JP5106626B2 - Multilayer ceramic capacitor - Google Patents

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Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特に、チタン酸バリウムを主成分として構成される誘電体磁器を誘電体層とする小型、高容量の積層セラミックコンデンサに関する。   The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor, and more particularly to a small-sized, high-capacity multilayer ceramic capacitor having a dielectric ceramic layer composed of barium titanate as a main component.

近年、携帯電話などモバイル機器の普及や、パソコンなどの主要部品である半導体素子の高速、高周波化に伴い、このような電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサは、小型、高容量化の要求がますます高まっており、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層は薄層化と高積層化が求められている。   In recent years, with the widespread use of mobile devices such as mobile phones and the high speed and high frequency of semiconductor devices, which are the main components of personal computers and the like, multilayer ceramic capacitors mounted on such electronic devices are required to be smaller and have higher capacities. The dielectric layer constituting the multilayer ceramic capacitor is required to be thin and highly multilayered.

ところで、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層となる誘電体磁器として、従来より、チタン酸バリウムを主成分とする誘電率材料が用いられているが、近年に至り、チタン酸バリウム粉末に、マグネシウムや希土類元素の酸化物粉末を添加して、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の表面付近にマグネシウムや希土類元素を固溶させた、いわゆるコア・シェル構造の結晶粒子から構成された誘電体磁器が開発され積層セラミックコンデンサとして実用化されている。   By the way, as a dielectric porcelain serving as a dielectric layer constituting a multilayer ceramic capacitor, a dielectric material having barium titanate as a main component has been conventionally used. However, in recent years, barium titanate powder has been made of magnesium. Dielectrics composed of so-called core-shell structure crystal particles in which magnesium or rare earth elements are dissolved in the vicinity of the surface of the crystal particles mainly composed of barium titanate by adding oxide powder of rare earth elements Porcelain has been developed and put into practical use as a multilayer ceramic capacitor.

ここで、結晶粒子のコア・シェル構造とは、結晶粒子の中心部であるコア部と外殻部であるシェル部とが物理的、化学的に異なる相を形成している構造をいう。すなわち、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子については、コア部は正方晶の結晶相で占められており、一方、シェル部は立方晶の結晶相により占められている状態となっている。   Here, the core-shell structure of the crystal particle refers to a structure in which the core part which is the center part of the crystal particle and the shell part which is the outer shell part form physically and chemically different phases. That is, in the crystal particles mainly composed of barium titanate, the core portion is occupied by a tetragonal crystal phase, while the shell portion is occupied by a cubic crystal phase.

このようなコア・シェル構造の結晶粒子により構成された誘電体磁器を誘電体層とする積層セラミックコンデンサは、比誘電率の向上とともに、比誘電率の温度特性としてX7R(25℃を基準にしたときの比誘電率の温度変化率が−55〜125℃において±15%以内)等を満足し、また、印加するAC電圧を増加させた際の比誘電率の変化が小さいという特徴を有している。しかしながら、誘電体の厚みを、例えば、2μm程度まで薄層化すると、高温負荷試験での寿命特性が大きく低下するという問題があった。
特開2001−220224号公報
A multilayer ceramic capacitor using a dielectric ceramic layer composed of such core-shell crystal grains as a dielectric layer is improved in relative dielectric constant and temperature characteristics of relative dielectric constant as X7R (based on 25 ° C.). The temperature change rate of the relative permittivity is within ± 15% at −55 to 125 ° C.), and the change in the relative permittivity when the applied AC voltage is increased is small. ing. However, when the thickness of the dielectric is reduced to, for example, about 2 μm, there is a problem that the life characteristics in the high temperature load test are greatly deteriorated.
JP 2001-220224 A

本発明の主たる目的は、高誘電率かつ比誘電率の温度特性の安定性に優れるとともに、AC電圧を増加させた際の比誘電率の増加が小さく、かつ高温負荷試験での寿命特性に優れた誘電体層を有する積層セラミックコンデンサを提供することである。   The main objects of the present invention are excellent in stability of temperature characteristics of high dielectric constant and relative dielectric constant, small increase of relative dielectric constant when AC voltage is increased, and excellent life characteristics in high temperature load test. Another object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor having a dielectric layer.

本発明の積層セラミックコンデンサは、(i)チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成され、カルシウム,マグネシウム,バナジウム,マンガン、テルビウムと、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素(RE)とを含む誘電体磁器からなる誘電体層と、(ii)内部電極層とを交互に積層して形成されたものである。前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.02〜0.2モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.2〜0.8モル、前記マンガンをMnO換算で0.1〜0.5モル、前記希土類元素(RE)をRE換算で0.3〜0.8モル、および前記テルビウムをTb換算で0.02〜0.2モル含有するとともに、前記結晶粒子のカルシウムの濃度が0.4原子%以上である。また、前記該誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面の回折強度が、正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が90〜100℃である。The multilayer ceramic capacitor of the present invention is composed of (i) crystal particles mainly composed of barium titanate, and at least one selected from calcium, magnesium, vanadium, manganese, terbium, and yttrium, dysprosium, holmium, and erbium. It is formed by alternately laminating dielectric layers made of dielectric porcelain containing a rare earth element (RE) and (ii) internal electrode layers. In the dielectric ceramic, the vanadium is 0.02 to 0.2 mol in terms of V 2 O 5 and the magnesium is 0.2 to 0.00 in terms of MgO with respect to 100 mol of titanium constituting the barium titanate. 8 mol, 0.1 to 0.5 mol of manganese in terms of MnO, 0.3 to 0.8 mol of rare earth element (RE) in terms of RE 2 O 3 , and terbium in terms of Tb 4 O 7 While containing 0.02 to 0.2 mol, the concentration of calcium in the crystal particles is 0.4 atomic% or more. In the X-ray diffraction chart of the dielectric ceramic, the diffraction intensity of the (200) plane showing cubic barium titanate is larger than the diffraction intensity of the (002) plane showing tetragonal barium titanate, And Curie temperature is 90-100 degreeC.

特に、前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.02〜0.08モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.3〜0.6モル、前記マンガンをMnO換算で0.2〜0.4モル、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の前記希土類元素(RE)をRE換算で0.4〜0.6モル、および前記テルビウムをTb換算で0.02〜0.08モル含有することが望ましい。In particular, the dielectric porcelain is 0.02 to 0.08 mol in terms of V 2 O 5 and 0.3 to 0.3 mg in terms of MgO with respect to 100 mol of titanium constituting the barium titanate. 0.6 mol, the manganese is 0.2 to 0.4 mol in terms of MnO, and at least one rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is 0 in terms of RE 2 O 3 It is desirable to contain 0.4 to 0.6 mol and 0.02 to 0.08 mol of terbium in terms of Tb 4 O 7 .

さらに、前記誘電体磁器を構成する前記結晶粒子の平均結晶粒径は0.22〜0.28μmであることが望ましい。あるいは、前記結晶粒子の平均結晶粒径は0.13〜0.19μmであることが望ましい。   Furthermore, the average crystal grain size of the crystal grains constituting the dielectric ceramic is preferably 0.22 to 0.28 μm. Alternatively, the average crystal grain size of the crystal particles is preferably 0.13 to 0.19 μm.

本発明によれば、高誘電率で、かつ比誘電率の温度変化率を小さくできるとともに、印加するAC電圧を高くしたときの比誘電率の増加が小さく(比誘電率のAC電圧依存性が小さい)、高温負荷試験での寿命に優れた誘電体層を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。   According to the present invention, the temperature change rate of the dielectric constant can be reduced with a high dielectric constant, and the increase in the relative dielectric constant when the applied AC voltage is increased is small (the relative dielectric constant has an AC voltage dependency). Small) and a multilayer ceramic capacitor having a dielectric layer having a long life in a high-temperature load test can be obtained.

本発明の積層セラミックコンデンサの例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the example of the multilayer ceramic capacitor of this invention. 図1の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の拡大図であり、結晶粒子と粒界相を示す模式図である。FIG. 2 is an enlarged view of a dielectric layer constituting the multilayer ceramic capacitor of FIG. 1, and is a schematic diagram showing crystal grains and grain boundary phases. 実施例における試料No.I−3のX線回折チャートを示すものである。Sample No. in the examples. 3 shows an X-ray diffraction chart of I-3. 実施例における試料No.I−3の静電容量の温度特性を示すグラフである。Sample No. in the examples. It is a graph which shows the temperature characteristic of the electrostatic capacitance of I-3.

