JP5181380B1 - 光学多層膜 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 146
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 134
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
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Abstract
【課題】高い環境温度において照射される青色レーザを含む紫外域の光に対して高い耐性を付与する光学多層膜を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に形成された光学多層膜であって、該光学多層膜のそれぞれの層は酸化物または酸窒化物から形成され、隣接する層は屈折率の異なる材料から形成され、酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は−０．９ボルト以下であり、該基板に接する第１の層の厚さは１０ナノメータ以上で、該基板の材料と第１の層を形成する材料との波長４００ナノメータにおける屈折率の差は０．２以下であり、隣接する層を形成する２種類の材料の波長４００ナノメータにおける屈折率の差が０．４５以下であり、該光学多層膜の全体の厚さが３０００ナノメータ以下であるように構成された光学多層膜である。
【選択図】図１
【解決手段】プラスチック基板上に形成された光学多層膜であって、該光学多層膜のそれぞれの層は酸化物または酸窒化物から形成され、隣接する層は屈折率の異なる材料から形成され、酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は−０．９ボルト以下であり、該基板に接する第１の層の厚さは１０ナノメータ以上で、該基板の材料と第１の層を形成する材料との波長４００ナノメータにおける屈折率の差は０．２以下であり、隣接する層を形成する２種類の材料の波長４００ナノメータにおける屈折率の差が０．４５以下であり、該光学多層膜の全体の厚さが３０００ナノメータ以下であるように構成された光学多層膜である。
【選択図】図１
Description
本発明は、高い環境温度において照射される青色レーザを含む紫外域の光に対して高い耐性を付与する光学多層膜に関する。
一般的に、プラスチックは、３００ナノメータ未満の波長の光に対しては、透過率が著しく低下するので光学素子の材料として使用することができない。また、４５０ナノメータを超える波長の光に対しては、光によるプラスチックの劣化は小さく問題とならない。そこで、波長が３００ナノメータから４５０ナノメータの光に対するプラスチックの耐性が重要な問題となる。本明細書において、波長が３００ナノメータから４５０ナノメータの光を青色レーザを含む紫外域の光とも呼称する。
プラスチックは、波長が３００ナノメータから４５０ナノメータの光による損傷を受けやすく、光に対する耐性が低い。そこで、従来、青色レーザを含む紫外域の光を使用する光学装置においては、ガラスから構成される光学素子が主に使用されていた。
他方、光学装置に使用される光学素子の表面に、反射防止などを目的とした光学多層膜が形成されることが多い。そこで、プラスチックからなる基板上に青色レーザを含む紫外域の光に対する耐性を付与する光学多層膜を備えた光学素子を製造する方法が開発されている（特許4178190号）。しかし、高い環境温度において照射される青色レーザを含む紫外域の光に対して高い耐性を付与する光学多層膜は開発されていない。
したがって、高い環境温度において照射される青色レーザを含む紫外域の光に対して高い耐性を付与する光学多層膜に対するニーズがある。
本発明の第１の態様による光学多層膜は、プラスチック基板上に形成された光学多層膜であって、該光学多層膜のそれぞれの層は酸化物または酸窒化物から形成され、隣接する層は屈折率の異なる材料から形成され、酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は−０．９ボルト以下であり、該基板に接する第１の層の厚さは１０ナノメータ以上で、該基板の材料と第１の層を形成する材料との波長４００ナノメータにおける屈折率の差は０．２以下であり、隣接する層を形成する２種類の材料の波長４００ナノメータにおける屈折率の差が０．４５以下であり、該光学多層膜の全体の厚さが３０００ナノメータ以下であるように構成された光学多層膜である。
本態様による光学多層膜によれば、青色レーザを含む紫外域の光による化学反応を抑えることができ、光学素子の青色レーザを含む紫外域の光に対する耐性を向上させることができる。
