JP5135775B2 - 表示素子 - Google Patents
表示素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5135775B2 JP5135775B2 JP2006315349A JP2006315349A JP5135775B2 JP 5135775 B2 JP5135775 B2 JP 5135775B2 JP 2006315349 A JP2006315349 A JP 2006315349A JP 2006315349 A JP2006315349 A JP 2006315349A JP 5135775 B2 JP5135775 B2 JP 5135775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- display element
- scattering layer
- electrode
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は、銀の溶解析出を利用した電気化学的な表示素子に関するものである。
近年、パーソナルコンピューターの動作速度の向上、ネットワークインフラの普及、データストレージの大容量化と低価格化に伴い、従来紙への印刷物で提供されたドキュメントや画像等の情報を、より簡便な電子情報として入手、電子情報を閲覧する機会が益々増大している。
この様な電子情報の閲覧手段として、従来の液晶ディスプレイやＣＲＴ、また近年では、有機ＥＬディスプレイ等の発光型ディスプレイが主として用いられているが、特に、電子情報がドキュメント情報の場合、比較的長時間にわたってこの閲覧手段を注視する必要があり、これらの行為は必ずしも人間に優しい手段とは言い難く、一般に発光型ディスプレイの欠点として、フリッカーで目が疲労する、持ち運びに不便、読む姿勢が制限され、静止画面に視線を合わせる必要が生じる、長時間読むと消費電力が嵩む等が知られている。
これらの欠点を補う表示手段として、外光を利用し、像保持の為に電力を消費しない（メモリー性）反射型ディスプレイが知られているが、下記の理由で十分な性能を有しているとは言い難い。
すなわち、反射型液晶等の偏光板を用いる方式は、反射率が約４０％と低く白表示に難があり、また構成部材の作製に用いる製法の多くは簡便とは言い難い。また、ポリマー分散型液晶は高い電圧を必要とし、また有機物同士の屈折率差を利用しているため、得られる画像のコントラストが十分でない。また、ポリマーネットワーク型液晶は電圧が高いことと、メモリー性を向上させるために複雑なＴＦＴ回路が必要であるなどの課題を抱えている。また、電気泳動法による表示素子は、１０Ｖ以上の高い電圧が必要となり、電気泳動性粒子凝集による耐久性に懸念がある。
これら上述の各方式の欠点を解消する表示方式として、金属または金属塩の溶解析出を利用するエレクトロデポジション方式（以下、ＥＤ方式と略す）が知られている。ＥＤ方式は、３Ｖ以下の低電圧で駆動が可能で、簡便なセル構成、黒と白のコントラストや黒品質に優れる等の利点があり、様々な方法が開示されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
本発明者は、上記各特許文献に開示されている技術を詳細に検討した結果、従来技術では、長期間の使用において、電解質の溶媒が揮発することにより表示ムラが発生することが判明した。これを解決する手段としては、電解質の固体化や電解質溶媒に難揮発性溶媒を使用する等が挙げられるが、いずれも表示速度の大幅な低下が避けられなかった。
本発明は、多孔質白色散乱層として対向電極に垂直な細孔を有するものを選択し、細孔表面に銀と錯体を形成する配位子を持つ化合物からなる自己組織化膜を形成させ、かつ自己組織化膜の表面に銀を規則的に配位させることを特徴とする。結果として、銀イオンの拡散速度に依存せず、銀の連続的な酸化還元によって電子が移動することで、電解質の溶媒にイオン性液体などの難揮発性溶媒を用いても表示速度が低下しないことを特徴とするＥＤ方式の表示素子が得られる。
米国特許第４，２４０，７１６号明細書
特許第３４２８６０３号公報
特開２００３−２４１２２７号公報
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、エレクトロでポジション方式の表示素子において、簡便な部材構成、低電圧で駆動可能で、表示コントラスト、白表示反射率が高く、かつ表示速度が速い表示素子であって、さらには、長期間にわたって表示ムラが少ない表示素子を提供することにある。
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。
１．対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層及び多孔質白色散乱層を有し、銀の溶解、析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子において、多孔質白色散乱層が細孔を有しており、かつ細孔の表面に銀と錯体を形成する部位を有する化合物からなる自己組織化膜が形成されており、かつ該自己組織化膜表面に銀が配位していることを特徴とする表示素子。
２．前記多孔質白色散乱層の有する細孔の深さ／細孔の径の比が３０００以上であることを特徴とする前記１に記載の表示素子。
３．前記多孔質白色散乱層を形成する化合物が、二酸化チタンであることを特徴とする前記１または２に記載の表示素子。
４．前記多孔質白色散乱層を形成する化合物が、アルミナであることを特徴とする前記１または２に記載の表示素子。
５．光電気化学エッチング処理によって細孔が形成されていることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の表示素子。
６．陽極酸化処理によって細孔が形成されていることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の表示素子。
７．前記銀と錯体を形成する部位を有する化合物が、構造中に、多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基を有していることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載の表示素子。
８．前記銀と錯体を形成する部位を有する化合物の錯体形成部位が、銀と配位結合可能なＳ原子またはＮ原子を含むことを特徴とする前記７に記載の表示素子。
９．前記銀と錯体を形成する部位が、メルカプトトリアゾール誘導体、メルカプトオキサジアゾール誘導体またはメルカプトチアジアゾール誘導体構造であることを特徴とする前記８に記載の表示素子。
１０．前記銀と錯体を形成する部位が、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体またはターピリジン誘導体構造であることを特徴とする前記８に記載の表示素子。
１１．多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基が、−ＣＯＯＨ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）2、−Ｓｉ（ＯＲ）3であることを特徴とする前記７〜１０のいずれか１項に記載の表示素子。
（ここにおいて、Ｒは炭素原子数１〜８のアルキル基を表す。）
１２．前記電解質層がイオン性液体を含有していることを特徴とする前記１〜１１のいずれか１項に記載に表示素子。
（ここにおいて、Ｒは炭素原子数１〜８のアルキル基を表す。）
１２．前記電解質層がイオン性液体を含有していることを特徴とする前記１〜１１のいずれか１項に記載に表示素子。
本発明により、簡便な部材構成、低電圧で駆動が可能で、表示コントラスト、白表示反射率が高く、かつ表示速度が速い表示素子であって、さらには長期間にわたって表示ムラが少ない表示素子を提供することができた。
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
本発明の表示素子は、対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層を有し、銀の溶解析出を生じさせるように対向電極の駆動操作を行うＥＤ方式の表示素子である。
図１は、本発明の表示素子の基本構成の一例を示す概略断面図である。
図１において、ＥＤ表示部は、対向する位置に配置された一対の対向電極が設けられている。ＥＤ表示部に近い対向電極の１つである電極１にはＩＴＯ電極等の透明電極、他方の電極２には銀電極等の金属電極が設けられている。電極１と電極２との間には銀または銀を化学構造中に含む化合物を有する電解質３が担持されており、対向電極間に正負両極性の電圧を印加することで、電極１と電極２上で銀の酸化還元反応が行なわれ、銀画像（還元状態）と、透明な銀イオンの状態（酸化状態）を可逆的に切り替えることができる。
本発明の表示素子においては、一対の対向電極のうち、非表示部側の電極２上に、多孔質白色散乱層４が、表示コントラスト及び白表示時の反射率を高める目的で設けられる。また、多孔質白色散乱層４には、表示コントラスト及び白表示時の反射率を高め、同時に表示の速度を高めるため、所定の内径及び深さを有する細孔６が形成されており、細孔の表面には銀と錯体を形成する部位を有する化合物からなる自己組織化膜が形成されてなる。
以下、本発明の表示素子構成について説明する。
（多孔質白色散乱層）
本発明の表示素子は、表示コントラスト及び白表示反射率をより高める観点から多孔質白色散乱層を有している。
本発明の表示素子は、表示コントラスト及び白表示反射率をより高める観点から多孔質白色散乱層を有している。
本発明の多孔質白色散乱層は、金属酸化物微粒子からなる白色顔料及び分散溶媒及び蛍光増白剤及び高分子化合物を含有した分散物を塗布方式、インクジェット方式、印刷方式等により基体上に塗布することで形成することができる。
多孔質白色散乱層の好ましい形成方式は、スクリーン印刷方式である。
前記多孔質白色散乱層を構成する白色顔料の平均粒径は、５〜１０００μｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは５〜５００μｍの範囲である。
多孔質白色散乱層の平均膜厚は、１５〜３００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは２０〜３０μｍの範囲である。
多孔質白色散乱層を構成する細孔の細孔の深さ（Ｌ）／細孔の径（内径Ｄ）の比は、１００以上であることが好ましく、より好ましくは１０００以上であり、本発明においては３０００以上であることが好ましい。
