JP5173517B2

JP5173517B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: JP5173517B2
Application number: JP2008080470A
Authority: JP
Inventors: 淳一石井
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-03-26
Filing date: 2008-03-26
Publication date: 2013-04-03
Anticipated expiration: 2028-03-26
Also published as: JP2009238861A

Description

この発明は、基板をブラシで洗浄処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for cleaning a substrate with a brush. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate etc. are included.

半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の周縁部の汚染が、ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。そのため、最近では、ウエハの周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。
ウエハの周縁部の洗浄に関する先行技術としては、たとえば、ウエハの周縁部にブラシを当接させるとともに、ウエハとブラシとの当接部分に純水などの処理液を供給しつつ、ウエハおよびブラシをそれぞれの中心軸線まわりに回転させることにより、ウエハの周縁部に付着している汚染物質を除去する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
特開２００７−２７３６１２号公報 In the manufacturing process of a semiconductor device, contamination of the peripheral portion of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) may have a non-negligible effect on the processing quality of the wafer. Therefore, recently, there is an increasing demand for cleaning the peripheral edge of the wafer.
Prior art relating to cleaning of the peripheral portion of the wafer includes, for example, bringing the brush into contact with the peripheral portion of the wafer and supplying a processing liquid such as pure water to the contact portion between the wafer and the brush, There has been proposed a configuration in which contaminants adhering to the peripheral edge of a wafer are removed by rotating around each central axis (see, for example, Patent Document 1).
JP 2007-273612 A

ところが、この提案にかかる装置では、ウエハの周縁部に付着している汚染物質を良好に除去できないおそれがある。すなわち、従来の装置では、通常、軟らかいブラシが用いられるため、ウエハの周縁部に強固に付着している汚染物質を除去し難い場合がある。また、強固に付着している汚染物質を除去するために洗浄時間を長くとる必要があり、スループットが悪化するという問題もある。 However, in the apparatus according to this proposal, there is a possibility that the contaminants adhering to the peripheral portion of the wafer cannot be removed well. That is, in the conventional apparatus, since a soft brush is usually used, it may be difficult to remove contaminants firmly attached to the peripheral edge of the wafer. Further, it is necessary to take a long cleaning time in order to remove the strongly adhered contaminants, and there is a problem that throughput is deteriorated.

そこで、この発明の目的は、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができ、処理時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can satisfactorily remove contaminants from the peripheral edge of a substrate and reduce processing time.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（３）と、この基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって、前記基板の一方面および他方面の周縁領域（８，９）を選択的に洗浄可能な硬質ブラシ（１８）と、前記基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって、前記基板の一方面および他方面の周縁領域を選択的に洗浄可能であり、前記硬質ブラシよりも軟質の軟質ブラシ（１８）と、前記硬質ブラシを移動させて、前記基板保持手段に保持された基板の周縁部に前記硬質ブラシを当接させる第1移動手段（２５ａ，２６ａ）と、前記軟質ブラシを移動させて、前記基板保持手段に保持された基板の周縁部に前記軟質ブラシを当接させる第２移動手段（２５ｂ，２６ｂ）と、前記基板保持手段に保持された基板の周縁部と当該基板の周縁部に当接された前記硬質ブラシおよび／または軟質ブラシとを当該当接状態を保持して相対移動させる相対移動手段（１３）と、前記第1移動手段および相対移動手段を制御することにより、前記硬質ブラシによって前記基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄する第１洗浄工程（Ｓ４，Ｓ５）と、前記第２移動手段および相対移動手段を制御することにより、前記軟質ブラシによって前記基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄する第２洗浄工程（Ｓ６，Ｓ８）とを行わせる制御手段（４３）とを含み、前記制御手段は、前記第１および第２移動手段ならびに相対移動手段を制御して、基板の周縁部における同一の領域または互いに異なる領域に対する前記第１洗浄工程および第２洗浄工程を同時に行わせ、前記制御手段は、前記第１および第２移動手段ならびに相対移動手段を制御して、前記第１洗浄工程が終了した後に前記第２洗浄工程が終了するように、基板の周縁部における同一の領域に対して前記第１洗浄工程および第２洗浄工程を行わせる、基板処理装置（１）である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a substrate holding means (3) for holding the substrate (W) and a peripheral cleaning brush for cleaning the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means. The hard brush (18) capable of selectively cleaning the peripheral areas (8, 9) of the one surface and the other surface of the substrate and the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means. The peripheral edge cleaning brush is capable of selectively cleaning the peripheral area of one side and the other side of the substrate, and moves the hard brush with a soft brush (18) softer than the hard brush, First moving means (25a, 26a) for bringing the hard brush into contact with the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means, and the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means by moving the soft brush Apply the soft brush to the The second moving means (25b, 26b) to be brought into contact with the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means and the hard brush and / or soft brush in contact with the peripheral edge of the substrate in the contact state And a relative movement means (13) for holding and relatively moving the first movement means and the relative movement means, thereby cleaning a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means by the hard brush. A first cleaning step (S4, S5) and a second cleaning step (S6) for cleaning the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means by the soft brush by controlling the second moving means and the relative moving means. , S8) and saw including a control means (43) to perform, the control means controls the first and second moving means and the relative movement means, the same area in the peripheral portion of the substrate Alternatively, the first cleaning step and the second cleaning step are simultaneously performed on different regions, and the control unit controls the first and second moving units and the relative moving unit, and the first cleaning step is completed. A substrate processing apparatus (1) for performing the first cleaning step and the second cleaning step on the same region in the peripheral edge of the substrate so that the second cleaning step is finished later .

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
この発明によれば、制御手段が第1移動手段を制御することにより、基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシである硬質ブラシを、基板保持手段に保持された基板の周縁部に当接させることができる。さらに、制御手段が相対移動手段を制御することにより、基板の周縁部と硬質ブラシとの当接状態が保持された状態で、基板の周縁部と硬質ブラシとを相対移動させて、硬質ブラシによって基板の周縁部を洗浄する第１洗浄工程を行うことができる。同様に、制御手段が第２移動手段および相対移動手段を制御することにより、基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって硬質ブラシよりも軟らかい軟質ブラシによって基板の周縁部を洗浄する第２洗浄工程を行うことができる。 In this section, alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiments described later.
According to this invention, the control means controls the first moving means so that the hard brush, which is a peripheral cleaning brush for cleaning the peripheral edge of the substrate, is applied to the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means. Can be touched. Further, the control means controls the relative movement means so that the peripheral edge portion of the substrate and the hard brush are relatively moved while the contact state between the peripheral edge portion of the substrate and the hard brush is maintained. A first cleaning step for cleaning the peripheral portion of the substrate can be performed. Similarly, when the control means controls the second moving means and the relative moving means, the peripheral edge of the substrate is cleaned with a soft brush which is a peripheral cleaning brush for cleaning the peripheral edge of the substrate and is softer than the hard brush. A second cleaning step can be performed.

硬質ブラシは、軟質ブラシよりも硬いので、軟質ブラシに比べて基板の周縁部に強固に付着している汚染物質を基板から良好に、かつ、比較的短時間で剥離させることができる。これにより、基板の周縁部に強固に付着している汚染物質を除去することができる。また、軟質ブラシは、硬質ブラシよりも軟らかいので、硬質ブラシに比べて基板の周縁部に当接されたときに当該周縁部に密着される。したがって、軟質ブラシは、硬質ブラシによって除去できない汚染物質（たとえば細かな汚染物質など）を良好に除去することができる。これにより、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる。さらに、基板の周縁部に強固に付着している汚染物質を硬質ブラシによって比較的短時間で剥離させることができるので、基板の洗浄時間（処理時間）を短縮することができる。 Since the hard brush is harder than the soft brush, the contaminants firmly attached to the peripheral edge of the substrate compared to the soft brush can be peeled off from the substrate in a relatively short time. Thereby, the contaminant which has adhered firmly to the peripheral part of the substrate can be removed. Further, since the soft brush is softer than the hard brush, the soft brush is in close contact with the peripheral edge when the soft brush is in contact with the peripheral edge of the substrate. Therefore, the soft brush can satisfactorily remove contaminants (for example, fine contaminants) that cannot be removed by the hard brush. Thereby, contaminants can be favorably removed from the peripheral edge of the substrate. Furthermore, since the contaminants firmly attached to the peripheral edge of the substrate can be peeled off with a hard brush in a relatively short time, the cleaning time (processing time) of the substrate can be shortened.

