JP5163894B2 - ドライエッチング時間の決定方法、及びドライエッチング方法 - Google Patents
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請求項1:
内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルと、上記チャンバー内の所定の物質量又は該物質量に対応する物性値を測定してドライエッチングの終点を検出する終点検出装置とを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングする方法であって、
(A)上記電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域中で、上記被処理基板の被エッチング部分を、上記終点検出装置により、上記被処理基板の被エッチング部分全体が除去された後、上記所定の物質量又は物性値の変化量が一定となった時点を終点として、該終点が検出されるまでドライエッチングする工程と、
(B)上記(A)工程から引き続いて、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記(A)工程と同じ又は大きくして高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域、該領域の周辺又はそれら双方を、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままクリーニングする第1クリーニング工程と、
(C)上記(B)工程から引き続いて、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記(A)工程より小さくして、上記電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したまま上記チャンバー内を更にクリーニングする第2クリーニング工程とを備え、
上記被処理基板のドライエッチング処理と、上記チャンバー内のクリーニング処理とを、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままで連続して実施するドライエッチング方法による被処理基板のドライエッチングを、複数枚の被処理基板に対して個々に実施し、上記(A)〜(C)工程のサイクルを上記複数回繰り返して実施して(A)工程の開始から、上記終点検出装置により終点が検出されるまでの処理時間を増加させない(B)工程及び(C)工程のクリーニング処理条件を決定し、上記決定された(B)工程及び(C)工程のクリーニング処理条件によって、上記ドライエッチング方法によるドライエッチングを被処理基板に対して実施し、上記(A)工程の開始から、上記終点検出装置により終点が検出されるまでの時間を標準ドライエッチング時間として決定することを特徴とするドライエッチング時間の決定方法。
請求項2:
上記被処理基板が機能膜を備える基板であり、上記ドライエッチングが上記機能膜のドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のドライエッチング時間の決定方法。
請求項3:
上記機能膜が遷移金属及び/又はケイ素を含有する膜であることを特徴とする請求項2記載のドライエッチング時間の決定方法。
請求項4:
内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルとを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングする方法であって、
上記電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域中で、上記被処理基板の被エッチング部分を、請求項1記載の方法により決定された標準ドライエッチング時間の0.5〜2倍の時間ドライエッチングを行ってレジストパターンを機能膜に転写することを特徴とするドライエッチング方法。
請求項5:
上記被処理基板が機能膜を備える基板であり、上記ドライエッチングが上記機能膜のドライエッチングであることを特徴とする請求項4記載のドライエッチング方法。
請求項6:
上記機能膜が遷移金属及び/又はケイ素を含有する膜であることを特徴とする請求項5記載のドライエッチング方法。
また、本発明は、下記のドライエッチング装置のクリーニング方法、及びドライエッチング方法が関連する。
[1] 内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルとを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングしたドライエッチング装置のチャンバー内をクリーニングする方法であって、
上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記ドライエッチング時と同じ又は大きくして高周波電力を印加し、ドライエッチング時に被処理基板のドライエッチングを施す被処理面が位置する平面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域、該領域の周辺又はそれら双方をクリーニングした後、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記ドライエッチング時より小さくして、上記電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、上記チャンバー内を更にクリーニングすることを特徴とするドライエッチング装置のクリーニング方法。
[2] 内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルとを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングしたドライエッチング装置のチャンバー内をクリーニングする方法であって、
