JP5159682B2 - Multilayer ceramic capacitor - Google Patents

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JP5159682B2 JP2009075758A JP2009075758A JP5159682B2 JP 5159682 B2 JP5159682 B2 JP 5159682B2 JP 2009075758 A JP2009075758 A JP 2009075758A JP 2009075758 A JP2009075758 A JP 2009075758A JP 5159682 B2 JP5159682 B2 JP 5159682B2
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Description

本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成される誘電体磁器を誘電体層として用いた積層セラミックコンデンサに関する。   The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor using a dielectric ceramic composed of crystal particles mainly composed of barium titanate as a dielectric layer.

一般に、トランジスタ増幅器や各種LSI等といった能動回路を有する電子回路基板は、高周波特性を改善する目的のために伝送線路とは別に電源ラインやグラウンドが設けられている。このような電子回路基板では回路が動作する際の直流電源電圧が変動するのを避けるために、電源ラインとグラウンドとの間にバイパスコンデンサが実装されているが、バイパスコンデンサは電源ラインのグラウンドに対する交流的なインピーダンスを低下させる役割の他、ノイズ成分が後続の回路へ伝わらないようにフィルタリングする役割をしている。   In general, an electronic circuit board having an active circuit such as a transistor amplifier or various LSIs is provided with a power supply line and a ground separately from a transmission line for the purpose of improving high-frequency characteristics. In such an electronic circuit board, a bypass capacitor is mounted between the power supply line and the ground in order to avoid fluctuations in the DC power supply voltage when the circuit operates, but the bypass capacitor is connected to the ground of the power supply line. In addition to lowering the AC impedance, it plays a role of filtering so that noise components are not transmitted to subsequent circuits.

近年、携帯電話などのモバイルコンピューティング機器の小型化および高機能化に伴い、このような電子機器に用いられる電子回路基板は実装する電子部品の高密度化が図られている。このため電子回路基板に実装される電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは小型化および大容量化に加えて、能動回路の高周波化に伴う発熱量の増加に対して、より広い温度範囲においても静電容量の安定したものが要求されている。   In recent years, as mobile computing devices such as mobile phones have become smaller and more functional, electronic circuit boards used in such electronic devices have been increased in the density of electronic components to be mounted. For this reason, multilayer ceramic capacitors, which are one of the electronic components mounted on electronic circuit boards, are not only reduced in size and increased in capacity, but also in a wider temperature range against the increase in the amount of heat generated due to the higher frequency of active circuits. There is also a demand for stable capacitance.

このような課題に対して、本出願人は、誘電体磁器をチタン酸バリウムを主体とする結晶粒子によって形成し、これにマグネシウム、希土類元素およびマンガンなどを含有させることにより、高誘電率であり、静電容量の温度変化がEIA規格のX5R特性(−55〜85℃、ΔC=±15%以内)を満足する積層セラミックコンデンサを提案した(例えば、特許文献1を参照。)。   In response to such a problem, the present applicant has a high dielectric constant by forming a dielectric ceramic with crystal particles mainly composed of barium titanate and adding magnesium, rare earth elements, manganese, and the like to the dielectric ceramic. In addition, a multilayer ceramic capacitor was proposed in which the temperature change in capacitance satisfies the EIA standard X5R characteristics (−55 to 85 ° C., ΔC = ± 15% or less) (see, for example, Patent Document 1).

この他に、本出願人は上記特許文献1に記載された積層セラミックコンデンサと同様、高誘電率であり、かつ比誘電率の温度特性がEIA規格のX5R特性を満足する積層セラミックコンデンサとして、例えば、特許文献2に開示されるような積層セラミックコンデンサを提案した。   In addition to this, the present applicant, as the multilayer ceramic capacitor described in the above-mentioned Patent Document 1, has a high dielectric constant and the temperature characteristics of the dielectric constant satisfy the X5R characteristics of the EIA standard. Have proposed a multilayer ceramic capacitor as disclosed in US Pat.

この特許文献2に開示された積層セラミックコンデンサは、誘電体層を構成する誘電体磁器が主成分であるチタン酸バリウムにマグネシウム、希土類元素およびマンガンなどを含有させて、結晶粒子中にマグネシウムや希土類元素の濃度勾配を有するシェル相と、このシェル相に囲まれ、マグネシウムや希土類元素の含有量の低い内核とから構成されるコアシェル構造を有する結晶粒子により形成されたものである。   The multilayer ceramic capacitor disclosed in Patent Document 2 includes magnesium, a rare earth element, manganese, and the like contained in barium titanate whose main component is a dielectric ceramic that constitutes a dielectric layer. It is formed by crystal grains having a core-shell structure composed of a shell phase having an element concentration gradient and an inner core surrounded by the shell phase and having a low content of magnesium and rare earth elements.

特開2006−156450号公報JP 2006-156450 A 特開2005−217000号公報JP-A-2005-217000

しかしながら、特許文献1、2に開示された積層セラミックコンデンサは、上述のように高誘電率でありかつ比誘電率の温度変化がEIA規格のX5R特性を満足するものの、印加する交流電圧が変化した場合に比誘電率の変化率が大きいことから、高周波領域においても比誘電率の低下が大きく、また消費電力の低下のために、交流電圧を低くしたトランジスタ増幅器やLSIなどを有する電子回路基板においては、必要な静電容量が得難いという問題があった。   However, although the multilayer ceramic capacitors disclosed in Patent Documents 1 and 2 have a high dielectric constant as described above and the temperature change of the relative dielectric constant satisfies the X5R characteristic of the EIA standard, the applied AC voltage has changed. Since the change rate of the relative permittivity is large in some cases, the decrease in the relative permittivity is large even in a high-frequency region, and in an electronic circuit board having a transistor amplifier or an LSI with a low AC voltage for reducing power consumption. However, there was a problem that it was difficult to obtain the necessary capacitance.

従って、本発明は、高誘電率かつ比誘電率の温度変化がEIA規格のX5R特性を満足し、交流電圧の変化に対しても比誘電率の変化率の小さい積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a multilayer ceramic capacitor having a high dielectric constant and a change in temperature of the relative dielectric constant satisfying the X5R characteristic of the EIA standard, and a small change rate of the relative dielectric constant even with respect to an AC voltage change. Objective.

本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層したコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の端面に設けられ、前記内部電極層に接続された外部電極とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成され、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)とバナジウムとを含む誘電体磁器からなり、該誘電体磁器が、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル、バナジウムをV換算で0〜0.30モル含有するとともに、前記結晶粒子は、該結晶粒子の中心部を占める内核と、該内核を取り囲む外殻とを有し、前記内核におけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiが0.98〜1.10であり、前記外殻におけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiが0.90〜0.97であるとともに、平均粒径が0.18〜0.27μmであることを特徴とする。 The multilayer ceramic capacitor of the present invention includes a capacitor body in which dielectric layers and internal electrode layers are alternately stacked, and a multilayer ceramic capacitor provided on an end surface of the capacitor body and connected to the internal electrode layer. The dielectric layer is composed of crystal particles mainly composed of barium titanate, and includes a rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium, and vanadium. The dielectric porcelain contains one rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 moles of barium constituting barium titanate in terms of RE 2 O 3. 1.8 mole, the vanadium V 2 O 5 in terms of 0 to 0.30 mol contain together The crystal particle has an inner core that occupies the center of the crystal particle and an outer shell that surrounds the inner core, and a molar ratio Ba / Ti of barium to titanium in the inner core is 0.98 to 1.10. The molar ratio Ba / Ti between barium and titanium in the outer shell is 0.90 to 0.97, and the average particle size is 0.18 to 0.27 μm.