符号の説明Explanation of symbols

1 コンデンサ本体
3 外部電極
5 誘電体層
7 内部電極層
9 結晶粒子
11 粒界相
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Capacitor body 3 External electrode 5 Dielectric layer 7 Internal electrode layer 9 Crystal grain 11 Grain boundary phase

本発明の積層セラミックコンデンサについて、図1の概略断面図をもとに詳細に説明する。図1は、本発明の積層セラミックコンデンサの例を示す概略断面図であり、図2は、図1の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層の拡大図であり、結晶粒子および粒界相を示す模式図である。   The multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described in detail based on the schematic sectional view of FIG. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the multilayer ceramic capacitor of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a dielectric layer constituting the multilayer ceramic capacitor of FIG. 1, showing crystal grains and grain boundary phases. It is a schematic diagram.

本発明の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体1の両端部に外部電極3が形成されている。外部電極3は、例えば、CuもしくはCuとNiの合金ペーストを焼き付けて形成されている。   In the multilayer ceramic capacitor of the present invention, external electrodes 3 are formed at both ends of the capacitor body 1. The external electrode 3 is formed, for example, by baking Cu or an alloy paste of Cu and Ni.

コンデンサ本体1は、誘電体磁器からなる複数の誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層され構成されている。図1では誘電体層5と内部電極層7との積層状態を単純化して示しているが、本発明の積層セラミックコンデンサは誘電体層5と内部電極層7とが数百層にも及ぶ積層体となっている。   The capacitor body 1 is configured by alternately laminating a plurality of dielectric layers 5 and internal electrode layers 7 made of dielectric ceramics. In FIG. 1, the laminated state of the dielectric layer 5 and the internal electrode layer 7 is shown in a simplified manner, but the laminated ceramic capacitor of the present invention has a laminated layer in which the dielectric layer 5 and the internal electrode layer 7 are several hundred layers. It is a body.

誘電体磁器からなる誘電体層5は、結晶粒子9と粒界相11とから構成されており、その厚みは2μm以下、特に、1μm以下が望ましく、これにより積層セラミックコンデンサを小型、高容量化することが可能となる。なお、誘電体層5の厚みが0.4μm以上であると、静電容量のばらつきを小さくでき、また容量温度特性を安定化させることが可能になる。   The dielectric layer 5 made of dielectric porcelain is composed of crystal grains 9 and grain boundary phases 11, and the thickness is preferably 2 μm or less, particularly preferably 1 μm or less, thereby reducing the size and capacity of the multilayer ceramic capacitor. It becomes possible to do. In addition, when the thickness of the dielectric layer 5 is 0.4 μm or more, it is possible to reduce the variation in capacitance and stabilize the capacitance-temperature characteristic.

内部電極層7は、高積層化しても製造コストを抑制できるという点で、ニッケル(Ni)や銅(Cu)などの卑金属が望ましく、特に、本発明における誘電体層5との同時焼成が図れるという点でニッケル(Ni)がより望ましい。   The internal electrode layer 7 is preferably a base metal such as nickel (Ni) or copper (Cu) in that the manufacturing cost can be suppressed even when the number of layers is increased, and in particular, simultaneous firing with the dielectric layer 5 in the present invention can be achieved. In this respect, nickel (Ni) is more desirable.

本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成され、カルシウム,マグネシウム,バナジウム、およびマンガンと、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素と、テルビウムとを含む焼結体からなる。   The dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention is composed of crystal particles mainly composed of barium titanate, and includes calcium, magnesium, vanadium, and manganese, yttrium, dysprosium, and holmium. And a sintered body containing at least one rare earth element selected from erbium and terbium.

本発明における誘電体磁器を構成する結晶粒子9は、カルシウムの濃度が0.4原子%以上であり、特に、0.5〜2.5原子%が好ましい。カルシウムの濃度がこの範囲であるとチタン酸バリウムに対するカルシウムの固溶を十分なものにできる。また、固溶せずに粒界等に残存するCa化合物を低減することができるために、比誘電率のAC電圧依存性が大きくなることから高誘電率化を図ることが可能になる。   The crystal particles 9 constituting the dielectric ceramic in the present invention have a calcium concentration of 0.4 atomic% or more, and particularly preferably 0.5 to 2.5 atomic%. When the concentration of calcium is within this range, the solid solution of calcium in barium titanate can be made sufficient. In addition, since the Ca compound remaining in the grain boundary or the like without being dissolved can be reduced, the dependency of the relative permittivity on the AC voltage is increased, so that the permittivity can be increased.

なお、結晶粒子9中のカルシウムの濃度については、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5の断面を研磨した研磨面に存在する結晶粒子9に対して、元素分析機器を付設した透過型電子顕微鏡を用いて元素分析を行う。このとき電子線のスポットサイズは5nmとし、分析する箇所は結晶粒子9の粒界付近から中心へ向けて引いた直線上のうち粒界からほぼ等間隔に4〜5点とし、各測定点から検出されるBa、Ti、Ca、V、Mg、RE(希土類元素)およびMnの全量を100%としたときのカルシウムの割合を求め、各測定点で求めたカルシウムの割合の平均値をカルシウムの濃度として求める。   Regarding the calcium concentration in the crystal particles 9, the transmission electron microscope provided with an elemental analysis device for the crystal particles 9 existing on the polished surface obtained by polishing the cross section of the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor. Elemental analysis is performed using At this time, the spot size of the electron beam is set to 5 nm, and the location to be analyzed is 4 to 5 points at almost equal intervals from the grain boundary on the straight line drawn from the vicinity of the grain boundary to the center of the crystal grain 9. Obtain the ratio of calcium when the total amount of detected Ba, Ti, Ca, V, Mg, RE (rare earth element) and Mn is 100%, and calculate the average value of the ratio of calcium obtained at each measurement point. Calculate as concentration.

その誘電体磁器は、チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、バナジウムをV換算で0.02〜0.2モル、マグネシウムをMgO換算で0.2〜0.8モル、マンガンをMnO換算で0.1〜0.5モル、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.3〜0.8モル、およびテルビウムをTb換算で0.02〜0.2モル含有する。なお、REは希土類元素を表す略称である。The dielectric ceramic is composed of 0.02 to 0.2 mol in terms of V 2 O 5 and 0.2 to 0.8 mol in terms of MgO with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, Manganese is 0.1 to 0.5 mol in terms of MnO, and at least one rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is 0.3 to 0.8 mol in terms of RE 2 O 3. And 0.02 to 0.2 mol of terbium in terms of Tb 4 O 7 . Note that RE is an abbreviation that represents a rare earth element.

また、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器は、誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面の回折強度が、正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面の回折強度よりも大きく、
かつキュリー温度が90〜100℃である。なお、本発明におけるキュリー温度は比誘電率の温度特性を測定した範囲(−60〜150℃)において比誘電率が最大となる温度である。
Further, the dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention has a tetragonal crystal (200) plane diffraction intensity indicating cubic barium titanate in the X-ray diffraction chart of the dielectric ceramic. Greater than the diffraction intensity of the (002) plane of the barium titanate of
And Curie temperature is 90-100 degreeC. In the present invention, the Curie temperature is a temperature at which the relative dielectric constant becomes maximum in the range (−60 to 150 ° C.) in which the temperature characteristic of the relative dielectric constant is measured.

これにより、室温(25℃)における比誘電率が3400以上、誘電損失が12.5%以下、比誘電率の温度特性がX6S(25℃を基準にしたときの比誘電率の温度変化率が−55〜105℃において±22%以内)を満足し、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率がAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の2倍以下、高温負荷試験(温度:105℃、電圧:定格電圧の1.5倍、試験時間:1000時間)において不良の無い高信頼性の積層セラミックコンデンサを得ることができる。   As a result, the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) is 3400 or more, the dielectric loss is 12.5% or less, and the temperature characteristic of the relative dielectric constant is X6S (the rate of temperature change of the relative dielectric constant when 25 ° C. is used as a reference). (Within ± 22% at −55 to 105 ° C.), the relative permittivity when the AC voltage is 1 V is less than twice the relative permittivity when the AC voltage is 0.01 V, and the high temperature load test (temperature : 105 ° C., voltage: 1.5 times the rated voltage, test time: 1000 hours), a highly reliable multilayer ceramic capacitor free from defects can be obtained.