前記細孔は、電極（面）に対して６０度から９０度の向きで配列していることが好ましく、より好ましい範囲は７５度から９０度である。
本発明で適用可能な白色顔料としては、例えば、二酸化チタン（アナターゼ型あるいはルチル型）、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムおよび水酸化亜鉛、水酸化マグネシウム、リン酸マグネシウム、リン酸水素マグネシウム、アルカリ土類金属塩、タルク、カオリン、ゼオライト、酸性白土、ガラス、有機化合物としてポリエチレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、アイオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素−ホルマリン樹脂、メラミン−ホルマリン樹脂、ポリアミド樹脂などが単体または複合混合で、または粒子中に屈折率を変化させるボイドを有する状態で使用されてもよい。
本発明においては、上記白色粒子の中でも、二酸化チタンが好ましく用いられ、特に無機酸化物（Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＯ（ＯＨ）、ＳｉＯ2等）または多価アルコール等の有機物で表面処理した二酸化チタンがより好ましく用いられる。
多孔質白色散乱層を形成する分散物の溶媒としては、例えば、水、トルエン、キシレン、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトニトリル、アセチルアセトン、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート等を用いることができる。
本発明に用いられる高分子化合物としては、ゼラチン、ゼラチン誘導体等の蛋白質またはセルロース誘導体、澱粉、アラビアゴム、デキストラン、プルラン、カラギーナン等の多糖類のような天然化合物や、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、アクリルアミド重合体やそれらの誘導体等の合成高分子化合物が挙げられる。ゼラチン誘導体としては、アセチル化ゼラチン、フタル化ゼラチン、ポリビニルアルコール誘導体としては、末端アルキル基変性ポリビニルアルコール、末端メルカプト基変性ポリビニルアルコール、セルロース誘導体としては、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。
更に、リサーチ・ディスクロージャー及び特開昭６４−１３５４６号の（７１）頁〜（７５）頁に記載されたもの、また、米国特許第４，９６０，６８１号、特開昭６２−２４５２６０号公報等に記載の高吸水性ポリマー、すなわち−ＣＯＯＭまたは−ＳＯ3Ｍ（Ｍは水素原子またはアルカリ金属）を有するビニルモノマーの単独重合体またはこのビニルモノマー同士もしくは他のビニルモノマー（例えばメタクリル酸ナトリウム、メタクリル酸アンモニウム、アクリル酸カリウム等）との共重合体も使用される。これらのバインダーは２種以上組み合わせて用いることもできる。
本発明では、前記高分子化合物に酸化スズ、金、銀、胴、炭素等の導電性の粉末を添加して用いる。添加量は高分子化合物に対して、質量比で０．０１〜１０％であることが好ましい。
本発明において、前記分散物を塗布する媒体としては、表示素子の対向電極間の構成要素上であればいずれの位置でもよいが、対向電極の少なくとも１方の電極面上に付与することが好ましい。
媒体上に付与した前記分散物の溶媒の乾燥は、溶媒を蒸発できる方法であればいかなる方法であってもよい。例えば、熱源からの加熱、赤外光を用いた加熱法、電磁誘導による加熱法等が挙げられる。また、蒸発は減圧下で行ってもよい。
本発明でいう多孔質とは、前記分散物を電極上に塗布乾燥して多孔質の白色散乱物を形成した後、該散乱物上に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質液を与えた後に対向電極で挟み込み、対向電極間に電位差を与え、銀の溶解析出反応を生じさせることが可能で、イオン種が電極間で移動可能な貫通状態のことを言う。
本発明の表示素子においては、前記分散物を塗布乾燥中または乾燥後に、硬化剤により前記高分子化合物の硬化反応を行うことが望ましい。
本発明で用いられる硬膜剤の例としては、例えば、米国特許第４，６７８，７３９号の第４１欄、同第４，７９１，０４２号、特開昭５９−１１６６５５号、同６２−２４５２６１号、同６１−１８９４２号、同６１−２４９０５４号、同６１−２４５１５３号、特開平４−２１８０４４号等に記載の硬膜剤が挙げられる。より具体的には、アルデヒド系硬膜剤（ホルムアルデヒド等）、アジリジン系硬膜剤、エポキシ系硬膜剤、ビニルスルホン系硬膜剤（Ｎ，Ｎ′−エチレン−ビス（ビニルスルホニルアセタミド）エタン等）、Ｎ−メチロール系硬膜剤（ジメチロール尿素等）、ほう酸、メタほう酸あるいは高分子硬膜剤（特開昭６２−２３４１５７号等に記載の化合物）が挙げられる。高分子化合物としてゼラチンを用いる場合は、硬膜剤の中で、ビニルスルホン型硬膜剤やクロロトリアジン型硬膜剤を単独または併用して使用することが好ましい。また、ポリビニルアルコールを用いる場合はホウ酸やメタホウ酸等の含ホウ素化合物の使用が好ましい。
これらの硬膜剤は、高分子化合物１ｇ当たり０．００１〜１ｇ、好ましくは０．００５〜０．５ｇが用いられる。また、膜強度を上げるため熱処理や、硬化反応時の湿度調整を行うことも可能である。
（細孔）
本発明の表示素子においては、多孔質白色散乱層が細孔を有し、該細孔の径（内径）をＤ（直径）、細孔の深さをＬとしたとき、Ｌ／Ｄが３０００以上であることが好ましい。
本発明の表示素子においては、多孔質白色散乱層が細孔を有し、該細孔の径（内径）をＤ（直径）、細孔の深さをＬとしたとき、Ｌ／Ｄが３０００以上であることが好ましい。
細孔の径（Ｄ：直径）は光学顕微鏡で表面を観察することで見ることが出来る。表面の細孔の面積を測定しこれを円換算して算出する。細孔は少なくとも１００個以上を測定し算術平均をとる。
また、細孔の深さＬは光学顕微鏡による断面観察によりみることが出来る。少なくとも１００個の細孔について測定し、算術平均をとる。
本発明に係る細孔において、細孔の径Ｄとしては、上記Ｌ／Ｄの規定条件を満たす範囲で特に制限はないが、好ましくは５ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である。また、細孔の深さＬとしては、上記Ｌ／Ｄの規定条件を満たす範囲で特に制限はなく、１μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましいが、本発明に係る細孔の機能、すなわち電極面に電解質を十分に供給し、析出銀の溶解を確実に行うという観点からは、細孔の深さＬは多孔質白色散乱層表面から電極面まで貫通していることが好ましく、従って、好ましい細孔の深さＬは、１５μｍ以上、３００μｍ以下である。
また、本発明に係る細孔の多孔質白色散乱層に対する付与率は、目的とする白表示時の反射率の達成と、析出銀の消失効果に大きく影響を与える因子である。細孔の付与率を高く設定すると析出銀の消失効果は高まる反面、金属酸化物による白表示時の反射率が低下し、逆に細孔の付与率が低すぎると、十分な白表示時の反射率は得られるが、析出銀の消失効果が不十分となる。従って、本発明に係る細孔の多孔質白色散乱層に対する付与率としては、多孔質白色散乱層の単位表面積当たり、細孔の占める面積が１面積％以上、２０面積％以下の範囲とすることが好ましく、また、多孔質白色散乱層の単位体積当たり、細孔の占める体積が１体積％以上、２０体積％以下の範囲とすることが好ましい。
単位表面積当たり、細孔の占める面積は、前記表面の光学顕微鏡による観察により求めることができる。また、多孔質白色散乱層の単位体積当たりに細孔の占める体積は、断面の光学顕微鏡観察により細孔の径及び深さを測定し細孔断面を円に換算して算出する。少なくとも１００個の細孔について測定する。細孔は好ましくは多孔質白色散乱層を貫通しているのでその場合細孔径のみを算出すれば断面を円換算して容易に細孔体積が求められる。
また、前記図１においては、本発明に係る細孔の形成は、電極に対し垂直の条件、すなわち９０度の角度で形成した例を示したが、本発明では、電極に対する細孔の形成角度としては、６０度以上、９０度以下の範囲とすることが好ましく、更に好ましくは７５度以上、９０度以下である。本発明に係る細孔の形成角度を調整する方法としては、細孔形成時に、後述のような細孔形成装置の設置角度を適宜調整することにより達成することができる。
本発明の表示素子においては、本発明に係る細孔を光電気化学エッチング法または陽極酸化により形成することが好ましい。
本発明でいう光電気化学エッチング法（フォトエッチング法ともいう）とは、溶液中に電極上に設けた多孔質白色散乱層を浸漬し、エッチング電流を印可させた状態で光エネルギーを照射して、細孔を形成する方法であり、その具体的な方法に関しては、例えば、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサイティ１３４号 １０３８頁から１０３９頁（１９８７年）［Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ． Ｖｏｌ．１３４ １０３８−１０３９（１９８７）］、Ｒ．Ｌ．Ｓｍｉｔｈら（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，７１，Ｒ１，１９９２）、Ａ．Ｌａｇｏｕｂｉら（１１ｔｈ Ｐｈｏｔｏ−ｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ， Ｍｏｎｔｒｅｕｘ，１９９２）、第１８回 固体・表面光化学討論会（平成１１年１１月２９日発表）「光電気化学エッチングによるＴｉＯ２表面の微細構造制御」等に記載の方法を挙げることができる。
本発明においては、例えば、非表示側の電極上に金属酸化物を含む分散物を所定の膜厚にスクリーン印刷法により形成した後、乾燥させて多孔質白色散乱層を形成し、次いでこの多孔質白色散乱層を有する電極を酸性水溶液中に浸漬し、アノード分極化条件として、例えば、酸化電位＋１．０Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ：飽和カロメル電極）で、光照射光源として超高圧水銀ランプを用い、その光束を集光し、１Ｃ〜５０Ｃ／ｃｍ2の条件で所定の内径Ｄ、深さＬ、Ｌ／Ｄを持つ細孔を形成する。この時、照射する超高圧水銀ランプの照射角度を適宜設定することにより、任意の細孔の角度を得ることができる
また、本発明でいう陽極酸化法とは、一般的にはアルミニウムを陽極とした電気化学的方法で人工的に酸化皮膜を生成させる処理であり、酸の種類と電圧の制御で様々な形状の細孔を形成することができる。本発明ではアルミニウム以外にも同手法を用いてもよい。
