JP5194715B2 - レベルシフト回路およびこれを用いたdc−dcコンバータ - Google Patents
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Description
503は接地電位となり、ブートコンデンサ(Cboot)502は電源VDDからブートダイオード(Dboot)513を介して充電される。また、スイッチング素子MH(HサイドNMOS)505がオンかつスイッチング素子ML(LサイドNMOS)510がオフになると、Hサイドの低レベル電位(基準電位)のVsw503が入力電源Vin506とほぼ同電位となるため、Hサイドの高レベル電位のVboot501は入力電源Vin506よりも高い電位となり、上述したHサイドのドライバ504の駆動電源となる。ここで、Hサイドの高レベル電位のVboot501は、レベルシフト回路(図4)のラッチ回路40における高レベル電位(V2H)5と同じものであり、Hサイドの低レベル電位のVsw503は、レベルシフト回路(図4)のラッチ回路40における低レベル電位(V2L)6と同じものである。
また、前記レベルシフト回路において、前記低インピーダンス節点は、前記第2の電位系で使用される1対の電源線のうち、いずれか片方の電源線上の点であることを特徴とする。
(実施形態1)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るレベルシフト回路の構成を示す回路図である。同図において、図4(従来例)と重複する部分には同一の符号を附す。
、抵抗43、44を有し、インバータ41、42の入出力を相互に抵抗43、44を介して接続して成るラッチ回路100を備え、インバータ41、42は、高電位系(即ち、電源電位であるV2H5とV2L6の間)で動作するように構成されている。またインバータ41の入力は、低電位系からラッチ回路100を駆動するためのMOSFET20のドレインに接続され、またインバータ42の入力は、低電位系からラッチ回路100を駆動するためのMOSFET30のドレインに接続されている。またMOSFET20、30をスイッチ動作させるためにそのゲートにパルス生成回路10(トリガ手段)の出力端子(OUT1、OUT2)が接続されている。
,52を接続しても、上記回路と同様の効果が得られる。
図2は、本発明の第2の実施形態に係るレベルシフト回路の構成を示す回路図である。同図において、図4(従来例)と重複する部分には同一の符号を附す。
図3は、本発明の第3の実施形態に係るレベルシフト回路の構成を示す回路図である。同図において、図4(従来例)と重複する部分には同一の符号を附す。
の入力端子との間を接続する抵抗(R2)44に対しても容量(C)56を並列接続することにより、ノイズを容量(C)55,56に吸収させることが可能となり(観点を変えれば、インバータ41,42を構成するMOSFETのゲート容量と寄生容量(Cp) 61,62による分圧比が、容量(C)55,56によりノイズの影響が小さくなるよう調整されて)、ラッチ回路300の誤動作を防止することができる。
20,30 MOSFET
100,200,300 ラッチ回路
41、42 インバータ
43、44 帰還抵抗
51〜56 容量
Claims (6)
- 第1の電位系から前記第1の電位系の基準電位とは異なる基準電位で動作する第2の電位系に論理値信号を伝達するレベルシフト回路において、
前記第1の電位系は、入力信号を受けてパルス信号を出力するパルス生成回路と、前記パルス信号を受けて前記第2の電位系に信号を伝達する2つのMOSFETと、を備え、
前記第2の電位系は、前記第1の電位系の基準電位よりも高い基準電位で動作する2個のインバータを抵抗を介して環状に接続して成るラッチ回路を備えて構成され、
前記第2の電位系における信号受信点と、当該第2の電位系の基準電位と同様に変化する低インピーダンス節点との間に容量を接続したことを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記信号受信点は、前記MOSFETのドレインを前記インバータの入力に接続する接続配線上の点であることを特徴とする請求項1記載のレベルシフト回路。
- 前記低インピーダンス節点は、前記第2の電位系で使用される1対の電源線のうち、いずれか片方の電源線上の点であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のレベルシフト回路。
- 前記低インピーダンス節点は、前記MOSFETのドレイン出力が入力される前記インバータの出力を伝達する回路配線上の点であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のレベルシフト回路。
- 前記容量の1つは、前記2個のインバータにおいて、前段インバータの出力端子と後段インバータの入力端子との間に接続された前記抵抗の1つに並列に接続され、前記容量の他の1つは、前記前段インバータの入力端子と前記後段インバータの出力端子との間に接続された前記抵抗の他の1つに並列に接続されることを特徴とする請求項1記載のレベルシフト回路。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレベルシフト回路を使用したHサイドNチヤネルMOSFET構成のDC−DCコンバータ。
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