JP5154170B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置に関する。

高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、液晶を挟持する２つの透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、即ち、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）モードや、ＩＰＳ（In-Plain Switching）モード等により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板に、表示信号が供給される画素電極と、共通電位が供給される共通電極の両者が配置される。

この液晶表示装置がＦＦＳモードである場合について説明すると、例えば、画素電極に複数の線状部及びスリットが交互に平行に配置され、画素電極と共通電極は、絶縁膜を介して対向して配置される。液晶層の液晶分子は、配向膜のラビング方向に応じて初期配向される。そして、画素電極に表示信号が印加されると、画素電極の線状部からスリットの下層に延在する共通電極に延びる電界、即ち透明基板に対して略水平方向の電界に応じて、液晶分子の配向方向が制御される。この液晶層を介して光学的制御が行われ、白表示又は黒表示が行われる。

ここで、この液晶表示装置の使用方法の一例として、入射光を直線偏光する偏光サングラスを通して視認が行われる場合を考える。一般的に偏光サングラスの吸収軸は水平方向である。この場合、偏光サングラスの吸収軸に対して、液晶表示装置の表示部における表示光の透過軸が一致すると、表示光は全て偏光サングラスの吸収軸に吸収され、表示部からの表示光が視認されなくなる。

また、液晶表示装置の表示部が長方形である場合、表示部の配置状態は、その短辺が水平方向に沿うように配置される状態、いわゆるランドスケープ状態と、表示部の短辺が垂直方向に沿うように配置される状態、いわゆるポートレート状態と、のいずれかに切り換えて表示することが求められてきている。この表示部の表面側の偏光板の透過軸は、水平方向に対して平行又は直交であることから、表示部がランドスケープ、ポートレートのいずれかの状態において、表示部からの表示光が視認されなくなる。

そこで、上記使用方法に対処するため、液晶表示装置の表示部における表示光の透過軸を、水平方向、即ち偏光サングラスの吸収軸に対して所定の角度だけ傾斜させることが考えられる。これにより、上記ランドスケープ、ポートレートのいずれの状態においても、表示光の一部が偏光サングラスの透過軸を通って視認される。

上記表示部の構成例について説明すると、その偏光板の透過軸と平行又直交である配向膜のラビング方向が、水平方向、即ち偏光サングラスの吸収軸に対して、所定の角度だけ傾斜している。例えば、図８に示すように、偏光サングラスの吸収軸と一致する長方形の表示部の水平方向をＸ方向、垂直方向をＹ方向とし、その水平方向に対するラビング方向の傾斜角をθｒとする。また、その表示部に配置される長方形の複数の画素電極７１の一方の辺は、上記水平方向に沿っているものとし、その水平方向に対する画素電極７１のスリットＳ３の長手方向の傾斜角をθｓとする。

このとき、θｒは例えば約＋２０度〜＋５０度である。また、液晶層の液晶分子の回転方向を不定にさせないように、スリットＳ３の傾斜角θｓはラビング方向の傾斜角θｒに対して約＋５度〜＋１５度傾斜している。即ち、θｒ＜θｓである。

なお、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置については、特許文献１に記載されている。
特開２００２−２９６６１１号公報

しかしながら、図８に示すように、上記液晶表示装置の画素電極７１では、製造時におけるパターニングの制約上、各スリットＳ３の端のパターンが円弧状になる。そのため、画素電極７１の線状部からスリットＳ３の下層に延在する共通電極（不図示）に延びる電界の方向とラビング方向との角が一様でなくなり、液晶分子Ｍの回転方向が所望の方向に対して反転する領域７１Ｅが存在していた。これにより、本来ならば白表示となるべき領域が黒表示となり透過率が低下する現象、即ちディスクリネーションが生じていた。

本発明の液晶表示装置は複数の画素を含む表示部を有し、各画素は、第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、第１の基板に配置され絶縁膜を挟んで配置された共通電極と画素電極と、表示部の水平方向と垂直方向のいずれとも一致しないラビング方向を有した配向膜と、を備え、画素電極は、長辺と短辺よりなる略平行四辺形の形状であって、表示部の水平方向に対する長辺の傾斜角θｓは、水平方向に対する配向膜のラビング方向の傾斜角θｒよりも大きく、水平方向に対する短辺の傾斜角θｅは、長辺の傾斜角θｓよりも大きく、かつ（θｒ＋９０°）よりも小さいスリットを有し、画素電極の外縁は、隣接するスリットの長辺と略平行となる第１の辺と、第１の辺に平行な第２の辺と、第１の辺と鋭角で交わる方向に沿って隣接する第３の辺と、第２の辺と鋭角で交わる方向に沿って隣接する第４の辺と、第１の辺と第３の辺との交点よりも内側に位置する第１の辺の端と第３の辺の端とを結ぶ第５の辺と、第２の辺と第４の辺との交点よりも内側に位置する第２の辺の端と第４の辺の端とを結ぶ第６の辺と、を有している。

