JP5171157B2 - 測距装置 - Google Patents
測距装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5171157B2 JP5171157B2 JP2007216514A JP2007216514A JP5171157B2 JP 5171157 B2 JP5171157 B2 JP 5171157B2 JP 2007216514 A JP2007216514 A JP 2007216514A JP 2007216514 A JP2007216514 A JP 2007216514A JP 5171157 B2 JP5171157 B2 JP 5171157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- distance measuring
- capacitor
- output
- capacitors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 79
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 30
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
・パルス駆動信号SP:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・検出用ゲート信号SL:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・検出用ゲート信号SR(=SLの反転):
・V(t)=0(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=1(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
また、上述の装置では、検出される信号が小さいときには、減算処理が行われないので、そのまま計測を行うことができる。また、上述のトランジスタPGの代わりに、逆バイアス印加されたフォトダイオードを用いることができる。
Claims (4)
- 変調した光を対象物に照射する光源と、
前記光源に駆動信号を与える駆動回路と、
前記駆動信号に同期した検出用ゲート信号が与えられる第1及び第2ゲート電極、及び、当該対象物で反射された光の入射に応答して発生したキャリアが、前記第1及び第2ゲート電極に交互に検出用ゲート信号を印加することで、時分割で振り分けられる第1及び第2半導体領域を備えた測距センサと、
前記測距センサの前記第1及び第2半導体領域から読み出された距離情報を示す信号から、前記対象物までの距離を演算する演算手段と、
を備えた測距装置において、
前記第1及び第2半導体領域に振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積する複数のキャパシタと、
前記キャパシタに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値が、全て閾値を超えたかどうかを判定する判定手段と、
前記キャパシタに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値が、全て閾値を超えた旨を、前記判定手段が示す場合には、それぞれの前記キャパシタに蓄積されたキャリアの電荷量から、一定の電荷量を減じる減算手段と、
を備え、
前記減算手段は、
それぞれの前記キャパシタの入力側にスイッチを介して接続された電荷引き抜き用キャパシタを備えており、
前記キャパシタに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値が、全て閾値を超えた旨を、前記判定手段が示す場合には、前記スイッチは接続される、
ことを特徴とする測距装置。 - 前記閾値は、前記キャパシタの飽和電荷量に対応する値の50%以下に設定される、ことを特徴とする請求項1に記載の測距装置。
- それぞれの前記キャパシタを入出力端子間に含むチャージアンプを更に備え、
前記チャージアンプの入力端子と出力端子は、異なる電位でリセットされ、リセット後に前記キャパシタへのキャリア蓄積が行われる、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の測距装置。 - 前記判定手段は、
それぞれの前記キャパシタに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値がそれぞれ入力される複数の比較器と、
前記比較器の出力がそれぞれ入力される複数のDラッチ回路と、
前記Dラッチ回路の出力が入力される論理積回路と、
を備え、
前記論理積回路の出力は前記減算手段に入力される、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の測距装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216514A JP5171157B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 測距装置 |
PCT/JP2008/065040 WO2009025369A1 (ja) | 2007-08-22 | 2008-08-22 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216514A JP5171157B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 測距装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009047659A JP2009047659A (ja) | 2009-03-05 |
JP2009047659A5 JP2009047659A5 (ja) | 2010-08-05 |
JP5171157B2 true JP5171157B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=40378269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007216514A Active JP5171157B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 測距装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5171157B2 (ja) |
WO (1) | WO2009025369A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5171158B2 (ja) | 2007-08-22 | 2013-03-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び距離画像測定装置 |
JP5089289B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2012-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距センサ及び測距装置 |
JP5154862B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距装置 |
JP2009047661A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 測距装置 |
CN107533136B (zh) * | 2015-06-24 | 2020-08-25 | 株式会社村田制作所 | 距离传感器 |
CN115088075A (zh) * | 2020-03-05 | 2022-09-20 | 松下知识产权经营株式会社 | 图像传感器和摄像系统 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60105270A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-10 | Canon Inc | 投光式距離計における光電変換装置 |
JPS6148199A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Canon Inc | 循環シフトレジスタ |
JP4235729B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2009-03-11 | 国立大学法人静岡大学 | 距離画像センサ |
JP4238322B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2009-03-18 | 国立大学法人静岡大学 | オフセット低減機能をもつtof距離センサ |
JP2007170856A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Denso Corp | 距離データ生成方法、距離画像生成装置、光電センサ |
JP2009047475A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像素子 |
JP5171158B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-03-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び距離画像測定装置 |
JP5089289B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2012-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距センサ及び測距装置 |
JP5154862B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距装置 |
JP2009047661A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 測距装置 |
-
2007
- 2007-08-22 JP JP2007216514A patent/JP5171157B2/ja active Active
-
2008
- 2008-08-22 WO PCT/JP2008/065040 patent/WO2009025369A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009047659A (ja) | 2009-03-05 |
WO2009025369A1 (ja) | 2009-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8976338B2 (en) | Range sensor and range image sensor | |
CN107852470B (zh) | 固体摄像装置的驱动方法 | |
JP5302244B2 (ja) | 距離画像センサ | |
JP5171157B2 (ja) | 測距装置 | |
JP6265346B2 (ja) | 距離計測装置 | |
JP5154862B2 (ja) | 測距装置 | |
JP6006514B2 (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2011112614A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2009014461A (ja) | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 | |
US9494688B2 (en) | Range sensor and range image sensor | |
JP4971890B2 (ja) | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 | |
CN112067120B (zh) | 光检测装置 | |
JP6010425B2 (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2012083213A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2012083214A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2012083221A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP5932400B2 (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2012083220A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2012083219A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ | |
JP2012083222A (ja) | 距離センサ及び距離画像センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100623 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5171157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |