JP5149109B2 - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体の設計技術に関し、特に半導体メモリ装置のサブホール領域のトランジスタのレイアウトに関する。
DRAM(Dynamic Rnadom Access Memory)をはじめとする半導体メモリ装置は、インターフェース領域およびコア領域を備え、インターフェース領域とコア領域との間のデータ交換のために階層的なデータバス構造を備えている。すなわち、コア領域には、セグメント(segment)入力/出力ラインおよびローカル(local)入力/出力ラインが配され、インターフェース領域からコア領域までグローバル(global)入力/出力ラインが配される。
一方、コア領域内のセルアレイおよびデータ経路の構成は、半導体メモリ装置のサイズおよび性能により互いに異なって構成される。
従来のセルアレイ構造において、多数のセルに保存されたデータが、それぞれのビットライン検知増幅器(Bit Line Sense Amplifier、BLSA)を介して、1つのセグメント入力/出力ラインを共有するように構成されている。一方、ビットライン検知増幅器アレイが、上位セルアレイおよび下位セルアレイが共有する共有ビットライン検知増幅器(shared BLSA)構造である場合に、ビットライン検知増幅器および上位/下位ビットラインを選択的に接続するためのビットライン接続部が存在するため、ビットライン検知増幅器を共有している2つの上位/下位セルアレイブロックのデータもセグメント入力/出力ラインを共有することができる。
かかるセグメント入力/出力ラインは、入力/出力スイッチによりローカル入力/出力ラインに接続する。これは多数のセグメント入力/出力ラインが、ローカル入力/出力ラインの非常に大きいキャパシタンスの影響を受けないようにするためである。したがって、全てのセグメント入力/出力ラインは必ず入力/出力スイッチを介して、ローカル入力/出力ラインに接続されている。
一方、入力/出力スイッチは、半導体メモリ装置においてサブホール(sub hole)領域に位置する。サブホール領域は、上位/下位セルアレイ間に横方向に配されるビットライン検知増幅器アレイと、左/右セルアレイ間に縦方向に配されるサブワードラインドライバアレイとが交差している領域である。サブホール領域には、前述した入力/出力スイッチ以外にも、ビットライン検知増幅器駆動回路、ビットライン制御回路、サブワードライン制御回路などが配される。
図1Aないし図1Cは、半導体メモリ装置の一般的なバンクアーキテクチャを示す図である。図1Aないし図1Cは、1つの図面を分けて示したものである。すなわち、図1Bを中心に図1Aを上方に、図1Cを下方に配したものと考えれば良い。
図1Aないし図1Cを参照すると、多数のセルアレイMATとサブワードラインドライバアレイとがマトリックス状に配されており、便宜上ビットライン検知増幅器アレイは図示しなかった。
セグメント入力/出力ラインSIO<0>/SIOB<0>、SIO<2>/SIOB<2>および、SIO<1>/SIOB<1>、SIO<3>/SIOB<3>が、セルアレイMATの上下にロー(row)方向に分かれて配され、ローカル入力/出力ラインLIOU<0>/LIOBU<0>、LIOU<1>/LIOBU<1>、LIOD<0>/LIOBD<0>、LIOD<1>/LIOBD<1>および、LIOU<2>/LIOBU<2>、LIOU<3>/LIOBU<3>、LIOD<2>/LIOBD<2>、LIOD<3>/LIOBD<3>が、セルアレイMAT間にカラム(column)方向に分かれて配されている。
セグメント入力/出力ラインSIO<0>/SIOB<0>、SIO<2>/SIOB<2>および、SIO<1>/SIOB<1>、SIO<3>/SIOB<3>並びにローカル入力/出力ラインLIOU<0>/LIOBU<0>、LIOU<1>/LIOBU<1>、LIOD<0>/LIOBD<0>、LIOD<1>/LIOBD<1>のマッチアップのみを考慮しても、セグメント入力/出力ラインおよびローカル入力/出力ラインを接続する入力/出力スイッチ(サブホール領域に位置する)の形態は、バンク領域に応じて異なって示される。
まず、バンクの中間部(Middle)領域の場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBおよび上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUを接続するための第1入力/出力スイッチ51Aと、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBおよび下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDを接続するための第2入力/出力スイッチ51Bとを備えている。
また、バンクの上部(Up)領域の場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUとを接続するための第1入力/出力スイッチ51Aのみを備えている。
また、バンクの下部(Down)領域の場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDとを接続するための第2入力/出力スイッチ51Bのみを備えている。
参考に、バンクの上部(Up)領域の各ローカル入力/出力ラインの終端部には、プリチャージ部LIO PRECHARGEが配される。
