JP5150548B2 - 半導体レーザモジュール,およびこれを備えたラマン増幅器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 114
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 title claims description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
4 光ファイバ
4a 回折格子(FBG)
11 半導体ゲインチップ
13 サーミスタ
14 フォトダイオード
15 熱電クーラ(TEC)
33 TECコントローラ
40 ラマン増幅器
42 増幅用光ファイバ
Claims (5)
- 半導体基板上に,活性層を含む光導波路が形成され,両端に前方端面および後方端面を有し,駆動電流が供給されることによって前記活性層において発生する光を前記前方端面および前記後方端面から出射する半導体ゲインチップ,ならびに所定波長の光を反射する回折格子が内部に形成されている,前記半導体ゲインチップの前方端面から出射する光が入射する光ファイバを備え,前記半導体ゲインチップの後方端面および前記光ファイバ中の回折格子によって光共振器が構成されている外部共振器型半導体レーザ,
温度変化を抵抗値の変化として出力するサーミスタ,ならびに
前記半導体ゲインチップおよび前記サーミスタが搭載され,前記サーミスタによる抵抗値が所定値になるように制御される熱電クーラを備え,
前記サーミスタが,前記半導体ゲインチップの後方端面から出射される光が当たる位置に配置されている,
半導体レーザモジュール。 - 前記半導体ゲインチップの後方端面から出射される光を受けるフォトダイオードをさらに備え,
前記後方端面から前記フォトダイオードに向かって出射される光の一部が,前記サーミスタに当たる,請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記後方端面から出射される光が当たるサーミスタの表面に,光吸収膜が形成されている,請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体ゲインチップの前記前方端面に反射防止膜が,前記後方端面に反射膜が,それぞれ設けられている,請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール,および
前記半導体レーザモジュールからのレーザ光が励起光として入射し,誘導ラマン増幅を生じさせる光ファイバ,
を備えたラマン増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009090752A JP5150548B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 半導体レーザモジュール,およびこれを備えたラマン増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009090752A JP5150548B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 半導体レーザモジュール,およびこれを備えたラマン増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010245209A JP2010245209A (ja) | 2010-10-28 |
JP5150548B2 true JP5150548B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=43097919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009090752A Active JP5150548B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 半導体レーザモジュール,およびこれを備えたラマン増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5150548B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6605651B2 (ja) | 2018-03-27 | 2019-11-13 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245585A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH07176818A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Olympus Optical Co Ltd | レーザ測長機用光源 |
JP2830794B2 (ja) * | 1995-09-19 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 光送信回路 |
JP3850607B2 (ja) * | 1999-11-11 | 2006-11-29 | カヤバ工業株式会社 | 振動/加振試験機 |
JP2004079989A (ja) * | 2002-04-04 | 2004-03-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
-
2009
- 2009-04-03 JP JP2009090752A patent/JP5150548B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010245209A (ja) | 2010-10-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111115 |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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