上記電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域中で、上記被処理基板の被エッチング部分をドライエッチングした後、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記ドライエッチング時と同じ又は大きくして高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域、該領域の周辺又はそれら双方を、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままクリーニングした後、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記ドライエッチング時より小さくして、上記電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したまま上記チャンバー内を更にクリーニングすることを特徴とするドライエッチング装置のクリーニング方法。
[3] 上記被処理基板が機能膜を備える基板であり、上記ドライエッチングが上記機能膜のドライエッチングであることを特徴とする[1]又は[2]記載のクリーニング方法。
[4] 上記機能膜が遷移金属及び/又はケイ素を含有する膜であることを特徴とする[3]記載のクリーニング方法。
[5] 内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルと、上記チャンバー内の所定の物質量又は該物質量に対応する物性値を測定してドライエッチングの終点を検出する終点検出装置とを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングする方法であって、
(A)上記電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域中で、上記被処理基板の被エッチング部分を、上記終点検出装置により、上記被処理基板の被エッチング部分全体が除去された後、上記所定の物質量又は物性値の変化量が一定となった時点を終点として、該終点が検出されるまでドライエッチングする工程と、
(B)上記(A)工程から引き続いて、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記(A)工程と同じ又は大きくして高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域、該領域の周辺又はそれら双方を、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままクリーニングする第1クリーニング工程と、
(C)上記(B)工程から引き続いて、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記(A)工程より小さくして、上記電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したまま上記チャンバー内を更にクリーニングする第2クリーニング工程とを備え、
上記被処理基板のドライエッチング処理と、上記チャンバー内のクリーニング処理とを、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままで連続して実施することを特徴とするドライエッチング方法。
[6] 上記被処理基板が機能膜を備える基板であり、上記ドライエッチングが上記機能膜のドライエッチングであることを特徴とする[5]記載のドライエッチング方法。
[7] 上記機能膜が遷移金属及び/又はケイ素を含有する膜であることを特徴とする[6]記載のドライエッチング方法。
本発明において用いられるドライエッチング装置は、内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、チャンバー内部に配設された電極と、チャンバー外部に配設されたコイルとを備える。具体的には、図1に示されるようなものが挙げられる。
(A)電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、ドライエッチング領域中で、被処理基板の被エッチング部分を、終点検出装置により、被処理基板の被エッチング部分全体が除去された後、所定の物質量又は物性値の変化量が一定となった時点を終点として、この終点が検出されるまでドライエッチングする工程。
(B)(A)工程から引き続いて、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、(A)工程と同じ又は大きくして高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、ドライエッチング領域、該領域の周辺又はそれら双方を、被処理基板をチャンバー内に配置したままクリーニングする第1クリーニング工程。
(C)(B)工程から引き続いて、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、(A)工程より小さくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、被処理基板をチャンバー内に配置したままチャンバー内を更にクリーニングする第2クリーニング工程。
被処理基板として、6インチ角の石英ガラス上に、CrONからなる膜厚120nmの膜が形成されたフォトマスクブランクを用いた。ドライエッチング装置は、被処理基板をセットするロード室と、ドライエッチング処理を行うエッチング室と、基板を搬出するアンロード室と、各室をつなぐ搬送室を有し、エッチング室は、図1に示されるものと同様の構成とし、以下の工程1〜5を行った。なお、各室は、非動作時は真空に保持された。
フォトマスクブランクを1枚ロード室にセットした後、ロード室を真空排気した。その後、ロード室のゲートバルブを開け、搬送機構により、フォトマスクブランクを搬送室に移動したのち、ロード室のゲートバルブを閉じた。次に、エッチング室のゲートバルブを開き、フォトマスクブランクを搬送室から真空保持されたエッチング室に搬送し、エッチング室の被処理基板保持台に保持し、エッチング室のゲートバルブを閉じた。