さらに、基板の周縁部における同一の領域に対して、第１洗浄工程が終了された後に第２洗浄工程が終了される。すなわち、硬質ブラシによって除去されなかった汚染物質などを軟質ブラシよって除去する仕上げ洗浄によって前記同一の領域に対する洗浄が終了される。したがって、たとえば、第１および第２洗浄工程を同時に終了させた場合や、第２洗浄工程を先に終了させた場合に比べて、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる。
前記制御手段は、請求項２記載の発明のように、前記第１および第２移動手段ならびに相対移動手段を制御して、前記硬質ブラシおよび軟質ブラシを前記一方面の周縁領域に同時に当接させて、前記一方面に対する前記第１洗浄工程と、前記一方面に対する第２洗浄工程とを同時に行わせてもよい。 Furthermore, the second cleaning process is ended after the first cleaning process is completed for the same region in the peripheral edge of the substrate. In other words, the cleaning of the same region is completed by the finish cleaning in which the contaminants that have not been removed by the hard brush are removed by the soft brush. Therefore, for example, it is possible to remove contaminants from the peripheral edge of the substrate better than when the first and second cleaning steps are completed simultaneously or when the second cleaning step is completed first.
The control means controls the first and second moving means and the relative moving means so that the hard brush and the soft brush are simultaneously brought into contact with the peripheral area of the one surface as in the invention of claim 2. The first cleaning step for the one surface and the second cleaning step for the one surface may be performed simultaneously.

請求項３記載の発明は、前記制御手段は、前記第１および第２移動手段ならびに相対移動手段を制御して、前記硬質ブラシおよび軟質ブラシを、それぞれ、前記一方面の周縁領域および前記他方面の周縁領域に同時に当接させて、前記一方面に対する第１洗浄工程と、前記他方面に対する第２洗浄工程とを同時に行わせるものである、請求項１または２記載の基板処理装置である。 According to a third aspect of the present invention, the control means controls the first and second moving means and the relative moving means so that the hard brush and the soft brush are respectively connected to the peripheral area of the one surface and the other surface. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first cleaning step for the one surface and the second cleaning step for the other surface are simultaneously performed in contact with the peripheral region of the substrate.

この発明によれば、硬質ブラシおよび軟質ブラシによって、それぞれ、基板の一方面および他方面の両面の周縁領域を洗浄することができる。さらに、硬質ブラシおよび軟質ブラシが、それぞれ、基板の一方面の周縁領域および他方面の周縁領域に同時に当接されて、前記一方面の周縁領域に対する第１洗浄工程と前記他方面の周縁領域に対する第２洗浄工程が同時に行われるので、処理時間をさらに短縮することができる。 According to this invention, the peripheral area | region of both surfaces of the one surface and the other surface of a board | substrate can each be wash | cleaned with a hard brush and a soft brush, respectively. Furthermore, the hard brush and the soft brush are simultaneously brought into contact with the peripheral region on one surface and the peripheral region on the other surface of the substrate, respectively, so that the first cleaning step for the peripheral region on the one surface and the peripheral region on the other surface are performed. Since the second cleaning step is performed at the same time, the processing time can be further shortened.

請求項４記載の発明は、前記硬質ブラシは、前記軟質ブラシよりも硬い粒子が保持されたブラシを含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、軟質ブラシよりも硬い粒子が硬質ブラシに保持されているので、この粒子によって、基板の周縁部に付着している汚染物質を良好に剥離させることができる。そして、この剥離された汚染物質を硬質ブラシおよび軟質ブラシによって除去することで、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる。 The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the hard brush includes a brush in which particles harder than the soft brush are held.
According to the present invention, particles harder than the soft brush are held by the hard brush, and therefore, contaminants adhering to the peripheral portion of the substrate can be favorably peeled by the particles. Then, by removing the peeled contaminants with a hard brush and a soft brush, the contaminants can be favorably removed from the peripheral edge of the substrate.

請求項５記載の発明は、前記軟質ブラシは、スポンジブラシを含み、前記硬質ブラシは、前記軟質ブラシよりも圧縮弾性率の高いスポンジブラシを含む、請求項１〜４の何れか１項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、硬質ブラシが軟質ブラシよりも圧縮弾性率の高いスポンジブラシを含むので、軟質ブラシに比べて、基板の周縁部に付着している汚染物質を良好に剥離させることができる。 According to a fifth aspect of the present invention, the soft brush includes a sponge brush, and the hard brush includes a sponge brush having a higher compression elastic modulus than the soft brush. This is a substrate processing apparatus.
According to the present invention, since the hard brush includes the sponge brush having a higher compression elastic modulus than the soft brush, the contaminants attached to the peripheral edge of the substrate can be peeled off better than the soft brush.

請求項６記載の発明は、基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって、前記基板の一方面および他方面の周縁領域を選択的に洗浄可能な硬質ブラシを基板の周縁部に当接させて当該周縁部を洗浄する第１洗浄工程と、基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって、前記基板の一方面および他方面の周縁領域を選択的に洗浄可能であり、前記硬質ブラシよりも軟質の軟質ブラシを前記基板の周縁部に当接させて当該周縁部を洗浄する第２洗浄工程とを含み、前記第２洗浄工程は、前記第１洗浄工程が行われる基板の周縁部の領域と同一の領域または異なる領域に対して行われる工程であって、前記第１洗浄工程と同時に行われる工程と、前記第１洗浄工程が行われる基板の周縁部の領域と同一の領域に対して行われる工程であって、前記第１洗浄工程が終了した後に終了する工程とを含む、基板処理方法である。

According to a sixth aspect of the invention, I rim cleaning brush der for cleaning a peripheral portion of the substrate, the peripheral portion of the substrate to selectively cleanable hard brush perimeter region of the one surface and the other surface of the substrate A peripheral cleaning brush for cleaning the peripheral portion of the substrate, wherein the peripheral region of the one surface and the other surface of the substrate can be selectively cleaned. , and the said abut soft brush soft to the peripheral portion of the substrate viewed contains a second cleaning step of cleaning the peripheral portion than the hard brush, the second cleaning step, the first cleaning step Are performed on the same region as the region of the peripheral portion of the substrate or a region different from the region where the first cleaning step is performed, and the peripheral portion of the substrate on which the first cleaning step is performed To be performed on the same area as There are, the including the step of first washing step is completed after completion, it is a substrate processing method.

この発明によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。 According to the present invention, the same function and effect as those described in relation to claim 1 can be achieved.

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置１の内部の図解的な側面図である。
この基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２内に、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック３（基板保持手段）と、ウエハＷの表面（本実施形態では上面）および裏面（本実施形態では下面）にそれぞれ処理液を供給するための表面ノズル４および裏面ノズル５と、ウエハＷの周縁部を洗浄するための第１ブラシ機構６および第２ブラシ機構７とを備えている。ウエハＷの周縁部とは、表面の周縁領域８、裏面の周縁領域９および周端面１０を含む部分をいう。また、周縁領域８,９とは、たとえば、ウエハＷの周端縁から幅数ミリメートル程度の環状の領域をいう。 FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic side view of the inside of the substrate processing apparatus 1 shown in FIG.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes semiconductor wafers W (hereinafter simply referred to as “wafers W”) as an example of a substrate one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 3 (substrate holding means) for horizontally holding and rotating a wafer W in a processing chamber 2 partitioned by partition walls, and a front surface (upper surface in the present embodiment) and back surface of the wafer W. (Front surface nozzle 4 and back surface nozzle 5 for supplying the processing liquid to the lower surface in this embodiment), and a first brush mechanism 6 and a second brush mechanism 7 for cleaning the peripheral edge of the wafer W, respectively. Yes. The peripheral portion of the wafer W is a portion including the peripheral region 8 on the front surface, the peripheral region 9 on the back surface, and the peripheral end surface 10. The peripheral regions 8 and 9 are, for example, annular regions having a width of several millimeters from the peripheral edge of the wafer W.

スピンチャック３は、この実施形態では、真空吸着式のチャックである。スピンチャック３は、鉛直な方向に延びたスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端に取り付けられて、ウエハＷを水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する吸着ベース１２と、スピン軸１１と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ１３（相対移動手段）とを備えている。ウエハＷの裏面が吸着ベース１２に吸着保持された状態で、スピンモータ１３が駆動されることにより、スピン軸１１の中心軸線まわりにウエハＷが回転される。 In this embodiment, the spin chuck 3 is a vacuum chuck. The spin chuck 3 includes a spin shaft 11 extending in a vertical direction, an adsorption base 12 attached to the upper end of the spin shaft 11 and adsorbing and holding the back surface (lower surface) of the wafer W in a horizontal posture, A spin motor 13 (relative movement means) having a rotation shaft coupled coaxially with the spin shaft 11 is provided. The wafer W is rotated around the central axis of the spin shaft 11 by driving the spin motor 13 with the back surface of the wafer W held by the suction base 12.

