JP5164520B2 - 不揮発性半導体メモリ及びデータプログラム/消去方法 - Google Patents
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Description
1−1.セル構造
図1は、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリの構造を示す断面図である。特に、図1は、メモリセルトランジスタの断面構造を示している。図1を参照して、本実施の形態に係るメモリセルトランジスタの構造を説明する。
次に、図2A〜図2Gを参照して、図1で示された構造の製造プロセスの一例を説明する。
次に、図1で示されたメモリセルトランジスタに対するデータのプログラム/消去を説明する。電荷トラップ膜22に電子が注入されると閾値電圧は上昇し、電荷トラップ膜22から電子が引き抜かれると閾値電圧は減少する。本実施の形態では、電子注入が「データ消去」に対応づけられ、電子引き抜きが「データプログラム」に対応付けられる。その対応関係は、逆であってもよい。プログラムは、1ビットずつの閾値電圧の変化させる動作であり、消去は、1ビットずつではなく、ある選択範囲の閾値電圧を一括で変化させる動作を意味する。
図3は、本実施の形態における電子注入(データ消去)を示す模式図である。消去対象は、コントロールゲートCG2側のビットであるとする。つまり、コントロールゲートCG2側のビットが選択ビットであり、コントロールゲートCG1側のビットは非選択ビットである。
上述の電子注入と同様に、電子引き抜き(プログラム)も、コントロールゲートCGと電荷トラップ膜22との間のFNトンネリングにより行われ得る。この場合、電子注入(消去)と電子引き抜き(プログラム)の両方が、半導体基板1側ではなく、コントロールゲートCG側のFNトンネリングで発生することになる。
次に、本願発明者による実験の結果に基づいて、コントロールゲートCGと電荷トラップ膜22との間で電荷授受が行われることを実証する。図10A及び図10Bは、コントロールゲートCGに印加されるゲート電圧VCGに対する閾値電圧Vtの変化を示している。横軸は、コントロールゲートに印加されるゲート電圧VCGを示している。ここでは、コントロールゲートに100msecのパルス電圧が印加される。縦軸は、閾値電圧Vtを示している。
図11は、本実施の形態に係る不揮発性半導体メモリが搭載された半導体集積回路100の一例を示すブロック図である。半導体集積回路100は、メモリセルアレイ110、駆動回路120、及びチャージポンプ130を備えている。メモリセルアレイ110は、アレイ状に配置された複数のメモリセルMCを含んでいる。複数のメモリセルMCの各々が、図1で示されたメモリセルトランジスタを有している。
本実施の形態で得られる主要な効果は、次の通りである。
図15は、第2の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリの構造を示す断面図である。第1の実施の形態と重複する説明は適宜省略される。
図17は、第3の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリの構造を示す断面図である。第1の実施の形態と重複する説明は適宜省略される。
既出の実施の形態では、1つのメモリセルトランジスタが2ビットのデータを記憶する構造が示された。当然、1つのメモリセルトランジスタが1ビットのデータを記憶する構造も可能である。図19は、第4の実施の形態に係る不揮発性半導体メモリの構造を示す断面図である。図19に示されるように、ワードゲートWGの側方に、1つのコントロールゲートCGだけが形成されている。従って、1つのメモリセルセルトランジスタは、1ビットのデータだけを記憶する。また、第4の実施の形態は、第2の実施の形態や第3の実施の形態と組み合わせ可能である。
出願人は、特願2006−039778において、半導体基板のトレンチ内に形成される電荷トラップ型メモリを提案している。本発明は、特願2006−039778に記載されている構造にも応用可能である。図21は、トレンチ内に形成される電荷トラップ型メモリの一例を示している。第1の実施の形態における構成に相当する構成には同じ符号が付されている。
3 イオン注入領域
4 LDD注入領域
5 拡散領域
10 第1ゲート絶縁膜
15 第1ポリシリコン膜
20 第2ゲート絶縁膜
21 ボトム絶縁膜(基板側絶縁膜)
22 電荷トラップ膜
23 トップ絶縁膜(トンネル絶縁膜)
25 第2ポリシリコン膜
30 マスク
40 トレンチ
51、52 絶縁膜
100 半導体集積回路
110 メモリセルアレイ
120 駆動回路
130 チャージポンプ
MC メモリセル
WG ワードゲート
CG コントロールゲート
CG1 コントロールゲート
CG2 コントロールゲート
CS 角部
RT トラップ領域
EE、EP 電界
ES 自己電界
SU 上段
LU 下段
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の表面上に第2ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と絶縁膜を介して隣接する第2ゲート電極と、
前記半導体基板と前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とに囲まれたトラップ領域中に少なくとも形成された、電荷をトラップする絶縁膜である電荷トラップ膜と、
前記電荷トラップ膜と前記第2ゲート電極との間に形成されたトンネル絶縁膜と
を備え、
プログラムと消去の一方において、FNトンネル方式により、前記第2ゲート電極から前記電荷トラップ膜へ前記トンネル絶縁膜を通して電子が注入され、
プログラムと消去の他方において、FNトンネル方式により、前記電荷トラップ膜から前記第2ゲート電極へ前記トンネル絶縁膜を通して電子が引き抜かれる
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体メモリであって、
プログラム及び消去において、前記第1ゲート電極と前記半導体基板には第1電圧が印加され、前記第2ゲート電極には前記第1電圧と異なる第2電圧が印加される
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項2に記載の不揮発性半導体メモリであって、
前記電荷トラップ膜に電子が注入されるとき、前記第2電圧は前記第1電圧よりも低く、
前記電荷トラップ膜から電子が引き抜かれるとき、前記第2電圧は前記第1電圧よりも高い