本発明によれば、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置において、画素全体におけるディスクリネーションを減少させ、画素の透過率を高めることができる。

最初に、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、ノーマリーブラック型のＦＦＳモードにより動作する液晶表示装置として説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。この液晶表示装置には複数の画素ＰＸＬがマトリクス状に配置されているが、図１では、その中から一部の画素ＰＸＬのみを示し、主要な構成要素のみを示している。その構成要素の１つである画素電極２１については、その形成領域のみを示し、詳細な構成については、図３の平面図に示す。また、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

まず、この液晶表示装置の概略の平面構成について説明すると、図１に示すように、Ｘ方向を水平方向とし、Ｙ方向を垂直方向とした矩形状の表示部１において、その水平方向に沿って、画素選択信号が供給される複数のゲート線１４が配置されている。また、その垂直方向に沿って、表示信号が供給される複数のドレイン線１６Ｄが配置されている。ゲート線１４と、表示信号が供給されるドレイン線１６Ｄの各交差点に対応して、画素ＰＸＬが配置されている。各画素ＰＸＬには、ゲート線１４をゲート電極とした薄膜トランジスタＴＲが配置されている。

なお、表示部１の水平方向は、表示部１が偏光サングラスを通して視認される場合において、その偏光サングラスの吸収軸と平行である。

この液晶表示装置の断面構成について説明すると、図２に示すように、ガラス等からなる第１の透明基板１０に、バックライト等の光源ＢＬと対向して第１の偏光板ＰＬ１が配置されている。第１の透明基板１０の光源ＢＬと対向しない側には、バッファ膜１１が配置され、その上に薄膜トランジスタＴＲの能動層１２が配置されている。それを覆って、ゲート絶縁膜１３が配置されている。

ゲート絶縁膜１３上には、能動層１２と対向してゲート線１４が配置されている。ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４は層間絶縁膜１５に覆われている。層間絶縁膜１５上には、コンタクトホールＣＨ１を通して薄膜トランジスタＴＲのドレイン１２Ｄと接続されたドレイン線１６Ｄと、コンタクトホールＣＨ２を通してソース１２Ｓと接続されたソース電極１６Ｓが配置されている。ドレイン線１６Ｄとソース電極１６Ｓはパッシベーション膜１７及び平坦化膜１８に覆われている。なお、パッシベーション膜１７は、必ずしも必要ではない。

平坦化膜１８上には、ソース電極１６Ｓと重畳する開口部１９Ｈを有した共通電極１９が配置されている。共通電極１９は、例えば、画素ＰＸＬが配置されない領域において、コンタクトホール（不図示）を通して、共通電位が供給される共通電極線（不図示）と接続されている。共通電極１９は、絶縁膜２０に覆われている。

絶縁膜２０上には共通電極１９と対向して、複数の線状部とスリットＳ１を有した画素電極２１が配置されている。画素電極２１は、開口部１９Ｈ内に設けられたコンタクトホールＣＨ３を通して、ソース電極１６Ｓと接続されている。画素電極２１は、配向膜２２に覆われている。この配向膜２２のラビング方向は、第１の偏光板ＰＬ１の透過軸と平行であるか、もしくは直交している。本実施形態では、例として、配向膜２２のラビング方向は第１の偏光板ＰＬ１の透過軸と平行であるものとして説明する。なお、この画素電極２１の詳細な構成及び配置については後述する。

一方、ガラス等からなる第２の透明基板３０には、第１の透明基板１０と対向しない側に、第１の偏光板ＰＬ１の透過軸と直交する透過軸を有した第２の偏光板ＰＬ２が配置されている。また、第２の透明基板３０には、第１の透明基板１０と対向する側に、カラーフィルタ３１が配置され、カラーフィルタ３１は、配向膜３２に覆われている。この配向膜３２は、第１の透明基板１０側の配向膜２２と同じラビング方向を有している。第１の透明基板１０と第２の透明基板３０の間には、液晶層ＬＣが挟持されている。液晶層ＬＣの液晶分子Ｍは、配向膜２２，３２のラビング方向に応じて初期配向されており、ホモジニアス配向されている。