すなわち、チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、バナジウムの含有量がV換算で0.02モルよりも少ないと、高温負荷試験での信頼性が低下する。一方、バナジウムの含有量がV換算で0.2モルよりも多いと、室温における比誘電率が低いものとなる。That is, when the content of vanadium is less than 0.02 mol in terms of V 2 O 5 with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, reliability in a high temperature load test is lowered. On the other hand, when the content of vanadium is more than 0.2 mol in terms of V 2 O 5 , the relative dielectric constant at room temperature becomes low.

チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、マグネシウムの含有量がMgO換算で0.2モルよりも少ないと、比誘電率の温度特性が+側に大きく外れやすくなり、静電容量の温度特性であるX6Sの条件を満足しなくなる。一方、マグネシウムの含有量が0.8モルよりも多いと、室温における比誘電率が低くなる。   When the content of magnesium is less than 0.2 mol in terms of MgO with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, the temperature characteristic of the relative permittivity tends to be greatly deviated to the + side, and the capacitance temperature The X6S condition that is a characteristic is not satisfied. On the other hand, when the content of magnesium is more than 0.8 mol, the relative dielectric constant at room temperature becomes low.

チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、マンガンの含有量がMnO換算で0.1モルよりも少ないと、誘電体層5の絶縁抵抗が低下するために、この場合も高温負荷試験での信頼性が低下する。一方、マンガンの含有量がMnO換算で0.5モルよりも多いと、室温における比誘電率が低くなる。   When the content of manganese is less than 0.1 mol in terms of MnO with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, the insulation resistance of the dielectric layer 5 is lowered. Reliability decreases. On the other hand, when the content of manganese is more than 0.5 mol in terms of MnO, the relative dielectric constant at room temperature becomes low.

チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素の含有量がRE換算で0.3モルよりも少ないと、この場合も高温負荷試験での信頼性が低下する。一方、上記希土類元素の含有量がRE換算で0.8モルよりも多いと、室温における比誘電率が低くなる。When the content of at least one rare earth element selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is less than 0.3 mol in terms of RE 2 O 3 with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, In this case also, the reliability in the high temperature load test is lowered. On the other hand, if the content of the rare earth element is more than 0.8 mol in terms of RE 2 O 3 , the relative dielectric constant at room temperature becomes low.

チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、テルビウムの含有量がTb換算で0.02モルよりも少ないと、主成分であるチタン酸バリウムへの上記バナジウム,マグネシウム,マンガンおよび希土類元素の固溶量が少なくなり、誘電体磁器のキュリー温度が、コア・シェル構造を示すチタン酸バリウムのキュリー温度(約125℃)に相当するものとなるために、この場合も高温負荷試験での信頼性が低下する。一方、テルビウムの含有量がTb換算で0.2モルよりも多いと、主成分であるチタン酸バリウムへのバナジウム,マグネシウム,マンガンおよび希土類元素の固溶量が多くなる。このためAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率に比較して、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率が増大し(比誘電率のAC電圧依存性の大きい)、定格電圧が変化したときの静電容量の変化が大きくなる。When the content of terbium is less than 0.02 mol in terms of Tb 4 O 7 with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, the above vanadium, magnesium, manganese and rare earth to barium titanate as the main component The amount of solid solution of the element is reduced, and the Curie temperature of the dielectric porcelain is equivalent to the Curie temperature of barium titanate (about 125 ° C) showing the core-shell structure. Reliability decreases. On the other hand, when the terbium content is more than 0.2 mol in terms of Tb 4 O 7 , the solid solution amount of vanadium, magnesium, manganese and rare earth elements in the main component barium titanate increases. For this reason, the relative permittivity when the AC voltage is 1 V is increased (the relative permittivity has a large AC voltage dependency) as compared with the relative permittivity when the AC voltage is 0.01 V, and the rated voltage is The change in capacitance when changed is increased.

特に好ましい組成としては、チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、バナジウムがV換算で0.02〜0.08モル、マグネシウムがMgO換算で0.3〜0.6モル、マンガンがMnO換算で0.2〜0.4モル、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素(RE)がRE換算で0.4〜0.6モル、およびテルビウムをTb換算で0.02〜0.08モル含有するものが良い。As a particularly preferable composition, vanadium is 0.02 to 0.08 mol in terms of V 2 O 5 and magnesium is 0.3 to 0.6 mol in terms of MgO, with respect to 100 mol of titanium constituting barium titanate, Manganese is 0.2 to 0.4 mol in terms of MnO, and at least one rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium is 0.4 to 0.6 mol in terms of RE 2 O 3. And 0.02 to 0.08 mol of terbium in terms of Tb 4 O 7 is preferable.

この範囲の誘電体磁器では、室温における比誘電率を3900以上に高めることができ、かつAC電圧を1Vとしたときの比誘電率をAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の1.6倍以下にできる。なお、希土類元素としては、より高い比誘電率が得られ、絶縁抵抗が高いという点で、特に、イットリウムが好ましい。   In the dielectric ceramic in this range, the relative dielectric constant at room temperature can be increased to 3900 or more, and the relative dielectric constant when the AC voltage is 1 V is 1 as the relative dielectric constant when the AC voltage is 0.01 V. .6 or less. As the rare earth element, yttrium is particularly preferable in that a higher relative dielectric constant is obtained and an insulation resistance is high.

図3は、後述の実施例の表1〜3における試料No.I−3の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体磁器のX線回折チャートを示す。本発明の積層セラミックコンデンサでは、図3のX線回折チャートに示すような回折パターンを有している。図4は、後述の実施例の表1〜3における試料No.I−3の積層セラミックコンデンサの静電容量の温度特性を示すグラフである。本発明の積層セラミックコンデンサは、図4のような静電容量の温度特性を有している。   3 shows sample Nos. 1 to 3 in Examples 1 to 3 described later. 4 shows an X-ray diffraction chart of a dielectric ceramic constituting the multilayer ceramic capacitor of I-3. The multilayer ceramic capacitor of the present invention has a diffraction pattern as shown in the X-ray diffraction chart of FIG. 4 shows sample Nos. 1 to 4 in Examples 1 to 3 described later. It is a graph which shows the temperature characteristic of the electrostatic capacitance of the multilayer ceramic capacitor of I-3. The multilayer ceramic capacitor of the present invention has a capacitance temperature characteristic as shown in FIG.

図3のX線回折チャートでは、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面(2θ=45.3°付近)と正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面(2θ=45.1°付近)のX線回折ピークとが重なり、幅の広い回折ピークとなり、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面の回折強度(Ic)が、正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面の回折強度(It)よりも大きくなっている。この結晶構造は従来のコア・シェル構造のX線回折パターンに似ているが、図4に示すように、本発明の積層セラミックコンデンサはキュリー温度(Tc)が90〜100℃であり、キュリー温度が125℃である従来のコア・シェル構造をもつ誘電体磁器とは誘電特性が異なるものである。   In the X-ray diffraction chart of FIG. 3, the (200) plane (about 2θ = 45.3 °) showing cubic barium titanate and the (002) plane (2θ = 45.1 °) showing tetragonal barium titanate. The (200) plane diffraction intensity (Ic) of cubic barium titanate indicates tetragonal barium titanate (002) plane. Is greater than the diffraction intensity (It). Although this crystal structure is similar to the X-ray diffraction pattern of the conventional core-shell structure, as shown in FIG. 4, the multilayer ceramic capacitor of the present invention has a Curie temperature (Tc) of 90 to 100 ° C. It has a dielectric characteristic different from that of a conventional dielectric ceramic having a core / shell structure with a temperature of 125 ° C.

すなわち、主成分であるチタン酸バリウムに、マグネシウム,マンガンおよび希土類元素等の添加成分を固溶させて得られるコア・シェル構造を有する誘電体磁器は、純粋なチタン酸バリウムのキュリー温度(125℃)付近のキュリー温度を示すのに対し、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器は、上述のように、カルシウムを含有するチタン酸バリウムに対して、バナジウムと、マグネシウムと、マンガンと、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素と、テルビウムとを固溶させている。このためX線回折チャートにおいて、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面の回折強度が、正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面の回折強度よりも大きくなる結晶構造を有するとともに、キュリー温度が90〜100℃と室温側にシフトした特性を有している。   That is, a dielectric ceramic having a core-shell structure obtained by dissolving additive components such as magnesium, manganese and rare earth elements in barium titanate, which is the main component, has a Curie temperature (125 ° C.) of pure barium titanate. ) Shows a Curie temperature in the vicinity, whereas the dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention is composed of vanadium and magnesium with respect to barium titanate containing calcium as described above. And manganese, at least one rare earth element selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium, and terbium are dissolved. For this reason, the X-ray diffraction chart has a crystal structure in which the diffraction intensity of the (200) plane showing cubic barium titanate is larger than the diffraction intensity of the (002) plane showing tetragonal barium titanate, The Curie temperature is 90-100 ° C., which is shifted to the room temperature side.