本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層を構成する結晶粒子がチタン酸バリウムを主成分とするものであり、その結晶粒子の内核と外殻とで、バリウムとチタンとのモル比が異なる。具体的には、内核のモル比が0.98〜1.10であり、外殻のモル比が0.90〜0.97と外殻のモル比が内核のモル比よりも小さい。このように本発明では、外殻のモル比Ba/Tiが1より小さいことから、希土類元素(RE)やバナジウムなど添加成分の固溶量が少なくなっており、このため結晶粒子はチタン酸バリウムが本来持つ交流電圧依存性の特性に近い特性を発現できるものとなり、その結果、交流電圧を変化させたときの比誘電率の変化率(以下、比誘電率の交流電圧依存性とする。)を小さくできる。   In the multilayer ceramic capacitor of the present invention, the crystal particles constituting the dielectric layer are mainly composed of barium titanate, and the molar ratio between barium and titanium is different between the inner core and the outer shell of the crystal particles. Specifically, the molar ratio of the inner core is 0.98 to 1.10, the molar ratio of the outer shell is 0.90 to 0.97, and the molar ratio of the outer shell is smaller than the molar ratio of the inner core. As described above, in the present invention, since the molar ratio Ba / Ti of the outer shell is smaller than 1, the amount of additive components such as rare earth elements (RE) and vanadium is reduced, so that the crystal particles are barium titanate. As a result, the change rate of the relative permittivity when the AC voltage is changed (hereinafter referred to as the AC voltage dependency of the relative permittivity). Can be reduced.

一方、内核は外殻におけるバリウムの欠損量を補うようにモル比Ba/Tiが1より大きくなっている。このため外殻と内核とでペロブスカイト型構造を構成するために必要なチタン酸バリウムのモル比が保たれていることから結晶粒子が本来の強誘電性を発現でき高誘電率化を図ることができる。   On the other hand, the molar ratio Ba / Ti is larger than 1 in the inner core so as to compensate for the deficiency of barium in the outer shell. For this reason, since the molar ratio of barium titanate necessary to form a perovskite structure is maintained between the outer shell and the inner core, the crystal particles can exhibit their original ferroelectricity and can have a high dielectric constant. it can.

このように本発明では、誘電体磁器が所定の添加成分を含有し、結晶粒子において、当該結晶粒子の中心部と周囲とで異なる機能を持たせるようにモル比Ba/Tiを異なるものとしたことにより、高誘電率であり比誘電率の温度変化がEIA規格のX7R特性を満足するとともに、比誘電率の交流電圧依存性の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる。   As described above, in the present invention, the dielectric ceramic contains a predetermined additive component, and the crystal grains have different molar ratios Ba / Ti so as to have different functions between the central portion and the periphery of the crystal particles. As a result, it is possible to obtain a multilayer ceramic capacitor having a high dielectric constant, a temperature change of the dielectric constant satisfying the X7R characteristic of the EIA standard, and a low dielectric constant AC voltage dependency of the dielectric constant.

また、前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.03〜0.30モル、前記希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル含有することが望ましい。 The dielectric porcelain may include 0.03 to 0.30 mol of vanadium in terms of V 2 O 5 and 100% of barium constituting the barium titanate and RE 2 O of the rare earth element (RE). It is desirable to contain 0.4-1.8 mol in 3 conversions.

この場合、誘電体磁器に含まれるバナジウムおよび希土類元素(RE)を上記範囲にしたときは高温負荷試験での寿命特性を高めることができる。   In this case, when the vanadium and rare earth element (RE) contained in the dielectric ceramic are in the above range, the life characteristics in the high temperature load test can be improved.

さらに、前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.03〜0.15モル、前記希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.0モル含有することが望ましい。 Further, the dielectric ceramic is configured such that the vanadium is 0.03 to 0.15 mol in terms of V 2 O 5 and the rare earth element (RE) is RE 2 O with respect to 100 mol of barium constituting the barium titanate. It is desirable to contain 0.4-1.0 mol in 3 conversions.

この場合、誘電体磁器に含まれるバナジウムおよび希土類元素(RE)を上記範囲にしたときは室温(25℃)における誘電体磁器の比誘電率をさらに高めることができる。   In this case, when the vanadium and rare earth element (RE) contained in the dielectric ceramic are in the above range, the dielectric constant of the dielectric ceramic at room temperature (25 ° C.) can be further increased.

なお、希土類元素をREとしたのは、周期表における希土類元素の英文表記(Rare earth)に基づくものである。また本発明では、イットリウムは希土類元素に含まれる物とする。   Note that the rare earth element RE is based on the rare earth element English representation (Rare earth) in the periodic table. In the present invention, yttrium is included in the rare earth element.

本発明によれば、高誘電率かつ比誘電率の温度変化がEIA規格のX7R特性を満足し、交流電圧の変化に対しても比誘電率の変化率の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a multilayer ceramic capacitor having a high dielectric constant and a change in temperature of the relative dielectric constant satisfying the X7R characteristic of the EIA standard and a small change rate of the relative dielectric constant even with respect to a change in AC voltage. .

本発明の積層セラミックコンデンサの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the multilayer ceramic capacitor of this invention. 図1の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の拡大図であり、結晶粒子と粒界相を示す模式図である。FIG. 2 is an enlarged view of a dielectric layer constituting the multilayer ceramic capacitor of FIG. 1, and is a schematic diagram showing crystal grains and grain boundary phases. 本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層を構成する結晶粒子の内部構造と、結晶粒子の内核および外殻におけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiの変化を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the internal structure of crystal grains constituting the dielectric layer in the multilayer ceramic capacitor of the present invention and the change in the molar ratio Ba / Ti of barium and titanium in the inner core and outer shell of the crystal grains.

本発明の積層セラミックコンデンサについて説明する。図1は、本発明の積層セラミックコンデンサの一例を示す概略断面図であり、図2は、図1の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の拡大図であり結晶粒子および粒界相を示す模式図である。   The multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the multilayer ceramic capacitor of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a dielectric layer constituting the multilayer ceramic capacitor of FIG. 1 and schematically showing crystal grains and grain boundary phases. FIG.

本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体磁器からなる誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層されたコンデンサ本体1の両端部に外部電極3が形成されており、外部電極3は内部電極層7と電気的に接続されている。外部電極3は例えばCuもしくはCuとNiの合金ペーストを焼き付けて形成されている。   In the multilayer ceramic capacitor of the present invention, external electrodes 3 are formed at both ends of a capacitor body 1 in which dielectric layers 5 and internal electrode layers 7 made of dielectric ceramics are alternately stacked. The electrode layer 7 is electrically connected. The external electrode 3 is formed by baking, for example, Cu or an alloy paste of Cu and Ni.

図1では誘電体層5と内部電極層7との積層状態を単純化して示しているが、本発明の積層セラミックコンデンサは誘電体層5と内部電極層7とが数百層にも及ぶ積層体となっている。   In FIG. 1, the laminated state of the dielectric layer 5 and the internal electrode layer 7 is shown in a simplified manner, but the laminated ceramic capacitor of the present invention has a laminated layer in which the dielectric layer 5 and the internal electrode layer 7 are several hundred layers. It is a body.

誘電体層5を形成している誘電体磁器は、結晶粒子9と粒界相11とから構成されている。誘電体層5の厚みは、薄層の場合、2μm以下とされている。誘電体層5の厚みをこの範囲にすると、比誘電率の変化率を安定なものにし、高温負荷試験での寿命特性を高めかつ高容量化を図ることが可能となる。   The dielectric ceramic forming the dielectric layer 5 is composed of crystal grains 9 and grain boundary phases 11. The thickness of the dielectric layer 5 is 2 μm or less in the case of a thin layer. When the thickness of the dielectric layer 5 is within this range, the change rate of the relative permittivity can be stabilized, the life characteristics in the high temperature load test can be improved, and the capacity can be increased.