また、本発明でいう陽極酸化法とは、一般的にはアルミニウムを陽極とした電気化学的方法で人工的に酸化皮膜を生成させる処理であり、酸の種類と電圧の制御で様々な形状の細孔を形成することができる。本発明ではアルミニウム以外にも同手法を用いてもよい。
（自己組織化膜）
本発明に係る自己組織化膜は、銀と錯体を形成する部位と多孔質白色散乱層に吸着する基を有する化合物から構成されていることを特徴とし、好ましくは、銀と錯体を形成する部位がメルカプトトリアゾール誘導体またはメルカプトオキサジアゾール誘導体またはメルカプトチアジアゾール誘導体またはピリジン誘導体またはビピリジン誘導体またはターピリジン誘導体構造であり、多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基が、−ＣＯＯＨ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）2、−Ｓｉ（ＯＲ）3であることである。ここにおいて、Ｒは炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、好ましくはメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ等のアルコキシ基である。
本発明に係る自己組織化膜は、銀と錯体を形成する部位と多孔質白色散乱層に吸着する基を有する化合物から構成されていることを特徴とし、好ましくは、銀と錯体を形成する部位がメルカプトトリアゾール誘導体またはメルカプトオキサジアゾール誘導体またはメルカプトチアジアゾール誘導体またはピリジン誘導体またはビピリジン誘導体またはターピリジン誘導体構造であり、多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基が、−ＣＯＯＨ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）2、−Ｓｉ（ＯＲ）3であることである。ここにおいて、Ｒは炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、好ましくはメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ等のアルコキシ基である。
以下に本発明に係る自己組織化膜を構成する化合物の例を示すが、本発明の条件を満足する化合物は下記例示化合物に限定されない。
（電解質層）
本発明に係る対向電極間に形成する電解質層は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質（銀または銀を化学構造中に含む化合物）、支持電解質等を必要に応じて選択して構成されている。
本発明に係る対向電極間に形成する電解質層は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質（銀または銀を化学構造中に含む化合物）、支持電解質等を必要に応じて選択して構成されている。
以下、本発明に係る電解質層の各構成要素について、更に説明する。
（有機溶媒）
本発明に係る電解質層で適用可能な有機溶媒としては、電解質層を形成した後、揮発を起こさず電解質層に留まることができる沸点が１２０〜３００℃の範囲にある有機溶媒であれば特に制限はなく、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ブチレンカーボネート、γ−ブチルラクトン、テトラメチル尿素、スルホラン、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−（Ｎ−メチル）−２−ピロリジノン、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ブチロニトリル、プロピオニトリル、アセトニトリル、アセチルアセトン、４−メチル−２−ペンタノン、２−ブタノール、１−ブタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、無水酢酸、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、ジメトキシエタン、ジエトキシフラン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリクレジルホスフェート、２エチルヘキシルホスフェート、ジオクチルフタレート、ジオクチルセバケート等をあげることができる。
本発明に係る電解質層で適用可能な有機溶媒としては、電解質層を形成した後、揮発を起こさず電解質層に留まることができる沸点が１２０〜３００℃の範囲にある有機溶媒であれば特に制限はなく、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ブチレンカーボネート、γ−ブチルラクトン、テトラメチル尿素、スルホラン、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−（Ｎ−メチル）−２−ピロリジノン、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、ブチロニトリル、プロピオニトリル、アセトニトリル、アセチルアセトン、４−メチル−２−ペンタノン、２−ブタノール、１−ブタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、無水酢酸、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、ジメトキシエタン、ジエトキシフラン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリクレジルホスフェート、２エチルヘキシルホスフェート、ジオクチルフタレート、ジオクチルセバケート等をあげることができる。
上記有機溶媒の中でも、特に蒸気圧が低いトリクレジルホスフェート、２エチルヘキシルホスフェート、ジオクチルフタレート、ジオクチルセバケートが好ましい。
本発明で用いることのできるその他の溶媒として、Ｊ．Ａ．Ｒｉｄｄｉｃｋ，Ｗ．Ｂ．Ｂｕｎｇｅｒ，Ｔ．Ｋ．Ｓａｋａｎｏ，”Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｖｅｎｔｓ”，４ｔｈ ｅｄ．，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ（１９８６）、Ｙ．Ｍａｒｃｕｓ，”Ｉｏｎ Ｓｏｌｖａｔｉｏｎ”，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ（１９８５）、Ｃ．Ｒｅｉｃｈａｒｄｔ，”Ｓｏｌｖｅｎｔｓ ａｎｄ Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｅｆｆｅｃｔｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ”，２ｎｄ ｅｄ．，ＶＣＨ（１９８８）、Ｇ．Ｊ．Ｊａｎｚ，Ｒ．Ｐ．Ｔ．Ｔｏｍｋｉｎｓ，”Ｎｏｎａｑｕｅｏｕｓ Ｅｌｅｃｔｏｒｌｙｔｅｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ”，Ｖｏｌ．１，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ（１９７２）に記載の化合物を挙げることができる。
（イオン性液体）
本発明に係わるイオン性液体とは、室温でも液体で存在する塩を指し、イミダゾリウム、ピリジニウム等の陽イオンと、フッ化物イオンやトリフラート等の陰イオンの組合せから選択することができる。
本発明に係わるイオン性液体とは、室温でも液体で存在する塩を指し、イミダゾリウム、ピリジニウム等の陽イオンと、フッ化物イオンやトリフラート等の陰イオンの組合せから選択することができる。
（表示素子の基本構成）
本発明の表示素子において、ＥＤ表示部には、対応する１つの対向電極が設けられている。
本発明の表示素子において、ＥＤ表示部には、対応する１つの対向電極が設けられている。
表示部に近い対向電極の１つである電極１にはＩＴＯ電極等の透明電極、他方の電極２には銀電極等の金属電極が設けられている。電極１と電極２との間には銀または銀を化学構造中に含む化合物を有する電解質層が担持されており、対向電極間に正負両極性の電圧を印加することにより、電極１と電極２上で銀の酸化還元反応が行なわれ、還元状態の黒い銀画像と、酸化状態の透明な銀の状態を可逆的に切り替えることができる。
（銀または銀を化学構造中に含む化合物）
本発明に係る銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称であり、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
本発明に係る銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称であり、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
（メルカプト系化合物、チオエーテル系化合物）
本発明に係る電解質層では、上記説明した銀または銀を化学構造中に含む化合物、有機溶媒と共に、メルカプト系化合物またはチオエーテル系化合物を含有していることが好ましく、更には、メルカプト系化合物が、下記一般式（１）で表される化合物であること、あるいはチオエーテル系化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
本発明に係る電解質層では、上記説明した銀または銀を化学構造中に含む化合物、有機溶媒と共に、メルカプト系化合物またはチオエーテル系化合物を含有していることが好ましく、更には、メルカプト系化合物が、下記一般式（１）で表される化合物であること、あるいはチオエーテル系化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
本発明に係る一般式（１）で表されるメルカプト系化合物について説明する。
一般式（１）において、Ｍは水素原子、金属原子または４級アンモニウムを表す。Ｚは含窒素複素環を表す。ｎは０〜５の整数を表し、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルキルカルボンアミド基、アリールカルボンアミド基、アルキルスルホンアミド基、アリールスルホンアミド基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、カルバモイル基、アルキルスルファモイル基、アリールスルファモイル基、スルファモイル基、シアノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、アミノ基、ヒドロキシ基または複素環基を表し、ｎが２以上の場合、それぞれのＲ1は同じであってもよく、異なってもよく、お互いに連結して縮合環を形成してもよい。