本発明の第１の態様の第１の実施形態による光学多層膜は、光学多層膜を形成する材料のうち最も屈折率が高い材料が、アルミニウム、ランタン、ガドリニウム、ジルコニウム、カルシウム、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、マグネシウム、ニオブ、スカンジウム、イットリウム及びイッテルビウムのいずれかを含む。
本発明の第１の態様の第２の実施形態による光学多層膜は、前記第１の層を形成する材料が、ケイ素またはアルミニウムを含む。
本発明の第１の態様の第３の実施形態による光学多層膜は、２種類の材料から形成されている。
本発明の第１の態様の第４の実施形態による光学多層膜は、３種類の材料から形成されている。
本発明の第１の態様の第５の実施形態による光学多層膜は、全体の厚さが２４０ナノメータ以上であるように構成されている。
本発明の第２の態様による光学多層膜は、プラスチック基板上に形成された光学多層膜であって、該光学多層膜のそれぞれの層は酸化物または酸窒化物から形成され、隣接する層は屈折率の異なる材料から形成され、酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は−０．９ボルト以下であり、該基板に接する第１の層の厚さは１０ナノメータ以上で、該基板の材料と第１の層を形成する材料との波長４００ナノメータにおける屈折率の差は０．２以下であり、隣接する層を形成する２種類の材料の波長４００ナノメータにおける屈折率の差が０．４５以下であり、該光学多層膜の全体の厚さが３０００ナノメータ以下であるように構成され、７５℃の環境温度において照射される３００乃至４５０ナノメータの波長の光に対する耐性を付与する光学多層膜である。
本態様による光学多層膜によれば、光学素子に、７５℃の環境温度において照射される３００乃至４５０ナノメータの波長の光に対する耐性を付与することができる。
図１は、基板上に形成された光学多層膜の構成を示す図である。プラスチックの基板１０１上に２種類以上の材料から構成される複数の層１０３、１０５、１０７、１０９及び１１１が形成される。屈折率の異なる２種類以上の材料を使用する光学多層膜によって光の干渉が生じる。この光の干渉を利用して、光学多層膜の透過率または反射率を適切に制御して反射防止用光学多層膜、光学フィルタ用光学多層膜、反射用光学多層膜などを実現することができる。
図１において、光学多層膜の層の数はＬ個である。層の数の決め方については後で説明する。一般的に、光学素子に使用されるこのような光学多層膜の全体の厚さは、３０００ナノメータ以下であれば、光学多層膜が形成される光学素子の他の光学特性への影響は問題とならない。
図２は、本発明の一実施形態による反射防止用光学多層膜の設計方法を説明するための流れ図である。本実施形態において反射防止用光学多層膜を例として説明するが、光学フィルタ用光学多層膜、反射用光学多層膜などについても同様に設計することができる。
図２のステップＳ０１０において、複数の材料の種類を定める。材料の種類の定め方については後で説明する。
図２のステップＳ０２０において、反射防止機能を満足するように各層の厚さ及び層数を定める。
図１において、基板１０１の屈折率をｎ（ｓ）、層１０３の屈折率をｎ（１）、層１０５の屈折率をｎ（２）とし、一般的に基板側からｊ番目の層の屈折率をｎ（ｊ）とする。また、基板側からｊ番目の層の厚さをｄ（ｊ）とする。光学多層膜に対して波長λの光を入射角度θで入射した場合の光学特性は以下の特性マトリクスで表すことができる。図１において、光学多層膜の入射光、反射光及び透過光をＩ、Ｒ及びＴで示す。
M＝M(L)・M(L-1)・・・M(j )・・・M1
Mは2×2のマトリクスであり、各層のマトリクスも2×2のマトリクスとなる。ここでM(j )はj 層目のマトリクスを意味し、
と表すことができる。ここで、
δ(j )=(2π/λ)・(n(j )・d(j )・cosθ(ｊ )
である。Ｌは、上述のように光学多層膜の層数である。ただし、
λ： 入射光の波長
ｎ（ｓ）： 基板の屈折率
ｎ（ｍ）： 媒質の屈折率
ｎ（ｊ）： ｊ層の材料の屈折率
ｄ（ｊ）： ｊ層の膜厚
θ（ｊ）： ｊ層への光の入射角
とする。
Mは2×2のマトリクスであり、各層のマトリクスも2×2のマトリクスとなる。ここでM(j )はj 層目のマトリクスを意味し、
δ(j )=(2π/λ)・(n(j )・d(j )・cosθ(ｊ )
である。Ｌは、上述のように光学多層膜の層数である。ただし、
λ： 入射光の波長
ｎ（ｓ）： 基板の屈折率
ｎ（ｍ）： 媒質の屈折率
ｎ（ｊ）： ｊ層の材料の屈折率
ｄ（ｊ）： ｊ層の膜厚
θ（ｊ）： ｊ層への光の入射角
とする。
また、この時の反射率(R)および透過率(T)は以下の式で求めることができる。