内部電極層7は、高積層化しても製造コストを抑制できるという点で、ニッケル(Ni)や銅(Cu)などの卑金属が望ましく、特に、本発明における誘電体層5との同時焼成が図れるという点でニッケル(Ni)がより望ましい。   The internal electrode layer 7 is preferably a base metal such as nickel (Ni) or copper (Cu) in that the manufacturing cost can be suppressed even when the number of layers is increased, and in particular, simultaneous firing with the dielectric layer 5 in the present invention can be achieved. In this respect, nickel (Ni) is more desirable.

本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とし、これにイットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)とバナジウムとを含む焼結体からなる。   The dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention is mainly composed of barium titanate, and one kind of rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium, and vanadium. It consists of a sintered compact containing.

この誘電体磁器は、主成分であるチタン酸バリウムの構成成分であるバリウム100モルに対して、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル、バナジウムをV換算で0〜0.3モル含有する結晶粒子9により構成される。 In this dielectric ceramic, one kind of rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is converted into RE 2 O 3 with respect to 100 mol of barium which is a constituent of barium titanate which is a main component. 0.4 to 1.8 mol, composed of vanadium terms of V 2 O 5 in 0 to 0.3 molar containing crystal grains 9.

また、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5は、これを構成する結晶粒子9が、当該結晶粒子9の中心部を占める内核9aと、この内核9aを取り囲む外殻9bとを有し、前記内核9aにおけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiが0.98〜1.10であり、また外殻9bにおけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiが0.90〜0.97であるとともに、平均粒径が0.18〜0.27μmである。なお、以降において、単に、モル比Ba/Tiと記載した場合には、バリウムとチタンとのモル比を表すものとする。   In addition, the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention has an inner core 9a in which the crystal particles 9 constituting the same occupy the center of the crystal particle 9 and an outer shell 9b surrounding the inner core 9a. The molar ratio Ba / Ti of barium and titanium in the inner core 9a is 0.98 to 1.10, and the molar ratio Ba / Ti of barium and titanium in the outer shell 9b is 0.90 to 0.97. And the average particle size is 0.18 to 0.27 μm. In the following, when the molar ratio Ba / Ti is simply described, it represents the molar ratio of barium and titanium.

これにより、室温(25℃)における比誘電率が3000以上であり、比誘電率の温度変化がEIA規格のX5R特性を満足するとともに、交流電圧が0.1Vのときの比誘電率に対する交流電圧が1Vのときの比誘電率の比で表される交流電圧依存性を2倍よりも小さくできる。   As a result, the relative permittivity at room temperature (25 ° C.) is 3000 or more, the temperature change of the relative permittivity satisfies the X5R characteristic of the EIA standard, and the AC voltage relative to the relative permittivity when the AC voltage is 0.1V. The AC voltage dependency represented by the ratio of the relative permittivity when 1 is 1 V can be made smaller than twice.

本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子9により構成されており、その組成はチタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル、バナジウムをV換算で0〜0.30モル含む。 The dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention is composed of crystal particles 9 mainly composed of barium titanate, the composition of which is 100 mol of barium constituting barium titanate. One kind of rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is 0.4 to 1.8 mol in terms of RE 2 O 3 , and vanadium is 0 to 0.30 mol in terms of V 2 O 5. Including.

すなわち、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するイットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)がRE換算で0.4モルよりも少ない場合には、交流電圧依存性が2倍よりも大きくなる。 That is, when one kind of rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate is less than 0.4 mol in terms of RE 2 O 3 , an alternating voltage The dependency is more than doubled.

チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するバナジウムの含有料がV換算で0.30モルよりも多い場合、またはチタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するイットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)がRE換算で1.8モルよりも多い場合には、室温(25℃)における誘電体磁器の比誘電率が3000よりも低くなる。 When the content of vanadium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate is more than 0.30 mol in terms of V 2 O 5 , or selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate When one kind of rare earth element (RE) is more than 1.8 mol in terms of RE 2 O 3 , the dielectric constant of the dielectric ceramic at room temperature (25 ° C.) is lower than 3000.

ところで、希土類元素(RE)の中でイットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムは、チタン酸バリウムに固溶したときに異相が生成し難く、高い絶縁性が得られるため好適に用いることができ、その中でも誘電体磁器の比誘電率を高められるという理由からイットリウムがより好ましい。   By the way, among rare earth elements (RE), yttrium, dysprosium, holmium, and erbium can be suitably used because they are unlikely to form a different phase when dissolved in barium titanate and high insulation is obtained. Yttrium is more preferable because the relative dielectric constant of the dielectric ceramic can be increased.

また、本発明では、誘電体磁器は、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV換算で0.03〜0.30モル、希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル含有することが望ましい。これにより高誘電率かつ比誘電率の温度変化がEIA規格のX5R特性を満足することに加えて、85℃、10V、1000時間という高温負荷試験の寿命特性を満足させることができる。 In the present invention, the dielectric porcelain includes 0.03 to 0.30 mol of vanadium in terms of V 2 O 5 and RE 2 O of rare earth element (RE) with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate. It is desirable to contain 0.4-1.8 mol in 3 conversions. Thus, in addition to satisfying the EIA standard X5R characteristic with a high dielectric constant and relative dielectric constant temperature change, the life characteristic of the high temperature load test of 85 ° C., 10 V, 1000 hours can be satisfied.

本発明においては、誘電体磁器にバナジウムを含有させることにより、結晶粒子9内に存在する酸素空孔と3価のバナジウムとが欠陥対を生成し、その結果として酸素空孔の粒内での移動が制限されることから高温負荷試験での寿命特性を高めることができる。   In the present invention, by containing vanadium in the dielectric ceramic, oxygen vacancies and trivalent vanadium existing in the crystal grains 9 form defect pairs, and as a result, the oxygen vacancies in the grains of the oxygen vacancies. Since the movement is restricted, the life characteristics in the high temperature load test can be enhanced.

また、本発明では、誘電体磁器は、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV換算で0.03〜0.15モル、希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.0モル含有することが望ましい。これにより室温(25℃)における誘電体磁器の比誘電率を3100以上に高めることができる。 In the present invention, the dielectric porcelain, with respect to 100 moles of barium constituting the barium titanate, 0.03 to 0.15 moles of vanadium in terms of V 2 O 5, rare earth elements and (RE) RE 2 O It is desirable to contain 0.4-1.0 mol in 3 conversions. Thereby, the dielectric constant of the dielectric ceramic at room temperature (25 ° C.) can be increased to 3100 or more.

なお、誘電体磁器の組成を、チタン酸バリウムに対して実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみ含有するものとしたときは、例えば、マンガンなどを加えたものよりも誘電損失の低い誘電体磁器を得ることができる。   When the composition of the dielectric porcelain contains only vanadium and rare earth elements (RE) with respect to barium titanate, for example, a dielectric having a lower dielectric loss than that obtained by adding manganese or the like Porcelain can be obtained.

図3は、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層を構成する結晶粒子の内部構造と、結晶粒子の内核および外殻におけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiの変化を示す模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram showing the internal structure of the crystal grains constituting the dielectric layer in the multilayer ceramic capacitor of the present invention and the change in the molar ratio Ba / Ti of barium and titanium in the inner core and outer shell of the crystal grains. .

本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する結晶粒子9は、上述のように、結晶粒子9の中心部を占める内核9aと、この内核9aを取り囲む外殻9bとを有し、前記内核9aにおけるモル比Ba/Tiが0.98〜1.10であり、外殻9bにおけるモル比Ba/Tiが0.9〜0.97である。   As described above, the crystal particles 9 constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention have the inner core 9a that occupies the center of the crystal particles 9, and the outer shell 9b that surrounds the inner core 9a, The molar ratio Ba / Ti in the inner core 9a is 0.98 to 1.10, and the molar ratio Ba / Ti in the outer shell 9b is 0.9 to 0.97.