一般式（１）のＭで表される金属原子としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ等が挙げられ、４級アンモニウムとしては、例えば、ＮＨ4、Ｎ（ＣＨ3）4、Ｎ（Ｃ4Ｈ9）4、Ｎ（ＣＨ3）3Ｃ12Ｈ25、Ｎ（ＣＨ3）3Ｃ16Ｈ33、Ｎ（ＣＨ3）3ＣＨ2Ｃ6Ｈ5等が挙げられる。
一般式（１）のＺで表される含窒素複素環としては、例えば、テトラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、インドール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾセレナゾール環、ナフトオキサゾール環等が挙げられる。
一般式（１）のＲ1で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、ドデシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、トリフルオロメチル、ベンジル等の各基が挙げられ、アリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル等の各基が挙げられ、アルキルカルボンアミド基としては、例えば、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブチロイルアミノ等の各基が挙げられ、アリールカルボンアミド基としては、例えば、ベンゾイルアミノ等が挙げられ、アルキルスルホンアミド基としては、例えば、メタンスルホニルアミノ基、エタンスルホニルアミノ基等が挙げられ、アリールスルホンアミド基としては、例えば、ベンゼンスルホニルアミノ基、トルエンスルホニルアミノ基等が挙げられ、アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ等が挙げられ、アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ブチルチオ等の各基が挙げられ、アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、トリルチオ基等が挙げられ、アルキルカルバモイル基としては、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ジブチルカルバモイル、ピペリジルカルバモイル、モルホリルカルバモイル等の各基が挙げられ、アリールカルバモイル基としては、例えば、フェニルカルバモイル、メチルフェニルカルバモイル、エチルフェニルカルバモイル、ベンジルフェニルカルバモイル等の各基が挙げられ、アルキルスルファモイル基としては、例えば、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、エチルスルファモイル、ジエチルスルファモイル、ジブチルスルファモイル、ピペリジルスルファモイル、モルホリルスルファモイル等の各基が挙げられ、アリールスルファモイル基としては、例えば、フェニルスルファモイル、メチルフェニルスルファモイル、エチルフェニルスルファモイル、ベンジルフェニルスルファモイル等の各基が挙げられ、アルキルスルホニル基としては、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基等が挙げられ、アリールスルホニル基としては、例えば、フェニルスルホニル、４−クロロフェニルスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル等の各基が挙げられ、アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル等の各基が挙げられ、アリールオキシカルボニル基としては、例えばフェノキシカルボニル等が挙げられ、アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチロイル等の各基が挙げられ、アリールカルボニル基としては、例えば、ベンゾイル基、アルキルベンゾイル基等が挙げられ、アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチロイルオキシ等の各基が挙げられ、複素環基としては、例えば、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、セレナゾール環、テトラゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアジン環、トリアジン環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、インドレニン環、ベンズセレナゾール環、ナフトチアゾール環、トリアザインドリジン環、ジアザインドリジン環、テトラアザインドリジン環基等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有するものを含む。
次に、一般式（１）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらの化合物に限定されているわけではない。
次いで、一般式（２）で表されるチオエーテル系化合物について説明する。
一般式（２）
Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
前記一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3は各々アルキル基、アリール基または複素環基を表し、それぞれ同じであってもよく、異なってもよく、お互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
前記一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3は各々アルキル基、アリール基または複素環基を表し、それぞれ同じであってもよく、異なってもよく、お互いに連結して環を形成してもよい。
前記一般式（２）のＲ2、Ｒ3で表されるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、ドデシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、トリフルオロメチル、ベンジル等の各基が挙げられ、アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、複素環基としては、例えば、オキサゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、セレナゾール環、テトラゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアジン環、トリアジン環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環、ベンズセレナゾール環、ナフトチアゾール環、トリアザインドリジン環、ジアザインドリジン環、テトラアザインドリジン環基等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有するものを含む。
次に、一般式（２）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらの化合物に限定されているわけではない
本発明に係るメルカプト系化合物またはチオエーテル系化合物は、１種のみで用いても複数種を併用して用いてもよく、電解質層のＡｇイオンのモル数に対するメルカプト系化合物及びチオエーテル系化合物の合計のモル数が０．２〜２の範囲にあることが好ましい。
（ハロゲンイオン、銀イオン濃度比）
本発明の表示素子においては、電解質に含まれるハロゲンイオンまたはハロゲン原子のモル濃度を［Ｘ］（モル／ｋｇ）とし、前記電解質に含まれる銀または銀を化学構造中に含む化合物の銀の総モル濃度を［Ａｇ］（モル／ｋｇ）としたとき、下式（１）で規定する条件を満たすことが好ましい。
本発明の表示素子においては、電解質に含まれるハロゲンイオンまたはハロゲン原子のモル濃度を［Ｘ］（モル／ｋｇ）とし、前記電解質に含まれる銀または銀を化学構造中に含む化合物の銀の総モル濃度を［Ａｇ］（モル／ｋｇ）としたとき、下式（１）で規定する条件を満たすことが好ましい。
式（１）
０≦［Ｘ］／［Ａｇ］≦０．０１
本発明でいうハロゲン原子とは、ヨウ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のことをいう。［Ｘ］／［Ａｇ］が０．０１よりも大きい場合は、銀の酸化還元反応時に、Ｘ-からＸ2が生じ、Ｘ2は黒化銀と容易にクロス酸化して黒化銀を溶解させ、メモリー性を低下させる要因の１つになるので、ハロゲン原子のモル濃度は銀のモル濃度に対してできるだけ低い方が好ましい。本発明においては、０≦［Ｘ］／［Ａｇ］≦０．００１がより好ましい。ハロゲンイオンを添加する場合、ハロゲン種については、メモリー性向上の観点から、各ハロゲン種モル濃度総和が［Ｉ］＜［Ｂｒ］＜［Ｃｌ］＜［Ｆ］であることが好ましい。
０≦［Ｘ］／［Ａｇ］≦０．０１
本発明でいうハロゲン原子とは、ヨウ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のことをいう。［Ｘ］／［Ａｇ］が０．０１よりも大きい場合は、銀の酸化還元反応時に、Ｘ-からＸ2が生じ、Ｘ2は黒化銀と容易にクロス酸化して黒化銀を溶解させ、メモリー性を低下させる要因の１つになるので、ハロゲン原子のモル濃度は銀のモル濃度に対してできるだけ低い方が好ましい。本発明においては、０≦［Ｘ］／［Ａｇ］≦０．００１がより好ましい。ハロゲンイオンを添加する場合、ハロゲン種については、メモリー性向上の観点から、各ハロゲン種モル濃度総和が［Ｉ］＜［Ｂｒ］＜［Ｃｌ］＜［Ｆ］であることが好ましい。
（電解質−銀塩）
本発明の表示素子においては、ヨウ化銀、塩化銀、臭化銀、酸化銀、硫化銀、クエン酸銀、酢酸銀、ベヘン酸銀、ｐ−トルエンスルホン酸銀、メルカプト類との銀塩、イミノジ酢酸類との銀錯体、等の公知の銀塩化合物を用いることができる。これらの中でハロゲンやカルボン酸や銀との配位性を有する窒素原子を有しない化合物を銀塩として用いるのが好ましく、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸銀（トシル酸銀）が好ましい。
