229は、第1電極と、第2電極と、該第1電極と第2電極との間に挟持された発光層とからなり、第1電極は単位回路220に対応して設けられており、第2電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路220に対して共通に設けられている。単位回路220に設けられた各第1電極は、電流供給線L32及び第1電源配線218を介して、第1電源配線接続端子200により発光電源回路74と接続されている。素子形成領域214に設けられた第2電極は、第2電源配線219を介して、第2電源配線接続端子201により発光電源回路74と接続されている。発光電源回路74は、第1電源配線接続端子200と第2電源配線接続端子201との間に電源を供給する。また、配線237も同様に、第3電源配線接続端子203により発光電源回路74と接続されており、電源VINITが供給されている。ここで、図2と同様に、第1電源配線18は、各色の光を発光する有機EL素子の第1電極(陽極)に夫々電気的に接続される第1電源配線18R、18G、及び18Bを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機EL素子に対応した電流供給線L32を1本のみ図示している。   Here, the organic EL element 229 includes a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode. The first electrode corresponds to the unit circuit 220. The second electrode is provided in common to the plurality of unit circuits 220 provided in a matrix. Each first electrode provided in the unit circuit 220 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 by the first power supply wiring connection terminal 200 via the current supply line L32 and the first power supply wiring 218. The second electrode provided in the element formation region 214 is connected to the light-emitting power supply circuit 74 through the second power supply wiring 219 through the second power supply wiring connection terminal 201. The light emission power supply circuit 74 supplies power between the first power supply wiring connection terminal 200 and the second power supply wiring connection terminal 201. Similarly, the wiring 237 is connected to the light emitting power supply circuit 74 through the third power supply wiring connection terminal 203, and is supplied with the power VINIT. Here, as in FIG. 2, the first power supply wiring 18 is connected to the first electrode (anode) of the organic EL element that emits light of each color, and is connected to the first power supply wiring 18R, 18G, and 18B. In order to simplify the description, only one current supply line L32 corresponding to the organic EL elements of these colors is shown.

本発明に係る発光装置は、「データ線用保護回路」の一例である静電保護回路ESD101を備える。静電保護回路ESD101は、データ線L31に接続されており、電流供給線L32とデータ線L31との間に設けられたダイオードと配線237とデータ線L21との間に設けられたダイオードとからなる。   The light emitting device according to the present invention includes an electrostatic protection circuit ESD101 which is an example of a “data line protection circuit”. The electrostatic protection circuit ESD101 is connected to the data line L31, and includes a diode provided between the current supply line L32 and the data line L31 and a diode provided between the wiring 237 and the data line L21. .

かかる保護回路211によれば、データ線L31で発生した静電気から単位回路220を保護すること可能であり、単位回路220に含まれるスイッチング用トランジスタ222a及び駆動トランジスタ230の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路211は、電流供給線L32と配線237と接続されている。電流供給線L32と配線237に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。   According to the protection circuit 211, the unit circuit 220 can be protected from static electricity generated in the data line L31, and elements such as the switching transistor 222a and the drive transistor 230 included in the unit circuit 220 are electrostatically destroyed. This can be suppressed. Further, the protection circuit 211 is connected to the current supply line L32 and the wiring 237. Since it is discharged to the current supply line L32 and the wiring 237, there is no need to provide a new wiring for discharging static electricity.

尚、図1乃至図18を参照して説明した画素回路の構成の他にも、例えば電圧プログラム型の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を有する有機ELパネル等に対して、本実施形態と同様或いは類似の保護回路を適用することが可能となる。   In addition to the configuration of the pixel circuit described with reference to FIGS. 1 to 18, various types of pixel circuits such as a voltage program type pixel circuit, a voltage comparison type pixel circuit, a subframe type pixel circuit, etc. A protection circuit similar to or similar to that of the present embodiment can be applied to an organic EL panel or the like having the above.

尚、図1乃至図18では、有機EL装置を用いて説明したが、無機EL素子、フィールド・エミッション(FE)素子、表面導電型エミッション(SE)素子、弾道電子放出(BS)素子、LED(Light Emitting Diode)素子など他の自発光素子を利用した発光装置にも本発明は適用される。また、マトリクス状に単位回路が設けられた発光装置について説明したが、1列に単位回路が設けられた発光装置に適用してもよい。さらに、本発明は表示装置に限定されるものではなく、光書き込み型のプリンタや電子複写機の書き込みヘッド(ラインヘッド)などの発光装置にも実施形態と同様に本発明が適用される。   1 to 18, the organic EL device has been described. However, an inorganic EL element, a field emission (FE) element, a surface conduction emission (SE) element, a ballistic electron emission (BS) element, an LED ( The present invention is also applied to a light-emitting device using other self-light-emitting elements such as light-emitting diode) elements. Further, although the light-emitting device in which unit circuits are provided in a matrix is described, the present invention may be applied to a light-emitting device in which unit circuits are provided in one column. Further, the present invention is not limited to the display device, and the present invention is also applied to a light emitting device such as an optical writing type printer or a writing head (line head) of an electronic copying machine as in the embodiment.