本発明の積層セラミックコンデンサは上述のように誘電体層5を構成する結晶粒子9が内核9aと外殻9bとにおいて異なるモル比Ba/Tiを有している。この場合、外殻9bはモル比Ba/Tiが1より小さいことから添加成分である希土類元素(RE)やバナジウムなど添加成分の固溶量が少なくなっており、このため結晶粒子9はチタン酸バリウムが本来持つ交流電圧依存性の特性に近い特性を発現できるものとなり、その結果、比誘電率の交流電圧依存性を小さくできる。   In the multilayer ceramic capacitor of the present invention, as described above, the crystal grains 9 constituting the dielectric layer 5 have different molar ratios Ba / Ti between the inner core 9a and the outer shell 9b. In this case, since the outer shell 9b has a molar ratio Ba / Ti smaller than 1, the amount of solid solution of additive components such as rare earth elements (RE) and vanadium as additive components is small. The characteristic close to the characteristic of the AC voltage dependence inherent in barium can be expressed, and as a result, the AC voltage dependence of the relative permittivity can be reduced.

一方、結晶粒子9の内核9aはモル比Ba/Tiが1に近いかまたは1より大きく、外殻9bにおけるバリウムの欠損量を補うようにモル比Ba/Tiが大きくなっている。このため外殻9bと内核9aとでペロブスカイト型構造を構成するために必要なチタン酸バリウムのモル比が保たれていることから結晶粒子9が本来の強誘電性を発現でき高誘電率化を図ることができる。   On the other hand, the molar ratio Ba / Ti of the inner core 9a of the crystal particle 9 is close to 1 or larger than 1, and the molar ratio Ba / Ti is increased so as to compensate for the amount of barium deficiency in the outer shell 9b. For this reason, since the molar ratio of barium titanate necessary for constructing the perovskite structure is maintained between the outer shell 9b and the inner core 9a, the crystal grains 9 can exhibit the intrinsic ferroelectricity and increase the dielectric constant. Can be planned.

本発明における結晶粒子9は内核9aと外殻9bとで添加成分の固溶量が異なる構造を有するものであり、従来から知られているコアシェル構造とは結晶粒子9の内部におけるモル比Ba/Tiの変化が異なっている。   The crystal particle 9 in the present invention has a structure in which the amount of solid solution of the additive component is different between the inner core 9a and the outer shell 9b, and the conventionally known core-shell structure is a molar ratio Ba / inside of the crystal particle 9 inside. The change of Ti is different.

ここで、特許文献1,2に記載された従来の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層を構成する誘電体磁器は、その結晶粒子のモル比Ba/Tiが結晶粒子9内においていずれも1に近い値でありしかも一様なものとなっている。このような積層セラミックコンデンサは、後述の実施例からも明らかなように、本発明における結晶粒子9を有する積層セラミックコンデンサに比較して、比誘電率の交流電圧依存性が大きいものとなる。   Here, in the dielectric ceramic constituting the dielectric layer in the conventional multilayer ceramic capacitor described in Patent Documents 1 and 2, the molar ratio Ba / Ti of the crystal particles is a value close to 1 in the crystal particles 9. And it is uniform. As will be apparent from the examples described later, such a multilayer ceramic capacitor has a higher relative dielectric constant AC voltage dependency than the multilayer ceramic capacitor having crystal grains 9 in the present invention.

これに対して、本発明の積層セラミックコンデンサは、図3に示すように、誘電体磁器を構成する結晶粒子9が内核9aと外殻9bとでモル比Ba/Tiの異なる構造を有するようにし、結晶粒子9の中心部とその周囲とで異なる機能を持たせるように形成したことにより、高誘電率でありかつ比誘電率の変化率が小さく、また比誘電率の交流電圧依存性の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる。   In contrast, in the multilayer ceramic capacitor of the present invention, as shown in FIG. 3, the crystal grains 9 constituting the dielectric ceramic have a structure in which the molar ratio Ba / Ti is different between the inner core 9a and the outer shell 9b. By forming the crystal grains 9 so as to have different functions between the central portion and the periphery thereof, the dielectric constant is high and the change rate of the relative permittivity is small, and the relative permittivity is less dependent on the AC voltage. A multilayer ceramic capacitor can be obtained.

ただし、結晶粒子9の内核9aのモル比Ba/Tiが0.98より小さい場合には誘電体磁器の室温(25℃)における比誘電率が3000よりも低くなり、内核9aのモル比Ba/Tiが1.10より大きい場合には比誘電率の交流電圧依存性が2倍以上となる。   However, when the molar ratio Ba / Ti of the inner core 9a of the crystal grain 9 is smaller than 0.98, the relative dielectric constant of the dielectric ceramic at room temperature (25 ° C.) is lower than 3000, and the molar ratio Ba / Ti of the inner core 9a. When Ti is greater than 1.10, the AC voltage dependency of the relative dielectric constant is twice or more.

外殻9bのモル比Ba/Tiが0.90より小さい場合には誘電体磁器の室温(25℃)における比誘電率が3000よりも低くなり、外殻9bのモル比Ba/Tiが0.97より大きい場合には比誘電率の交流電圧依存性が2倍以上となる。   When the molar ratio Ba / Ti of the outer shell 9b is smaller than 0.90, the dielectric constant of the dielectric ceramic at room temperature (25 ° C.) is lower than 3000, and the molar ratio Ba / Ti of the outer shell 9b is 0.00. If it is greater than 97, the AC voltage dependence of the dielectric constant will be twice or more.

ここで、結晶粒子9中のモル比Ba/Tiについては以下のようにして求める。まず、分析する試料となる積層セラミックコンデンサを研磨もしくは切断して薄板状の試料を作製する。次に、この薄板状の試料をイオンミリングにより加工して透過電子顕微鏡観察用の試料を作製する。この分析には元素分析機器を付設した透過型電子顕微鏡を用いる。このとき電子線のスポットサイズは約5nmとし、図3に矢印で示すように結晶粒子9の粒界から中心部にかけて20〜50nmの間隔で分析を行い、モル比Ba/Tiが1より大きい領域と1より小さい領域とに分けて、それぞれ平均値を求めて結晶粒子9における内核9aおよび外殻9bのモル比Ba/Tiを求める。ここで結晶粒子9の内核9aは上記のようにして求めたモル比Ba/Tiが1より大きい領域であり、モル比Ba/Tiが1より小さい領域を外殻9bとする。   Here, the molar ratio Ba / Ti in the crystal particles 9 is obtained as follows. First, a laminated ceramic capacitor serving as a sample to be analyzed is polished or cut to produce a thin plate sample. Next, this thin plate-like sample is processed by ion milling to prepare a sample for observation with a transmission electron microscope. For this analysis, a transmission electron microscope equipped with an elemental analysis instrument is used. At this time, the spot size of the electron beam is about 5 nm, and analysis is performed at intervals of 20 to 50 nm from the grain boundary to the center of the crystal grain 9 as indicated by an arrow in FIG. And a region smaller than 1, respectively, and an average value is obtained to obtain the molar ratio Ba / Ti of the inner core 9a and the outer shell 9b in the crystal grain 9. Here, the inner core 9a of the crystal grain 9 is a region where the molar ratio Ba / Ti obtained as described above is larger than 1, and a region where the molar ratio Ba / Ti is smaller than 1 is defined as an outer shell 9b.