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の不揮発性半導体メモリであって、
前記第2ゲート絶縁膜は、
前記トンネル絶縁膜と、
前記電荷トラップ膜と
前記電荷トラップ膜と前記半導体基板との間に形成された基板側絶縁膜と
を含み、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記半導体基板と前記第2ゲート電極の間及び前記トラップ領域に形成された
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項4に記載の不揮発性半導体メモリであって、
前記基板側絶縁膜の膜厚は、前記トンネル絶縁膜の膜厚以下である
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項4又は5に記載の不揮発性半導体メモリであって、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記半導体基板と前記第2ゲート電極の間から、前記トラップ領域を通して、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極の間に延在する
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の不揮発性半導体メモリであって、
前記第2ゲート電極の延在方向に直角な面は、第1面であり、
前記第2ゲート電極は、前記トラップ領域と対向する角部を有し、
前記第1面における前記角部の角度は、90度以下である
不揮発性半導体メモリ。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の表面上に第2ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と絶縁膜を介して隣接する第2ゲート電極と、
前記半導体基板と前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とに囲まれたトラップ領域中に少なくとも形成された、電荷をトラップする絶縁膜である電荷トラップ膜と、
前記電荷トラップ膜と前記第2ゲート電極との間に形成されたトンネル絶縁膜と
を備え、
プログラムと消去の一方において、FNトンネル方式により、前記第2ゲート電極から前記電荷トラップ膜へ前記トンネル絶縁膜を通して電子が注入され、
前記半導体基板の表面は、段差を形成する上段と下段を有しており、
前記第1ゲート電極は、前記上段上に前記第1ゲート絶縁膜を介して形成され、
前記第2ゲート電極は、前記下段上に前記第2ゲート絶縁膜を介して形成された
不揮発性半導体メモリ。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の表面上に第2ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と絶縁膜を介して隣接する第2ゲート電極と、
前記半導体基板と前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とに囲まれたトラップ領域中に少なくとも形成された、電荷をトラップする絶縁膜である電荷トラップ膜と、
前記電荷トラップ膜と前記第2ゲート電極との間に形成されたトンネル絶縁膜と
を備え、
プログラムと消去の一方において、FNトンネル方式により、前記第2ゲート電極から前記電荷トラップ膜へ前記トンネル絶縁膜を通して電子が注入され、
前記半導体基板はトレンチを有し、
前記第1ゲート電極は、前記トレンチの表面上に前記第1ゲート絶縁膜を介して形成され、
前記第2ゲート電極は、前記トレンチの表面上に前記第2ゲート絶縁膜を介して形成された
不揮発性半導体メモリ。 - 請求項9に記載の不揮発性半導体メモリであって、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記トンネル絶縁膜と前記電荷トラップ膜を含み、
前記第1ゲート絶縁膜は、前記第2ゲート絶縁膜と同じであり、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記半導体基板と前記第2ゲート電極の間から、前記トラップ領域を通して、前記半導体基板と前記第1ゲート電極の間に延在する
不揮発性半導体メモリ。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の表面上に第2ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と絶縁膜を介して隣接する第2ゲート電極と、
前記半導体基板と前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とに囲まれたトラップ領域中に少なくとも形成された、電荷をトラップする絶縁膜である電荷トラップ膜と
を備え、
前記第2ゲート電極は、前記トラップ領域と対向する角部を有し、
前記角部に対する電界集中により、前記第2ゲート電極から前記電荷トラップ膜に電子が注入され、
前記角部に対する電界集中により、前記電荷トラップ膜から前記第2ゲート電極へ電子が引き抜かれる
不揮発性半導体メモリ。 - 不揮発性半導体メモリにおけるデータプログラム/消去方法であって、
前記不揮発性半導体メモリは、
半導体基板の表面上に第1ゲート絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、
前記半導体基板の表面上に第2ゲート絶縁膜を介して形成され、前記第1ゲート電極と絶縁膜を介して隣接する第2ゲート電極と、
前記半導体基板と前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とに囲まれたトラップ領域中に少なくとも形成された、電荷をトラップする絶縁膜である電荷トラップ膜と、
前記電荷トラップ膜と前記第2ゲート電極との間に形成されたトンネル絶縁膜と
を備え、
前記データプログラム/消去方法は、
(A)FNトンネル方式により、前記第2ゲート電極から前記電荷トラップ膜に前記トンネル絶縁膜を通して電子を注入することと、
(B)FNトンネル方式により、前記電荷トラップ膜から前記第2ゲート電極に前記トンネル絶縁膜を通して電子を引き抜くことと
を含む
データプログラム/消去方法。
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