図2Aないし図2Cは、従来のバンク領域にかかるサブホール領域の形態を示す図である。
サブホール領域には、ビットライン分離信号BISH,BISL発生回路10、サブワードライン駆動信号FX0、FX2、FX4、FX6発生回路11、ビットラインイコライズ信号BLEQ発生回路12、ビットライン検知増幅器駆動回路13、入力/出力スイッチ回路14A、14B、14Cが存在する。この中、ビットライン分離信号BISH,BISL発生回路10、サブワードライン駆動信号FX0、FX2、FX4、FX6発生回路11、ビットラインイコライズ信号BLEQ発生回路12、ビットライン検知増幅器駆動回路13などは、バンク領域に関わらず、その形態が同じである。
まず、図2Aを参照すると、バンクの上部領域のサブホール領域に配された入力/出力スイッチ回路14Aの場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBをイコライズ/プリチャージするためのトランジスタ(ビットラインイコライズ信号BLEQをゲート入力とする3つのNMOSトランジスタ)とともに、上位スイッチ制御信号IOSWUに応答し、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBおよび上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUを接続するための第1入力/出力スイッチ51Aのみを備えている。これはバンクの上部領域の場合、下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDおよびセグメント入力/出力ラインSIO、SIOBの接続を必要としないためである。一方、第1入力/出力スイッチ51Aは、上位スイッチ制御信号IOSWUをゲート入力とし、ソース/ドレーン(ドレイン)がセグメント入力/出力ラインSIO、SIOBおよび上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUに接続された2つのNMOSトランジスタによって具現される。
次に、図2Bを参照すると、バンクの中間部領域のサブホール領域に配された入力/出力スイッチ回路14Bの場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBをイコライズ/プリチャージするためのトランジスタとともに、第1入力/出力スイッチ51Aおよび第2入力/出力スイッチ51Bを備えている。バンクの中間部領域の場合、上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUと下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDとの接続を必要とするためである。一方、第2入力/出力スイッチ51Bは、下位スイッチ制御信号IOSWDをゲート入力とし、ソース/ドレーンがセグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDとに接続された2つのNMOSトランジスタによって具現される。
次に、図2Cを参照すると、バンクの下部領域のサブホール領域に配された入力/出力スイッチ回路14Cの場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBを、イコライズ/プリチャージするためのトランジスタとともに、下位スイッチ制御信号IOSWDに応答し、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDとを接続するための第2入力/出力スイッチ51Bのみを備えている。これはバンクの下部領域の場合、上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUとセグメント入力/出力ラインSIO、SIOBとの接続を必要としないためである。
以上で説明したように、バンク領域に応じてサブホール領域に配される入力/出力スイッチ回路14A、14B、14Cの形態が異なる。
図3Aないし図3Cは、各々図2Aないし図2Cに対応するサブホール領域のパターンのレイアウト(layout)を示す図面である。ここで、複数の四角形の領域は、トランジスタを示す。
同図を参照すると、サブホール領域のレイアウトは、バンクの上部、中間部、下部によってその差があることが分かる。
すなわち、バンクの上部領域のサブホール領域には、第1入力/出力スイッチ51Aのみが存在し、第2入力/出力スイッチ51Bは存在しないために、第2入力/出力スイッチ51Bが存在しなければならない領域Aには空間または他のパターンが配置される(図3A参照)。
その一方、バンクの下部領域のサブホール領域には、第2入力/出力スイッチ51Bのみが存在し、第1入力/出力スイッチ51Aは存在しないために、第1入力/出力スイッチ51Aが存在しなければならない領域Bには空間または他のパターンが配置される(図3B参照)。
結果的に、1つのバンク内で入力/出力スイッチ回路14A、14B、14Cを備えているサブホール領域のレイアウトが複数存在していることが分かる。
この場合、多様なレイアウトパターンの製作に伴うレイアウトの効率の減少および作業時間の増加といった問題があり、マスク工程時に多様なパターンによる工程エラーを誘発して生産性および素子の信頼度を低下させる問題がある。
本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであって、サブホール領域のレイアウトパターンを単純化することのできる半導体メモリ装置を提供することにその目的がある。