選択する結晶粒子9はその結晶粒子9の最大径と最小径との比(アスペクト比)が1.3以下であり、平均粒径の±60%の範囲にある結晶粒子9とする。なお平均粒径の±60%の範囲にある結晶粒子9とはその結晶粒子9の輪郭から画像処理により面積を求め、その面積と同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径が平均粒径の±60%の範囲にあるものである。このようなモル比Ba/Tiを求める分析を5個以上の結晶粒子9について行い、それらの平均値よりモル比Ba/Tiを求める。   The crystal particle 9 to be selected is a crystal particle 9 having a ratio (aspect ratio) between the maximum diameter and the minimum diameter of the crystal particle 9 of 1.3 or less and in the range of ± 60% of the average particle diameter. The crystal grains 9 in the range of ± 60% of the average grain size are obtained by calculating the area from the contour of the crystal grain 9 by image processing, and the diameter when the diameter is replaced with a circle having the same area as the area is the average grain size. It is in the range of ± 60%. Such an analysis for obtaining the molar ratio Ba / Ti is performed on five or more crystal grains 9, and the molar ratio Ba / Ti is obtained from the average value thereof.

また、結晶粒子9の平均粒径は0.18〜0.27μmであることが重要である。結晶粒子9の平均粒径を上記の範囲とすることにより、誘電体磁器の室温(25℃)における比誘電率、静電容量の温度特性、比誘電率の交流電圧依存性を上述した値にすることができる。   Further, it is important that the average particle size of the crystal particles 9 is 0.18 to 0.27 μm. By setting the average particle size of the crystal particles 9 within the above range, the dielectric constant at room temperature (25 ° C.) of the dielectric ceramic, the temperature characteristics of the capacitance, and the AC voltage dependency of the dielectric constant are set to the above-described values. can do.

すなわち、結晶粒子9の平均粒径が0.18μmよりも小さい場合には誘電体磁器の室温(25℃)における比誘電率が3000よりも低いものとなり、結晶粒子9の平均粒径が0.27μmよりも大きいと比誘電率の交流電圧依存性が2倍以上になる。   That is, when the average particle size of the crystal particles 9 is smaller than 0.18 μm, the dielectric constant of the dielectric ceramic at room temperature (25 ° C.) is lower than 3000, and the average particle size of the crystal particles 9 is 0.00. When it is larger than 27 μm, the AC voltage dependency of the relative dielectric constant is more than doubled.

ここで、結晶粒子9の平均粒径は、焼成後の積層セラミックコンデンサである試料の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体磁器の内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子9が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子9を選択し、各結晶粒子9の輪郭を画像処理して、各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出しその平均値より求める。   Here, the average grain size of the crystal particles 9 is determined by polishing the fracture surface of the sample, which is a fired multilayer ceramic capacitor, and then taking a picture of the internal structure of the dielectric ceramic using a scanning electron microscope. Draw a circle containing 20 to 30 crystal grains 9, select the crystal grains 9 in and around the circle, perform image processing on the outline of each crystal grain 9, and determine the area of each grain. Calculate the diameter when it is replaced with a circle with, and find the average value.

また、本発明の誘電体磁器は焼結性を高めるための助剤としてガラス成分や他の添加成分を誘電体磁器中に0.5〜2質量%の割合で含有させても良い。なお、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器は、上述した添加成分、不可避不純物および焼結性を高めるための助剤を除きチタン酸バリウムカルシウムが主成分となっている。   Further, the dielectric ceramic of the present invention may contain a glass component or other additive component in the dielectric ceramic in an amount of 0.5 to 2% by mass as an auxiliary for enhancing the sinterability. The dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention is mainly composed of barium calcium titanate except for the above-mentioned additive components, inevitable impurities, and auxiliary agents for enhancing the sinterability. Yes.

次に、本発明の積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。まず、チタン酸バリウム粉末(以下、BT粉末という。)と、添加成分として、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末およびEr粉末のうち少なくとも1種の希土類元素(RE)の酸化物粉末とV粉末とを準備する。用いるBT粉末はそのBT粉末の中心部を占める内核9aにおけるモル比Ba/Tiが外殻9bより大きく、外殻9bのモル比Ba/Tiが1より小さい値を有するものである。 Next, a method for producing the multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described. First, barium titanate powder (hereinafter referred to as BT powder) and at least one rare earth selected from Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder and Er 2 O 3 powder as an additive component An oxide powder of element (RE) and a V 2 O 5 powder are prepared. The BT powder used has a molar ratio Ba / Ti in the inner core 9a occupying the central portion of the BT powder larger than that of the outer shell 9b and a molar ratio Ba / Ti of the outer shell 9b smaller than 1.

粉末の中心部を占める内核9aにおけるモル比Ba/Tiが外殻9bより大きく、かつ外殻9bのモル比Ba/Tiが1より小さい値を有するBT粉末は、モル比Ba/Tiが外殻9bを形成するBT粉末のモル比Ba/Tiより大きく、平均粒径が約100nmのBT粉末を用意し、この平均粒径が約100nmのBT粉末に対して、モル比Ba/Tiが1より小さく、平均粒径が約30nmのBT粉末を質量比で30〜70質量%となるように混合した後、約700〜800℃で仮焼して調製することにより得られる。   The BT powder in which the molar ratio Ba / Ti in the inner core 9a occupying the center of the powder is larger than the outer shell 9b and the molar ratio Ba / Ti of the outer shell 9b is smaller than 1, the molar ratio Ba / Ti is the outer shell. A BT powder having an average particle size of about 100 nm is prepared which is larger than the molar ratio Ba / Ti of the BT powder forming 9b, and the molar ratio Ba / Ti is more than 1 with respect to the BT powder having an average particle size of about 100 nm. It is obtained by mixing a small BT powder having an average particle size of about 30 nm so as to be 30 to 70% by mass and then calcining at about 700 to 800 ° C.

BT粉末中におけるバリウムとチタンとのモル比の測定はエネルギー分散型元素分析器(EDS)を付設した透過電子顕微鏡を用いて行う。分析する際は、BT粉末を透過電子顕微鏡用のカーボンメッシュ上に分散させ、BT粉末の平均粒径の±30%の範囲にあるBT粉末を約10個抽出し、それらの平均値を求める。観察においては電子線のスポットサイズは5nmとし、BT粉末の表面から中心部にかけて同様の分析を行う。   The molar ratio of barium and titanium in the BT powder is measured using a transmission electron microscope equipped with an energy dispersive element analyzer (EDS). At the time of analysis, BT powder is dispersed on a carbon mesh for a transmission electron microscope, about 10 BT powders in the range of ± 30% of the average particle diameter of BT powder are extracted, and an average value thereof is obtained. In the observation, the spot size of the electron beam is 5 nm, and the same analysis is performed from the surface of the BT powder to the center.

BT粉末の平均粒径は0.11〜0.17μmが好ましい。BT粉末の平均粒径が0.11μm以上であると、焼結時の粒成長を抑制できるために比誘電率の向上とともに誘電損失の低下が図れるという利点があり、BT粉末の平均粒径が0.17μm以下であると、希土類元素などの添加剤を結晶粒子9の内部にまで固溶させることが容易となる。   The average particle size of the BT powder is preferably 0.11 to 0.17 μm. If the average particle size of the BT powder is 0.11 μm or more, grain growth during sintering can be suppressed, so that there is an advantage that the dielectric constant can be improved and the dielectric loss can be reduced. When it is 0.17 μm or less, it becomes easy to dissolve an additive such as a rare earth element to the inside of the crystal particles 9.

添加剤であるY粉末、Dy粉末、Ho粉末およびEr粉末のうち少なくとも1種の希土類元素(RE)の酸化物粉末ならびにV粉末についても平均粒径はBT粉末と同等、もしくはそれ以下のものを用いることが好ましい。 Regarding the additive, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder and Er 2 O 3 powder, at least one rare earth element (RE) oxide powder and V 2 O 5 powder It is preferable to use an average particle size equal to or less than that of BT powder.