これは、バナジウム,マグネシウム,マンガンおよび希土類元素等の添加成分に加えて、少量のテルビウムを固溶させることにより、誘電体磁器の内部にまで添加成分が拡散しているからであり、このためX線回折パターンからではコア・シェル構造のように見えるものの、キュリー温度を90〜100℃とすることができる。   This is because in addition to the additive components such as vanadium, magnesium, manganese and rare earth elements, the additive component diffuses into the dielectric ceramic by dissolving a small amount of terbium. Although it looks like a core-shell structure from the line diffraction pattern, the Curie temperature can be set to 90 to 100 ° C.

そして、本発明の積層セラミックコンデンサは、拡散した元素が結晶粒子9中の酸素欠陥を補償し、これにより誘電体磁器の絶縁性が高まり、高温負荷試験での寿命を向上できる。   In the multilayer ceramic capacitor of the present invention, the diffused element compensates for oxygen defects in the crystal grains 9, thereby increasing the insulation of the dielectric ceramic and improving the life in the high temperature load test.

つまり、結晶粒子中にマグネシウムや希土類元素の固溶量が少ない場合、酸素空孔などの欠陥を多く含むコア部の占める割合が多くなることから、直流電圧を印加した場合に、誘電体磁器を構成する結晶粒子9の内部において酸素空孔などが電荷を運ぶキャリアになりやすく、誘電体磁器の絶縁性が低下すると考えられる。しかし、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器では、バナジウムとともにテルビウムを加えて、これらを含む添加成分の固溶を高めてキュリー温度を90〜100℃の範囲にしてある。そのため結晶粒子9中における酸素空孔などのキャリア密度を減少させ、希土類元素やマグネシウムを多く含み、結晶粒子9の内部を酸素空孔の少ないものにすることができ、このために高い絶縁性を得ることができると考えられる。   In other words, when the solid solution amount of magnesium and rare earth elements in the crystal particles is small, the ratio of the core portion containing many defects such as oxygen vacancies increases, so that when a DC voltage is applied, the dielectric ceramic is It is considered that oxygen vacancies or the like are likely to be carriers that carry electric charges inside the crystal grains 9 constituting the dielectric particles, and the insulating properties of the dielectric ceramic are lowered. However, in the dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor according to the present invention, terbium is added together with vanadium to increase the solid solution of the additive component containing these to bring the Curie temperature to a range of 90 to 100 ° C. is there. Therefore, the carrier density such as oxygen vacancies in the crystal particles 9 can be reduced, the rare earth elements and magnesium can be increased, and the inside of the crystal particles 9 can be reduced in oxygen vacancies. It is thought that it can be obtained.

本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を構成する誘電体磁器では、高誘電率化を可能にするという点で、結晶粒子9の平均結晶粒径は0.1μm以上であれば良いが、静電容量のばらつきを小さくするのであれば0.3μm以下の範囲とすることが良く、好ましくは、結晶粒子9の平均粒径は0.22〜0.28μmであるか、あるいは0.13〜0.19μmであるのが良い。   In the dielectric ceramic constituting the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention, the average crystal grain size of the crystal grains 9 may be 0.1 μm or more in terms of enabling a high dielectric constant. If the variation in capacitance is to be reduced, the range is preferably 0.3 μm or less. Preferably, the average particle diameter of the crystal particles 9 is 0.22 to 0.28 μm, or 0.13 to 0.33. It is good that it is 0.19 μm.

結晶粒子9の平均結晶粒径が0.22〜0.28μmであると、比誘電率を3400以上、誘電損失を12%以下、比誘電率の温度特性がX6S(25℃を基準にしたときの比誘電率の温度変化率が−55〜105℃において±22%以内)を満足し、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率がAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の1.8倍以下、高温負荷試験での信頼性(温度:105℃,電圧:定格電圧の1.5倍,試験時間:1000時間)を満足させることができるという利点がある。   When the average crystal grain size of the crystal grains 9 is 0.22 to 0.28 μm, the relative dielectric constant is 3400 or more, the dielectric loss is 12% or less, and the temperature characteristics of the relative dielectric constant is X6S (when 25 ° C. is used as a reference) Of the relative permittivity when the AC voltage is 1 V and the relative permittivity when the AC voltage is 0.01 V is satisfied. There is an advantage that reliability in a high temperature load test (temperature: 105 ° C., voltage: 1.5 times the rated voltage, test time: 1000 hours) can be satisfied by 1.8 times or less.

また、結晶粒子9の平均結晶粒径が0.13〜0.19μmであると、さらに厳しい高温負荷試験での条件(例えば、温度:125℃,電圧:定格電圧の1.5倍,試験時間:1000時間)を満足させることができるという利点がある。結晶粒子9の平均結晶粒径を調整するには、例えば、後述するように原料粉末である、チタン酸バリウムにカルシウムが固溶した粉末(BCT粉末)の比表面積を調整すればよい。   Further, when the average crystal grain size of the crystal grains 9 is 0.13 to 0.19 μm, conditions under a more severe high temperature load test (for example, temperature: 125 ° C., voltage: 1.5 times the rated voltage, test time) : 1000 hours). In order to adjust the average crystal grain size of the crystal particles 9, for example, the specific surface area of a powder (BCT powder) in which calcium is solid-solved in barium titanate, which is a raw material powder as described later, may be adjusted.

ここで、誘電体層5を構成する結晶粒子9の平均結晶粒径は、以下のようにして求められる。まず、コンデンサ本体1の誘電体層5の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮る。その写真上で結晶粒子9が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、各結晶粒子9の輪郭を画像処理して、各粒子の面積を求める。そして、これと同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求める。   Here, the average crystal grain size of the crystal grains 9 constituting the dielectric layer 5 is obtained as follows. First, after the fracture surface of the dielectric layer 5 of the capacitor body 1 is polished, a picture of the internal structure is taken using a scanning electron microscope. A circle containing 20 to 30 crystal grains 9 is drawn on the photograph, crystal grains covering the circumference and the circumference are selected, and the contour of each crystal grain 9 is image-processed to determine the area of each grain. Then, the diameter when replaced with a circle having the same area as this is calculated and obtained from the average value.

なお、本発明の誘電体磁器では所望の誘電特性を維持できる範囲であれば焼結性を高めるための助剤としてガラス成分を含有させても良い。   In the dielectric ceramic according to the present invention, a glass component may be included as an auxiliary for enhancing the sinterability as long as desired dielectric characteristics can be maintained.

次に、本発明の積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。まず、原料粉末として、純度が99%以上のチタン酸バリウムにカルシウムが固溶した粉末(以下、BCT粉末という。)に、V粉末とMgO粉末、さらに、Y粉末,Dy粉末,Ho粉末およびEr粉末から選ばれる少なくとも1種の希土類元素の酸化物粉末、Tb粉末ならびにMnCO粉末を添加混合する。Next, a method for producing the multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described. First, as raw material powder, powder in which calcium is solid-solved in barium titanate having a purity of 99% or more (hereinafter referred to as BCT powder), V 2 O 5 powder and MgO powder, Y 2 O 3 powder, Dy At least one rare earth element oxide powder selected from 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder and Er 2 O 3 powder, Tb 4 O 7 powder and MnCO 3 powder are added and mixed.

BCT粉末は、Aサイトの一部がカルシウム(Ca)で置換されたチタン酸バリウムを主成分とする固溶体であり、(Ba1−xCa)TiOで表される。この化合物において、Aサイト中のCa置換量は、X=0.01〜0.2であることが好ましい。Ca置換量がこの範囲内であれば積層セラミックコンデンサとして使用する場合に使用温度範囲において優れた静電容量の温度特性を得ることができる。なお、結晶粒子9中に含まれるCaは結晶粒子9に分散した状態で固溶している。The BCT powder is a solid solution mainly composed of barium titanate in which a part of the A site is substituted with calcium (Ca), and is represented by (Ba 1-x Ca x ) TiO 3 . In this compound, the Ca substitution amount in the A site is preferably X = 0.01 to 0.2. When the Ca substitution amount is within this range, excellent capacitance temperature characteristics can be obtained in the operating temperature range when used as a multilayer ceramic capacitor. Note that Ca contained in the crystal particles 9 is dissolved in a state dispersed in the crystal particles 9.