前記の技術的課題を達成するための本発明の一側面によると、セグメント入力/出力ラインと、前記セグメント入力/出力ラインに対応する第1ローカル入力/出力ラインおよび第2ローカル入力/出力ラインと、第1スイッチ制御信号に応答し、前記セグメント入力/出力ラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインを選択的に接続するための入力/出力スイッチング部と、前記セグメント入力/出力ラインに接続されずに前記第2ローカル入力/出力ラインに接続されたダミー入力/出力スイッチング部とを備える半導体メモリ装置が提供される。
ここで、前記セグメント入力/出力ラインと前記第1ローカル入力/出力ラインおよび第2ローカル入力/出力ラインとは、各々メインラインおよびサブラインを有する差動ラインである。
また、本発明の他の側面によると、サブワードラインドライバブロックとビットライン検知増幅器ブロックとが交差する多数のサブホール領域を備える半導体メモリ装置であって、第1スイッチ制御信号に応答し、第1セグメント入力/出力ラインと第1ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第1入力/出力スイッチング部と、第2スイッチ制御信号に応答し、前記第1セグメント入力/出力ラインと第2ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第2入力/出力スイッチング部とを備える第1サブホール領域と、前記第1スイッチ制御信号に応答し、第2セグメント入力/出力ラインと前記第1ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第3入力/出力スイッチング部と、前記第2セグメント入力/出力ラインに接続されず前記第2ローカル入力/出力ラインに接続された第1ダミー入力/出力スイッチング部とを備える第2サブホール領域とを備える半導体メモリ装置が提供される。
さらに、本発明は、前記第2スイッチ制御信号に応答し、第3セグメント入力/出力ラインと前記第2ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第4入力/出力スイッチング部と、前記第3セグメント入力/出力ラインと接続されず、前記第1ローカル入力/出力ラインに接続された第2ダミー入力/出力スイッチング部とを有する第3サブホール領域を更に備える。
ここで、前記第1ないし第3セグメント入力/出力ラインと前記第1ローカル入力/出力ラインおよび第2ローカル入力/出力ラインとが、各々メインラインおよびサブラインを有する差動ラインである。
本発明では、バンク領域に関わらず、全てのサブホール領域の入力/出力スイッチ回路を同じパターンで設計する。すなわち、バンクの中間部領域の入力/出力スイッチ回路のパターンをバンク上/下部領域にも同様に適用する。このためにバンク上/下部領域のサブホール領域には、セグメント入力/出力ラインに接続されないダミー入力/出力スイッチを配置する。ダミー入力/出力スイッチは、誤動作を防止するためにフローティングさせずに所定の電源電圧を印加することが好ましい。
以下、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明をより容易に実施することができるようにするため、本発明の好ましい実施形態について説明する。
図4Aないし図4Cは、本発明の一実施形態にかかるバンク領域によるサブホール領域の形態を示す図面である。
サブホール領域には、ビットライン分離信号BISH,BISL発生回路100、サブワードライン駆動信号FX0、FX2、FX4、FX6発生回路101、ビットラインイコライズ信号BLEQ発生回路102、ビットライン検知増幅器駆動回路103、入力/出力スイッチ回路104A、104B、104Cが存在する。この中、ビットライン分離信号BISH,BISL発生回路100、サブワードライン駆動信号FX0、FX2、FX4、FX6発生回路101、ビットラインイコライズ信号BLEQ発生回路102、ビットライン検知増幅器駆動回路103などは、バンク領域に関わらず、その形態が同じである。
まず、図4Bを参照すると、バンクの中間部領域のサブホール領域に配された入力/出力スイッチ回路104Bの場合、前述した従来技術の図2Bと同様に、セグメント入力/出力ラインイコライズ/プリチャージ部502とともに、第1入力/出力スイッチ501Aおよび第2入力/出力スイッチ501Bを備えてなる。
ここで、セグメント入力/出力ラインイコライズ/プリチャージ部502は、ビットラインイコライズ信号BLEQをゲート入力として、ソース/ドレーンがセグメント入力/出力ラインSIOおよびセグメント入力/出力ラインSIOBに接続されたNMOSトランジスタMN10と、ビットラインイコライズ信号BLEQをゲート入力として、ソースがセグメント入力/出力ラインSIOBに接続されてドレーンがプリチャージ電圧端Vpcgに接続されたNMOSトランジスタMN11と、ビットラインイコライズ信号BLEQをゲート入力として、ソースがセグメント入力/出力ラインSIOに接続されてドレーンがプリチャージ電圧端Vpcgに接続されたNMOSトランジスタMN12とを備える。
また、第1入力/出力スイッチ501Aは、上位スイッチ制御信号IOSWUをゲート入力とし、ソース/ドレーンがセグメント入力/出力ラインSIOおよび上位ローカル入力/出力ラインLIOUに接続されたNMOSトランジスタMN14と、上位スイッチ制御信号IOSWUをゲート入力として、ソース/ドレーンがセグメント入力/出力ラインSIOBおよび上位ローカル入力/出力ラインLIOBUに接続されたNMOSトランジスタMN13とから具現される。