次いで、これらの原料粉末を、BT粉末を構成するバリウム100モルに対してV粉末を0〜0.3モル、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末およびEr粉末から選ばれる希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モルの割合で配合し、さらには必要に応じて所望の誘電特性を維持できる範囲で焼結助剤としてガラス粉末を添加して素原料粉末を得る。ガラス粉末の添加量は、主な原料粉末であるBT粉末の合計量を100質量部としたときに0.5〜2質量部が良い。 Next, these raw material powders are obtained by adding 0 to 0.3 mol of V 2 O 5 powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder and 100 mol of barium constituting BT powder. A rare earth element (RE) selected from Er 2 O 3 powder is blended at a ratio of 0.4 to 1.8 mol in terms of RE 2 O 3 and, if necessary, sintered within a range where desired dielectric properties can be maintained. Glass powder is added as a binder to obtain a raw material powder. The addition amount of the glass powder is preferably 0.5 to 2 parts by mass when the total amount of BT powder as the main raw material powder is 100 parts by mass.

次に、上記の素原料粉末に専用の有機ビヒクルを加えてセラミックスラリを調製し、次いで、セラミックスラリをドクターブレード法やダイコータ法などのシート成形法を用いてセラミックグリーンシートを形成する。この場合、セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層の高容量化のための薄層化、高絶縁性を維持するという点で1.2〜4μmが好ましい。   Next, a ceramic slurry is prepared by adding a dedicated organic vehicle to the raw material powder, and then a ceramic green sheet is formed from the ceramic slurry using a sheet forming method such as a doctor blade method or a die coater method. In this case, the thickness of the ceramic green sheet is preferably 1.2 to 4 μm from the viewpoint of reducing the thickness of the dielectric layer for increasing the capacity and maintaining high insulation.

次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストはNi、Cuもしくはこれらの合金粉末が好適である。   Next, a rectangular internal electrode pattern is printed and formed on the main surface of the obtained ceramic green sheet. Ni, Cu, or an alloy powder thereof is suitable for the conductor paste that forms the internal electrode pattern.

次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所望枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねてシート積層体を形成する。この場合、シート積層体中における内部電極パターンは、長寸方向に半パターンずつずらしてある。   Next, stack the desired number of ceramic green sheets with internal electrode patterns, and stack multiple ceramic green sheets without internal electrode patterns on the top and bottom so that the upper and lower layers are the same number. Form the body. In this case, the internal electrode pattern in the sheet laminate is shifted by a half pattern in the longitudinal direction.

次に、シート積層体を格子状に切断して、内部電極パターンの端部が露出するようにコンデンサ本体成形体を形成する。このような積層工法により、切断後のコンデンサ本体成形体の端面に内部電極パターンが交互に露出されるように形成できる。   Next, the sheet laminate is cut into a lattice shape to form a capacitor body molded body so that the end of the internal electrode pattern is exposed. By such a laminating method, the internal electrode pattern can be formed so as to be alternately exposed on the end surface of the cut capacitor body molded body.

次に、コンデンサ本体成形体を脱脂した後、還元雰囲気中にて焼成する。焼成温度は本発明において用いるBT粉末への添加剤の固溶と結晶粒子9の粒成長を制御するという理由から1050〜1150℃が好ましい。   Next, the capacitor body compact is degreased and then fired in a reducing atmosphere. The firing temperature is preferably 1050 to 1150 ° C. for the purpose of controlling the solid solution of the additive in the BT powder used in the present invention and the grain growth of the crystal grains 9.

また、焼成後に、コンデンサ本体1を再度、弱還元雰囲気にて熱処理(再酸化処理)を行う場合がある。この熱処理を行うのは、焼成後の5×10Ω程度であった積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗を10Ω以上にまで絶縁抵抗を高めることができるからである。その温度は結晶粒子9の粒成長を抑えつつ再酸化量を高めるという理由から900〜1100℃が好ましい。こうして誘電体磁器が高絶縁性化した積層セラミックコンデンサを作製することができる。 In addition, after firing, the capacitor body 1 may be subjected to heat treatment (reoxidation treatment) again in a weak reducing atmosphere. The reason for this heat treatment is that the insulation resistance of the multilayer ceramic capacitor, which was about 5 × 10 6 Ω after firing, can be increased to 10 7 Ω or more. The temperature is preferably 900 to 1100 ° C. for the purpose of increasing the amount of reoxidation while suppressing the grain growth of the crystal grains 9. In this way, it is possible to produce a multilayer ceramic capacitor in which the dielectric ceramic is highly insulating.

次に、このコンデンサ本体1の対向する端部に、外部電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電極3を形成する。また、この外部電極3の表面には実装性を高めるためにメッキ膜を形成しても構わない。   Next, an external electrode paste is applied to the opposing ends of the capacitor body 1 and baked to form the external electrodes 3. Further, a plating film may be formed on the surface of the external electrode 3 in order to improve mountability.

まず、原料粉末として、内核および外殻でモル比Ba/Tiの異なるBT粉末と、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末、Er粉末およびV粉末とを準備し、これらの各種粉末を表1に示す割合で混合した。Y粉末、Dy粉末、Ho粉末、Er粉末およびV粉末の添加量はBT粉末100モルに対する割合である。これらの原料粉末は純度が99.9%のものを用いた。なお、BT粉末の平均粒径は0.14μmのものを用いた。またY粉末、Dy粉末、Ho粉末、Er粉末およびV粉末は平均粒径が0.1μmのものを用いた。焼結助剤はSiO=55、BaO=20、CaO=15、LiO=10(モル%)組成のガラス粉末を用いた。ガラス粉末の添加量はBT粉末の合計量100質量部に対して1質量部とした。 First, as raw material powders, BT powders having different molar ratios Ba / Ti in the inner core and outer shell, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder and V 2 O 5 Powders were prepared, and these various powders were mixed in the proportions shown in Table 1. The addition amount of Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder and V 2 O 5 powder is a ratio to 100 mol of BT powder. These raw material powders having a purity of 99.9% were used. The average particle size of the BT powder was 0.14 μm. Further, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder and V 2 O 5 powder having an average particle diameter of 0.1 μm were used. As the sintering aid, glass powder having a composition of SiO 2 = 55, BaO = 20, CaO = 15, and Li 2 O = 10 (mol%) was used. The addition amount of the glass powder was 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of BT powder.

次に、これらの原料粉末にポリビニルアルコールとイオン交換水とを添加して直径5mmのジルコニアボールを用いて湿式混合した。   Next, polyvinyl alcohol and ion-exchanged water were added to these raw material powders and wet mixed using zirconia balls having a diameter of 5 mm.

次に、湿式混合した粉末を、ポリビニルブチラール樹脂を溶解させたトルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径5mmのジルコニアボールを用いて湿式混合しセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により厚み2.0μmのセラミックグリーンシートを作製した。   Next, the wet-mixed powder is put into a mixed solvent of toluene and alcohol in which polyvinyl butyral resin is dissolved, wet-mixed using a zirconia ball having a diameter of 5 mm, and a ceramic slurry is prepared. A ceramic green sheet of 0.0 μm was produced.

次に、これらのセラミックグリーンシートの上面にNiを主成分とする矩形状の内部電極パターンを複数形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、平均粒径が0.3μmのNi粉末100質量部に対してBT粉末を15質量部添加したものを用いた。   Next, a plurality of rectangular internal electrode patterns mainly composed of Ni were formed on the upper surfaces of these ceramic green sheets. The conductor paste for forming the internal electrode pattern was obtained by adding 15 parts by mass of BT powder to 100 parts by mass of Ni powder having an average particle size of 0.3 μm.