表面ノズル４および裏面ノズル５には、それぞれ処理液供給管１４および処理液供給管１５が接続されている。これらの処理液供給管１４，１５には、処理液バルブ１６を介して、図示しない処理液供給源からの処理液が供給される。表面ノズル４は、処理液供給管１４を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の中央に向けて吐出する。また、裏面ノズル５は、処理液供給管１５を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面の周端縁と吸着ベース１２との間に向けて吐出する。 A processing liquid supply pipe 14 and a processing liquid supply pipe 15 are connected to the front surface nozzle 4 and the back surface nozzle 5, respectively. A processing liquid from a processing liquid supply source (not shown) is supplied to these processing liquid supply pipes 14 and 15 via a processing liquid valve 16. The surface nozzle 4 discharges the processing liquid supplied through the processing liquid supply pipe 14 toward the center of the surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Further, the back nozzle 5 discharges the processing liquid supplied through the processing liquid supply pipe 15 between the peripheral edge of the back surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and the suction base 12.

ノズル４,５に供給される処理液としては、たとえば純水（脱イオン水）が用いられている。処理液は、純水に限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水であってもよいし、アンモニア水またはアンモニア水と過酸化水素水との混合液などの薬液であってもよい。
第１および第２ブラシ機構６，７は、それぞれ、ウエハＷの周縁部を洗浄するための互いに硬さの異なる第１ブラシ１７（硬質ブラシ）および第２ブラシ１８（軟質ブラシ）を備えている。第１ブラシ１７は、たとえば、弾性変形可能な硬質の多孔質材料からなる合成樹脂製の母材と、この母材の外表面を含む範囲に保持された多数の砥粒とを有している。具体的には、たとえば、ＰＵ（ポリウレタン）製の圧縮弾性率が高い（たとえば、０．３Ｍｐａ以上）のスポンジブラシが第１ブラシ１７の母材として用いられ、このＰＵ製の母材の外表面を含む範囲に、粒径が２μｍ程度の多数のシリカ粒子が溶融結合されている。また、第２ブラシ１８は、第１ブラシ１７よりも軟質であり、たとえば、合成樹脂製の弾性変形可能な軟質の多孔質材料からなる。具体的には、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製の圧縮弾性率が低い（たとえば、０．０１Ｍｐａ程度）スポンジブラシが第２ブラシ１８として用いられている。 For example, pure water (deionized water) is used as the processing liquid supplied to the nozzles 4 and 5. The treatment liquid is not limited to pure water but may be functional water such as carbonated water, ionic water, ozone water, reduced water (hydrogen water) or magnetic water, or ammonia water or ammonia water and hydrogen peroxide water. It may be a chemical solution such as a mixed solution.
The first and second brush mechanisms 6 and 7 include a first brush 17 (hard brush) and a second brush 18 (soft brush) having different hardnesses for cleaning the peripheral edge of the wafer W, respectively. . The first brush 17 includes, for example, a synthetic resin base material made of an elastically deformable hard porous material, and a large number of abrasive grains held in a range including the outer surface of the base material. . Specifically, for example, a sponge brush made of PU (polyurethane) and having a high compression modulus (for example, 0.3 Mpa or more) is used as a base material of the first brush 17, and the outer surface of this PU base material A large number of silica particles having a particle size of about 2 μm are melt-bonded in a range including. Moreover, the 2nd brush 18 is softer than the 1st brush 17, for example, consists of a soft porous material made from a synthetic resin which can be elastically deformed. Specifically, a sponge brush made of PVA (polyvinyl alcohol) and having a low compression modulus (for example, about 0.01 Mpa) is used as the second brush 18.

本実施形態では、第１および第２ブラシ機構６，７がそれぞれ同種の構成を有しており、第１および第２ブラシ１７，１８の形状が同じにされている。したがって、以下では、第１ブラシ機構６および第１ブラシ１７について説明し、第２ブラシ機構７および第２ブラシ１８についての説明は省略する。第２ブラシ機構７および第２ブラシ１８に対応する構成の名称および符号は、第１ブラシ機構６および第１ブラシ１７の構成の後ろに括弧書きで示す。 In the present embodiment, the first and second brush mechanisms 6 and 7 have the same configuration, and the shapes of the first and second brushes 17 and 18 are the same. Therefore, hereinafter, the first brush mechanism 6 and the first brush 17 will be described, and the description of the second brush mechanism 7 and the second brush 18 will be omitted. The names and symbols of the configurations corresponding to the second brush mechanism 7 and the second brush 18 are shown in parentheses after the configurations of the first brush mechanism 6 and the first brush 17.

第１ブラシ機構６ａは、スピンチャック３によるウエハＷの保持位置よりも上方で水平に延びる揺動アーム１９ａ（揺動アーム１９ｂ）と、揺動アーム１９ａの先端下方で保持された第１ブラシ１７と、ウエハＷの回転範囲外に配置され、揺動アーム１９ａの基端部を下方から支持するアーム支持軸２０ａ（アーム支持軸２０ｂ）とを備えている。
揺動アーム１９ａの先端部には、鉛直方向に延びる回転軸２１ａ（回転軸２１ｂ）が回転可能に設けられており、回転軸２１ａの下端部は揺動アーム１９ａの先端部から下方に突出している。回転軸２１ａの下端部には、ホルダ取付部２２ａ（ホルダ取付部２２ｂ）を介してブラシホルダ２３ａ（ブラシホルダ２３ｂ）が取り付けられている。第１ブラシ１７は、このブラシホルダ２３ａによって保持されている。回転軸２１ａには、揺動アーム１９ａの内部において、第１ブラシ１７を自転させるためのブラシ自転機構２４ａ（ブラシ自転機構２４ｂ）が結合されており、このブラシ自転機構２４ａの駆動力が回転軸２１ａに入力されることにより、第１ブラシ１７が自転するようになっている。 The first brush mechanism 6a includes a swing arm 19a (swing arm 19b) that extends horizontally above the position where the spin chuck 3 holds the wafer W, and a first brush 17 that is held below the tip of the swing arm 19a. And an arm support shaft 20a (arm support shaft 20b) which is disposed outside the rotation range of the wafer W and supports the base end portion of the swing arm 19a from below.
A rotary shaft 21a (rotary shaft 21b) extending in the vertical direction is rotatably provided at the tip of the swing arm 19a. The lower end of the rotary shaft 21a protrudes downward from the tip of the swing arm 19a. Yes. A brush holder 23a (brush holder 23b) is attached to a lower end portion of the rotating shaft 21a via a holder attachment portion 22a (holder attachment portion 22b). The first brush 17 is held by the brush holder 23a. A brush rotation mechanism 24a (brush rotation mechanism 24b) for rotating the first brush 17 is coupled to the rotation shaft 21a inside the swing arm 19a, and the driving force of the brush rotation mechanism 24a is applied to the rotation shaft. The first brush 17 rotates by being input to 21a.

一方、アーム支持軸２０ａには、第１移動手段（第２移動手段）としての昇降駆動機構２５ａ（昇降駆動機構２５ｂ）および揺動駆動機構２６ａ（揺動駆動機構２６ｂ）が結合されている。昇降駆動機構２５ａの駆動力がアーム支持軸２０ａに入力されると、揺動アーム１９ａおよびアーム支持軸２０ａが一体的に上下動される。また、揺動駆動機構２６ａの駆動力がアーム支持軸２０ａに入力されると、アーム支持軸２０ａを支点として揺動アーム１９ａが水平に揺動される。 On the other hand, an elevation drive mechanism 25a (elevation drive mechanism 25b) and an oscillation drive mechanism 26a (oscillation drive mechanism 26b) as first movement means (second movement means) are coupled to the arm support shaft 20a. When the driving force of the elevating drive mechanism 25a is input to the arm support shaft 20a, the swing arm 19a and the arm support shaft 20a are integrally moved up and down. When the driving force of the swing drive mechanism 26a is input to the arm support shaft 20a, the swing arm 19a is swung horizontally with the arm support shaft 20a as a fulcrum.

昇降駆動機構２５ａおよび揺動駆動機構２６ａの駆動力をアーム支持軸２０ａに入力させることにより、第１ブラシ１７がウエハＷの周縁部に当接して当該周縁部を洗浄する処理位置と、前記処理位置から退避して待機するときの待機位置との間で、揺動アーム１９ａを移動させることができる。図１に、第１ブラシ１７が処理位置にあるときの揺動アーム１９ａの位置を二点鎖線で示し、第１ブラシ１７が待機位置にあるときの揺動アーム１９ａの位置を実線で示す。同様に、第２ブラシ１８が処理位置にあるときの揺動アーム１９ｂの位置を二点鎖線で示し、第２ブラシ１８が待機位置にあるときの揺動アーム１９ｂの位置を実線で示す。 By inputting the driving force of the elevating drive mechanism 25a and the swing drive mechanism 26a to the arm support shaft 20a, the first brush 17 is brought into contact with the peripheral portion of the wafer W to clean the peripheral portion, and the processing The swing arm 19a can be moved between the standby position when the vehicle is retracted from the position and stands by. In FIG. 1, the position of the swing arm 19a when the first brush 17 is at the processing position is indicated by a two-dot chain line, and the position of the swing arm 19a when the first brush 17 is at the standby position is indicated by a solid line. Similarly, the position of the swing arm 19b when the second brush 18 is at the processing position is indicated by a two-dot chain line, and the position of the swing arm 19b when the second brush 18 is at the standby position is indicated by a solid line.