本発明の表示素子においては、ヨウ化銀、塩化銀、臭化銀、酸化銀、硫化銀、クエン酸銀、酢酸銀、ベヘン酸銀、ｐ−トルエンスルホン酸銀、メルカプト類との銀塩、イミノジ酢酸類との銀錯体、等の公知の銀塩化合物を用いることができる。これらの中でハロゲンやカルボン酸や銀との配位性を有する窒素原子を有しない化合物を銀塩として用いるのが好ましく、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸銀（トシル酸銀）が好ましい。
本発明に係る電解質に含まれる銀イオン濃度は、０．２モル／ｋｇ≦［Ａｇ］≦２．０モル／ｋｇが好ましい。銀イオン濃度が０．２モル／ｋｇより少ないと希薄な銀溶液となり駆動速度が遅延し、２モル／ｋｇよりも大きいと溶解性が劣化し、低温保存時に析出が起きやすくなる傾向にあり不利である。
（電解質添加の増粘剤）
本発明の表示素子においては、本発明の目的効果を損なわない範囲で、本発明に係るブチラール樹脂の他に電解質層に増粘剤を使用することができ、例えば、ゼラチン、アラビアゴム、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリ（ビニルピロリドン）、ポリ（アルキレングリコール）、カゼイン、デンプン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、ポリ（カーボネート）類、セルロースエステル類、ポリ（アミド）類、疎水性透明バインダーとして、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタン等が挙げられる。
本発明の表示素子においては、本発明の目的効果を損なわない範囲で、本発明に係るブチラール樹脂の他に電解質層に増粘剤を使用することができ、例えば、ゼラチン、アラビアゴム、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリ（ビニルピロリドン）、ポリ（アルキレングリコール）、カゼイン、デンプン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、ポリ（カーボネート）類、セルロースエステル類、ポリ（アミド）類、疎水性透明バインダーとして、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタン等が挙げられる。
（その他の構成要素）
本発明の表示素子においては、上記説明した構成要素の他、必要に応じて種々の構成層を設けることができる。
本発明の表示素子においては、上記説明した構成要素の他、必要に応じて種々の構成層を設けることができる。
（金属酸化物を含む多孔質電極）
また、本発明の表示素子においては、金属酸化物を含む多孔質電極を用いることもできる。
また、本発明の表示素子においては、金属酸化物を含む多孔質電極を用いることもできる。
本発明の表示素子で、該対向電極のうち、画像観察側でない面の電極面を、金属酸化物を含む多孔質電極により保護することで、画像観察側でない面での銀または銀を化学構造中に含む化合物の酸化還元反応が、該金属酸化物を含む多孔質電極上または多孔質電極中で行なわれことを見出したことにより、画像観察側でない電極の種類選択肢の拡大及び耐久性を向上させることができる。
本発明に係る多孔質電極を構成する金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化スズ、Ｓｎドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛等、またはこれらの混合物が挙げられる。
多孔質電極は、上記金属酸化物の複数個の微粒子を結着または接触させることにより形成される。金属酸化物微粒子の平均粒子径は５ｎｍ〜１０μｍが好ましく、より好ましくは２０ｎｍ〜１μｍである。また、金属酸化物微粒子の比表面積は、簡易ＢＥＴ法で１×１０-3〜１×１０2ｍ2／ｇであることが好ましく、より好ましくは１×１０-2〜１０ｍ2／ｇである。また、金属酸化物微粒子の形状は、不定形、針状、球形など任意の形状のものが用いられる。
金属酸化物微粒子の形成または結着法としては、公知のゾルゲル法や焼結法を採用することができ、例えば、１）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ，１０２，２，ｐ２００（１９９４）、２）窯業協会誌９０，４，ｐ１５７、３）Ｊ．ｏｆ Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ．Ｓｏｌｉｄｓ，８２，４００（１９８６）等に記載の方法が挙げられる。また、気相法により作製した酸化チタンデンドリマー粒子を溶液上に分散して基体上に塗布し、１２０〜１５０℃程度の温度で乾燥して溶媒を除去して多孔質電極を得る方法を用いることもできる。金属酸化物微粒子は結着させた状態が好ましく、連続加重式表面性測定機（例えば、スクラッチ試験器）で０．１ｇ以上、好ましくは１ｇ以上の耐性を有する状態が好ましい。
本発明でいう多孔質とは、多孔質電極を配置し、対向電極間に電位差を与え、銀の溶解析出反応を生じさせることが可能で、イオン種が多孔質電極内を移動可能な貫通状態を言う。
（電子絶縁層）
本発明の表示素子においては、電子絶縁層を設けることができる。
本発明の表示素子においては、電子絶縁層を設けることができる。
本発明に適用可能な電子絶縁層は、イオン電導性、電子絶縁性を合わせて有する層であればよく、例えば、極性基を有する高分子や塩をフィルム状にした固体電解質膜、電子絶縁性の高い多孔質膜とその空隙に電解質を担持する擬固体電解質膜、空隙を有する高分子多孔質膜、含ケイ素化合物の様な比誘電率が低い無機材料の多孔質体、等が挙げられる。
多孔質膜の形成方法としては、燒結法（融着法）（高分子微粒子や無機粒子をバインダ等を添加して部分的に融着させ粒子間に生じた孔を利用する）、抽出法（溶剤に可溶な有機物又は無機物類と溶剤に溶解しないバインダ等で構成層を形成した後に、溶剤で有機物又は無機物類を溶解させ細孔を得る）、高分子重合体等を加熱や脱気するなどして発泡させる発泡法、良溶媒と貧溶媒を操作して高分子類の混合物を相分離させる相転換法、各種放射線を輻射して細孔を形成させる放射線照射法等の公知の形成方法を用いることができる。具体的には、特開平１０−３０１８１号、特開２００３−１０７６２６号、特公平７−９５４０３号、特許第２６３５７１５号、同第２８４９５２３号、同第２９８７４７４号、同第３０６６４２６号、同第３４６４５１３号、同第３４８３６４４号、同第３５３５９４２号、同第３０６２２０３号等に記載の電子絶縁層を挙げることができる。
（その他の添加剤）
本発明の表示素子の構成層には、保護層、フィルター層、ハレーション防止層、クロスオーバー光カット層、バッキング層等の補助層を挙げることができ、これらの補助層中には、写真材料において使用されている各種の化学増感剤、貴金属増感剤、感光色素、強色増感剤、カプラー、高沸点溶剤、カブリ防止剤、安定剤、現像抑制剤、漂白促進剤、定着促進剤、混色防止剤、ホルマリンスカベンジャー、色調剤、硬膜剤、界面活性剤、増粘剤、可塑剤、スベリ剤、紫外線吸収剤、イラジエーション防止染料、フィルター光吸収染料、防ばい剤、ポリマーラテックス、重金属、帯電防止剤、マット剤等を、必要に応じて含有させることができる。
本発明の表示素子の構成層には、保護層、フィルター層、ハレーション防止層、クロスオーバー光カット層、バッキング層等の補助層を挙げることができ、これらの補助層中には、写真材料において使用されている各種の化学増感剤、貴金属増感剤、感光色素、強色増感剤、カプラー、高沸点溶剤、カブリ防止剤、安定剤、現像抑制剤、漂白促進剤、定着促進剤、混色防止剤、ホルマリンスカベンジャー、色調剤、硬膜剤、界面活性剤、増粘剤、可塑剤、スベリ剤、紫外線吸収剤、イラジエーション防止染料、フィルター光吸収染料、防ばい剤、ポリマーラテックス、重金属、帯電防止剤、マット剤等を、必要に応じて含有させることができる。
上述したこれらの添加剤は、より詳しくは、リサーチディスクロージャー（以下、ＲＤと略す）第１７６巻Ｉｔｅｍ／１７６４３（１９７８年１２月）、同１８４巻Ｉｔｅｍ／１８４３１（１９７９年８月）、同１８７巻Ｉｔｅｍ／１８７１６（１９７９年１１月）及び同３０８巻Ｉｔｅｍ／３０８１１９（１９８９年１２月）に記載されている。
これら三つのリサーチ・ディスクロージャーに示されている化合物種類と記載箇所を以下に掲載した。
添加剤 ＲＤ１７６４３ ＲＤ１８７１６ ＲＤ３０８１１９
頁 分類 頁 分類 頁 分類
化学増感剤 ２３ III ６４８右上 ９６ III
増感色素 ２３ IV ６４８〜６４９ ９９６〜８ IV
減感色素 ２３ IV ９９８ IV
染料 ２５〜２６ VIII ６４９〜６５０ １００３ VIII
現像促進剤 ２９ XXI ６４８右上
カブリ抑制剤・安定剤
２４ IV ６４９右上 １００６〜７ VI
増白剤 ２４ Ｖ ９９８ Ｖ
硬膜剤 ２６ Ｘ ６５１左 １００４〜５ Ｘ
界面活性剤 ２６〜７ XI ６５０右 １００５〜６ XI
帯電防止剤 ２７ XII ６５０右 １００６〜７ XIII
可塑剤 ２７ XII ６５０右 １００６ XII
スベリ剤 ２７ XII
マット剤 ２８ XVI ６５０右 １００８〜９ XVI
バインダー ２６ XXII １００３〜４ IX
支持体 ２８ XVII １００９ XVII
（層構成）
本発明の表示素子の対向電極間の構成層について、更に説明する。
頁 分類 頁 分類 頁 分類
化学増感剤 ２３ III ６４８右上 ９６ III
増感色素 ２３ IV ６４８〜６４９ ９９６〜８ IV
減感色素 ２３ IV ９９８ IV
染料 ２５〜２６ VIII ６４９〜６５０ １００３ VIII
現像促進剤 ２９ XXI ６４８右上
カブリ抑制剤・安定剤
２４ IV ６４９右上 １００６〜７ VI
増白剤 ２４ Ｖ ９９８ Ｖ
硬膜剤 ２６ Ｘ ６５１左 １００４〜５ Ｘ
界面活性剤 ２６〜７ XI ６５０右 １００５〜６ XI
帯電防止剤 ２７ XII ６５０右 １００６〜７ XIII
可塑剤 ２７ XII ６５０右 １００６ XII
スベリ剤 ２７ XII
マット剤 ２８ XVI ６５０右 １００８〜９ XVI
バインダー ２６ XXII １００３〜４ IX
支持体 ２８ XVII １００９ XVII
（層構成）
本発明の表示素子の対向電極間の構成層について、更に説明する。