次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを200枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ30枚ほど積層し、プレス機を用いて温度60℃、圧力10Pa、時間10分の条件で密着させて厚み2.0μmのセラミックグリーンシートを用いたシート積層体を作製し、しかる後、各シート積層体を、所定の寸法に切断してコンデンサ本体成形体を形成した。 Next, 200 ceramic green sheets on which internal electrode patterns were printed were laminated, and about 30 ceramic green sheets on which no internal electrode patterns were printed were laminated on each of the upper and lower surfaces. A sheet laminated body using a ceramic green sheet having a thickness of 2.0 μm was produced by closely adhering under a pressure of 10 7 Pa and a time of 10 minutes, and then each sheet laminated body was cut into a predetermined size to obtain a capacitor body. A molded body was formed.

次に、コンデンサ本体成形体を大気中で脱バインダ処理した後、水素−窒素中、1110〜1130℃で2時間焼成してコンデンサ本体を作製した(試料No.23については1110℃、試料No.24については1130℃、それ以外の試料は1120℃)。また、試料は、続いて、窒素雰囲気中1000℃で4時間の再酸化処理を施した。このコンデンサ本体の大きさは0.95mm×0.48mm×0.48mm、誘電体層の厚みは1.5μm、内部電極層の1層の有効面積は0.3mmであった。なお、有効面積とは、コンデンサ本体の異なる端面にそれぞれ露出するように積層方向に交互に形成された内部電極層同士の重なる部分の面積のことである。 Next, after debinding the capacitor body molded body in the atmosphere, it was fired in hydrogen-nitrogen at 1110 to 1130 ° C. for 2 hours to produce a capacitor body (for sample No. 23, 1110 ° C., sample No. 24 is 1130 ° C, and other samples are 1120 ° C). Further, the sample was subsequently subjected to a reoxidation treatment at 1000 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere. The size of the capacitor body was 0.95 mm × 0.48 mm × 0.48 mm, the thickness of the dielectric layer was 1.5 μm, and the effective area of one internal electrode layer was 0.3 mm 2 . The effective area is the area of the overlapping portion of the internal electrode layers that are alternately formed in the stacking direction so as to be exposed at different end faces of the capacitor body.

次に、焼成したコンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にCu粉末とガラスを含んだ外部電極ペーストを塗布し、850℃で焼き付けを行い外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極の表面に、順にNiメッキ及びSnメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。   Next, the fired capacitor body was barrel-polished, and then an external electrode paste containing Cu powder and glass was applied to both ends of the capacitor body and baked at 850 ° C. to form external electrodes. Thereafter, using an electrolytic barrel machine, Ni plating and Sn plating were sequentially performed on the surface of the external electrode to produce a multilayer ceramic capacitor.

次に、これらの積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。評価はいずれも試料数10個とし、その平均値から求めた。比誘電率および誘電損失は静電容量を温度25℃、周波数1.0kHz、測定電圧を1Vrmsとして測定し、誘電体層の厚みと内部電極層の有効面積から求めた。また、静電容量の温度特性は静電容量を温度−55〜85℃の範囲で測定し、この温度範囲において25℃に対して静電容量の変化率が最大になる値を求めた。   Next, the following evaluation was performed on these multilayer ceramic capacitors. In all cases, the number of samples was 10, and the average value was obtained. The relative dielectric constant and dielectric loss were determined from the thickness of the dielectric layer and the effective area of the internal electrode layer, measured at a capacitance of 25 ° C., a frequency of 1.0 kHz, and a measurement voltage of 1 Vrms. Moreover, the temperature characteristic of the capacitance was obtained by measuring the capacitance in a temperature range of −55 to 85 ° C., and obtaining a value at which the change rate of the capacitance was maximum with respect to 25 ° C. in this temperature range.

高温負荷試験は温度85℃、印加電圧10Vの条件で1000時間まで行った。高温負荷試験での寿命特性は試料数を各試料20個とし、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗が10Ωを下回ったものが1個でも発生したものを故障有りとした。 The high temperature load test was conducted up to 1000 hours under the conditions of a temperature of 85 ° C. and an applied voltage of 10V. The life characteristics in the high-temperature load test were 20 samples each, and any one of the multilayer ceramic capacitors having an insulation resistance of less than 10 6 Ω was considered defective.

比誘電率の交流電圧依存性は、交流電圧を0.1Vとしたときの静電容量から求めた比誘電率と1Vとしたときの静電容量から求めた比誘電率との比から求めた。このときの試料数は各試料について10個とした。   The AC voltage dependence of the relative dielectric constant was determined from the ratio between the relative dielectric constant obtained from the electrostatic capacity when the AC voltage was 0.1 V and the relative dielectric constant obtained from the electrostatic capacity when the AC voltage was 1 V. . The number of samples at this time was 10 for each sample.

誘電体層を構成する結晶粒子の平均粒径は焼成後のコンデンサ本体である試料の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求めた。   The average grain size of the crystal particles constituting the dielectric layer is determined by polishing the fracture surface of the sample that is the capacitor body after firing, and then taking a picture of the internal structure using a scanning electron microscope. When drawing 20 to 30 circles, selecting crystal grains in and around the circle, processing the image of the outline of each crystal particle, finding the area of each particle, and replacing it with a circle with the same area The diameter was calculated from the average value.

結晶粒子中のモル比Ba/Tiについては、まず、分析する試料となる積層セラミックコンデンサを研磨もしくは切断して薄板状の試料を作製した。次に、この薄板状の試料をイオンミリングにより加工して透過電子顕微鏡観察用の試料を作製した。この分析には元素分析機器を付設した透過型電子顕微鏡を用いた。このとき電子線のスポットサイズは約5nmとし、図3に示すように結晶粒子の粒界から中心部にかけて20〜50nmの間隔で分析を行い、モル比Ba/Tiが1より大きい領域と1より小さい領域とに分けて、それぞれ平均値を求めて結晶粒子における内核および外殻のモル比Ba/Tiを求めた。選択する結晶粒子はその結晶粒子の最大径と最小径との比(アスペクト比)が1.3以下であり、平均粒径の±60%の範囲にある結晶粒子9とした。なお平均粒径の±60%の範囲にある結晶粒子9とはその結晶粒子の輪郭から画像処理により面積を求め、その面積と同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径が平均粒径の±60%の範囲にあるものとした。このようなモル比Ba/Tiを求める分析を5個の結晶粒子について行い、これらの平均値よりモル比Ba/Tiを求めた。   Regarding the molar ratio Ba / Ti in the crystal particles, first, a laminated ceramic capacitor serving as a sample to be analyzed was polished or cut to produce a thin plate sample. Next, this thin plate-like sample was processed by ion milling to prepare a sample for observation with a transmission electron microscope. For this analysis, a transmission electron microscope equipped with an elemental analysis instrument was used. At this time, the spot size of the electron beam is about 5 nm, and analysis is performed at intervals of 20 to 50 nm from the grain boundary to the center as shown in FIG. It was divided into small regions, and the average value was determined for each to determine the molar ratio Ba / Ti of the inner core and outer shell in the crystal grains. The crystal grains to be selected were crystal grains 9 having a ratio (aspect ratio) between the maximum diameter and the minimum diameter of the crystal grains of 1.3 or less and in the range of ± 60% of the average particle diameter. The crystal grains 9 in the range of ± 60% of the average grain size are obtained by calculating the area by image processing from the outline of the crystal grains, and the diameter when replaced with a circle having the same area as the area is ± the average grain size. It was supposed to be in the range of 60%. The analysis for obtaining such a molar ratio Ba / Ti was performed on five crystal grains, and the molar ratio Ba / Ti was obtained from the average value thereof.