図３は、第１ブラシ１７（第２ブラシ１８）およびその周辺の構成を示す断面図である。
ホルダ取付部２２ａは、円環状をなす板状の上壁部２７ａ（上壁部２７ｂ）と、この上壁部２７ａに一体的に結合され、上壁部２７ａの周縁から下方に向けて延びる円筒状の側壁部２８ａ（側壁部２８ｂ）とを備えている。回転軸２１ａは、上壁部２７ａを挿通しており、当該上壁部２７ａに固定されている。また、側壁部２８ａの内周面には、雌ねじ部２９ａ（雌ねじ部２９ｂ）が形成されている。ブラシホルダ２３ａには、その上端部に雄ねじ部３３ａ（雄ねじ部３３ｂ）が形成されており、この雄ねじ部３３ａが雌ねじ部２９ａにねじ込まれることにより、ブラシホルダ２３ａがホルダ取付部２２ａに取り付けられている。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the first brush 17 (second brush 18) and its surroundings.
The holder mounting portion 22a is a ring-shaped plate-like upper wall portion 27a (upper wall portion 27b), and a cylinder that is integrally coupled to the upper wall portion 27a and extends downward from the periphery of the upper wall portion 27a. A side wall portion 28a (side wall portion 28b). The rotation shaft 21a passes through the upper wall portion 27a and is fixed to the upper wall portion 27a. Moreover, the internal thread part 29a (internal thread part 29b) is formed in the internal peripheral surface of the side wall part 28a. The brush holder 23a is formed with a male screw portion 33a (male screw portion 33b) at the upper end thereof, and the male screw portion 33a is screwed into the female screw portion 29a, whereby the brush holder 23a is attached to the holder mounting portion 22a. Yes.

ブラシホルダ２３ａは、円柱状の樹脂ブロック３０ａ（樹脂ブロック３０ｂ）と、樹脂ブロック３０ａの中心軸線上に配置され、上端部が樹脂ブロック３０ａの下面に挿入されて固定された芯材３１ａ（芯材３１ｂ）と、この芯材３１ａの下端に取り付けられたプレート３２ａ（プレート３２ｂ）とを備えている。芯材３１ａの下端部には、ねじ孔が形成されており、このねじ孔にプレート３２ａの中心を貫通するボルト３４ａ（ボルト３４ｂ）がねじ込まれることにより、プレート３２ａが芯材３１ａに取り付けられている。また、前述の雄ねじ部３３ａは、樹脂ブロック３０ａの上端部に形成されている。 The brush holder 23a has a cylindrical resin block 30a (resin block 30b) and a core 31a (core material) which is disposed on the central axis of the resin block 30a and whose upper end is inserted and fixed to the lower surface of the resin block 30a. 31b) and a plate 32a (plate 32b) attached to the lower end of the core 31a. A screw hole is formed in the lower end portion of the core material 31a, and a bolt 34a (bolt 34b) passing through the center of the plate 32a is screwed into the screw hole, whereby the plate 32a is attached to the core material 31a. Yes. Further, the aforementioned male screw portion 33a is formed at the upper end portion of the resin block 30a.

第１ブラシ１７は、鉛直軸線まわりに回転対称な鼓状に形成されており、芯材３１ａに外嵌された状態で、樹脂ブロック３０ａとプレート３２ａとの間で挟持されている。第１ブラシ１７は、ウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０を洗浄するための上側洗浄部３５ａ（上側洗浄部３５ｂ）と、この上側洗浄部３５ａの下端に一体的に結合され、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０を洗浄するための下側洗浄部３６ａ（下側洗浄部３６ｂ）とを備えている。 The first brush 17 is formed in a drum shape that is rotationally symmetric about the vertical axis, and is sandwiched between the resin block 30a and the plate 32a in a state of being externally fitted to the core member 31a. The first brush 17 is integrally coupled to the upper cleaning portion 35a (upper cleaning portion 35b) for cleaning the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the wafer W, and the lower end of the upper cleaning portion 35a. A lower cleaning unit 36a (lower cleaning unit 36b) for cleaning the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of W is provided.

上側洗浄部３５ａは、その上部３７ａ（上部３７ｂ）が円筒状をなし、下部３８ａ（下部３８ｂ）が下方に向けて狭まる倒立円錐台状をなしている。上側洗浄部３５ａの下部３８ａの側面は、上端縁が上部３７ａの側面の下端縁に連続し、その中心軸線に対して４５度の傾斜角度を有して、下方ほど中心軸線に近づくように傾斜している。この上側洗浄部３５ａにおいて、下部３８ａの側面がウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０を洗浄するための上側洗浄面３９ａ（上側洗浄面３９ｂ）となっている。 The upper cleaning part 35a has an inverted truncated cone shape in which an upper part 37a (upper part 37b) has a cylindrical shape and a lower part 38a (lower part 38b) narrows downward. The side surface of the lower part 38a of the upper cleaning part 35a has an upper edge that is continuous with the lower edge of the side surface of the upper part 37a, has an inclination angle of 45 degrees with respect to the central axis, and is inclined so as to approach the central axis as it goes downward. doing. In the upper cleaning portion 35a, the side surface of the lower portion 38a is an upper cleaning surface 39a (upper cleaning surface 39b) for cleaning the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the wafer W.

また、下側洗浄部３６ａは、上側洗浄部３５ａの下端に一体的に結合されて、上側洗浄部３５ａと中心軸線を共有するように配置されている。この下側洗浄部３６ａは、上部４０ａ（上部４０ｂ）が下方に向けて拡がる円錐台状をなし、下部４１ａ（下部４１ｂ）が円筒状をなしている。下側洗浄部３６ａの上部４０ａの側面は、上端縁が上側洗浄部３５ａの下部３８ａの側面の下端縁に連続し、その中心軸線に対して４５度の傾斜角度を有して、下方ほど中心軸線から離れるように傾斜している。また、上部４０ａの側面の下端縁は、下部４１ａの側面の上端縁に連続している。この下側洗浄部３６ａにおいて、上部４０ａの側面がウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０を洗浄するための下側洗浄面４２ａ（下側洗浄面４２ｂ）となっている。 The lower cleaning unit 36a is integrally coupled to the lower end of the upper cleaning unit 35a, and is arranged so as to share the central axis with the upper cleaning unit 35a. The lower cleaning section 36a has a truncated cone shape in which an upper portion 40a (upper portion 40b) expands downward, and a lower portion 41a (lower portion 41b) has a cylindrical shape. The side surface of the upper portion 40a of the lower cleaning portion 36a has an upper end edge that is continuous with a lower end edge of the side surface of the lower portion 38a of the upper cleaning portion 35a and has an inclination angle of 45 degrees with respect to the central axis. Inclined away from the axis. The lower end edge of the side surface of the upper portion 40a is continuous with the upper end edge of the side surface of the lower portion 41a. In the lower cleaning section 36a, the side surface of the upper portion 40a serves as a lower cleaning surface 42a (lower cleaning surface 42b) for cleaning the peripheral area 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W.

図４は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む制御部４３（制御手段）を備えている。この制御部４３には、使用者によって処理レシピ（ウエハＷの処理のための各種条件）を入力するためのレシピ入力キー４４が接続されている。制御部４３には、スピンモータ１３、昇降駆動機構２５ａ，２５ｂ、揺動駆動機構２６ａ，２６ｂ、ブラシ自転機構２４ａ，２４ｂ、処理液バルブ１６などが制御対象として接続されている。 FIG. 4 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 43 (control means) including a microcomputer. The controller 43 is connected to a recipe input key 44 for inputting a process recipe (various conditions for processing the wafer W) by the user. The control unit 43 is connected with the spin motor 13, the lift drive mechanisms 25a and 25b, the swing drive mechanisms 26a and 26b, the brush rotation mechanisms 24a and 24b, the processing liquid valve 16, and the like as control targets.