本発明の表示素子に係る構成層として、正孔輸送材料を含む構成層を設けることができる。正孔輸送材料として、例えば、芳香族アミン類、トリフェニレン誘導体類、オリゴチオフェン化合物、ポリピロール類、ポリアセチレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリトルイジン誘導体、ＣｕＩ、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩｎＳｅ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ、ＣｕＧａＳｅ2、Ｃｕ2Ｏ、ＣｕＳ、ＣｕＧａＳ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＡｌＳｅ2、ＧａＰ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＦｅＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＭｏＯ2、Ｃｒ2Ｏ3等を挙げることができる。
（基板）
本発明の表示素子においては、対向電極の少なくとも一方の電極が、プラスチック基板上に構成されていることが好ましい。
本発明の表示素子においては、対向電極の少なくとも一方の電極が、プラスチック基板上に構成されていることが好ましい。
本発明で用いることのできる基板としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムも好ましく使用できる。また、シンジオタクチック構造ポリスチレン類も好ましい。これらは、例えば、特開昭６２−１１７７０８号、特開平１−４６９１２、同１−１７８５０５号の各公報に記載されている方法により得ることができる。更に、ステンレス等の金属製基盤や、バライタ紙、及びレジンコート紙等の紙支持体ならびに上記プラスチックフィルムに反射層を設けた支持体、特開昭６２−２５３１９５号（２９〜３１頁）に支持体として記載されたものが挙げられる。ＲＤＮｏ．１７６４３の２８頁、同Ｎｏ．１８７１６の６４７頁右欄から６４８頁左欄及び同Ｎｏ．３０７１０５の８７９頁に記載されたものも好ましく使用できる。これらの支持体には、米国特許第４，１４１，７３５号のようにＴｇ以下の熱処理を施すことで、巻き癖をつきにくくしたものを用いることができる。また、これらの支持体表面を支持体と他の構成層との接着の向上を目的に表面処理を行っても良い。本発明では、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理を表面処理として用いることができる。更に公知技術第５号（１９９１年３月２２日アズテック有限会社発行）の４４〜１４９頁に記載の支持体を用いることもできる。更にＲＤＮｏ．３０８１１９の１００９頁やプロダクト・ライセシング・インデックス、第９２巻Ｐ１０８の「Ｓｕｐｐｏｒｔｓ」の項に記載されているものが挙げられる。その他に、ガラス基板や、ガラスを練りこんだエポキシ樹脂を用いることができる。
（電極）
本発明の表示素子は、対向電極の少なくとも１種が透明電極であることが好ましい。透明電極としては、透明で電気を通じるものであれば特に制限はない。例えば、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ：インジウム錫酸化物）、Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ：インジウム亜鉛酸化物）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、酸化亜鉛、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭素、アルミニウム、シリコン、アモルファスシリコン、ＢＳＯ（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。電極をこのように形成するには、例えば、基板上にＩＴＯ膜をスパッタリング法等でマスク蒸着するか、ＩＴＯ膜を全面形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングすればよい。表面抵抗値としては、１００Ω／□以下が好ましく、１０Ω／□以下がより好ましい。透明電極の厚みは特に制限はないが、０．１〜２０μｍであるのが一般的である。
本発明の表示素子は、対向電極の少なくとも１種が透明電極であることが好ましい。透明電極としては、透明で電気を通じるものであれば特に制限はない。例えば、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ：インジウム錫酸化物）、Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ：インジウム亜鉛酸化物）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化インジウム、酸化亜鉛、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭素、アルミニウム、シリコン、アモルファスシリコン、ＢＳＯ（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｘｉｄｅ）等が挙げられる。電極をこのように形成するには、例えば、基板上にＩＴＯ膜をスパッタリング法等でマスク蒸着するか、ＩＴＯ膜を全面形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングすればよい。表面抵抗値としては、１００Ω／□以下が好ましく、１０Ω／□以下がより好ましい。透明電極の厚みは特に制限はないが、０．１〜２０μｍであるのが一般的である。
（表示素子駆動方法）
本発明の表示素子においては、析出過電圧以上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続させる駆動操作を行なうことが好ましい。この駆動操作を行なうことにより、書き込みエネルギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画面としての書き込み速度を向上させることができる。一般に電気化学分野の電極反応において過電圧が存在することは公知である。例えば、過電圧については「電子移動の化学−電気化学入門」（１９９６年 朝倉書店刊）の１２１ページに詳しい解説がある。本発明の表示素子も電極と電解質中の銀との電極反応と見なすことができるので、銀溶解析出においても過電圧が存在することは容易に理解できる。過電圧の大きさは交換電流密度が支配するので、本発明のように黒化銀が生成した後に析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続できるということは、黒化銀表面の方が余分な電気エネルギーが少なく容易に電子注入が行なえると推定される。
本発明の表示素子においては、析出過電圧以上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続させる駆動操作を行なうことが好ましい。この駆動操作を行なうことにより、書き込みエネルギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画面としての書き込み速度を向上させることができる。一般に電気化学分野の電極反応において過電圧が存在することは公知である。例えば、過電圧については「電子移動の化学−電気化学入門」（１９９６年 朝倉書店刊）の１２１ページに詳しい解説がある。本発明の表示素子も電極と電解質中の銀との電極反応と見なすことができるので、銀溶解析出においても過電圧が存在することは容易に理解できる。過電圧の大きさは交換電流密度が支配するので、本発明のように黒化銀が生成した後に析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続できるということは、黒化銀表面の方が余分な電気エネルギーが少なく容易に電子注入が行なえると推定される。
本発明の表示素子の駆動操作は、単純マトリックス駆動であっても、アクティブマトリック駆動であってもよい。本発明でいう単純マトリックス駆動とは、複数の正極を含む正極ラインと複数の負極を含む負極ラインとが対向する形で互いのラインが垂直方向に交差した回路に、順次電流を印加する駆動方法のことを言う。単純マトリックス駆動を用いることにより、回路構成や駆動ＩＣを簡略化でき安価に製造できるメリットがある。アクティブマトリックス駆動は、走査線、データライン、電流供給ラインが碁盤目状に形成され、各碁盤目に設けられたＴＦＴ回路により駆動させる方式である。画素毎にスイッチングが行えるので、階調やメモリー機能などのメリットがあり、例えば、特開２００４−２９３２７号の図５に記載されている回路を用いることができる。
（商品適用）
本発明の表示素子は、電子書籍分野、ＩＤカード関連分野、公共関連分野、交通関連分野、放送関連分野、決済関連分野、流通物流関連分野等の用いることができる。具体的には、ドア用のキー、学生証、社員証、各種会員カード、コンビニストアー用カード、デパート用カード、自動販売機用カード、ガソリンステーション用カード、地下鉄や鉄道用のカード、バスカード、キャッシュカード、クレジットカード、ハイウェーカード、運転免許証、病院の診察カード、電子カルテ、健康保険証、住民基本台帳、パスポート、電子ブック等が挙げられる。
本発明の表示素子は、電子書籍分野、ＩＤカード関連分野、公共関連分野、交通関連分野、放送関連分野、決済関連分野、流通物流関連分野等の用いることができる。具体的には、ドア用のキー、学生証、社員証、各種会員カード、コンビニストアー用カード、デパート用カード、自動販売機用カード、ガソリンステーション用カード、地下鉄や鉄道用のカード、バスカード、キャッシュカード、クレジットカード、ハイウェーカード、運転免許証、病院の診察カード、電子カルテ、健康保険証、住民基本台帳、パスポート、電子ブック等が挙げられる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。
実施例１
《電解質液の調製》
（電解質液１の調製）
クロロホルムの２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇ下記化合物１を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液１を得た。
《電解質液の調製》
（電解質液１の調製）
クロロホルムの２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇ下記化合物１を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液１を得た。
（電解質液２の調製）
ジメチルスルホキシドの２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物１を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液２を得た。