また、用いるBCT粉末は比表面積が2〜6m/gであるのがよい。BCT粉末の比表面積が2〜6m/gであると、結晶粒子9がコア・シェル構造に近い結晶構造を維持しつつ、これらの結晶粒子中に添加成分を固溶させてキュリー温度を低温側にシフトさせることが容易となる。また比誘電率の向上を図れるとともに、誘電体磁器の絶縁性を高めることができ、これにより高温負荷試験での信頼性を向上できる。なお、本発明において、誘電体磁器を構成する結晶粒子9の平均結晶粒径を0.19μm以下とするためには、比表面積が5m/gより大きい粉末を選択するのが望ましい。The BCT powder to be used preferably has a specific surface area of 2 to 6 m 2 / g. When the specific surface area of the BCT powder is 2 to 6 m 2 / g, the crystal particles 9 maintain a crystal structure close to the core-shell structure, and the additive components are dissolved in these crystal particles to lower the Curie temperature. It becomes easy to shift to the side. In addition, the dielectric constant can be improved, and the insulating property of the dielectric ceramic can be enhanced, thereby improving the reliability in the high temperature load test. In the present invention, it is desirable to select a powder having a specific surface area greater than 5 m 2 / g in order to make the average crystal grain size of the crystal grains 9 constituting the dielectric ceramic smaller than 0.19 μm.

また、添加剤であるY粉末,Dy粉末,Ho粉末およびEr粉末から選ばれる少なくとも1種の希土類元素の酸化物粉末、Tb粉末,V粉末,MgO粉末ならびにMnCO粉末については粒径(または比表面積)が誘電体粉末と同等のものを用いることが好ましい。In addition, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, and Er 2 O 3 powder, which are additives, oxide powder of at least one rare earth element selected from powders of T 2 4 O 7 , V For the 2 O 5 powder, the MgO powder, and the MnCO 3 powder, it is preferable to use those having a particle size (or specific surface area) equivalent to that of the dielectric powder.

次いで、これらの原料粉末を、BCT粉末100モルに対して、V粉末を0.02〜0.2モル、MgO粉末を0.2〜0.8モル、希土類元素の酸化物粉末を0.3〜0.8モル、およびMnCO粉末を0.1〜0.5モル、Tb粉末を0.02〜0.2モルの割合で配合し、さらには、必要に応じて所望の誘電特性を維持できる範囲で焼結助剤としてガラス粉末を添加して素原料粉末を得る。ガラス粉末の添加量は、BT粉末を100質量部としたときに0.5〜2質量部が良い。Next, these raw material powders were prepared by using 0.02 to 0.2 mol of V 2 O 5 powder, 0.2 to 0.8 mol of MgO powder, and oxide powder of rare earth element with respect to 100 mol of BCT powder. 0.3 to 0.8 mole, 0.1 to 0.5 mole of MnCO 3 powder, and 0.02 to 0.2 mole of Tb 4 O 7 powder are blended. A raw material powder is obtained by adding glass powder as a sintering aid to the extent that desired dielectric properties can be maintained. The addition amount of the glass powder is preferably 0.5 to 2 parts by mass when the BT powder is 100 parts by mass.

次に、上記の素原料粉末に専用の有機ビヒクルを加えてセラミックスラリを調製し、次いで、セラミックスラリをドクターブレード法やダイコータ法などのシート成形法を用いてセラミックグリーンシートを形成する。この場合、セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層5の高容量化のための薄層化、高絶縁性を維持するという点で0.5〜3μmが好ましい。   Next, a ceramic slurry is prepared by adding a dedicated organic vehicle to the raw material powder, and then a ceramic green sheet is formed from the ceramic slurry using a sheet forming method such as a doctor blade method or a die coater method. In this case, the thickness of the ceramic green sheet is preferably 0.5 to 3 μm from the viewpoint of reducing the thickness of the dielectric layer 5 to increase the capacity and maintaining high insulation.

次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストはNi、Cuもしくはこれらの合金粉末が好適である。   Next, a rectangular internal electrode pattern is printed and formed on the main surface of the obtained ceramic green sheet. Ni, Cu, or an alloy powder thereof is suitable for the conductor paste that forms the internal electrode pattern.

次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所望枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねてシート積層体を形成する。この場合、シート積層体中における内部電極パターンは、長手方向に半パターンずつずらしてある。   Next, stack the desired number of ceramic green sheets with internal electrode patterns, and stack multiple ceramic green sheets without internal electrode patterns on the top and bottom so that the upper and lower layers are the same number. Form the body. In this case, the internal electrode pattern in the sheet laminate is shifted by a half pattern in the longitudinal direction.

次に、シート積層体を格子状に切断して、内部電極パターンの端部が露出するようにコンデンサ本体成形体を形成する。このような積層工法により、切断後のコンデンサ本体成形体の端面に内部電極パターンが交互に露出されるように形成できる。   Next, the sheet laminate is cut into a lattice shape to form a capacitor body molded body so that the end of the internal electrode pattern is exposed. By such a laminating method, the internal electrode pattern can be formed so as to be alternately exposed on the end surface of the cut capacitor body molded body.

次に、コンデンサ本体成形体を脱脂した後、焼成する。焼成温度は、本発明におけるBCT粉末への添加剤の固溶と結晶粒子の粒成長を制御するという理由から1100〜1200℃が好ましい。本実施形態の誘電体磁器を得るために、比表面積が2〜6m/gのBCT粉末を用い、これに上述したように、マグネシウム,マンガンおよびイットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の前記希土類元素の各種酸化物粉末とともに、バナジウムおよびテルビウムの各酸化物を添加剤として所定量添加し、上記温度で焼成する。これによりBCT粉末を主原料として得られる結晶粒子中に各種の添加剤を含ませて、その結晶粒子9が示す結晶構造をコア・シェル構造に近い構造にしつつ、キュリー温度を、従来のコア・シェル構造を示す誘電体磁器のキュリー温度よりも低い範囲になるようにする。焼成後においてキュリー温度を従来のコア・シェル構造を示す誘電体磁器のキュリー温度よりも低い範囲になるように焼成することで、結晶粒子9は添加剤の固溶が高まり、その結果、絶縁性が高く、高温負荷試験での寿命の良い誘電体磁器が得られる。Next, the capacitor body compact is degreased and fired. The firing temperature is preferably 1100 to 1200 ° C. because the solid solution of the additive in the BCT powder and the grain growth of the crystal grains are controlled in the present invention. In order to obtain the dielectric ceramic according to the present embodiment, a BCT powder having a specific surface area of 2 to 6 m 2 / g is used and, as described above, selected from magnesium, manganese and yttrium, dysprosium, holmium and erbium. A predetermined amount of each of the oxides of vanadium and terbium is added as an additive together with at least one kind of various oxide powders of the rare earth elements, and firing is performed at the above temperature. As a result, various additives are included in the crystal particles obtained using BCT powder as a main raw material, and the crystal structure shown by the crystal particles 9 is made close to the core-shell structure, while the Curie temperature is set to The range is lower than the Curie temperature of the dielectric ceramic showing the shell structure. By firing so that the Curie temperature after firing is in a range lower than the Curie temperature of the dielectric ceramic showing the conventional core-shell structure, the crystal particles 9 increase in the solid solution of the additive. And a dielectric ceramic having a long life in a high temperature load test can be obtained.

また、焼成後に、再度、弱還元雰囲気にて熱処理を行う。この熱処理は還元雰囲気中での焼成において還元された誘電体磁器を再酸化し、焼成時に還元されて低下した絶縁抵抗を回復するために行うものである。その温度は結晶粒子9の粒成長を抑えつつ再酸化量を高めるという理由から900〜1100℃が好ましい。こうして誘電体磁器が高絶縁性化し、90〜100℃のキュリー温度を示す積層セラミックコンデンサを作製することができる。   Moreover, after baking, it heat-processes in a weak reducing atmosphere again. This heat treatment is performed to reoxidize the dielectric ceramic reduced in firing in a reducing atmosphere and recover the insulation resistance reduced and reduced during firing. The temperature is preferably 900 to 1100 ° C. for the purpose of increasing the amount of reoxidation while suppressing the grain growth of the crystal grains 9. Thus, the dielectric ceramic becomes highly insulating, and a multilayer ceramic capacitor exhibiting a Curie temperature of 90 to 100 ° C. can be manufactured.