また、第2入力/出力スイッチ501Bは、下位スイッチ制御信号IOSWDをゲート入力とし、ソース/ドレーンがセグメント入力/出力ラインSIOおよび下位ローカル入力/出力ラインLIODに接続されたNMOSトランジスタMN16と、下位スイッチ制御信号IOSWDをゲート入力とし、ソース/ドレーンがセグメント入力/出力ラインSIOBおよび下位ローカル入力/出力ラインLIOBDに接続されたNMOSトランジスタMN15とから具現される。
次に、図4Aを参照すると、バンクの上部領域のサブホール領域に配された入力/出力スイッチ回路104Aの場合、セグメント入力/出力ラインイコライズ/プリチャージ部502とともに、上位スイッチ制御信号IOSWUに応答し、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUとを接続するための第1入力/出力スイッチ501Aと、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBに接続されないダミー第2入力/出力スイッチ501Cとを備える。
基本的に、バンクの上部領域の場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBおよび下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDの接続を必要としないが、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBに接続されないダミー第2入力/出力スイッチ501Cを更に配置することによって、前述したバンクの中間部領域と同じレイアウトのパターンをバンクの上部領域にも適用することができる。
一方、ダミー第2入力/出力スイッチ501Cは、下位スイッチ制御信号IOSWDをゲート入力とし、ソースが下位ローカル入力/出力ラインLIODに接続され、ドレーンが電源電圧端VDDAに接続されたNMOSトランジスタMN18と、下位スイッチ制御信号IOSWDをゲート入力とし、ソースが下位ローカル入力/出力ラインLIOBDに接続され、ドレーンが電源電圧端VDDAに接続されたNMOSトランジスタMN17とを備える。
次に、図4Cを参照すると、バンクの下部領域のサブホール領域に配された入力/出力スイッチ回路104Cの場合、セグメント入力/出力ラインイコライズ/プリチャージ部502とともに、下位スイッチ制御信号IOSWDに応答し、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと下位ローカル入力/出力ラインLIOD、LIOBDとを接続するための第2入力/出力スイッチ501Bと、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBに接続されないダミー第1入力/出力スイッチ501Dとを備える。
基本的に、バンクの下部領域の場合、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBと上位ローカル入力/出力ラインLIOU、LIOBUとの接続を必要としないが、セグメント入力/出力ラインSIO、SIOBに接続されないダミー第1入力/出力スイッチ501Dを更に配置することによって、前述したバンクの中間部領域と同じレイアウトパターンをバンクの下部領域にも適用することができる。
ここで、ダミー第1入力/出力スイッチ501Dは、上位スイッチ制御信号IOSWUをゲート入力とし、ソースが上位ローカル入力/出力ラインLIOUに接続され、ドレーンが電源電圧端VDDAに接続されたNMOSトランジスタMN20と、上位スイッチ制御信号IOSWUをゲート入力とし、ソースが上位ローカル入力/出力ラインLIOBUに接続され、ドレーンが電源電圧端VDDAに接続されたNMOSトランジスタMN19とを備える。
一方、ダミー第1入力/出力スイッチ501Dおよびダミー第2入力/出力スイッチ501Cの場合、それに対応するセグメント入力/出力ラインSIO、SIOBおよびローカル入力/出力ラインが、実際はデータの伝送に関与しないため、フローティングされても大きな問題は発生しないものの、誘発され得るトランジスタの誤動作を根本的に防止するために、電源電圧VDDAでターミネーションすることが好ましい。
図5Aないし5Cは、各々図4Aないし図4Cに対応するサブホール領域のパターンのレイアウト(layout)を示す図面である。ここで、複数の四角形の領域は、トランジスタを示す。
図5Aないし図5Cを参照すると、コンタクトパターンを除き、3つの図面のパターンのレイアウトが同じであることが分かる。
すなわち、ダミー第1入力/出力スイッチ501Dおよびダミー第2入力/出力スイッチ501Cを導入することによって、サブホール領域のレイアウトパターンがバンク領域に関わらず、一部のコンタクト(contact)パターンの差を除いて同じである。
言い換えれば、バンク領域に関わらず、サブホール領域のトランジスタの配置は同じであり、使用しないダミー第1入力/出力スイッチ501Dおよびダミー第2入力/出力スイッチ501Cに電源電圧VDDAを印加するため、コンタクトパターンは多少の差がある。