制御部４３が、スピンモータ１３、昇降駆動機構２５ａおよび揺動駆動機構２６ａを制御することにより、鉛直な軸線まわりに回転されたウエハＷの周縁部に第１ブラシ１７が当接され（図８参照）、当該周縁部が第１ブラシ１７によって洗浄される。また、制御部４３が、スピンモータ１３、昇降駆動機構２５ｂおよび揺動駆動機構２６ｂを制御することにより、鉛直な軸線まわりに回転されたウエハＷの周縁部に第２ブラシ１８が当接され（図８参照）、当該周縁部が第２ブラシ１８によって洗浄される。制御部４３は、第１ブラシ１７および第２ブラシ１８の何れか一方のみを用いてウエハＷの周縁部を洗浄させることができるし、第１ブラシ１７および第２ブラシ１８の両方を用いてウエハＷの周縁部を洗浄させることもできる。 The control unit 43 controls the spin motor 13, the elevation drive mechanism 25a, and the swing drive mechanism 26a, so that the first brush 17 is brought into contact with the peripheral portion of the wafer W rotated around the vertical axis (FIG. 8). The peripheral edge is cleaned by the first brush 17. Further, the control unit 43 controls the spin motor 13, the elevation drive mechanism 25b, and the swing drive mechanism 26b, so that the second brush 18 is brought into contact with the peripheral portion of the wafer W rotated around the vertical axis ( The peripheral portion is cleaned by the second brush 18 as shown in FIG. The controller 43 can clean the peripheral edge of the wafer W using only one of the first brush 17 and the second brush 18, and the wafer using both the first brush 17 and the second brush 18. The peripheral edge of W can also be cleaned.

図５は、第１ブラシ１７のみを用いてウエハＷの周縁部を洗浄したときの除去率と、第２ブラシ１８のみを用いてウエハＷの周縁部を洗浄したときの除去率を示すグラフである。
除去率とは、洗浄前のパーティクル数に対する除去されたパーティクル数（「洗浄前のパーティクル数」−「洗浄後のパーティクル数」）の割合である。たとえば、洗浄前のパーティクル数が１０００個であり、洗浄後のパーティクル数が２００個である場合には、除去率が８０％となる。 FIG. 5 is a graph showing the removal rate when the peripheral portion of the wafer W is cleaned using only the first brush 17 and the removal rate when the peripheral portion of the wafer W is cleaned using only the second brush 18. is there.
The removal rate is a ratio of the number of removed particles to the number of particles before cleaning (“number of particles before cleaning” − “number of particles after cleaning”). For example, when the number of particles before cleaning is 1000 and the number of particles after cleaning is 200, the removal rate is 80%.

図５に示すように、第１ブラシ１７によるウエハＷの周縁部の洗浄では、除去率が約７０％であった。また、第２ブラシ１８によるウエハＷの周縁部の洗浄では、除去率が約３７％であった。すなわち、第１ブラシ１７による洗浄では、第２ブラシ１８による洗浄に対して約２倍の高い除去率が得られた。
図６は、第１ブラシ１７および第２ブラシ１８の両方を用いたウエハＷの処理の一例を説明するための工程図である。また、図７は、ウエハＷの周縁部に対する第１および第２ブラシ１７，１８の当接状態と時間との関係を示すグラフである。図８は、ウエハＷの処理中における第１および第２ブラシ１７，１８の側面図である。 As shown in FIG. 5, in the cleaning of the peripheral portion of the wafer W by the first brush 17, the removal rate was about 70%. In the cleaning of the peripheral edge of the wafer W with the second brush 18, the removal rate was about 37%. That is, in the cleaning with the first brush 17, a removal rate about twice as high as that of the cleaning with the second brush 18 was obtained.
FIG. 6 is a process diagram for explaining an example of the processing of the wafer W using both the first brush 17 and the second brush 18. FIG. 7 is a graph showing the relationship between the contact state of the first and second brushes 17 and 18 with respect to the peripheral edge of the wafer W and time. FIG. 8 is a side view of the first and second brushes 17 and 18 during the processing of the wafer W. FIG.

ウエハＷの処理に先立ち、使用者によって、レシピ入力キー４４が操作されて、ウエハＷの周端面１０に対するブラシの押し付け量が設定されている。押し付け量とは、ウエハＷの周端面１０にブラシの洗浄面（上側洗浄面または下側洗浄面）を押し付けたときのブラシの弾性変形量をいう。
処理室２内にウエハＷが搬入され、そのウエハＷがスピンチャック３に保持されると（ステップＳ１）、制御部４３によりスピンモータ１３が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ２）。次いで、制御部４３により処理液バルブ１６が開かれて、表面ノズル４および裏面ノズル５からそれぞれウエハＷの表面および裏面への処理液の供給が開始される（ステップＳ３）。 Prior to the processing of the wafer W, the user operates the recipe input key 44 to set the pressing amount of the brush against the peripheral end surface 10 of the wafer W. The pressing amount refers to the amount of elastic deformation of the brush when the cleaning surface (upper cleaning surface or lower cleaning surface) of the brush is pressed against the peripheral end surface 10 of the wafer W.
When the wafer W is loaded into the processing chamber 2 and is held by the spin chuck 3 (step S1), the spin motor 13 is controlled by the control unit 43 and rotation of the wafer W by the spin chuck 3 is started. (Step S2). Subsequently, the processing liquid valve 16 is opened by the control unit 43, and supply of the processing liquid from the front surface nozzle 4 and the back surface nozzle 5 to the front surface and the back surface of the wafer W is started (step S3).

また、制御部４３によりブラシ自転機構２４ａ，２４ｂが制御されて、第１および第２ブラシ１７，１８が自転させられる。その後、制御部４３により昇降駆動機構２５ａおよび揺動駆動機構２６ａが制御されて、第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａが、スピンチャック３により回転されるウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に当接される（ステップＳ４）。 Further, the control unit 43 controls the brush rotation mechanisms 24a and 24b, so that the first and second brushes 17 and 18 are rotated. Thereafter, the controller 43 controls the elevation drive mechanism 25a and the swing drive mechanism 26a, so that the lower cleaning surface 42a of the first brush 17 is rotated by the spin chuck 3 to the peripheral region 9 and the peripheral surface of the back surface of the wafer W. It abuts on the end face 10 (step S4).

具体的には、まず、昇降駆動機構２５ａが制御されて、第１ブラシ１７がレシピ入力キー４４から設定された押し付け量に応じた高さの位置に移動され、第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａがウエハＷの周端面１０に対向する。次に、揺動駆動機構２６ａが制御されて、揺動アーム１９ａが旋回し、第１ブラシ１７が水平移動される。これにより、第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａがウエハＷの周縁部に押し付けられ、ウエハＷの周縁部が第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａに食い込む。したがって、第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａはウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に押し付けられる。このとき、スピンチャック３によりウエハＷが回転されているので、第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａは、ウエハＷの周縁部に当接された状態で、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に対して相対移動する。そのため、第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａがウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に擦り付けられ、当該周縁領域９および周端面１０に強固に付着している汚染物質（たとえば、エッチング残渣やレジスト残渣など）が第１ブラシ１７によって擦り取られ、除去される。このようにして、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に対する第１ブラシ１７による洗浄（以下では、「第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄」という。）が行われる（第１洗浄工程）。 Specifically, first, the elevation drive mechanism 25a is controlled, and the first brush 17 is moved to a position corresponding to the pressing amount set from the recipe input key 44, and the lower cleaning of the first brush 17 is performed. The surface 42 a faces the peripheral end surface 10 of the wafer W. Next, the swing drive mechanism 26a is controlled, the swing arm 19a turns, and the first brush 17 is moved horizontally. As a result, the lower cleaning surface 42 a of the first brush 17 is pressed against the peripheral edge of the wafer W, and the peripheral edge of the wafer W bites into the lower cleaning surface 42 a of the first brush 17. Accordingly, the lower cleaning surface 42 a of the first brush 17 is pressed against the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W. At this time, since the wafer W is rotated by the spin chuck 3, the lower cleaning surface 42 a of the first brush 17 is in contact with the peripheral portion of the wafer W and the peripheral region 9 on the back surface of the wafer W and It moves relative to the peripheral end face 10. Therefore, the lower cleaning surface 42a of the first brush 17 is rubbed against the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W, and contaminants (for example, etching) firmly attached to the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 are rubbed. Residues, resist residues, etc.) are scraped off by the first brush 17 and removed. In this manner, cleaning of the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 of the back surface of the wafer W by the first brush 17 (hereinafter, referred to as “cleaning the back surface of the wafer W by the first brush 17”) is performed ( First cleaning step).

第１ブラシ１７の下側洗浄面４２ａがウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４３により昇降駆動機構２５ａが制御されて、第１ブラシ１７が所定の高さまで下降される。これにより、第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄が終了され、図８に示すように、第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａがウエハＷの周縁部に押し付けられる（ステップＳ５）。また、第１ブラシ１７が下降されるのとほぼ同時に、制御部４３により昇降駆動機構２５ｂおよび揺動駆動機構２６ｂが制御されて、図８に示すように、第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａがウエハＷの周縁部に押し付けられた状態で、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂがウエハＷの周縁部に押し付けられる（ステップＳ６）。 When a predetermined time elapses after the lower cleaning surface 42a of the first brush 17 contacts the wafer W, the controller 43 controls the elevating drive mechanism 25a to lower the first brush 17 to a predetermined height. As a result, the cleaning of the back surface of the wafer W by the first brush 17 is completed, and the upper cleaning surface 39a of the first brush 17 is pressed against the peripheral edge of the wafer W as shown in FIG. 8 (step S5). Further, almost simultaneously with the lowering of the first brush 17, the elevating drive mechanism 25b and the swing drive mechanism 26b are controlled by the controller 43, and as shown in FIG. 8, the upper cleaning surface 39a of the first brush 17 is controlled. Is pressed against the peripheral edge of the wafer W, the lower cleaning surface 42b of the second brush 18 is pressed against the peripheral edge of the wafer W (step S6).