次に、このコンデンサ本体1の対向する端部に、外部電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電極3を形成する。また、この外部電極3の表面には実装性を高めるためにメッキ膜を形成しても構わない。   Next, an external electrode paste is applied to the opposing ends of the capacitor body 1 and baked to form the external electrodes 3. Further, a plating film may be formed on the surface of the external electrode 3 in order to improve mountability.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
<実施例I>
まず、原料粉末として、BCT粉末(組成:(Ba1−xCa)TiO、X=0.05),MgO粉末,Y粉末,Dy粉末,Ho粉末,Er粉末,Tb粉末,MnCO粉末およびV粉末を準備した。これらの各種粉末を表1に示す割合で混合した。このときMgO粉末,Y粉末,Dy粉末,Ho粉末,Er粉末,Tb粉末,MnCO粉末およびV粉末の割合は、BT粉末を100モルとしたときの割合である。これらの原料粉末はいずれも純度が99.9%であり、BCT粉末は比表面積が4m/gのものを用いた。MgO粉末,Y粉末,Dy粉末,Ho粉末,Er粉末,Tb粉末,MnCO粉末およびV粉末は平均粒径が0.1μmのものを用いた。焼結助剤はSiO=55,BaO=20,CaO=15,LiO=10(モル%)組成のガラス粉末を用いた。ガラス粉末の添加量はBT粉末100質量部に対して1質量部とした。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited by a following example.
<Example I>
First, as the raw material powder, BCT powder (composition: (Ba 1-x Ca x ) TiO 3, X = 0.05), MgO powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder, Tb 4 O 7 powder, MnCO 3 powder and V 2 O 5 powder were prepared. These various powders were mixed in the proportions shown in Table 1. At this time, the ratio of MgO powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder, Tb 4 O 7 powder, MnCO 3 powder and V 2 O 5 powder is BT powder. Is the ratio when 100 moles. All of these raw material powders had a purity of 99.9%, and BCT powder having a specific surface area of 4 m 2 / g was used. MgO powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder, Tb 4 O 7 powder, MnCO 3 powder and V 2 O 5 powder have an average particle size of 0.1 μm. The thing of was used. As the sintering aid, glass powder having a composition of SiO 2 = 55, BaO = 20, CaO = 15, Li 2 O = 10 (mol%) was used. The addition amount of the glass powder was 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the BT powder.

次に、これらの原料粉末を直径5mmのジルコニアボールを用いて、溶媒としてトルエンとアルコールとの混合溶媒を添加し湿式混合した。   Next, these raw material powders were wet mixed by adding a mixed solvent of toluene and alcohol as a solvent using zirconia balls having a diameter of 5 mm.

湿式混合した粉末を、ポリビニルブチラール樹脂と、トルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径5mmのジルコニアボールを用いて湿式混合しセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により厚み1.5μmおよび2.5μmのセラミックグリーンシートを作製した。   The wet-mixed powder is put into a mixed solvent of polyvinyl butyral resin, toluene and alcohol and wet-mixed using a zirconia ball having a diameter of 5 mm to prepare a ceramic slurry, and a thickness of 1.5 μm and 2. A 5 μm ceramic green sheet was prepared.

厚み1.5μmおよび2.5μmのセラミックグリーンシートの上面にNiを主成分とする矩形状の内部電極パターンを複数形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、平均粒径が0.3μmのNi粉末100質量部に対してBT粉末を少量添加したものを用いた。   A plurality of rectangular internal electrode patterns mainly composed of Ni were formed on the upper surface of 1.5 μm and 2.5 μm thick ceramic green sheets. The conductive paste for forming the internal electrode pattern was obtained by adding a small amount of BT powder to 100 parts by mass of Ni powder having an average particle size of 0.3 μm.

次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを200枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ20枚積層し、プレス機を用いて温度60℃、圧力10Pa、時間10分の条件で密着させて、厚み1.5μmのセラミックグリーンシートを用いたシート積層体と、厚み2.5μmのセラミックグリーンシートを用いたシート積層体とを作製し、しかる後、各シート積層体を、所定の寸法に切断してコンデンサ本体成形体を形成した。Next, 200 ceramic green sheets on which internal electrode patterns were printed were laminated, and 20 ceramic green sheets on which the internal electrode patterns were not printed were laminated on the upper and lower surfaces, respectively, using a press machine at a temperature of 60 ° C. and pressure A sheet laminate using a ceramic green sheet having a thickness of 1.5 μm and a sheet laminate using a ceramic green sheet having a thickness of 2.5 μm are prepared by closely adhering them at 10 7 Pa for 10 minutes. Thereafter, each sheet laminate was cut into a predetermined size to form a capacitor body molded body.

次に、コンデンサ本体成形体を大気中で脱バインダ処理した後、水素−窒素中、1125〜1135℃で2時間焼成してコンデンサ本体を作製した。また、試料は、続いて、窒素雰囲気中1000℃で4時間再酸化処理をした。このコンデンサ本体の大きさは0.95×0.48×0.48mm、誘電体層の厚みは1μmまたは2μm、内部電極層の1層の有効面積は0.3mmであった。なお、有効面積とは、コンデンサ本体の異なる端面にそれぞれ露出するように積層方向に交互に形成された内部電極層同士の重なる部分の面積のことである。Next, the capacitor body molded body was treated to remove the binder in the air, and then fired in hydrogen-nitrogen at 1125 to 1135 ° C. for 2 hours to produce a capacitor body. The sample was subsequently reoxidized at 1000 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere. The size of this capacitor body was 0.95 × 0.48 × 0.48 mm 3 , the thickness of the dielectric layer was 1 μm or 2 μm, and the effective area of one layer of the internal electrode layer was 0.3 mm 2 . The effective area is the area of the overlapping portion of the internal electrode layers that are alternately formed in the stacking direction so as to be exposed at different end faces of the capacitor body.

焼成したコンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にCu粉末とガラスを含んだ外部電極ペーストを塗布し、850℃で焼き付けを行い外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極の表面に、順にNiメッキ及びSnメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。   After the sintered capacitor body was barrel polished, an external electrode paste containing Cu powder and glass was applied to both ends of the capacitor body and baked at 850 ° C. to form external electrodes. Thereafter, using an electrolytic barrel machine, Ni plating and Sn plating were sequentially performed on the surface of the external electrode to produce a multilayer ceramic capacitor.

次に、これらの積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。評価はいずれも試料数10個とし、その平均値から求めた。   Next, the following evaluation was performed on these multilayer ceramic capacitors. In all cases, the number of samples was 10, and the average value was obtained.

比誘電率および誘電損失は静電容量を温度25℃、周波数1.0kHz、測定電圧を0.01Vrmsまたは1Vrmsとして測定し、誘電体層の厚みと内部電極層の有効面積から求めた。   The relative dielectric constant and dielectric loss were measured from a capacitance of 25 ° C., a frequency of 1.0 kHz, a measurement voltage of 0.01 Vrms or 1 Vrms, and obtained from the thickness of the dielectric layer and the effective area of the internal electrode layer.

比誘電率の温度特性は、静電容量を温度−55〜150℃の範囲で測定した。比誘電率の温度特性はX6S(−55〜105℃の範囲において、25℃を基準にしたときに±22%以内)を満足する場合を○、満足しない場合を×とした。キュリー温度は比誘電率の温度特性を測定した範囲において比誘電率が最大となる温度として求めた。   For the temperature characteristics of the relative dielectric constant, the capacitance was measured in a temperature range of −55 to 150 ° C. As for the temperature characteristics of the relative dielectric constant, a case where X6S (within ± 22% with respect to 25 ° C. in the range of −55 to 105 ° C.) is satisfied, and a case where it is not satisfied are indicated as x. The Curie temperature was determined as the temperature at which the relative dielectric constant was maximum in the range where the temperature characteristics of the relative dielectric constant were measured.

高温負荷試験は、温度105℃、印加電圧6V/μm、1000時間の条件で行った。高温負荷試験での試料数は各試料20個とし、1000時間まで不良の無かったものを良品とした。   The high temperature load test was performed under the conditions of a temperature of 105 ° C., an applied voltage of 6 V / μm, and 1000 hours. The number of samples in the high temperature load test was 20 for each sample, and those that had no defects up to 1000 hours were regarded as non-defective products.