以上で説明した本発明は、前述した実施形態および添付された図面によって限定されるのではなく、本発明の技術的な思想を逸脱しない範囲内で色々な置換、変形および変更が可能であることが本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば明白である。
例えば、前述した実施形態において用いられたロジックの種類および配置は、入力信号および出力信号の両方がハイアクティブ信号である場合について、一例を挙げて具現したものであることから、信号のアクティブ極性が変化すれば、ロジックの具現例も変化せざるを得ず、このような具現例はパターンの数があまりにも膨大で、また、その具現例の変化が本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、技術的に簡単に類推できる事項であるため、各場合に対して直接に言及しないことにする。
また、前述した実施形態において用いられていないダミー入力/出力スイッチを電源電圧VDDAでターミネーションする場合を一例に挙げて説明したが、本発明は、電源電圧VDDA以外の電源電圧でターミネーションおよびフローティングさせる場合にも適用され得る。
前述した本発明は、半導体メモリ装置における全てのサブホール領域の設計パターンを単純化し、レイアウトの作業時間を短縮する効果があり、同じパターンが繰り返されることから工程エラーを減らし、生産性および素子の信頼度が改善される効果がある。
Claims (18)
- セグメント入力/出力ラインと、
該セグメント入力/出力ラインに対応する第1ローカル入力/出力ラインおよび第2ローカル入力/出力ラインと、
第1スイッチ制御信号に応答し、前記セグメント入力/出力ラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインを選択的に接続するための入力/出力スイッチング部と、
前記セグメント入力/出力ラインに接続されず、前記第2ローカル入力/出力ラインに接続されたダミー入力/出力スイッチング部と
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記セグメント入力/出力ラインと前記第1ローカル入力/出力ラインおよび第2ローカル入力/出力ラインとが、各々メインラインおよびサブラインを有する差動ラインであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記入力/出力スイッチング部が、
ソース/ドレーンが、前記セグメント入力/出力ラインのメインラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第1MOSトランジスタと、
ソース/ドレーンが、前記セグメント入力/出力ラインのサブラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第2MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ダミー入力/出力スイッチング部が、
第2スイッチ制御信号をゲート入力とし、ソースが前記第2ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続された第3MOSトランジスタと、
前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とし、ソースが前記第2ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続された第4MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第3MOSトランジスタおよび第4MOSトランジスタのドレーンが、電源電圧端に接続されたことを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。
- サブワードラインドライバブロックとビットライン検知増幅器ブロックとが交差する多数のサブホール領域を有する半導体メモリ装置であって、
第1スイッチ制御信号に応答し、第1セグメント入力/出力ラインと第1ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第1入力/出力スイッチング部と、第2スイッチ制御信号に応答し、前記第1セグメント入力/出力ラインと第2ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第2入力/出力スイッチング部とを有する第1サブホール領域と、
前記第1スイッチ制御信号に応答し、第2セグメント入力/出力ラインと前記第1ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第3入力/出力スイッチング部と、前記第2セグメント入力/出力ラインと接続されず、前記第2ローカル入力/出力ラインに接続された第1ダミー入力/出力スイッチング部とを有する第2サブホール領域と
を備える半導体メモリ装置。 - 前記第2スイッチ制御信号に応答し、第3セグメント入力/出力ラインと前記第2ローカル入力/出力ラインとを選択的に接続するための第4入力/出力スイッチング部と、前記第3セグメント入力/出力ラインと接続されず、前記第1ローカル入力/出力ラインに接続された第2ダミー入力/出力スイッチング部とを有する第3領域をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1ないし第3セグメント入力/出力ラインと前記第1ローカル入力/出力ラインおよび第2ローカル入力/出力ラインとが、各々メインラインおよびサブラインを有する差動ラインであることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1入力/出力スイッチング部が、
