JP5194950B2 - 発光性組成物 - Google Patents
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発光性組成物として無機材料は一般に熱的に安定で、硫化亜鉛、硫化セレン等の無機半導体、あるいはバリウムアルミニウム酸化物、ガーネット系酸化物、等の無機蛍光体など多くの物質が盛んに利用されている。一方、金属錯体を含む各種有機材料は、熱的には不利であるが、一般に蒸着が容易または溶媒に溶解して塗布できるなどの加工性に優れ、また分子設計の多様性により発光波長等の性質を調整しやすいなどの性質から有機EL素子等に用いる発光性組成物として研究されてきた。
<1> 少なくともホストとゲストからなる発光性の組成物であって、該ホストがダイヤモンドライク物質からなることを特徴とする組成物。
<2> 前記ダイヤモンドライク物質がナノダイヤモンドである<1>記載の組成物。
<3> 前記ダイヤモンドライク物質が高次ダイヤモンドイドである<1>または<2>に記載の組成物。
<4> 前記ゲストが燐光発光性化合物である<1>〜<3>のいずれかに記載の組成物。
<5> 前記ゲストが燐光発光性化合物が金属錯体を含む<4>記載の組成物。
<6> 前記ゲストが蛍光発光性化合物である<1>〜<3>のいずれかに記載の組成物。
<7> 前記ゲストが蛍光発光性化合物が高分子を含む<6>記載の組成物。
<8> 前記ゲストが蛍光発光性化合物が共役系高分子を含む<7>記載の組成物。
<9> <1>〜<8>のいずれかに記載の組成物からなることを特徴とする発光性薄膜。
<10> <9>記載の発光性薄膜を含有することを特徴とする発光素子。
<11> <1>、<2>、<4>〜<9>のいずれか一項に記載の組成物の製造方法であって、ナノダイヤモンドを含む溶液と金属錯体を含む溶液を混合することを特徴とする組成物の製造方法。
本発明者はダイヤモンドライク物質をホストとしこれにゲストとして比較的少量の発光性の有機材料を混合することにより、加工性がありかつ熱安定性および熱伝導性に優れる組成物が得られることを見出し本発明に達したのである。
まず、本発明でホストとして使用するダイヤモンドライク物質について説明する。ダイヤモンドライク物質として公知のものから適宜選択して使用できるが、加工性の点でナノダイヤモンド、ダイヤモンドイドが好ましく、ナノダイヤモンドが特に好ましい。ダイヤモンドイドとしては高次のものが好適に使用できる。具体的には、アダマンタン化合物、ダイヤマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン、ペンタマンタン、ヘキサマンタン、ヘプタマンタン、オクタマンタン、およびこれらの誘導体が挙げられるが、一般に高次のダイヤモンドイドが好ましい。ナノダイヤモンドは、溶液に分散できる極めて微粒のダイヤモンド粒子を表し、その一次粒径は少なくとも100nm以下1nm以上が好ましく、50nm以下2nm以上がより好ましく、30nm以下2nm以上がさらに好ましく、10nm以下3nm以上が特に好ましい。ナノダイヤモンドは通常爆発法によって製造できる。
特にナノダイヤモンドの場合は、水またはアルコール類に良好に分散するものが知られており、これらの分散液にゲスト、副成分を含む溶液を混合し、水および溶媒を除去することによって組成物が好適に得られる。この時、水またはアルコールと相分離しにくい溶媒を用いることが好ましい。
また別の好適な基本構成の一つは、陽極及び陰る極からなる電極間の少なくともある部位に本発明の組成物を含むが、通常本発明の発光性薄膜を発光層として含む事が好ましい。また、この場合発光効率、耐久性等の性能を上げるために、他の機能を有する公知の層を一つ以上含んでいても良い。このような層としては、例えば電荷輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)、電荷素子層(正孔素子層、電子素子層)、電荷注入層、バッファ層等を挙げる事が出来る
次に、本発明の発光素子の一実施態様として、有機EL素子の実施形態について、より具体的に説明する。
有機EL素子は、陽極、発光層及び陰極を必須に有するのに加えて、前記陽極と前記発光層との間、及び/又は前記発光層と前記陰極との間にさらに発光層や発光層とは異なる他の層を有することができる。
陰極と発光層の間に設け得る層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。電子注入層及び電子輸送層の両方が設けられる場合、陰極に近い層が電子注入層となり、発光層に近い層が電子輸送層となる。
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層であり、電子輸送層は、陰極、電子注入層又は陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。また、電子注入層、若しくは電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
b)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
c)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
e)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
f)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
i)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極
k)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
l)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極
n)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
o)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
当該電極を構成する材料としては、例えば、酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどが挙げられる。
(基板)
有機EL素子の陽極としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給性の観点から、かかる陽極の発光層側表面の仕事関数が4.0eV以上であることが好ましい。
かかる陽極の材料としては、具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、金、白金、銀、銅、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と発光層との間に設けることができる。正孔注入層を形成する材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N‐ビニルカルバゾール)誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらを含む重合体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボンが挙げられる。
正孔注入層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔注入材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔注入材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。
正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N‐ビニルカルバゾール)誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。
電子輸送層および正孔ブロック層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8‐キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、などが挙げられる。
電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、電子輸送層および正孔ブロック層で用いることができる材料として列記した材料も電子注入層で用いることができる。電子注入層は、2層以上を積層したものであってもよい。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等により形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
本発明の高分子発光素子が任意に有しうる、膜厚2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。
ナノダイヤモンドを5%含む水分散液(ナノ炭素研究所製、NanoAmando(登録商標))1重量部に対して、下記燐光発光性のイリジウム錯体(MC-1)の0.05重量%テトラヒドロフラン溶液1重量部を混合し、10μlをガラス上に滴下して乾燥し薄い膜を作成した。該膜に水銀灯の365nmの光を照射したところイリジウム錯体由来の緑色発光を観測できた。
燐光発光性のイリジウム錯体(MC-1)の0.05重量%テトラヒドロフラン溶液の替わりに下記高分子(P-3)の0.05%テトラヒドロフラン溶液を用いる他は実施例1と同様の実験を行った。高分子由来の青色発光を観測できた。
Claims (9)
- 少なくともホストとゲストからなる発光性の組成物であって、該ホストがダイヤモンドライク物質からなり、前記ダイヤモンドライク物質がナノダイヤモンドであることを特徴とする組成物。
- 前記ゲストが燐光発光性化合物である請求項1に記載の組成物。
- 前記ゲストが燐光発光性化合物が金属錯体を含む請求項2記載の組成物。
- 前記ゲストが蛍光発光性化合物である請求項1に記載の組成物。
- 前記ゲストが蛍光発光性化合物が高分子を含む請求項4記載の組成物。
- 前記ゲストが蛍光発光性化合物が共役系高分子を含む請求項5記載の組成物。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物からなることを特徴とする発光性薄膜。
- 請求項7記載の発光性薄膜を含有することを特徴とする発光素子。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物の製造方法であって、ナノダイヤモンドを含む溶液と金属錯体を含む溶液を混合することを特徴とする組成物の製造方法。
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