また、得られた焼結体である試料の組成分析はICP(Inductively Coupled Plasma)分析もしくは原子吸光分析により行った。この場合、得られた積層セラミックコンデンサを硼酸と炭酸ナトリウムと混合し溶融させたものを塩酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ICP発光分光分析にかけて定量化した。また、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求めた。なお、作製した誘電体磁器の組成は調合組成と同じであることを上記組成分析より確認した。表1に焼成後の組成と焼成温度および特性の結果を示した。   Moreover, the composition analysis of the sample which is the obtained sintered body was performed by ICP (Inductively Coupled Plasma) analysis or atomic absorption analysis. In this case, the obtained multilayer ceramic capacitor mixed with boric acid and sodium carbonate and dissolved is dissolved in hydrochloric acid. First, qualitative analysis of the elements contained in the dielectric ceramic is performed by atomic absorption spectrometry, and then specified. The diluted standard solution for each element was used as a standard sample and quantified by ICP emission spectroscopic analysis. Further, the amount of oxygen was determined using the valence of each element as the valence shown in the periodic table. In addition, it confirmed from the said composition analysis that the composition of the produced dielectric ceramic was the same as a preparation composition. Table 1 shows the composition, the firing temperature, and the characteristics after firing.

Figure 0005159682
Figure 0005159682

表1の結果から明らかなように、本発明の試料No.1〜6,9,10,12〜15,17,20および21では、室温(25℃)における比誘電率が3010以上、室温(25℃)を基準にしたときの−55〜85℃の温度範囲における比誘電率の最大の変化率が±14%以内を示し、また交流電圧を1.0Vおよび0.1Vとして求めた比誘電率の交流電圧依存性が1.7倍以下であった。   As is clear from the results in Table 1, sample No. 1 to 6, 9, 10, 12 to 15, 17, 20, and 21 have a relative dielectric constant of 3010 or more at room temperature (25 ° C.) and a temperature of −55 to 85 ° C. based on room temperature (25 ° C.). The maximum rate of change of the relative permittivity in the range was within ± 14%, and the AC voltage dependency of the relative permittivity obtained by setting the AC voltage to 1.0 V and 0.1 V was 1.7 times or less.

また、誘電体層を構成する誘電体磁器の組成を、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV換算で0.03〜0.3モル、希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル含有するようにした試料No.No.2〜6,9,10,12〜15,17,20および21では、室温(25℃)における比誘電率が3010以上、室温(25℃)を基準にしたときの−55〜85℃の温度範囲における比誘電率の最大の変化率が±14%以内を示し、また交流電圧を1.0V/0.1Vとして求めた比誘電率の交流電圧依存性が1.7倍以下であり、さらに、85℃、10Vでの高温負荷試験が1000時間を満足するものとなった。 Further, the composition of the dielectric ceramic constituting the dielectric layer is 0.03 to 0.3 mole of vanadium in terms of V 2 O 5 with respect to 100 moles of barium constituting barium titanate, rare earth element (RE). Sample No. in which 0.4 to 1.8 mol in terms of RE 2 O 3 was contained. No. 2 to 6, 9, 10, 12 to 15, 17, 20, and 21 have a relative dielectric constant of 3010 or more at room temperature (25 ° C.) and a temperature of −55 to 85 ° C. based on room temperature (25 ° C.). The maximum change rate of the relative permittivity in the range is within ± 14%, and the AC voltage dependency of the relative permittivity obtained by setting the AC voltage to 1.0 V / 0.1 V is 1.7 times or less. The high temperature load test at 85 ° C. and 10 V satisfied 1000 hours.

さらに、誘電体層を構成する誘電体磁器の組成を、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV換算で0.03〜0.15モル、希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.0モル含有するようにした試料No.2〜4,9,12〜15,17,20および21では室温(25℃)における比誘電率が3100以上であった。 Further, the composition of the dielectric ceramic constituting the dielectric layer is 0.03 to 0.15 mole in terms of V 2 O 5 with respect to 100 moles of barium constituting barium titanate, rare earth element (RE). Sample No. in which 0.4 to 1.0 mol in terms of RE 2 O 3 was contained. 2 to 4, 9, 12 to 15, 17, 20, and 21 had a relative dielectric constant of 3100 or more at room temperature (25 ° C.).

これに対して、本発明の範囲外の試料(試料No.7,8,11,16,18,19および22〜24)では、室温(25℃)における比誘電率が3000以上、室温(25℃)を基準にしたときの−55〜85℃の温度範囲における比誘電率の最大の変化率が±15%以内、交流電圧を1.0V/0.1Vとして求めた比誘電率の交流電圧依存性が2倍より小さいとのいずれかの特性を満足しないものであった。   On the other hand, samples (sample Nos. 7, 8, 11, 16, 18, 19 and 22 to 24) outside the scope of the present invention have a relative dielectric constant of 3000 or more at room temperature (25 ° C.) and room temperature (25 AC) with a relative permittivity obtained by assuming that the maximum change rate of the relative permittivity within a temperature range of −55 to 85 ° C. is within ± 15% and the AC voltage is 1.0 V / 0.1 V. It did not satisfy any of the characteristics that the dependence was less than twice.

以上、本発明にかかる積層セラミックコンデンサについて詳しく説明したが、本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更または改善しうるものである。   The multilayer ceramic capacitor according to the present invention has been described in detail above. However, the scope of the present invention is not limited to these descriptions, and can be appropriately changed or improved without departing from the spirit of the present invention.

1 コンデンサ本体
3 外部電極
5 誘電体層
7 内部電極層
9 結晶粒子
9a 内核
9b 外殻
11 粒界相
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Capacitor body 3 External electrode 5 Dielectric layer 7 Internal electrode layer 9 Crystal grain 9a Inner core 9b Outer shell 11 Grain boundary phase

Claims (3)

誘電体層と内部電極層とを交互に積層したコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の端面に設けられ、前記内部電極層に接続された外部電極とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成され、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)とバナジウムとを含む誘電体磁器からなり、該誘電体磁器が、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル、バナジウムをV換算で0〜0.30モル含有するとともに、前記結晶粒子は、該結晶粒子の中心部を占める内核と、該内核を取り囲む外殻とを有し、前記内核におけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiが0.98〜1.10であり、前記外殻におけるバリウムとチタンとのモル比Ba/Tiが0.9〜0.97であるとともに、平均粒径が0.18〜0.27μmであることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 A multilayer ceramic capacitor having a capacitor body in which dielectric layers and internal electrode layers are alternately stacked, and an external electrode provided on an end face of the capacitor body and connected to the internal electrode layer, wherein the dielectric layer Is composed of dielectric ceramics composed of crystal particles mainly composed of barium titanate, and containing one kind of rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium, and vanadium. In addition, one rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is added in an amount of 0.4 to 1.8 mol in terms of RE 2 O 3 and vanadium is added to 100 mol of barium constituting barium titanate. as well as 0 to 0.30 molar content in terms of V 2 O 5, wherein the crystal grains, the center of the crystal grains And an outer shell surrounding the inner core, the molar ratio Ba / Ti of barium and titanium in the inner core is 0.98 to 1.10, and the molar ratio of barium and titanium in the outer shell. A multilayer ceramic capacitor having a ratio Ba / Ti of 0.9 to 0.97 and an average particle diameter of 0.18 to 0.27 μm. 前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.03〜0.30モル、前記希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.8モル含有することを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。 The dielectric porcelain is 0.03 to 0.30 mol in terms of V 2 O 5 and the rare earth element (RE) in terms of RE 2 O 3 with respect to 100 mol of barium constituting the barium titanate. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, which is contained in an amount of 0.4 to 1.8 mol. 前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.03〜0.15モル、前記希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜1.0モル含有することを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。 The dielectric porcelain is 0.03 to 0.15 mol in terms of V 2 O 5 and the rare earth element (RE) in terms of RE 2 O 3 with respect to 100 mol of barium constituting the barium titanate. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, which is contained in an amount of 0.4 to 1.0 mol.
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