誘電体層を構成する結晶粒子の平均結晶粒径は、焼成後のコンデンサ本体である試料の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各粒子の面積を求め、これと同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求めた。   The average crystal grain size of the crystal grains constituting the dielectric layer is determined by polishing the fracture surface of the capacitor body sample after firing, then taking a picture of the internal structure using a scanning electron microscope, and Draw a circle containing 20 to 30 particles, select the crystal particles in and around the circle, perform image processing on the outline of each crystal particle, find the area of each particle, and have the same area The diameter at the time of replacement was calculated and obtained from the average value.

また、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面の回折強度と正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面の回折強度との比の測定は、Cukαの管球を備えたX線回折装置を用いて、角度2θ=44〜46°の範囲で測定し、ピーク強度の比から求めた。   The ratio of the diffraction intensity of the (200) plane showing cubic barium titanate and the diffraction intensity of the (002) plane showing tetragonal barium titanate was measured by X-ray diffraction with a Cukα tube. Using an apparatus, the angle was measured in the range of 2θ = 44 to 46 °, and obtained from the ratio of peak intensities.

また、得られた焼結体である試料の組成分析はICP(Inductively Coupled Plasma)分析もしくは原子吸光分析により行った。この場合、得られた誘電体磁器を硼酸と炭酸ナトリウムと混合し溶融させたものを塩酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ICP発光分光分析にかけて定量化した。また、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求めた。   Moreover, the composition analysis of the sample which is the obtained sintered body was performed by ICP (Inductively Coupled Plasma) analysis or atomic absorption analysis. In this case, the obtained dielectric porcelain mixed with boric acid and sodium carbonate and dissolved in hydrochloric acid is first subjected to qualitative analysis of the elements contained in the dielectric porcelain by atomic absorption spectrometry, and then specified. The diluted standard solution for each element was used as a standard sample and quantified by ICP emission spectroscopic analysis. Further, the amount of oxygen was determined using the valence of each element as the valence shown in the periodic table.

また、結晶粒子中のカルシウムの濃度は、各試料から3個の積層セラミックコンデンサをサンプリングし、それを構成する誘電体層の断面を研磨した研磨面に存在する結晶粒子に対して、元素分析機器を付設した透過型電子顕微鏡を用いて元素分析を行い求めた。選択する結晶粒子は、透過電子顕微鏡にて観察された画像上で結晶粒子が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子とした。元素分析を行うための電子線のスポットサイズは5nmとした。分析する箇所は結晶粒子の粒界付近から中心へ向けて引いた直線上のうち粒界からほぼ等間隔に4〜5点とし、各測定点から検出されるBa、Ti、Ca、V、Mg、RE(希土類元素)およびMnの全量を100%としたときのカルシウムの割合を求め、各測定点より求めたカルシウムの割合の平均値をカルシウムの濃度として求めた。その結果、BCT粉末を用いて形成された結晶粒子はいずれもカルシウムの濃度が0.5〜2原子%であった。   In addition, the concentration of calcium in the crystal particles is determined based on the elemental analysis equipment for the crystal particles present on the polished surface obtained by sampling three multilayer ceramic capacitors from each sample and polishing the cross section of the dielectric layer constituting the capacitor. Elemental analysis was carried out using a transmission electron microscope provided with. As the crystal particles to be selected, a circle containing 20 to 30 crystal particles was drawn on an image observed with a transmission electron microscope, and the crystal particles were placed in and around the circle. The spot size of the electron beam for performing elemental analysis was 5 nm. The points to be analyzed are 4 to 5 points at almost equal intervals from the grain boundary on the straight line drawn from the vicinity of the grain boundary toward the center, and Ba, Ti, Ca, V, Mg detected from each measurement point. , RE (rare earth element) and the total amount of Mn were taken as 100%, the calcium ratio was determined, and the average value of the calcium ratio determined from each measurement point was determined as the calcium concentration. As a result, all of the crystal particles formed using the BCT powder had a calcium concentration of 0.5 to 2 atomic%.

調合組成と焼成温度を表1,2に、焼結体中の各元素の酸化物換算での組成を表3,4に、および焼成後の誘電体層の厚み、平均結晶粒径、X線回折による立方晶および正方晶のピーク強度比、特性(比誘電率、誘電損失、比誘電率(静電容量の温度特性から求められる)の温度特性、高温負荷試験での寿命)の結果を表5,6にそれぞれ示す。   Tables 1 and 2 show the preparation composition and firing temperature, Tables 3 and 4 show the oxide equivalent composition of each element in the sintered body, and the thickness, average crystal grain size, and X-rays of the dielectric layer after firing. Shows the results of peak intensity ratio and characteristics (specific permittivity, dielectric loss, temperature characteristics of relative permittivity (determined from the temperature characteristics of capacitance), life in high temperature load test) of diffraction and cubic crystals. Shown in 5 and 6, respectively.

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表1〜6の結果から明らかなように、本発明の試料No.I−2〜5、8〜13、16〜19、22〜25、28〜31および33〜55では、室温(25℃)における比誘電率が3400以上、誘電損失が12.5%以下であり、比誘電率の温度特性がX6S(25℃を基準にしたときの比誘電率の温度変化率が−55〜105℃において±22%以内)を満足し、また、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率がAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の2倍以下であり、さらに、高温負荷試験(温度:105℃、定格電圧の1.5倍、1000時間)において不良が無かった。
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As is apparent from the results of Tables 1 to 6, the sample No. In I-2 to 5, 8 to 13, 16 to 19, 22 to 25, 28 to 31, and 33 to 55, the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) is 3400 or more, and the dielectric loss is 12.5% or less. When the temperature characteristic of the dielectric constant satisfies X6S (the temperature change rate of the dielectric constant with respect to 25 ° C. is within ± 22% at −55 to 105 ° C.), and the AC voltage is 1V The relative dielectric constant is less than twice the relative dielectric constant when the AC voltage is set to 0.01 V. Further, in the high temperature load test (temperature: 105 ° C., 1.5 times the rated voltage, 1000 hours) There was no.

また、誘電体層を構成する誘電体磁器の組成として、チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、バナジウムをV換算で0.02〜0.08モル、マグネシウムをMgO換算で0.3〜0.6モル、マンガンをMnO換算で0.2〜0.4モル、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素をRE換算で0.4〜0.6モル、およびテルビウムをTb換算で0.02〜0.08モルとした試料No.I−36〜55では、比誘電率が3900以上であり、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率がAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の1.6倍以下であった。Moreover, as a composition of the dielectric ceramic constituting the dielectric layer, vanadium is 0.02 to 0.08 mol in terms of V 2 O 5 and magnesium is in terms of MgO with respect to 100 moles of titanium constituting barium titanate. 0.3 to 0.6 mol, manganese to 0.2 to 0.4 mol in terms of MnO, and at least one rare earth element selected from yttrium, dysprosium, holmium, and erbium to an RE 2 O 3 equivalent of 0. Sample No. 4 to 0.6 mol, and terbium 0.02 to 0.08 mol in terms of Tb 4 O 7 were converted. In I-36 to 55, the relative dielectric constant was 3900 or more, and the relative dielectric constant when the AC voltage was 1 V was 1.6 times or less than the relative dielectric constant when the AC voltage was 0.01 V. .

さらに、誘電体層を構成する結晶粒子の平均結晶粒径を0.22〜0.28μmの範囲とした試料No.I−2〜5,8〜12,16〜19,22〜25,28〜31,33〜52,54および55では、誘電損失が12%以下であった。   Further, Sample No. 2 in which the average crystal grain size of the crystal grains constituting the dielectric layer was in the range of 0.22 to 0.28 μm. In I-2 to 5, 8 to 12, 16 to 19, 22 to 25, 28 to 31, 33 to 52, 54 and 55, the dielectric loss was 12% or less.