ソース/ドレーンが、前記第1セグメント入力/出力ラインのメインラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第1MOSトランジスタと、
ソース/ドレーンが、前記第1セグメント入力/出力ラインのサブラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第2MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2入力/出力スイッチング部が、
ソース/ドレーンが、前記第1セグメント入力/出力ラインのメインラインおよび前記第2ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続され、前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とする第3MOSトランジスタと、
ソース/ドレーンが、前記第1セグメント入力/出力ラインのサブラインおよび前記第2ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続され、前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とする第4MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第3入力/出力スイッチング部が、
ソース/ドレーンが、前記第2セグメント入力/出力ラインのメインラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第1MOSトランジスタと、
ソース/ドレーンが、前記第2セグメント入力/出力ラインのサブラインおよび前記第1ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第2MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1ダミー入力/出力スイッチング部が、
前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とし、ソースが前記第2ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続された第3MOSトランジスタと、
前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とし、ソースが前記第2ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続された第4MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第3MOSトランジスタおよび第4MOSトランジスタのドレーンが、電源電圧端に接続されたことを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第4入力/出力スイッチング部が、
ソース/ドレーンが、前記第3セグメント入力/出力ラインのメインラインおよび前記第2ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続され、前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とする第1MOSトランジスタと、
ソース/ドレーンが、前記第3セグメント入力/出力ラインのサブラインおよび前記第2ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続され、前記第2スイッチ制御信号をゲート入力とする第2MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2ダミー入力/出力スイッチング部が、
ソースが前記第1ローカル入力/出力ラインのメインラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第3MOSトランジスタと、
ソースが前記第1ローカル入力/出力ラインのサブラインに接続され、前記第1スイッチ制御信号をゲート入力とする第4MOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第3MOSトランジスタおよび第4MOSトランジスタのドレーンが、電源電圧端に接続されたことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1サブホール領域のあらゆるトランジスタのレイアウトのパターンと第2サブホール領域のあらゆるトランジスタのレイアウトのパターンとが同じであることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1サブホール領域のあらゆるトランジスタのレイアウトのパターンが、第2サブホール領域のあらゆるトランジスタのレイアウトのパターンと 第3サブホール領域のあらゆるトランジスタのレイアウトのパターンと同じであることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。
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