ここで、光学多層膜を設計する際には使用する波長と光の入射角度、および光学特性仕様(反射率、透過率)は要求仕様で決まる。そこで、光学多層膜の設計では上記の理論を基にして、要求仕様から要求光学特性(反射率、透過率) を満足するように各層を構成する複数の材料の種類を定め、各層の厚さ及び層数を求める。
上記の反射率の式から明らかなように、反射防止用光学多層膜の反射率を小さくするには屈折率の異なる２種類の層を交互に重ねるのが構造の簡単さから有利である。
図２のステップＳ０３０において、反射防止機能は満足されるかどうか判断する。満足されればステップＳ０４０に進む。満足されていなければ、ステップＳ０１０に戻る。
図２のステップＳ０４０において、青色レーザを含む紫外域のレーザに対して所定の耐性を有するように層数などを調整する。
本発明による光学多層膜は、青色レーザを含む紫外域のレーザに対して所定の耐性を有するように形成する。したがって、所望の反射防止機能を有することに加えて、青色レーザを含む紫外域のレーザに対して所定の耐性を有するように光学多層膜を形成する必要がある。
一般的に、反射防止用光学多層膜において、光学多層膜の種類を定めて層数を増加しても設計の最適化を行うことにより反射防止機能には著しい影響を及ぼさない。また、レーザ耐性は、反射防止用光学多層膜の全体の厚さ（総膜厚）が大きいほど向上する。したがって、層数を増加することによってレーザ耐性を増加させることができる。
図２のステップＳ０５０において、成膜条件を定め成膜を実施する。成膜方法については後で説明する。
図２のステップＳ０６０において、レーザ耐性は満足されるかどうか判断する。レーザ耐性が満足されれば処理を終了する。レーザ耐性が満足されなければステップＳ０１０に戻る。レーザ耐性が満足されるかどうかは、実際にレーザ照射試験を行ってレーザ照射前後の透過波面収差の変化量を測定により求めてもよい。あるいは、層を構成する材料の種類及び厚さを変化させた種々の標準的な光学多層膜を定めて予めレーザ照射前後の透過波面収差の変化量を測定しておき、これらの測定値から推定するようにしてもよい。
ここで、成膜方法、すなわち、多層膜の形成方法について説明する。多層膜は、イオンプレーティング法やスパッタリング法などの真空薄膜形成法により形成するのが好ましい。真空薄膜形成法により形成された多層膜は緻密性が高く、光に対する耐性も向上する。本明細書では一例としてイオンプレーティング法について説明する。なお、多層膜は、同じ性質を有するものであれば他の製法で製造してもよい。
図３は、イオンプレーティング法を実施するためのイオンプレーティング装置の構成を示す図である。イオンプレーティング装置は、たとえば、特公平１-４８３４７号に開示されている。真空チャンバ４１２内に、基材４０８を支持する導電性部材からなる基材ホルダ４０７と、絶縁部材を介して基材ホルダを支持する導電性部材からなる支持部材とによりコンデンサ４０６が構成される。
真空チャンバ４１２と基材ホルダ４０７との間には、ブロッキングコンデンサ４０３およびマッチングボックス４０２を介して高周波電源４０１が接続され、高周波電圧が供給されている。真空チャンバ４１２と基材ホルダ４０７との間には、基材ホルダ４０７側が陰極となるように、チョークコイル４０５を介して直流電源４０４が接続され、直流バイアス電圧が供給されている。一例として、高周波電源４０１の出力は、５００Ｗ、直流電源４０４の電圧は、１００Ｖである。
高周波電源４０１の出力は、３００−９００Ｗであるのが好ましい。この範囲で、出力の値を調整することにより、膜の緻密性を高めることができる。
コンデンサ４０６が、チャンバ４１２内に高周波電圧を供給する高周波電源４０１に接続されたマッチングボックス４０２とともに動作してマッチングを行うようにすることにより、抵抗加熱ボード４１０上の蒸発材料４０９と基材４０８との間に安定した電界を形成し維持することができる。この結果、基材４０８の表面に、高純度・高密度・高密着な薄膜を成膜することができる。
抵抗加熱ボード４１０を含むるつぼの下部には、電子ビーム加熱のための電子銃４１０１が設置されている。
また、成膜の際、真空チャンバ４１２内に、図示しないバルブにより酸素やアルゴンなどの雰囲気ガスを導入する。一例として酸素を導入する場合に、酸素導入圧力設定とは、チャンバの酸素圧力の設定である。酸素分圧値は3.0×10-3〜5.0×10-2Paの範囲内であるのが好ましい。酸素分圧値を上記の範囲で調整することにより、後に説明する光学素子の光透過率変化量を適切な値とすることができる。真空チャンバ４１２内のガスは、排気口４１１から排気される。
複数種類の蒸発材料４０９をプラスチックの基板４０８上に順次成膜させることにより多層膜を形成する。成膜の際に、高周波電圧及び雰囲気ガス圧力を適切に設定することにより緻密性の高い膜を形成することができる。雰囲気ガス圧力の設定値については後で具体的に示す。