RF1:700V(50W)、RF2:400W、圧力:6mTorr、Cl2流量:185sccm、O2流量:55sccm、He流量:9.25sccmの条件で、OES(optical emission spectrometry)で、プラズマ発光スペクトルのうち、Crに起因する発光波長の光強度変化からエッチングの終点を検出するまで(7分間)ドライエッチングを行った(以下、このドライエッチング開始より終点を検出するまでの時間を「エッチング時間」と記す。)。
OESでエッチング終点検出後、工程2と同じエッチング条件で、フォトマスクブランクを被処理基板保持部に置いたまま、エッチング時間の50%の時間、プラズマの発生を継続させた。
フォトマスクブランクを被処理基板保持部に置いたまま、かつ、プラズマの発生を継続させたまま、下部電極に印加させた電力を、電圧制御から電力制御に変え、かつ制御電圧を1W(10〜20V)に変えて、放電を10分間継続した。その後、RF1、RF2共に、電力の供給を止め、すべてのガスの供給を停止した。
エッチング室のゲートバルブを開け、搬送機構により、処理の終わった基板をエッチング室より搬送室に移動した。エッチング室のゲートバルブを閉じた後、アンロード室のゲートバルブを開け、アンロード室にフォトマスクブランクを搬送し、アンロード室のゲートバルブを閉じ、アンロード室を大気開放し、フォトマスクブランクを取り出した。
工程4を省略した以外は、実施例1と同様にして、5枚のフォトマスクブランクを処理した。このときのエッチング時間のばらつきは、3σで4.9%であった。
2 アース
3 高周波電源(RF2)
4 アンテナコイル
5 被処理基板
6 下部電極(被処理基板保持部)
7 高周波電源(RF1)
8 排気口
9 ガス導入管
Claims (6)
- 内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルと、上記チャンバー内の所定の物質量又は該物質量に対応する物性値を測定してドライエッチングの終点を検出する終点検出装置とを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングする方法であって、
(A)上記電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域中で、上記被処理基板の被エッチング部分を、上記終点検出装置により、上記被処理基板の被エッチング部分全体が除去された後、上記所定の物質量又は物性値の変化量が一定となった時点を終点として、該終点が検出されるまでドライエッチングする工程と、
(B)上記(A)工程から引き続いて、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記(A)工程と同じ又は大きくして高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域、該領域の周辺又はそれら双方を、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままクリーニングする第1クリーニング工程と、
(C)上記(B)工程から引き続いて、上記コイルに印加する電力に対する上記電極に印加する電力の比を、上記(A)工程より小さくして、上記電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したまま上記チャンバー内を更にクリーニングする第2クリーニング工程とを備え、
上記被処理基板のドライエッチング処理と、上記チャンバー内のクリーニング処理とを、上記被処理基板を上記チャンバー内に配置したままで連続して実施するドライエッチング方法による被処理基板のドライエッチングを、複数枚の被処理基板に対して個々に実施し、上記(A)〜(C)工程のサイクルを上記複数回繰り返して実施して(A)工程の開始から、上記終点検出装置により終点が検出されるまでの処理時間を増加させない(B)工程及び(C)工程のクリーニング処理条件を決定し、上記決定された(B)工程及び(C)工程のクリーニング処理条件によって、上記ドライエッチング方法によるドライエッチングを被処理基板に対して実施し、上記(A)工程の開始から、上記終点検出装置により終点が検出されるまでの時間を標準ドライエッチング時間として決定することを特徴とするドライエッチング時間の決定方法。 - 上記被処理基板が機能膜を備える基板であり、上記ドライエッチングが上記機能膜のドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のドライエッチング時間の決定方法。
- 上記機能膜が遷移金属及び/又はケイ素を含有する膜であることを特徴とする請求項2記載のドライエッチング時間の決定方法。
- 内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、該チャンバー内部に配設された電極と、上記チャンバー外部に配設されたコイルとを備え、
上記電極及びコイルに高周波電力を印加することにより、上記チャンバー内に、電場と磁場とが形成されると共に、放電により発生したプラズマによりドライエッチング領域が形成され、更に、上記電極とコイルとが、上記ドライエッチング領域に、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場と磁場とを形成可能に構成されたドライエッチング装置を用いてドライエッチングする方法であって、
上記電極とコイルとに高周波電力を印加し、被処理基板のドライエッチングを施す被処理面と直交する電場及び磁場を形成すると共に、プラズマを発生させて、上記ドライエッチング領域中で、上記被処理基板の被エッチング部分を、請求項1記載の方法により決定された標準ドライエッチング時間の0.5〜2倍の時間ドライエッチングを行ってレジストパターンを機能膜に転写することを特徴とするドライエッチング方法。 - 上記被処理基板が機能膜を備える基板であり、上記ドライエッチングが上記機能膜のドライエッチングであることを特徴とする請求項4記載のドライエッチング方法。
- 上記機能膜が遷移金属及び/又はケイ素を含有する膜であることを特徴とする請求項5記載のドライエッチング方法。
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