第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａがウエハＷの周縁部に押し付けられると、ウエハＷの周縁部が第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａに食い込み、第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａがウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に押し付けられる。そして、第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａがウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に擦り付けられて、ウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に対する第１ブラシ１７による洗浄（以下では、「第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄」という。）が行われる（第１洗浄工程）。 When the upper cleaning surface 39a of the first brush 17 is pressed against the peripheral edge of the wafer W, the peripheral edge of the wafer W bites into the upper cleaning surface 39a of the first brush 17, and the upper cleaning surface 39a of the first brush 17 is in contact with the wafer W. Is pressed against the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the substrate. Then, the upper cleaning surface 39a of the first brush 17 is rubbed against the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the wafer W, so that the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the wafer W are cleaned by the first brush 17 (hereinafter, referred to as “cleaning”). Then, “cleaning the front surface side of the wafer W by the first brush 17” is performed (first cleaning step).

また、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂがウエハＷの周縁部に押し付けられることにより、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂにウエハＷの周縁部が食い込み、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂがウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に押し付けられる。第２ブラシ１８は、軟質のスポンジブラシであるので、弾性変形することにより、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に対して隙間なく密着する。 Further, when the lower cleaning surface 42 b of the second brush 18 is pressed against the peripheral edge of the wafer W, the peripheral edge of the wafer W bites into the lower cleaning surface 42 b of the second brush 18, and the lower side of the second brush 18. The cleaning surface 42 b is pressed against the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W. Since the second brush 18 is a soft sponge brush, the second brush 18 is in close contact with the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W without any gap by elastic deformation.

前述のように、ウエハＷはスピンモータ１３によって回転されているので、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂがウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に押し付けられると、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂが、ウエハＷの周縁部に当接した状態で、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に対して相対移動される。これにより、第２ブラシ１８の下側洗浄面４２ｂがウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に擦り付けられて、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に付着している汚染物質が除去される。このようにして、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に対する第２ブラシ１８による洗浄（以下では、「第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄」という。）が行われる（第２洗浄工程）。第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄は、ウエハＷの裏面の周縁領域９および周端面１０に対する仕上げ洗浄であり、第１ブラシ１７によって除去されなかった汚染物質（たとえば細かな汚染物質や、第１ブラシ１７から落ちてウエハＷに付着した汚染物質など）は、当該洗浄において除去されるようになっている。 As described above, since the wafer W is rotated by the spin motor 13, when the lower cleaning surface 42 b of the second brush 18 is pressed against the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W, the second brush 18. The lower cleaning surface 42 b is moved relative to the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W while being in contact with the peripheral portion of the wafer W. Thereby, the lower cleaning surface 42b of the second brush 18 is rubbed against the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W, and the contaminants attached to the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back surface of the wafer W. Is removed. In this manner, the cleaning of the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 of the back surface of the wafer W by the second brush 18 (hereinafter referred to as “cleaning the back surface of the wafer W by the second brush 18”) is performed ( Second cleaning step). The cleaning of the back side of the wafer W by the second brush 18 is a finish cleaning for the peripheral region 9 and the peripheral end surface 10 on the back side of the wafer W, and contaminants that have not been removed by the first brush 17 (for example, fine contaminants). In addition, contaminants that fall from the first brush 17 and adhere to the wafer W are removed during the cleaning.

第１ブラシ１７の上側洗浄面３９ａがウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４３により昇降駆動機構２５ａおよび揺動駆動機構２６ａが制御されて、第１ブラシ１７が待機位置に退避される（ステップＳ７）。これにより、第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄が終了される。また、第１ブラシ１７が待機位置に戻される間に、ブラシ自転機構２４ａが停止されて、第１ブラシ１７の回転が停止される。図７に示すように、第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄時間は、第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄時間とほぼ同じにされている。 When a predetermined time elapses after the upper cleaning surface 39a of the first brush 17 comes into contact with the wafer W, the controller 43 controls the elevating drive mechanism 25a and the swing drive mechanism 26a, so that the first brush 17 is set to the standby position. Saved (step S7). Thereby, the cleaning of the front side of the wafer W by the first brush 17 is completed. Further, while the first brush 17 is returned to the standby position, the brush rotation mechanism 24a is stopped and the rotation of the first brush 17 is stopped. As shown in FIG. 7, the cleaning time for the front side of the wafer W by the first brush 17 is substantially the same as the cleaning time for the back side of the wafer W by the first brush 17.

一方、第２ブラシ１８は、第１ブラシ１７が待機位置に戻されるのとほぼ同時に、制御部４３により昇降駆動機構２５ｂが制御されて、所定の高さまで下降される。これにより、第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄が終了され、第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂがウエハＷの周縁部に押し付けられる。
図７に示すように、第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄時間は、第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄時間とほぼ同じにされている。また、図７に示すように、第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄は、第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄と終始並行して行われている。 On the other hand, the second brush 18 is lowered to a predetermined height by controlling the elevating drive mechanism 25b by the control unit 43 almost simultaneously with the return of the first brush 17 to the standby position. Thereby, the cleaning of the back surface of the wafer W by the second brush 18 is completed, and the upper cleaning surface 39b of the second brush 18 is pressed against the peripheral edge of the wafer W.
As shown in FIG. 7, the cleaning time for the back side of the wafer W by the second brush 18 is substantially the same as the cleaning time for the back side of the wafer W by the first brush 17. As shown in FIG. 7, the cleaning of the back surface of the wafer W by the second brush 18 is performed in parallel with the cleaning of the front surface of the wafer W by the first brush 17 throughout.

第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂがウエハＷの周縁部に押し付けられると、ウエハＷの周縁部が第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂに食い込み、第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂがウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に押し付けられる（ステップＳ８）。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂが隙間なく密着するとともに、第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂがウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に擦り付けられて、当該周縁領域８および周端面１０が洗浄される（第２洗浄工程）。 When the upper cleaning surface 39 b of the second brush 18 is pressed against the peripheral portion of the wafer W, the peripheral portion of the wafer W bites into the upper cleaning surface 39 b of the second brush 18, and the upper cleaning surface 39 b of the second brush 18 is Is pressed against the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface (step S8). As a result, the upper cleaning surface 39b of the second brush 18 closely contacts the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the wafer W without any gap, and the upper cleaning surface 39b of the second brush 18 is in contact with the peripheral region 8 of the surface of the wafer W. The peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 are cleaned by rubbing against the peripheral end surface 10 (second cleaning step).

第２ブラシ１８の上側洗浄面３９ｂがウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４３により昇降駆動機構２５ｂおよび揺動駆動機構２６ｂが制御されて、第２ブラシ１８が待機位置に退避される（ステップＳ９）。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域８および周端面１０に対する第２ブラシ１８による洗浄（以下では、「第２ブラシ１８によるウエハＷの表面側への洗浄」という。）が終了される。また、第２ブラシ１８が待機位置に戻される間に、ブラシ自転機構２４ｂが停止されて、第２ブラシ１８の回転が停止され、さらに、制御部４３により処理液バルブ１６が閉じられて、表面ノズル４および裏面ノズル５からの処理液の供給が停止される（ステップＳ１０）。図７に示すように、第２ブラシ１８によるウエハＷの表面側への洗浄時間は、第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄時間とほぼ同じにされている。 When a predetermined time elapses after the upper cleaning surface 39b of the second brush 18 contacts the wafer W, the controller 43 controls the lifting drive mechanism 25b and the swing drive mechanism 26b so that the second brush 18 is set to the standby position. Saved (step S9). Accordingly, the cleaning of the peripheral region 8 and the peripheral end surface 10 of the surface of the wafer W by the second brush 18 (hereinafter referred to as “cleaning the front surface of the wafer W by the second brush 18”) is completed. Further, while the second brush 18 is returned to the standby position, the brush rotation mechanism 24b is stopped, the rotation of the second brush 18 is stopped, and the processing liquid valve 16 is closed by the control unit 43, and the surface Supply of the processing liquid from the nozzle 4 and the back surface nozzle 5 is stopped (step S10). As shown in FIG. 7, the cleaning time for the front surface side of the wafer W by the second brush 18 is substantially the same as the cleaning time for the back surface side of the wafer W by the first brush 17.