ここで、多層膜を構成する複数の材料の種類の定め方について説明する。本願は発明者の新たな知見によれば、多層膜を構成する複数の材料の性質、特に屈折率により多層膜の青色レーザを含む紫外域の光に対する耐性が大きく変化する。したがって、多層膜を構成する複数の材料の性質、特に屈折率を考慮しながら、多層膜の青色レーザを含む紫外域の光に対する耐性をできるだけ大きくするように多層膜を構成する複数の材料の種類を定める。このように、本願発明者は、多層膜の反射率や透過率などの光学的特性の観点からではなく、多層膜の光に対する耐性の観点から多層膜を構成する材料の屈折率に着目したものであり、この点において上記の本願発明者による知見は、全く新たなものである。
表１乃至１１は、反射防止機能を有するように、隣接する層が屈折率の異なる材料から形成された光学多層膜１乃至１１の構成及び代表的な成膜条件を示す表である。光学多層膜２の基板は、ガラスである。その他の１０個の光学多層膜の基板は、プラスチック（シクロオレフィンポリマー）である。光学多層膜１乃至８は、屈折率の異なる２種類の材料の層を交互に重ねた構造を有する。光学多層膜９乃至１１は、３種類の材料の層を重ねた構造を有する。光学多層膜１乃至１１において、最も低い屈折率の材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。最も低い屈折率の材料としては、二酸化ケイ素の代わりに一酸化ケイ素または、ＳｉｘＡｌｙＯｚ（ｘ、ｙ、ｚは正の数）などの二酸化ケイ素を含む混合材料を使用してもよい。
表１乃至１１において、屈折率は波長４００ｎｍにおけるものであり、１．５未満を低屈折率、１．５以上かつ１．９未満を中屈折率、１．９以上を高屈折率に分類した。基板の材料であるガラスの屈折率は、波長４００ｎｍにおいて１．５２であり、基板の材料であるシクロオレフィンポリマーの屈折率は、波長４００ｎｍにおいて１．５２である。
表１２は、光学多層膜１乃至１１の、青色レーザを含む紫外域のレーザに対する耐性を示す表である。レーザに対する耐性の指標としては、所定の条件でレーザを照射し、その前後の透過波面収差を測定しその変化量を求めた。表１２及び以下の表において、波面収差は１波長の１／１０００を単位（ｍλ）として標準偏差で表す。また、表１２において、ＬａｘＡｌｙＯｚのｘ、ｙ、ｚは正の数を表す。
表１３は、上記の所定のレーザ照射条件を示す表である。ここでは、波長４０５ｎｍのレーザを、多層膜表面におけるエネルギ密度が６０ｍＷ／ｍｍ２とするような状態で、７５℃の環境温度で１０００時間照射した。この時の積算光量は６０Ｗｈｒである。積算光量のこの値は、通常の用途の光学素子の耐性を考慮する場合に十分に大きな値である。
なお、３００ナノメータ乃至４５０ナノメータの波長範囲の光に対しても同様の結果が得られた。
ここで、照射試験環境温度について説明する。たとえば、表１３に示したレーザ照射条件で照射を行った場合に、表１２の膜Ｎｏ．１の多層膜を備えた光学素子の６０ｗｈｒ後の波面収差変化量は３７ｍλである。ここで、表１３に示したレーザ照射条件のうち、照射試験環境温度のみを２５℃に変更して照射試験を行った場合に、膜Ｎｏ．１の多層膜を備えた光学素子の６０ｗｈｒ後の波面収差変化量は２ｍλである。このように、照射試験環境温度が２５℃の場合には波面収差変化量がほとんど生じない多層膜を備えた光学素子であっても、照射試験環境温度が７５℃の場合には大きな波面収差量を生じることがある。従来、照射試験環境温度が７５℃の場合にも、青色レーザを含む紫外域の光に対して十分な耐性を有する多層膜を備えた光学素子は開発されていなかった。なお、７５℃の照射試験環境温度は、通常の用途の光学素子の耐性を考慮する場合に十分に高い温度である。これに対して、特許4178190号に記載のレーザ照射試験環境温度は２５℃であり、高い環境温度における耐性は考慮されていない。
本願発明は、照射試験環境温度が７５℃の場合にも波面収差量が小さな多層膜を提供することを目的とする。
たとえば、光ピックアップ装置の光学部品において、７５℃の環境温度において６０Ｗｈｒの積算光量の青色レーザに対する耐性が求められる場合がある。他方、光ピックアップ装置の光学部品の透過波面収差は２５ｍλ以下であることが要求されることが多い。光学部品には、５ｍλ程度の初期波面収差が存在するので、青色レーザ照射前後の波面収差変化は、２０ｍλ以下であることが要求される。