以下に、本発明の特徴である画素電極２１の構成と、配向膜２２，３２のラビング方向について、図３の平面図を参照して説明する。図３は、図１における画素ＰＸＬの画素電極２１の詳細な構成を示す平面図である。

図３に示すように、配向膜２２，３２のラビング方向は、水平方向に対して傾斜角θｒを有している。θｒは例えば約＋２０度〜＋５０度であり、好ましくは約＋３０度である。第１の偏光板ＰＬ１の透過軸は、このラビング方向に例えば平行である。

平行四辺形又は略平行四辺形の形状を有した画素電極２１には、長辺Ｅ１と短辺Ｅ２からなる平行四辺形又は略平行四辺形の形状を有した複数のスリットＳ１が、互いに平行に配置されている。平行四辺形の画素電極２１の長辺は、表示部１の垂直方向（以降、「垂直方向」と略称する）に平行である。表示部１の水平方向（以降、「水平方向」と略称する）に対するスリットＳ１の長辺Ｅ１の傾斜角θｓは、液晶層ＬＣの液晶分子Ｍの回転方向を不定にさせないようにするため、θｒよりも、例えば約＋５度〜＋１５度、好ましくは約＋５度大きい。

一方、水平方向に対するスリットＳ１の短辺Ｅ２の傾斜角θｅは、θｓよりも大きく、かつ（θｒ＋９０°）よりも小さい。即ち、画素電極２１では、スリットＳ１の端において、一方の角部Ａａｃは鋭角の開口部となっている。

また、画素電極２１の外縁における第１の辺２１Ａ及びそれに平行な第２の辺２１Ｂは、水平方向に対して傾斜角θｓを有している。即ち、画素電極２１の第１の辺２１Ａ及び第２の辺２１Ｂは、スリットＳ１の長辺Ｅ１と平行である。これらの第１の辺２１Ａと第２の辺２１Ｂは、垂直方向に沿った第３の辺２１Ｃ及び第４の辺２１Ｄと鋭角で交差する。即ち、第１の辺２１Ａと第３の辺２１Ｃが交差する箇所、及び第２の辺２１Ｂと第４の辺２１Ｄが交差する箇所には、鋭角の角部Ｃが存在する。

なお、この画素電極２１の外縁の角部ＣとスリットＳ１の角部Ａａｃは、画素電極２１をパターニングする際、フォトリソグラフィ工程の光近接効果により若干丸みを帯びる場合がある。この丸みを極力回避するためには、パターニングに用いるマスクのパターンを、上記光近接効果を考慮したパターンとすれば、その丸みを無視できる程度に抑えることができる。

上記構成の画素電極２１では、スリットＳ１の鋭角となる角部Ａａｃの近傍において、従来例にみられたような液晶分子Ｍの回転方向の反転はおこりにくいため、ディスクリネーションが抑えられる。なお、スリットＳ１の他方の端の近傍では、そもそも液晶分子Ｍの回転方向の反転は起こらないため、ディスクリネーションは生じない。

さらに、画素電極２１の第１の辺２１Ａ及び第２の辺２１Ｂに沿った領域は、スリットＳ１の長辺Ｅ１と平行であることから、従来例のように第１の辺２１Ａ及び第２辺２１Ｂに沿った領域にスリットＳ１の短辺Ｅ２が配置されることがなくなるため、この領域では液晶分子Ｍの回転方向の反転が発生しないため、ディスクリネーションが生じない。さらに、画素電極２１の第１の辺２１Ａ及び第２の辺２１Ｂとその外側に配置した共通電極１９との電界によって、この領域の液晶分子Ｍの回転する角度が画素ＰＸＬ内と同じとすることができるため、表示に寄与する領域とすることができる。これにより、画素ＰＸＬ全体におけるディスクリネーションを低減させ、透過率を高めることができる。

