JP5167068B2 - ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材 - Google Patents
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Description
まず、めっきによりハンダボール表面にホウ素含有層を形成した場合の実施例について説明する。
次に、塗装によりハンダボール表面にホウ素含有層を形成した場合の実施例について説明する。本実施例では、ハンダボール表面に、ジメチルアミンボランを被覆した。ジメチルアミンボランをアセトンに溶解した溶液に前記ハンダボールを浸漬し、マグネットスターラーにより攪拌した。前記溶液濃度と浸漬時間は、ジメチルアミンボラン被覆後のボールのホウ素濃度を、ICP発光分析およびGD-MS分析法により分析し、表2の対応するハンダボールとほぼ同一の濃度となるように設定した。尚、その他の条件及び評価方法は、上記実施例1と同様である。その結果を表2に示す。
次に、電極表面にホウ素含有層を形成した場合の実施例について説明する。本実施例では、ホウ素含有層を被覆していないハンダボールを用い、接合対象となる電極の際表面をホウ素を含む無電解Niめっき層としたものである。めっき浴組成、及び、浴温度は前記と同一であり、めっき厚は5μmとした。尚、その他の条件は、上記実施例1と同様である。その結果を表3に示す。また、耐落下衝撃特性は、ホウ素含有層で表面を被覆していない電極(同一組成)に比べて、それ未満のものを×、同程度のものを○、20%以上特性が向上したものについて◎、40%以上特性が向上したものを◎○とし、その結果を表3に併記した。尚、ハンダバンプと、電極との界面を中心として両側の少なくとも上下5μmの領域におけるホウ素の濃度は、質量で0.5ppm以上であった。
Claims (5)
- 実質的にSnを40質量%以上含有し、その溶融温度が250℃未満であるハンダボールであって、ホウ素を含有するホウ素含有層で表面が被覆され、前記ホウ素含有層は、ハンダボール全体に対しホウ素を質量で0.1ppm以上200ppm以下含有することを特徴とするハンダボール。
- Ag及びCuを含有し、Agの含有量が0.1質量%以上5質量%以下で、Cuの含有量が0.01質量%以上1.5質量%以下であることを特徴とする請求項1記載のハンダボール。
- 球径1mm以下であることを特徴とする請求項1または2記載のハンダボール。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のハンダボールを用いて形成したハンダバンプを有することを特徴とする電子部材。
- 実質的にSnを40質量%以上含有し、その溶融温度が250℃未満であるハンダバンプを有し、前記ハンダバンプと電極との界面を中心として両側の少なくとも5μmの領域に、ホウ素が質量で0.5ppm以上濃化していることを特徴とする電子部材。
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