表１及び表２に示されるように、光学多層膜１及び２は、同じ構成を有する。ただし、光学多層膜１の基板はプラスチックから構成され、光学多層膜２の基板はガラスから構成される。表１２において、光学多層膜１及び２のレーザ照射前後の透過波面収差の変化量を比較すると、光学多層膜１の波面収差変化量は、光学多層膜２の波面収差変化量に比較してかなり大きい。一般的に、プラスチック基板に形成された光学多層膜の青色レーザを含む紫外域のレーザに対する耐性は、ガラス基板に形成された光学多層膜の青色レーザを含む紫外域のレーザに対する耐性よりも大幅に低い。その理由は、プラスチック基板と光学多層膜の境界を通じて触媒反応などの化学反応が起こっているためであると考えられる。すなわち、レーザ照射によって化学反応が起こりやすい場合にはレーザによる光学多層膜の損傷が大きいことが考えられる。
表１２の結果に基づいて、光学多層膜のレーザ耐性がどのような要因によって変化するのかを検討する。
図４は、元素の酸化還元電位と反応速度との関係を概念的に示した図である。図４の横軸は元素の酸化還元電位を示す。左側が高電位であり、右側が低電位である。図４の縦軸は、酸化または還元の反応速度（反応の起こりやすさ）を示す。
表１４は、元素の酸化還元電位を示す表である。
上述のように、レーザによる光学多層膜の損傷は、レーザ照射によって化学反応が起こりやすい場合に大きくなることが考えられる。そこで、光学多層膜を構成する材料として、酸化還元電位が低い元素の酸化物を使用すれば、図４に示されるように還元律速領域において反応速度が小さいので、レーザによる光学多層膜の損傷を小さくできることが考えられる。
表１５Ａは、光学多層膜を構成する酸化物または酸窒化物の内、二酸化ケイ素以外の酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す表である。表１５Ａにおいて、光学多層膜４を構成する酸化物の内、二酸化ケイ素以外の酸化物を構成する元素の酸化還元電位は、Ｌａ（ランタン）及びＡｌ（アルミニウム）の酸化還元電位の平均値とした。
図５は、光学多層膜を構成する酸化物または酸窒化物の内、二酸化ケイ素以外の酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す図である。元素の酸化還元電位が低いほど波面収差変化量は小さい。また、ケイ素の酸化還元電位が−０．９ボルト以下であることを考慮すると、光学多層膜を構成する酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は、−０．９ボルト以下であるのが好ましい。酸化還元電位が−０．９ボルト以下である元素は、ジルコニウム、アルミニウム、ランタン、ガドリニウム、バリウム、リチウムなどである。これらの元素は、１種類のイオン価のみを有し、複数種類のイオン化を有する元素よりもレーザ照射による化学反応を起こしにくいと考えられる。
表１５Ｂは、酸化還元電位が−０．９Ｖ以下であるその他の元素及びその酸化物を示す表である。元素は、カルシウム、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、マグネシウム、ニオブ、スカンジウム、イットリウム及びイッテルビウムである。これらの酸化物も、中屈折率または高屈折率の材料として使用することができる。
表１６は、第１の層を構成する材料及び基板の材料の屈折率差と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す表である。ここで、第１の層とは、基板に隣接する層を意味する。
図６は、第１の層を構成する材料及び基板の材料の屈折率差と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す図である。
表１６及び図６に示されるように、第１の層を構成する材料及び基板の材料の屈折率差が０．２以下である場合に波面収差変化量は１０（ｍλ）以下である。基板の材料の屈折率は１．５２である。なお、第１の層の厚さは、基板との密着性を確保するため１０ナノメータ以上とする必要がある。
表１７は、光学多層膜の隣接する層を構成する材料の屈折率差と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す表である。光学多層膜は、上述のように多くの場合、高い屈折率の材料から構成される層と、低い屈折率の材料から構成される層とを交互に積層して形成される。光学多層膜の隣接する層を構成する材料の屈折率差とは、上記の高い屈折率と低い屈折率との差を意味する。なお、表１７において、光学多層膜１１の屈折率差は、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との屈折率差を０．２とし、ＺｒＯ２とＡｌ２Ｏ３との屈折率差を０．３６とした。
図７は、光学多層膜の隣接する層を構成する材料の屈折率差と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す図である。
表１７及び図７に示されるように、光学多層膜の隣接する層を構成する材料の屈折率差が０．４０以下である場合に波面収差変化量は１２（ｍλ）以下である。一般的に、光学多層膜の隣接する層を構成する材料の屈折率差が０．４５以下であれば、波面収差の変化量が十分に小さくなる。
隣接する層を構成する材料の屈折率差が大きい場合に劣化が大きくなる理由は、以下のように推定される。結晶化しやすい高屈折率の層と結晶化しにくい低屈折率の層との間の界面において、界面準位が生じる。したがって、界面準位のエネルギの放出及び吸収の確率が高くなる。この結果、特に紫外線放射発光により界面劣化が進み、また、吸収による界面の熱損傷などが生じることが考えられる。
表１８は、光学多層膜の全体の厚さと、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す表である。
図８は、光学多層膜の全体の厚さ（総膜厚）と、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量との関係を示す図である。
表１８及び図８に示すように、表１５乃至表１７の結果から求めた好ましい条件を満たす総膜厚２４０ナノメータの光学多層膜４は、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量が２０（ｍλ）であり、同様の構成で総膜厚３６０ナノメータの光学多層膜６は、レーザ照射前後の透過波面収差の変化量が１２（ｍλ）である。したがって、総膜厚は２４０ナノメータ以上であるのが好ましい。
光学多層膜の、青色レーザを含む紫外域の光に対する耐性を高くするための条件を以下にまとめる。
光学多層膜の各層は、酸化物または酸窒化物から形成される。
光学多層膜を構成する酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は、−０．９ボルト以下であるのが好ましい。この条件を満たす元素は、アルミニウム、ランタン、ガドリニウム、ジルコニウム、カルシウム、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、マグネシウム、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、イッテルビウムなどである。
第１の層を構成する材料及び基板の材料の屈折率差が０．２以下であるのが好ましい。基板の材料がシクロオレフィンポリマー（波長４００ｎｍの光の波長の屈折率は１．５２）である場合に、この条件を満たす材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などである。
光学多層膜の隣接する層を構成する材料の屈折率差が０．４５以下であるのが好ましい。
光学多層膜の全体の厚さ（総膜厚）は、２４０ナノメータ以上であるのが好ましい。
一般的に、高屈折率材料の層と低屈折材料の層とを隣接して形成した光学多層膜によって所定の光学性能を達成するには、層間の屈折率差を大きくした方が層数を減少することができる。したがって、特に、手間のかかる真空薄膜形成法により多層膜を形成する場合には、層間の屈折率差は大きく設定される傾向にある。
しかし、基板の材料及び各層の材料の間の屈折率の差が、高い環境温度における、光学素子の青色レーザを含む紫外域の光に対する耐性に大きな影響を与えるという、本願発明者による新たな知見によれば、基板の材料及び各層の材料の間の屈折率の差を所定の値より小さくすることによって、青色レーザの波長領域を含む波長領域の光に対する耐性の高い多層膜が得られる。
Claims (8)
- プラスチック基板上に形成された光学多層膜であって、該光学多層膜のそれぞれの層は酸化物または酸窒化物から形成され、隣接する層は屈折率の異なる材料から形成され、酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は−０．９ボルト以下であり、該基板に接する第１の層の厚さは１０ナノメータ以上で、該基板の材料と第１の層を形成する材料との波長４００ナノメータにおける屈折率の差は０．２以下であり、隣接する層を形成する２種類の材料の波長４００ナノメータにおける屈折率の差が０．４５以下であり、該光学多層膜の全体の厚さが３０００ナノメータ以下であるように構成された光学多層膜。
- 前記光学多層膜を形成する材料のうち最も屈折率が高い材料が、アルミニウム、ランタン、ガドリニウム、ジルコニウム、カルシウム、セリウム、ユウロピウム、ハフニウム、マグネシウム、ニオブ、スカンジウム、イットリウム及びイッテルビウムのいずれかを含む請求項１に記載の光学多層膜。
- 前記光学多層膜の前記第１の層を形成する材料が、ケイ素またはアルミニウムを含む請求項１または２に記載の光学多層膜。