その後は、制御部４３によりスピンモータ１３が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ１１）。これにより、ウエハＷに付着している処理液が振り切られ、ウエハＷが乾燥される。ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、スピンモータ１３が停止されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される（ステップＳ１２）。そして、ウエハＷが静止した後、その処理済みのウエハＷが処理室２から搬出されていく（ステップＳ１３）。 Thereafter, the control unit 43 controls the spin motor 13 to rotate the wafer W at a high speed (for example, 3000 rpm) (step S11). Thereby, the processing liquid adhering to the wafer W is shaken off, and the wafer W is dried. When the high-speed rotation of the wafer W is continued for a predetermined time, the spin motor 13 is stopped, and the rotation of the wafer W by the spin chuck 3 is stopped (step S12). Then, after the wafer W is stopped, the processed wafer W is unloaded from the processing chamber 2 (step S13).

以上のように本実施形態では、互いに硬さの異なる第１および第２ブラシ１７，１８を用いてウエハＷの周縁部を洗浄することができる。第１ブラシ１７は、圧縮弾性率が高くされており、さらに、その外表面を含む範囲に砥粒が保持されているので、ウエハＷの周縁部に強固に付着している汚染物質をウエハＷから良好に、かつ、比較的短時間で剥離させることができる。これにより、ウエハＷの周縁部に強固に付着している汚染物質を除去して、除去率を高めることができる。また、第２ブラシ１８は、圧縮弾性率が低くされているので、ウエハＷの周縁部に当接されたときに当該周縁部に密着される。したがって、第２ブラシ１８は、第１ブラシ１７によって除去できなかった細かな汚染物質などを良好に除去することができる。これにより、清浄度（洗浄後のパーティクル数により判断される基準）を高めることができる。 As described above, in the present embodiment, the peripheral portion of the wafer W can be cleaned using the first and second brushes 17 and 18 having different hardnesses. The first brush 17 has a high compressive elastic modulus, and further, abrasive grains are held in a range including the outer surface thereof. Therefore, the contaminants firmly attached to the peripheral edge of the wafer W are removed from the wafer W. And can be peeled off in a relatively short time. As a result, contaminants firmly adhered to the peripheral edge of the wafer W can be removed, and the removal rate can be increased. Further, since the second brush 18 has a low compression elastic modulus, the second brush 18 is brought into close contact with the peripheral edge of the wafer W when it is in contact with the peripheral edge. Therefore, the second brush 18 can satisfactorily remove fine contaminants that could not be removed by the first brush 17. Thereby, the degree of cleanliness (standard determined by the number of particles after cleaning) can be increased.

すなわち本実施形態では、硬質ブラシである第１ブラシ１７を用いることによってウエハＷの周縁部に強固に付着している汚染物質を当該周縁部から除去して除去率を高めることができ、さらに、軟質ブラシである第２ブラシ１８を用いることによって第１ブラシ１７によって除去できなかった汚染物質を除去して清浄度を高めることができる。これにより、ウエハＷの周縁部から汚染物質を良好に除去することができる。さらに、ウエハＷの周縁部に強固に付着している汚染物質を第１ブラシ１７によって比較的短時間で剥離させることができるので、ウエハＷの洗浄時間（処理時間）を短縮することができる。 That is, in the present embodiment, by using the first brush 17 that is a hard brush, it is possible to remove contaminants firmly attached to the peripheral portion of the wafer W from the peripheral portion, thereby increasing the removal rate. By using the second brush 18 that is a soft brush, it is possible to remove contaminants that could not be removed by the first brush 17 and to increase the cleanliness. Thereby, contaminants can be removed well from the peripheral edge of the wafer W. Furthermore, since the contaminants firmly attached to the peripheral edge of the wafer W can be peeled off in a relatively short time by the first brush 17, the cleaning time (processing time) of the wafer W can be shortened.

また本実施形態では、第１および第２ブラシ１７，１８が、それぞれ、ウエハＷの表面の周縁領域８および裏面の周縁領域９に同時に当接されて（図８参照）、表面の周縁領域８に対する第１洗浄工程と裏面の周縁領域９に対する第２洗浄工程が同時に行われるので、処理時間が一層短縮されている。
さらに本実施形態では、ウエハＷの周縁部における同一の領域に対して、第１洗浄工程が終了された後に第２洗浄工程が終了されるので、第２ブラシ１８よる仕上げ洗浄を最後に行うことができる。これにより、たとえば第１ブラシ１７から落ちてウエハＷに付着した汚染物質などを良好に除去して、ウエハＷの清浄度を高めることができる。 In the present embodiment, the first and second brushes 17 and 18 are simultaneously brought into contact with the peripheral region 8 on the front surface and the peripheral region 9 on the back surface of the wafer W, respectively (see FIG. 8), and the peripheral region 8 on the front surface. Since the first cleaning step and the second cleaning step for the peripheral region 9 on the back surface are simultaneously performed, the processing time is further shortened.
Furthermore, in this embodiment, since the second cleaning process is completed after the first cleaning process is completed for the same region in the peripheral edge of the wafer W, the final cleaning with the second brush 18 is performed last. Can do. Thereby, for example, contaminants that have dropped from the first brush 17 and adhered to the wafer W can be removed well, and the cleanliness of the wafer W can be increased.

この発明の実施形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述のウエハＷの処理の一例では、第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄時間、第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄時間、第２ブラシ１８によるウエハＷの表面側への洗浄時間、および、第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄時間が、それぞれほぼ同じに設定されている（図７参照）場合について説明したが、これらの洗浄時間は、それぞれ異なっていてもよいし、同じ長さのものが複数あってもよい。 Although the description of the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the claims. For example, in the above-described processing of the wafer W, the cleaning time for the front surface of the wafer W by the first brush 17, the cleaning time for the back surface of the wafer W by the first brush 17, and the cleaning of the wafer W by the second brush 18 are performed. The case where the cleaning time on the front surface side and the cleaning time on the back surface side of the wafer W by the second brush 18 are set to be substantially the same (see FIG. 7) has been described. Each may be different, or a plurality of the same length may be present.

たとえば図９に示すように、第１ブラシ１７および第２ブラシ１８のそれぞれに関して、ウエハＷの表面側への洗浄時間と裏面側への洗浄時間とが同じに設定され（Ｔ１＝Ｔ２、Ｔ３＝Ｔ４）、さらに、第１ブラシ１７による洗浄時間が、第２ブラシ１８による洗浄時間より短くされていてもよい（Ｔ１＝Ｔ２＜Ｔ３＝Ｔ４）。また、第１ブラシ１７および第２ブラシ１８のそれぞれに関して、ウエハＷの表面側への洗浄時間と裏面側への洗浄時間とが同じに設定され（Ｔ１＝Ｔ２、Ｔ３＝Ｔ４）、さらに、第２ブラシ１８による洗浄時間が、第１ブラシ１７による洗浄時間より短くされていてもよい（Ｔ１＝Ｔ２＞Ｔ３＝Ｔ４）。ただし、この場合であっても、ウエハＷの周縁部における同一の領域に対して、第１洗浄工程が終了された後に第２洗浄工程が終了されるようにすることが好ましい。 For example, as shown in FIG. 9, for each of the first brush 17 and the second brush 18, the cleaning time for the front side of the wafer W and the cleaning time for the back side are set to be the same (T1 = T2, T3 = T4) Further, the cleaning time by the first brush 17 may be shorter than the cleaning time by the second brush 18 (T1 = T2 <T3 = T4). Further, for each of the first brush 17 and the second brush 18, the cleaning time for the front side of the wafer W and the cleaning time for the back side are set to be the same (T1 = T2, T3 = T4). The cleaning time by the two brushes 18 may be shorter than the cleaning time by the first brush 17 (T1 = T2> T3 = T4). However, even in this case, it is preferable that the second cleaning step is completed after the first cleaning step is completed for the same region in the peripheral portion of the wafer W.

また、前述のウエハＷの処理の一例では、第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄と、第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄が終始並行して行われる（図７参照）場合について説明したが、ウエハＷに対する処理はこれに限られない。すなわち、図１０に示すように、第２ブラシ１８によってウエハＷの周縁部を洗浄するタイミングが全体的に早められ、第１ブラシ１７によるウエハＷの裏面側への洗浄が行われている途中で、第２ブラシ１８によるウエハＷの裏面側への洗浄が開始され、さらに、第１ブラシ１７によるウエハＷの表面側への洗浄が行われている途中で、第２ブラシ１８によるウエハＷの表面側への洗浄が開始されてもよい。この場合、図７と図１０とを比較すれば解るように、ウエハＷの周縁部の洗浄に要する時間を一層短縮することができる。 In the example of the processing of the wafer W described above, the cleaning of the front surface of the wafer W by the first brush 17 and the cleaning of the rear surface of the wafer W by the second brush 18 are performed in parallel (FIG. 7). Reference) The case has been described, but the processing for the wafer W is not limited to this. That is, as shown in FIG. 10, the timing of cleaning the peripheral portion of the wafer W by the second brush 18 is advanced as a whole, and the cleaning of the back side of the wafer W by the first brush 17 is being performed. While the cleaning of the back side of the wafer W by the second brush 18 is started and further the cleaning of the front side of the wafer W by the first brush 17 is being performed, the surface of the wafer W by the second brush 18 Side cleaning may be started. In this case, as can be seen by comparing FIG. 7 and FIG. 10, the time required for cleaning the peripheral portion of the wafer W can be further shortened.