これに対して、本発明の範囲外の試料No.I−1,6,7,14,15,20,21,26,27および32では、室温(25℃)における比誘電率が3400以上、誘電損失が12.5%以下、比誘電率の温度特性がX6S(25℃を基準にしたときの比誘電率の温度変化率が−55〜105℃において±22%)を満足すること、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率がAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の2倍以下であること、および、温度:105℃、定格電圧の1.5倍、1000時間以上において不良ゼロという高温負荷試験での寿命のいずれかの特性を満足しないものであった。
<実施例II>
比表面積が4m/gのBCT粉末に代えて、比表面積が6m/gのBCT粉末を用いた他は、実施例1と同様にして、各原料粉末を表7に示す割合で混合して、セラミックグリーンシートを得、かつコンデンサ本体成形体を1130〜1160℃で焼成してコンデンサ本体を作製し、さらに積層セラミックコンデンサを作製した。得られた積層セラミックコンデンサについて、実施例Iと同様にして評価を行った。ただし、高温負荷試験は、実施例Iの条件(温度:105℃,電圧:6V,試験時間:1000時間)と異なり、温度:125℃,電圧:6V,試験時間:1000時間を満足するか否かを評価した。
On the other hand, sample no. In I-1, 6, 7, 14, 15, 20, 21, 26, 27 and 32, the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) is 3400 or more, the dielectric loss is 12.5% or less, the temperature of the relative dielectric constant The characteristic satisfies X6S (the rate of change in temperature of the relative permittivity with respect to 25 ° C. is ± 22% at −55 to 105 ° C.), and the relative permittivity when the AC voltage is 1 V is the AC voltage. Either the dielectric constant is 2 times or less of the relative dielectric constant at 0.01 V, and the temperature is 105 ° C., 1.5 times the rated voltage, and the lifetime in the high temperature load test is zero defect at 1000 hours or more. The characteristics were not satisfied.
<Example II>
Each raw material powder was mixed in the ratio shown in Table 7 in the same manner as in Example 1 except that the BCT powder having a specific surface area of 6 m 2 / g was used instead of the BCT powder having a specific surface area of 4 m 2 / g. Thus, a ceramic green sheet was obtained, and the capacitor body molded body was fired at 1130 to 1160 ° C. to produce a capacitor body, and further a multilayer ceramic capacitor was produced. The obtained multilayer ceramic capacitor was evaluated in the same manner as in Example I. However, unlike the conditions of Example I (temperature: 105 ° C., voltage: 6 V, test time: 1000 hours), the high temperature load test satisfies temperature: 125 ° C., voltage: 6 V, test time: 1000 hours. Was evaluated.

各試料の調合組成と焼成温度を表7に、焼結体中の各元素の酸化物換算での組成を表8に、および焼成後の誘電体層の厚み、平均結晶粒径、X線回折による立方晶および正方晶のピーク強度比、特性(比誘電率、誘電損失、比誘電率の温度特性、高温負荷試験での寿命)の結果を表9および表10にそれぞれ示す。   Table 7 shows the composition and firing temperature of each sample, Table 8 shows the oxide equivalent composition of each element in the sintered body, and the thickness, average crystal grain size, and X-ray diffraction of the dielectric layer after firing. Table 9 and Table 10 show the results of the peak intensity ratio and characteristics (relative permittivity, dielectric loss, temperature characteristics of relative permittivity, lifetime in high temperature load test) of cubic and tetragonal crystals, respectively.

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表9、表10から明らかなように、本発明の試料No.II−2〜5,8〜13,16〜19,22〜25,28〜31および33〜50では、室温(25℃)における比誘電率が3400以上、誘電損失が12.5%以下であり、比誘電率の温度特性がX6S(25℃を基準にしたときの比誘電率の温度変化率が−55〜105℃において±22%)を満足し、また、AC電圧を1Vとしたときの比誘電率がAC電圧を0.01Vとしたときの比誘電率の2倍以下であり、さらに、高温負荷試験(温度:125℃、定格電圧の1.5倍、1000時間)において不良が無かった。この結果、結晶粒子の平均結晶粒径が微粒化(0.13〜0.19μm)されると、高温負荷特性が向上することがわかる。
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As is clear from Tables 9 and 10, the sample No. In II-2 to 5, 8 to 13, 16 to 19, 22 to 25, 28 to 31, and 33 to 50, the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) is 3400 or more, and the dielectric loss is 12.5% or less. The temperature characteristics of the dielectric constant satisfy X6S (the temperature change rate of the dielectric constant with respect to 25 ° C. is ± 22% at −55 to 105 ° C.), and the AC voltage is 1V. The relative permittivity is less than twice the relative permittivity when the AC voltage is 0.01 V, and there is no defect in the high temperature load test (temperature: 125 ° C., 1.5 times the rated voltage, 1000 hours). It was. As a result, it can be seen that when the average crystal grain size of crystal grains is atomized (0.13 to 0.19 μm), the high temperature load characteristics are improved.

これに対して、高温負荷特性を満足しない試料No. II‐1、21、27は、いずれかの原料の配合量が本発明の範囲を満足しないものであるため、結晶粒子の平均結晶粒径が0.13〜0.19μmの範囲内であっても、高温負荷特性を満足しない。   On the other hand, Sample Nos. II-1, 21, and 27 that do not satisfy the high temperature load characteristics are those in which the blending amount of any of the raw materials does not satisfy the scope of the present invention. Even within the range of 0.13 to 0.19 μm, the high temperature load characteristics are not satisfied.

また、試料No. II‐50は、結晶粒子の平均結晶粒径が0.19μmを超えているために、105℃での高温負荷特性は満足していたものの、125℃での高温負荷特性を満足しない。
Sample No. II-50 was satisfactory in high temperature load characteristics at 105 ° C. because the average crystal grain size of crystal grains exceeded 0.19 μm, but had high temperature load characteristics at 125 ° C. I'm not satisfied.

Claims (4)

(i)チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成され、カルシウム,マグネシウム,バナジウム,マンガンおよびテルビウムと、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素とを含む誘電体磁器からなる誘電体層と、(ii)内部電極層とを交互に積層して形成された積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体磁器が、前記チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.02〜0.2モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.2〜0.8モル、前記マンガンをMnO換算で0.1〜0.5モル、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の前記希土類元素(RE)をRE換算で0.3〜0.8モル、および前記テルビウムをTb換算で0.02〜0.2モル含有するとともに、
前記結晶粒子のカルシウムの濃度が0.4原子%以上であり、
前記該誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、立方晶のチタン酸バリウムを示す(200)面の回折強度が、正方晶のチタン酸バリウムを示す(002)面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が90〜100℃である
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
(I) A dielectric composed of crystal particles mainly composed of barium titanate and containing calcium, magnesium, vanadium, manganese and terbium and at least one rare earth element selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium A multilayer ceramic capacitor formed by alternately laminating dielectric layers made of a ceramic body and (ii) internal electrode layers,
The dielectric porcelain is 0.02 to 0.2 mol in terms of V 2 O 5 and the magnesium is 0.2 to 0.00 in terms of MgO with respect to 100 mol of titanium constituting the barium titanate. 8 mol, 0.1 to 0.5 mol of manganese in terms of MnO, and at least one rare earth element (RE) selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium in an amount of 0.3 in terms of RE 2 O 3 0.8 mol, and the terbium well as 0.02 to 0.2 molar content in Tb 4 O 7 terms,
The crystal particles have a calcium concentration of 0.4 atomic% or more;
In the X-ray diffraction chart of the dielectric ceramic, the diffraction intensity of the (200) plane showing cubic barium titanate is larger than the diffraction intensity of the (002) plane showing tetragonal barium titanate, and the Curie A multilayer ceramic capacitor having a temperature of 90 to 100 ° C.
前記誘電体磁器が、前記チタン酸バリウムを構成するチタン100モルに対して、前記バナジウムをV換算で0.02〜0.08モル、前記マグネシウムをMgO換算で0.3〜0.6モル、前記マンガンをMnO換算で0.2〜0.4モル、イットリウム,ディスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも1種の前記希土類元素をRE換算で0.4〜0.6モル、および前記テルビウムをTb換算で0.02〜0.08モル含有することを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。The dielectric porcelain is 0.02 to 0.08 mol in terms of V 2 O 5 and 0.3 to 0.005 in terms of MgO with respect to 100 mol of titanium constituting the barium titanate. 6 mol, 0.2 to 0.4 mol of manganese in terms of MnO, and at least one rare earth element selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium in an amount of 0.4 to 0.00 in terms of RE 2 O 3 . 6. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, comprising 6 mol and 0.02 to 0.08 mol of the terbium in terms of Tb 4 O 7 . 前記結晶粒子の平均結晶粒径が0.22〜0.28μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。  3. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, wherein an average crystal grain size of the crystal particles is 0.22 to 0.28 μm. 前記結晶粒子の平均結晶粒径が0.13〜0.19μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。  3. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, wherein an average crystal grain size of the crystal particles is 0.13 to 0.19 μm.
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