なお、上記構成において、仮に、スリットＳ１の傾斜角θｓがラビング方向の傾斜角θｒよりも小さい場合、ディスクリネーションを低減しようとすると、スリットＳ１における鋭角の角部Ａａｃは、垂直方向において逆側に存在することになる。この場合、スリットＳ１の端における画素電極２１、即ち画素電極２１の第３の辺２１Ｃ及び第４の辺２１Ｄに沿った端において、スリットＳ１の端と、第３の辺２１Ｃ及び第４の辺２１Ｄとの一番近い部分の距離が電極材料の形成上、所定の距離を必要とするため、一番近い部分の距離を所定の距離とした場合と比較すると、スリットＳ１の端が第３の辺２１Ｃ及び第４の辺２１Ｄから離れてしまうことになる。

この画素電極２１の端におけるマージンは透過率を低下させるとことから、特に、画素電極２１の第１の辺２１Ａ及び第２の辺２１Ｂよりも第３の辺２１Ｃ及び第４の辺２１Ｄの方が長い場合では、ディスクリネーションの生じる箇所が増大してしまう。即ち、画素ＰＸＬ全体における開口率が著しく低下してしまう。これに対して、本実施形態では、スリットＳ１の傾斜角θｓがラビング方向の傾斜角θｒよりも大きいことから、そのような画素電極２１の端におけるスリットＳ１の端と画素電極２１の第３の辺２１Ｃ及び第４の辺２１Ｄとの距離を近くすることができる。従って、上記開口率の低下を抑止することができる。

上記液晶表示装置の動作について図２を参照して説明すると、共通電極１９と画素電極２１の間に電界が生じないオフ状態では、液晶層ＬＣの液晶分子Ｍはホモジニアス配向されており、その長軸方向は、第１の偏光板ＰＬ１の透過軸と例えば平行である。このとき、第１の偏光板ＰＬ１によって直線偏光された光源ＢＬの光は、そのままの偏光軸で液晶層ＬＣを透過して第２の偏光板ＰＬ２に入射する。しかし、この光は、その偏光軸が第２の偏光板ＰＬ２の透過軸と直交するため、第２の偏光板ＰＬ２によって吸収される。即ち、黒表示（ノーマリーブラック）となる。

一方、共通電極１９と画素電極２１の間に電界が生じるオン状態では、この電界に応じて、液晶層ＬＣの液晶分子Ｍの長軸は、第１の透明基板１０に対して略水平に回転する。このとき、第１の偏光板ＰＬ１によって直線偏光された光源ＢＬの光は、液晶層ＬＣにおける複屈折により楕円偏光となり、第２の偏光板ＰＬ２に入射する。この楕円偏光のうち、第２の偏光板ＰＬ２の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。

その際、画素電極２１のスリットＳ１の端、及び第１の辺２１Ａ及び第２の辺２１Ｂに沿った領域では、液晶分子Ｍの回転方向が反転しないため、従来例のようなディスクリネーションが生じない。これにより、画素ＰＸＬ全体におけるディスクリネーションを低減することができ、画素ＰＸＬの透過率を高めることができる。

なお、上記画素電極２１が配置された各画素ＰＸＬが、いわゆるライン反転駆動により動作する場合、垂直方向で隣接する各画素ＰＸＬの各画素電極２１には、極性の異なる表示信号が供給される。そのため、異なる表示信号の干渉によって所望の表示が得られずに、それらの画素ＰＸＬの境界近傍で表示不良が生じる場合があった。この問題を避けるためには、図１に示すように、垂直方向で隣接する各画素ＰＸＬの各画素電極２１を極力離間させると良いが、あまり離間距離を大きくとると開口率の低下を招くことになる。そこで、一方の画素電極の２１の第１の辺２１Ａと他方の画素電極２１の第２の辺２１Ｂとの距離は、画素電極２１の第１の辺及び第２の辺の外側の液晶分子Ｍが電界により所望の回転を得られる範囲の２倍と等しいか、それより多少大きい範囲とすることが望ましい。例えば、隣接する各画素電極２１のうち、一方の画素電極２１の第１の辺２１Ａと、他方の画素電極２１の第２の辺２１Ｂとの距離をＤ１とすると、５μｍ＜Ｄ１＜１５μｍであり、好適な例としては、７μｍ＜Ｄ１＜１０μｍである。