ジメチルスルホキシドの２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物１を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液２を得た。
（電解質液３の調製）
下記化合物３の２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物１を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液３を得た。
下記化合物３の２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物１を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液３を得た。
（電解質液４の調製）
化合物３の２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと下記化合物２を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液４を得た。
化合物３の２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと下記化合物２を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液４を得た。
（電解質液５の調製）
ＴＣＰ（トリクレジルフォスフェート）の２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物２を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液５を得た。
ＴＣＰ（トリクレジルフォスフェート）の２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物２を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液５を得た。
（電解質液６の調製）
クロロホルムの２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物２を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液６を得た。
クロロホルムの２．５ｇ中に、トシル酸銀を７５ｍｇと化合物２を１５０ｍｇ加えて加熱溶解して、電解質液６を得た。
《電極の作製》
（電極１の作製）
厚さ１．５ｍｍで３ｃｍ×３ｃｍのガラス基板上に、ピッチ１４５μｍ、電極幅１３０μｍのストライプ状にＩＴＯ膜を公知の方法に従って形成して、透明電極（電極１）を得た。
（電極１の作製）
厚さ１．５ｍｍで３ｃｍ×３ｃｍのガラス基板上に、ピッチ１４５μｍ、電極幅１３０μｍのストライプ状にＩＴＯ膜を公知の方法に従って形成して、透明電極（電極１）を得た。
（電極２の作製）
厚さ１．５ｍｍで３ｃｍ×３ｃｍのガラス基板上に、公知の方法を用いて、電極厚み０．８μｍ、ピッチ１４５μｍ、電極間隔１３０μｍのストライプ状に、銀−パラジウム電極（電極２）を形成して、電極２を得た。
厚さ１．５ｍｍで３ｃｍ×３ｃｍのガラス基板上に、公知の方法を用いて、電極厚み０．８μｍ、ピッチ１４５μｍ、電極間隔１３０μｍのストライプ状に、銀−パラジウム電極（電極２）を形成して、電極２を得た。
《多孔質白色散乱層の形成》
（多孔質白色散乱層１の形成）
電解質液１にポリフッ化ビリニデンを１０質量％添加した液を加熱溶解した後に、二酸化チタン２０質量％を超音波分散機で分散させて得られた混和液を乾燥後の膜厚が４０μｍになるように電極２上に塗布し、その後８０℃で３０分間乾燥して溶媒を蒸発させて、電極２上に多孔質白色散乱層１を形成した。
（多孔質白色散乱層１の形成）
電解質液１にポリフッ化ビリニデンを１０質量％添加した液を加熱溶解した後に、二酸化チタン２０質量％を超音波分散機で分散させて得られた混和液を乾燥後の膜厚が４０μｍになるように電極２上に塗布し、その後８０℃で３０分間乾燥して溶媒を蒸発させて、電極２上に多孔質白色散乱層１を形成した。
（多孔質白色散乱層２の形成）
電極２の上にポリビニルアルコール（平均重合度３５００、けん化度８７％）１０質量％を含むイソプロパノール溶液中に、二酸化チタン２０質量％を超音波分散機で分散させた混和液を乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布し、その後１５℃で３０分間乾燥して溶媒を蒸発させた後、４５℃の雰囲気中で１時間乾燥させて、電極２上に多孔質白色散乱層２を形成した。
電極２の上にポリビニルアルコール（平均重合度３５００、けん化度８７％）１０質量％を含むイソプロパノール溶液中に、二酸化チタン２０質量％を超音波分散機で分散させた混和液を乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布し、その後１５℃で３０分間乾燥して溶媒を蒸発させた後、４５℃の雰囲気中で１時間乾燥させて、電極２上に多孔質白色散乱層２を形成した。
（多孔質白色散乱層３の形成）
上記で作製した多孔質白色散乱層２付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化＋０．８Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し９０度の角度で２０Ｃ／ｃｍ2の光エッチング量になるまで処理して、内径Ｄが１０ｎｍ、深さ４０μｍ、Ｌ／Ｄ＝４０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層３とした。
上記で作製した多孔質白色散乱層２付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化＋０．８Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し９０度の角度で２０Ｃ／ｃｍ2の光エッチング量になるまで処理して、内径Ｄが１０ｎｍ、深さ４０μｍ、Ｌ／Ｄ＝４０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層３とした。
（多孔質白色散乱層４の形成）
電極２の上にアルミニウム層をスパッタ法で４０μｍの厚さで形成し得られたアルミニウム層付き電極を、１０％の硫酸水溶液中で電圧１０Ｖ、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2、液温１０℃の条件で陽極酸化し、内径Ｄが１０ｎｍ、深さ４０μｍ、Ｌ／Ｄ＝４０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層４とした。
電極２の上にアルミニウム層をスパッタ法で４０μｍの厚さで形成し得られたアルミニウム層付き電極を、１０％の硫酸水溶液中で電圧１０Ｖ、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2、液温１０℃の条件で陽極酸化し、内径Ｄが１０ｎｍ、深さ４０μｍ、Ｌ／Ｄ＝４０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層４とした。
（多孔質白色散乱層５の形成）
多孔質白色散乱層２付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化＋０．６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し９０度の角度で２０Ｃ／ｃｍ2の光エッチング量になるまで処理して、内径Ｄが５ｎｍ、深さ４０μｍ、Ｌ／Ｄ＝２０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層５とした。
多孔質白色散乱層２付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化＋０．６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し９０度の角度で２０Ｃ／ｃｍ2の光エッチング量になるまで処理して、内径Ｄが５ｎｍ、深さ４０μｍ、Ｌ／Ｄ＝２０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層５とした。
（多孔質白色散乱層６の形成）
多孔質白色散乱層２付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化＋０．６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し９０度の角度で４０Ｃ／ｃｍ2の光エッチング量になるまで処理して、内径Ｄが５ｎｍ、深さ８０μｍ、Ｌ／Ｄ＝２０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層６とした。
多孔質白色散乱層２付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化＋０．６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し９０度の角度で４０Ｃ／ｃｍ2の光エッチング量になるまで処理して、内径Ｄが５ｎｍ、深さ８０μｍ、Ｌ／Ｄ＝２０００、細孔の面積比率２０面積％の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層６とした。
《表示素子の作製》
（表示素子１の作製）
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むオレフィン系封止剤で縁取りした多孔質白色散乱層１が形成された電極２と電極１を貼り合わせ、加熱押圧して表示素子１を作製した。
（表示素子１の作製）
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むオレフィン系封止剤で縁取りした多孔質白色散乱層１が形成された電極２と電極１を貼り合わせ、加熱押圧して表示素子１を作製した。
（表示素子２の作製）
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層２が形成された電極２と電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液２を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子２を作製した。