(電子機器)
次に、上述した有機EL装置が搭載された各種電子機器について説明する。以下で説明する各種電子機器は、第1実施形態から第3実施形態に係る電気光学パネルの保護回路のうち何れかの保護回路を含む。
(Electronics)
Next, various electronic devices equipped with the above-described organic EL device will be described. Various electronic devices described below include any protection circuit among the protection circuits for the electro-optical panel according to the first to third embodiments.

<A:モバイル型コンピュータ>
モバイル型のパーソナルコンピュータに、上述した有機EL装置を適用した例について、図9を参照しながら説明する。図9は、コンピュータ1200の構成を示す斜視図である。
<A: Mobile computer>
An example in which the above-described organic EL device is applied to a mobile personal computer will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a perspective view showing the configuration of the computer 1200.

図9において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、図示しない有機EL装置を用いて構成された表示部1005を有する表示ユニット1206とを備えている。表示部1005は、製造プロセスで発生した静電気による各素子の静電破壊が低減されており、装置全体の信頼性も高められている。さらに、高品質の画像を表示することができる。また、表示部1005が備える複数の有機EL装置に赤、緑、青の光の三原色の光を発光する有機EL素子を形成しておくことによって、該表示部1005はフルカラー表示で画像表示を行うことができる。   In FIG. 9, a computer 1200 includes a main body 1204 including a keyboard 1202 and a display unit 1206 having a display unit 1005 configured using an organic EL device (not shown). In the display portion 1005, electrostatic breakdown of each element due to static electricity generated in the manufacturing process is reduced, and the reliability of the entire device is also improved. Furthermore, a high quality image can be displayed. Further, by forming organic EL elements that emit light of the three primary colors of red, green, and blue in a plurality of organic EL devices included in the display unit 1005, the display unit 1005 displays an image in full color display. be able to.

<B:携帯型電話機>
更に、上述した有機EL装置を携帯型電話機に適用した例について、図10を参照して説明する。図10は、携帯型電話機1300の構成を示す斜視図である。
<B: Mobile phone>
Further, an example in which the above-described organic EL device is applied to a mobile phone will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone 1300.

図10において、携帯型電話機1300は、複数の操作ボタン1302と共に、本発明の一実施形態である有機EL装置を有する表示部1305を備えるものである。   In FIG. 10, a mobile phone 1300 includes a display unit 1305 having an organic EL device according to an embodiment of the present invention, together with a plurality of operation buttons 1302.

表示部1305は、上述の表示部1005と同様に高品質の画像を表示することができると共に信頼性が高められている。表示部1305が備える有機ELパネルの歩留まりが向上していることから、携帯型電話機1300全体の価格が抑制できると共に、携帯型電話機1300の耐久性も高められている。また、表示部1305が備える複数の有機EL素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部1305はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。   The display unit 1305 can display a high-quality image in the same manner as the display unit 1005 described above, and has high reliability. Since the yield of the organic EL panel included in the display portion 1305 is improved, the price of the entire mobile phone 1300 can be suppressed and the durability of the mobile phone 1300 is also improved. In addition, the plurality of organic EL elements included in the display portion 1305 emit light of the three primary colors of red, green, and blue, so that the display portion 1305 can perform image display in full color display.

尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機EL素子の製造方法及び有機EL素子並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. A device manufacturing method, an organic EL device, and an electronic device are also included in the technical scope of the present invention.