上記のように各画素ＰＸＬがライン反転駆動により動作する場合、画素電極２１は、本発明の第２の実施形態として、さらに以下に示す変形例のように構成されてもよい。図４は、本実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。この液晶表示装置には複数の画素ＰＸＬがマトリクス状に配置されているが、図４では、その中から一部の画素ＰＸＬのみを示し、主要な構成要素のみを示している。その構成要素の１つである画素電極４１については、その形成領域のみを示し、詳細な構成については、図５の平面図に示す。その他の構成については、図１乃至図３に示した第１の実施形態における構成と同様であるため、その説明を省略する。

本実施形態の画素電極４１は、第１の実施形態と同様の複数のスリットＳ１を有している。また、画素電極４１の外縁における第１の辺４１Ａ及びそれに平行な第２の辺４１Ｂは、水平方向に対して傾斜角θｓを有している。即ち、画素電極４１の第１の辺４１Ａ及び第２の辺４１Ｂは、スリットＳ１の長辺Ｅ１と平行である。また、画素電極４１の第３の辺４１Ｃは、第１の辺４１Ａと、鋭角で交わる方向に沿って隣接し、第４の辺４１Ｄは、第２の辺４１Ｂと鋭角で交わる方向に沿って隣接している。

垂直方向で隣接する各画素ＰＸＬの各画素電極４１において、一方の画素電極４１の第１の辺４１Ａと、他方の画素電極４１の第２の辺４１Ｂとの距離は、例えば、第１の実施形態と同様の距離Ｄ１である。

さらに、本実施形態の特徴として、画素電極４１は、第１の辺４１Ａの端と第３の辺４１Ｃの端との間を結ぶ第５の辺４１Ｅを有しおり、第２の辺４１Ｂの端と第４の辺４１Ｄの端との間を結ぶ第６の辺４１Ｆを有している。この構成により、垂直方向で隣接する各画素ＰＸＬのうち、ドレイン線１６Ｄを挟んで対向する各画素ＰＸＬでは、画素電極４１の第５の辺４１Ｅと第６の辺４１Ｆが、所定の距離で離間する。第５の辺４１Ｅ又はその延長線と、第６の辺４１Ｆ又はその延長線との距離をＤ２とすると、５μｍ＜Ｄ２＜１５μｍであり、好適な例としては、７μｍ＜Ｄ２＜１０μｍである。

この場合、隣接する各画素ＰＸＬの各画素電極４１において、それらの離間距離を極力大きくすることができ、また、互いに重畳して隣接する領域を極力小さくできる。これにより、ライン反転駆動における極性の異なる表示信号の干渉を、第１の実施形態よりも確実に低減することができる。

上記構成では、第５の辺４１Ｅ及び第６の辺４１Ｆの近傍では、液晶分子Ｍの回転方向が反転するため、ディスクリネーションが生じる場合があるが、画素電極２１の第１の辺４１Ａ及び第２の辺４１Ｂに沿った領域では第１の実施形態と同様にディスクリネーションが生じない。そのため、従来例に比して画素ＰＸＬ全体におけるディスクリネーションを低減することができ、画素ＰＸＬの透過率を高めることができる。

さらに、第５の辺４１Ｅ及び第６の辺４１Ｆの近傍でのディスクリネーションを抑えるためには、水平方向に対する第５の辺４１Ｅ及び第６の辺４１Ｆの傾斜角を、（θｒ＋７５°）以上、（θｒ＋１０５°）以下とすることが好ましい。

これにより、第５の辺４１Ｅ及び第６の辺４１Ｆ近傍では、液晶に電界が印加されても液晶がほとんど回転しないことになり、ディスクリネーションの発生を抑えることができる。

以下に、本発明の第３の実施形態について図面を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図であり、主要な構成要素のみを示している。この液晶表示装置では、表示信号が供給される画素電極５１の上層に、共通電位が供給される共通電極５９が配置されている。画素電極５１と共通電極５９との間には、図２に示した第１の実施形態と同様の絶縁膜２０が配置されている。その他の構成についても、第１の実施形態と同様である。

この画素電極５１は、その外縁において、図３に示した画素電極２１と同様に平行四辺形又は略平行四辺形の形状を有しているが、スリットＳ１は有していない。一方、共通電極５９には、長辺Ｅ１と短辺Ｅ２とからなる複数のスリットＳ２が、画素電極５１に重畳するようにして配置されている。このスリットＳ２の長辺Ｅ１は、図３のスリットＳ１と同様に、水平方向に対する傾斜角θｓを有しており、その短辺Ｅ２は、水平方向に対する傾斜角θｅを有している。また、画素電極５１の第１の辺５１Ａ及びそれに平行な第２の辺５１Ｂは、水平方向に対して、スリットＳ２の長辺Ｅ１と同じ傾斜角θｓを有している。即ち、画素電極５１の第１の辺５１Ａ及び第２の辺５１Ｂは、スリットＳ２の長辺Ｅ１と平行である。