また、前述の実施形態では、スピンモータ１３によってスピンチャック３に保持されたウエハＷを回転させることにより、ウエハＷの周縁部と、当該周縁部に当接されたブラシ（第１ブラシ１７および／または第２ブラシ１８）を相対移動させる場合について説明したが、これに限らず、ウエハＷの回転を停止させた状態、または、ウエハＷを回転させた状態で、ブラシをウエハＷの周縁部に沿って移動させることにより、ウエハＷの周縁部と当該周縁部に当接されたブラシとを相対移動させてもよい。 In the above-described embodiment, the wafer W held on the spin chuck 3 is rotated by the spin motor 13 to rotate the peripheral portion of the wafer W and the brush (first brush 17 and / or Alternatively, the relative movement of the second brush 18) has been described. However, the present invention is not limited to this, and the brush is placed on the peripheral edge of the wafer W while the rotation of the wafer W is stopped or the wafer W is rotated. By moving along the peripheral edge of the wafer W, the peripheral edge of the wafer W and the brush in contact with the peripheral edge may be relatively moved.

また、前述の実施形態では、第１および第２ブラシ機構６，７がそれぞれ同種の構成を有している場合について説明したが、これに限らず、第１および第２ブラシ機構６，７は、それぞれ異なる種の構成を有していてもよい。同様に、前述の実施形態では、第１および第２ブラシ１７，１８の形状が互いに同一である場合について説明したが、これに限らず、第１および第２ブラシ１７，１８は互いに異なる形状にされていてもよい。 In the above-described embodiment, the case where the first and second brush mechanisms 6 and 7 have the same kind of configuration has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the first and second brush mechanisms 6 and 7 , Each may have a different kind of configuration. Similarly, in the above-described embodiment, the case where the first and second brushes 17 and 18 have the same shape has been described. However, the present invention is not limited to this, and the first and second brushes 17 and 18 have different shapes. May be.

また、前述の実施形態では、２本のブラシ（第１および第２ブラシ１７，１８）によってウエハＷの周縁部を洗浄する場合について説明したが、これに限らず、３本以上のブラシを用いてウエハＷの周縁部を洗浄してもよい。この場合、これらのブラシの硬さは、それぞれ異なっていてもよいし、同じ硬さのブラシが複数本含まれていてもよい。
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。 In the above-described embodiment, the case where the peripheral portion of the wafer W is cleaned with two brushes (the first and second brushes 17 and 18) has been described. However, the present invention is not limited to this, and three or more brushes are used. Then, the peripheral edge of the wafer W may be cleaned. In this case, the hardness of these brushes may be different from each other, or a plurality of brushes having the same hardness may be included.
In the above-described embodiment, the wafer W is taken up as a substrate to be processed. However, the substrate is not limited to the wafer W, but a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for an FED, a substrate for an optical disk, or a substrate for a magnetic disk. Other types of substrates such as a magneto-optical disk substrate and a photomask substrate may be processed.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示す基板処理装置の内部の図解的な側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the inside of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. 第１ブラシ（第２ブラシ）およびその周辺の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a 1st brush (2nd brush) and its periphery. 基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the electrical structure of a substrate processing apparatus. 第１ブラシによってウエハの周縁部を洗浄したときと、第２ブラシによってウエハの周縁部を洗浄したときの除去率を示すグラフである。It is a graph which shows the removal rate when the peripheral part of a wafer is washed with the 1st brush, and when the peripheral part of a wafer is washed with the 2nd brush. 基板処理装置によるウエハの処理の一例を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating an example of the process of the wafer by a substrate processing apparatus. ウエハの周縁部に対する第１および第２ブラシの当接状態と時間との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the contact state of the 1st and 2nd brush with respect to the peripheral part of a wafer, and time. ウエハの処理中における第１および第２ブラシの側面図である。It is a side view of the 1st and 2nd brush during processing of a wafer. 基板処理装置によるウエハの処理の他の例における、ウエハの周縁部に対する第１および第２ブラシの当接状態と時間との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the contact state of the 1st and 2nd brush with respect to the peripheral part of a wafer, and time in the other example of the process of the wafer by a substrate processing apparatus. 基板処理装置によるウエハの処理のさらに他の例における、ウエハの周縁部に対する第１および第２ブラシの当接状態と時間との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the contact state of the 1st and 2nd brush with respect to the peripheral part of a wafer, and time in the further another example of the process of the wafer by a substrate processing apparatus.

Explanation of symbols

１基板処理装置
３スピンチャック（基板保持手段）
８周縁領域
９周縁領域
１３スピンモータ（相対移動手段）
１７第１ブラシ（硬質ブラシ）
１８第２ブラシ（軟質ブラシ）
２５ａ昇降駆動機構（第1移動手段）
２５ｂ昇降駆動機構（第２移動手段）
２６ａ揺動駆動機構（第1移動手段）
２６ｂ揺動駆動機構（第２移動手段）
４３制御部（制御手段）
Ｗウエハ（基板） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Spin chuck (substrate holding means)
8 Peripheral region 9 Peripheral region 13 Spin motor (relative movement means)
17 First brush (hard brush)
18 Second brush (soft brush)
25a Elevating drive mechanism (first moving means)
25b Elevating drive mechanism (second moving means)
26a Oscillation drive mechanism (first moving means)
26b Oscillation drive mechanism (second moving means)
43 Control unit (control means)
W Wafer (Substrate)

Claims

Substrate holding means for holding the substrate;
A peripheral cleaning brush for cleaning the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding means, and a hard brush capable of selectively cleaning the peripheral region of one surface and the other surface of the substrate;
A peripheral cleaning brush for cleaning a peripheral portion of a substrate held by the substrate holding means, wherein the peripheral region of one surface and the other surface of the substrate can be selectively cleaned, and is softer than the hard brush With a soft brush,
First moving means for moving the hard brush to bring the hard brush into contact with a peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means;
Second moving means for moving the soft brush to bring the soft brush into contact with a peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means;
Relative movement means for relatively moving the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means and the hard brush and / or soft brush abutted on the peripheral edge of the substrate while maintaining the contact state;
By controlling the first moving means and the relative moving means, a first cleaning step for cleaning the peripheral edge of the substrate held by the substrate holding means by the hard brush, and the second moving means and the relative moving means by controlling, viewing contains a control means to perform a second cleaning step of cleaning the periphery of the substrate held by the substrate holding means by the soft brush,
The control unit controls the first and second moving units and the relative moving unit to simultaneously perform the first cleaning step and the second cleaning step on the same region or different regions in the peripheral edge of the substrate,
The control means controls the first and second moving means and the relative moving means so that the second cleaning process is completed after the first cleaning process is completed, so that the same region in the peripheral portion of the substrate is provided. A substrate processing apparatus that causes the first cleaning step and the second cleaning step to be performed .

The control means controls the first and second moving means and the relative moving means so that the hard brush and the soft brush are simultaneously brought into contact with a peripheral area of the one surface, and the first cleaning with respect to the one surface is performed. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the process and the second cleaning process for the one surface are performed simultaneously.

The control means controls the first and second moving means and the relative moving means to simultaneously bring the hard brush and the soft brush into contact with the peripheral area of the one surface and the peripheral area of the other surface, respectively. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first cleaning process for the one surface and the second cleaning process for the other surface are performed simultaneously.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the hard brush includes a brush in which particles harder than the soft brush are held.

The soft brush includes a sponge brush,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the hard brush includes a sponge brush having a higher compression elastic modulus than the soft brush.

What peripheral cleaning brush der for cleaning a peripheral portion of the substrate, selectively cleanable hard brush perimeter region of the one surface and the other surface of the substrate is brought into contact with the periphery of the substrate the periphery A first cleaning step for cleaning
A peripheral cleaning brush for cleaning a peripheral portion of a substrate, wherein a peripheral region of one surface and the other surface of the substrate can be selectively cleaned, and a soft brush softer than the hard brush parts to abut viewed contains a second cleaning step of cleaning the peripheral portion,
The second cleaning step includes
A step performed on the same region or a different region as a peripheral region of the substrate on which the first cleaning step is performed, and a step performed simultaneously with the first cleaning step;
The first comprises the steps of cleaning process is performed on the same area as the area of the peripheral portion of the substrate to be performed, step and a including ending after the first cleaning step is completed, the substrate processing method.