本発明の第1実施形態に係る有機EL装置の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る有機EL装置の保護回路及び単位回路の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the protection circuit and unit circuit of the organic electroluminescent apparatus which concern on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL装置が備える単位回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the unit circuit with which the organic EL apparatus concerning 3rd Embodiment of this invention is provided. 本発明の第3実施形態に係る有機EL装置の保護回路を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the protection circuit of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明に係る発光装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明の第3実施形態のデータ線及び電流供給線間に接続された保護ダイオードの一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the protection diode connected between the data line and current supply line of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係る有機EL装置が備える単位回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the unit circuit with which the organic EL apparatus concerning 4th Embodiment of this invention is provided. 本発明の第4実施形態に係る有機EL装置の保護回路を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the protection circuit of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の他の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other example of the electronic device which concerns on this invention. 本発明の第1実施形態に係る有機EL装置の保護回路、駆動回路及び単位回路の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the protection circuit of the organic EL apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention, a drive circuit, and a unit circuit. 第2実施形態に係る有機EL装置の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2実施形態の変形例1に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic EL apparatus 1 which concerns on the modification 1 of 2nd Embodiment. 第2実施形態の変形例2に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus 1 which concerns on the modification 2 of 2nd Embodiment. 第2実施形態の変形例3に係る有機EL装置1の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus 1 which concerns on the modification 3 of 2nd Embodiment. 第3実施形態を変形した態様に係る有機EL装置100の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus 100 which concerns on the aspect which deform | transformed 3rd Embodiment. 第3実施形態を変形した態様に係る有機EL装置100の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus 100 which concerns on the aspect which deform | transformed 3rd Embodiment. 第4実施形態を変形した態様に係る有機EL装置200の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the organic electroluminescent apparatus 200 which concerns on the aspect which deform | transformed 4th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10,110,210…有機ELパネル、11,111,211…保護回路、14,114,214…素子形成領域、20,120,220…単位回路。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,110,210 ... Organic EL panel, 11, 111, 211 ... Protection circuit, 14, 114, 214 ... Element formation area, 20, 120, 220 ... Unit circuit.

Claims (5)

単位回路と、
前記単位回路が複数配置された領域の外側に配置されたダミー単位回路と、を有し、
前記単位回路は、
第1電極と第2電極とを有する発光素子と、
第1の電源線と前記発光素子との間にソースとドレインが接続された第1のトランジスタと、
データ線と前記第1のトランジスタのゲートとの間にソースとドレインが接続された第2のトランジスタと、
を備え、
前記ダミー単位回路は、
第2の電源線にソースまたはドレインの一方が接続された第3のトランジスタと、
第3の電源線と前記第3のトランジスタのゲートとの間にソースとドレインが接続された第4のトランジスタと、
第2の発光素子と、
を備え、
前記第2のトランジスタのゲート及び前記第4のトランジスタのゲートには、走査線が接続されており、
前記第2の電源線と前記第3の電源線とには、同じ電位が供給されており、
前記第3のトランジスタの前記ソースまたはドレインの他方が前記第2の発光素子に接続されているか、または、前記第3のトランジスタの前記ソースまたはドレインの他方が前記第2の発光素子に接続されていないことを特徴とする発光装置。
A unit circuit;
A dummy unit circuit disposed outside a region where a plurality of the unit circuits are disposed,
The unit circuit is
A light emitting device having a first electrode and a second electrode;
A first transistor having a source and a drain connected between a first power line and the light emitting element;
A second transistor having a source and a drain connected between a data line and the gate of the first transistor;
With
The dummy unit circuit is:
A third transistor having one of a source and a drain connected to the second power supply line;
A fourth transistor having a source and a drain connected between a third power supply line and the gate of the third transistor;
A second light emitting element;
With
A scanning line is connected to the gate of the second transistor and the gate of the fourth transistor,
The same potential is supplied to the second power supply line and the third power supply line ,
The other of the source and the drain of the third transistor is connected to the second light emitting element, or the other of the source and the drain of the third transistor is connected to the second light emitting element. There is no light emitting device.
前記データ線と前記第1の電源線と前記第2の電源線と前記第3の電源線とは、それぞれ静電保護回路が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein an electrostatic protection circuit is connected to each of the data line, the first power supply line, the second power supply line, and the third power supply line. . 前記静電保護回路は、前記データ線と前記第1の電源線と前記第2の電源線と前記第3の電源線とのいずれかに一方側が接続された第1のダイオードと第2のダイオードとを備え、
前記第1のダイオードは、他方側が第1の電位の第4の電源線に接続され、
前記第2のダイオードは、他方側が前記第1の電位より高電位の第5の電源線に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
The electrostatic protection circuit includes a first diode and a second diode, one side of which is connected to any one of the data line, the first power line, the second power line, and the third power line. And
The other side of the first diode is connected to a fourth power supply line having a first potential,
3. The light emitting device according to claim 2, wherein the second diode has the other side connected to a fifth power supply line having a higher potential than the first potential.
前記第4のトランジスタのゲートは、第6の電源線に接続され、
前記第6の電源線に前記第1の電位が供給されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
A gate of the fourth transistor is connected to a sixth power line;
The light emitting device according to claim 3, wherein the first potential is supplied to the sixth power supply line.
請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising: a light-emitting device according to any one of claims 1 to 4.
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