この構成により、画素電極５１の外縁の角部Ｃにおいて、液晶分子Ｍの回転方向の反転は起こらないため、ディスクリネーションが生じない。さらに、画素電極５１の第１の辺５１Ａ及び第２の辺５１Ｂに沿った領域は、スリットＳ２の長辺Ｅ１と平行であることから、従来例のように第１の辺５１Ａ及び第２辺５１Ｂに沿った領域にスリットＳ２の短辺Ｅ２が配置されることがなくなるため、この領域では液晶分子Ｍの回転方向の反転が発生しないため、ディスクリネーションが発生せず、表示に寄与する領域とすることができる。即ち、第１の実施形態と同様に、画素ＰＸＬ全体におけるディスクリネーションを低減することができ、画素ＰＸＬの透過率を高めることができる。

さらに、垂直方向で互いに隣接する各画素ＰＸＬの境界において、一方の画素電極５１の第１の辺５１Ａと、他方の画素電極５１の第２の辺５１Ｂとの距離を、第１の実施形態と同様の距離Ｄ１としてもよい。この距離Ｄ１により、各画素ＰＸＬがライン反転駆動により動作する場合、極性の異なる表示信号の干渉を低減することができる。

この画素電極５１は、本発明の第４の実施形態として、さらに以下に示す変形例のように構成されてもよい。図７は、本実施形態に係る液晶表示装置を示す平面図である。図６と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の画素電極６１の第１の辺６１Ａ及びそれに平行な第２の辺６１Ｂは、水平方向に対して、スリットＳ２の長辺Ｅ１と同じ傾斜角θｓを有している。即ち、画素電極６１の第１の辺６１Ａ及び第２の辺６１Ｂは、スリットＳ２の長辺Ｅ２と平行である。

ここで、垂直方向で互いに隣接する各画素ＰＸＬの境界において、一方の画素電極６１の第１の辺６１Ａと、他方の画素電極６１の第２の辺６１Ｂとの距離は、第１の実施形態と同様の距離Ｄ１である。

さらに、本実施形態の特徴として、画素電極６１は、第１の辺６１Ａの端と、その辺と鋭角で交わる方向に沿って隣接する第３の辺６１Ｃの端との間に、第５の辺６１Ｅを有しており、第２の辺６１Ｂの端と、その辺と鋭角で交わる方向に沿って隣接する第４の辺６１Ｄの端との間に、第６の辺６１Ｆを有している。

この構成により、垂直方向で隣接する各画素ＰＸＬのうち、ドレイン線１６Ｄを挟んで対向する各画素ＰＸＬでは、画素電極６１の第５の辺６１Ｅと第６の辺６１Ｆが、所定の距離で離間する。第５の辺６１Ｅ又はその延長線と、第６の辺６１Ｆ又はその延長線との距離は、第２の実施形態と同様の距離Ｄ２である。

この場合、隣接する各画素ＰＸＬの各画素電極６１において、それらの離間距離を極力大きくでき、また、互いに重畳して隣接する領域を極力小さくできる。これにより、ライン反転駆動における極性の異なる表示信号の干渉を、第３の実施形態よりも確実に低減することができる。

上記構成では、第５の辺６１Ｅ及び第６の辺６１Ｆの近傍では、液晶分子Ｍの回転方向が反転するため、ディスクリネーションが生じる場合があるが、画素電極６１の第１の辺６１Ａ及び第２の辺６１Ｂに沿った領域では第３の実施形態と同様にディスクリネーションが生じない。そのため、従来例に比して画素ＰＸＬ全体におけるディスクリネーションを低減することができ、画素ＰＸＬの透過率を高めることができる。

なお、上述した各実施形態では、画素ＰＸＬはノーマリーブラック型のＦＦＳモードにより動作するものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、ノーマリーホワイト型のＦＦＳモードにより動作する液晶表示装置についても適用される。この場合、第１の偏光板ＰＬ１及び第２の偏光板ＰＬ２の透過軸、配向膜２２，３２のラビング方向の関係をノーマリーホワイト型に対応して変更すればよい。