- ２種類の材料から形成された請求項１から３のいずれかに記載の光学多層膜。
- ３種類の材料から形成された請求項１から３のいずれかに記載の光学多層膜。
- 全体の厚さが２４０ナノメータ以上であるように構成された請求項１から５のいずれかに記載の光学多層膜。
- プラスチック基板上に形成された光学多層膜であって、該光学多層膜のそれぞれの層は酸化物または酸窒化物から形成され、隣接する層は屈折率の異なる材料から形成され、酸化物または酸窒化物を構成する元素の酸化還元電位は−０．９ボルト以下であり、該基板に接する第１の層の厚さは１０ナノメータ以上で、該基板の材料と第１の層を形成する材料との波長４００ナノメータにおける屈折率の差は０．２以下であり、隣接する層を形成する２種類の材料の波長４００ナノメータにおける屈折率の差が０．４５以下であり、該光学多層膜の全体の厚さが３０００ナノメータ以下であるように構成され、７５℃の環境温度において照射される３００乃至４５０ナノメータの波長の光に対する耐性を付与する光学多層膜。
- プラスチック基板とその上に形成された請求項１から７のいずれかに記載の光学多層膜とからなる光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012151056A JP5181380B1 (ja) | 2012-01-10 | 2012-07-05 | 光学多層膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| WOPCT/JP2012/050234 | 2012-01-10 | ||
| PCT/JP2012/050234 WO2013105210A1 (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | 光学多層膜 |
| JP2012151056A JP5181380B1 (ja) | 2012-01-10 | 2012-07-05 | 光学多層膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5181380B1 true JP5181380B1 (ja) | 2013-04-10 |
| JP2013142897A JP2013142897A (ja) | 2013-07-22 |
Family
ID=48189477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012151056A Active JP5181380B1 (ja) | 2012-01-10 | 2012-07-05 | 光学多層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5181380B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3146368A1 (en) * | 2014-05-23 | 2017-03-29 | Corning Incorporated | Low contrast anti-reflection articles with reduced scratch and fingerprint visibility |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006195120A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Konica Minolta Photo Imaging Inc | 光学部材及びそれを用いた撮影レンズ |
| JP2007121391A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Sony Corp | 波長選択反射膜及びホログラム記録媒体 |
| JP4178190B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2008-11-12 | ナルックス株式会社 | 多層膜を有する光学素子およびその製造方法 |
| JP2010181902A (ja) * | 2010-03-18 | 2010-08-19 | Asahi Glass Co Ltd | 光学部材、光回折素子、および位相板 |
-
2012
- 2012-07-05 JP JP2012151056A patent/JP5181380B1/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013142897A (ja) | 2013-07-22 |
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