また、各実施形態において、画素電極２１あるいは共通電極５９のスリットＳ１，Ｓ２の傾斜角θｓは、配向膜２２，３２のラビング方向が水平方向と垂直方向のいずれとも一致しないものであれば、上記以外の大きさであってもよい。例えば、スリットＳ１，Ｓ２の傾斜角θｓは、上記よりも小さい値であってもよい。この場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。

さらに、各実施形態において、１つの画素ＰＸＬ内を２つの領域に分けて、それぞれの領域におけるスリットＳ１，Ｓ２の方向を変えてもよい。この場合、画素電極２１，５１の端部に最も近接するスリットＳ１，Ｓ２の長手方向と画素電極２１，５１の辺とを平行とすることにより、上記と同様の効果を得ることが出来る。

本発明の第１の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１の画素電極を示す平面図である。 本発明の第２の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 図４の画素電極を示す平面図である。 本発明の第３の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の第４の実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。 従来例による液晶表示装置の画素電極を示す平面図である。

符号の説明

１ 表示部
１０ 第１の透明基板 １１ バッファ膜
１２ 能動層 １３ ゲート絶縁膜
１４ ゲート線 １５ 層間絶縁膜
１６Ｓ ソース電極 １６Ｄ ドレイン線
１７ パッシベーション膜 １８ 平坦化膜
１９，５９ 共通電極 ２０ 絶縁膜
２１，４１，５１，６１，７１ 画素電極
２１Ａ，４１Ａ，５１Ａ，６１Ａ 第１の辺
２１Ｂ，４１Ｂ，５１Ｂ，６１Ｂ 第２の辺
２１Ｃ，４１Ｃ，５１Ｃ，６１Ｃ 第３の辺
２１Ｄ，４１Ｄ，５１Ｄ，６１Ｄ 第４の辺
２２，３２ 配向膜 ３０ 第２の透明基板
３１ カラーフィルタ ４１Ｅ，６１Ｅ 第５の辺
４１Ｆ，６１Ｆ 第６の辺
ＰＸＬ 画素 ＬＣ 液晶層
ＢＬ 光源 ＴＲ 薄膜トランジスタ
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ スリット Ｅ１ 長辺
Ｅ２ 短辺 ＣＨ１〜ＣＨ３ コンタクトホール
Ａａｃ，Ｃ 角部

Claims (4)

1. 複数の画素を含む表示部を有し、各画素は、
   第１の基板と第２の基板に挟持された液晶層と、
   前記第１の基板に配置され絶縁膜を挟んで配置された共通電極と画素電極と、
   前記表示部の水平方向と垂直方向のいずれとも一致しないラビング方向を有した配向膜と、を備え、
   前記画素電極は、長辺と短辺よりなる略平行四辺形の形状であって、前記表示部の水平方向に対する前記長辺の傾斜角θｓは、前記水平方向に対する前記配向膜のラビング方向の傾斜角θｒよりも大きく、前記水平方向に対する前記短辺の傾斜角θｅは、前記長辺の傾斜角θｓよりも大きく、かつ（θｒ＋９０°）よりも小さいスリットを有し、
   前記画素電極の外縁は、隣接する前記スリットの前記長辺と略平行となる第１の辺と、前記第１の辺に平行な第２の辺と、前記第１の辺と鋭角で交わる方向に沿って隣接する第３の辺と、前記第２の辺と鋭角で交わる方向に沿って隣接する第４の辺と、前記第１の辺と前記第３の辺との交点よりも内側に位置する前記第１の辺の端と前記第３の辺の端とを結ぶ第５の辺と、前記第２の辺と前記第４の辺との交点よりも内側に位置する前記第２の辺の端と前記第４の辺の端とを結ぶ第６の辺と、を有している、
   液晶表示装置。
2. 前記画素電極の前記第１の辺と、それに隣接する前記画素電極の前記第２の辺との離間距離は、５μｍ〜１５μｍである、
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極の前記第５の辺と、それに隣接する前記画素電極の前記第６の辺との離間距離は、５μｍ〜１５μｍである、
   請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記表示部の水平方向に対する前記第５の辺及び前記第６の辺の傾斜角は、（θｒ＋７５°）以上、（θｒ＋１０５°）以下の範囲である、
   請求項１、２、３のいずれかに記載の液晶表示装置。

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