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層２が形成された電極２と電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液２を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子２を作製した。
（表示素子３の作製）
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層２が形成された電極２と電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液３を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子３を作製した。
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層２が形成された電極２と電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液３を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子３を作製した。
（表示素子４の作製）
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層３が形成された電極２と電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液３を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子４を作製した。
周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層３が形成された電極２と電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液３を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子４を作製した。
（表示素子５の作製）
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（２９）を０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（２９）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液３を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子５を作製した。
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（２９）を０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（２９）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液３を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子５を作製した。
（表示素子６の作製）
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（３１）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３１）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子６を作製した。
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（３１）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３１）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子６を作製した。
（表示素子７の作製）
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（２）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（２）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子７を作製した。
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（２）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（２）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子７を作製した。
（表示素子８の作製）
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子８を作製した。
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子８を作製した。
（表示素子９の作製）
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（１０）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（１０）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子９を作製した。
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（１０）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（１０）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子９を作製した。
（表示素子１０の作製）
多孔質白色散乱層４が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１０を作製した。
多孔質白色散乱層４が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１０を作製した。
（表示素子１１の作製）
多孔質白色散乱層４が形成された電極２を例示化合物（１０）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（１０）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１１を作製した。
多孔質白色散乱層４が形成された電極２を例示化合物（１０）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（１０）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１１を作製した。
（表示素子１２の作製）
多孔質白色散乱層５が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１２を作製した。
多孔質白色散乱層５が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１２を作製した。
（表示素子１３の作製）
多孔質白色散乱層６が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１３を作製した。
多孔質白色散乱層６が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液４を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１３を作製した。
（表示素子１４の作製）
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液５を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１４を作製した。
多孔質白色散乱層３が形成された電極２を例示化合物（３８）０．１ｍｏｌ／Ｌ含んだアセトニトリル溶液に１晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物（３８）の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が４０μｍのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として１０％含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極１を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液５を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子１４を作製した。
《表示素子の評価》
（表示速度の評価）
上記で作製した各表示素子に１．５Ｖの電圧を１．５秒間印加して白色を表示させた時の５５０ｎｍの反射率と、−１．５Ｖの電圧を０．５秒間印加させてグレーを表示させた時の５５０ｎｍの反射率をコニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ−３７００ｄで測定した。測定した反射率の差をΔＲＲａｔｅとし、ΔＲＲａｔｅを表示速度の指標とした。ここでは、ΔＲＲａｔｅが大きいほど表示速度が速いとする。
（表示速度の評価）
上記で作製した各表示素子に１．５Ｖの電圧を１．５秒間印加して白色を表示させた時の５５０ｎｍの反射率と、−１．５Ｖの電圧を０．５秒間印加させてグレーを表示させた時の５５０ｎｍの反射率をコニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ−３７００ｄで測定した。測定した反射率の差をΔＲＲａｔｅとし、ΔＲＲａｔｅを表示速度の指標とした。ここでは、ΔＲＲａｔｅが大きいほど表示速度が速いとする。
（表示ムラ耐性の評価）
上記で作製した各表示素子を２５℃の環境下２０日間保存した後、１．５Ｖの電圧を１．５秒間印加して白色を表示させ、−１．５Ｖの電圧を０．５秒間印加させてグレーを表示させた状態の表示素子の任意の５箇所の５５０ｎｍでの反射率をコニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ−３７００ｄで測定し、反射率の最大値と最小値の差を算出した。算出した反射率の差をΔＲＧｌａｙとし、ΔＲＧｌａｙを表示ムラの指標とした。ここでは、ΔＲＧｌａｙが小さいほど表示ムラ耐性に優れていることを表す。
上記で作製した各表示素子を２５℃の環境下２０日間保存した後、１．５Ｖの電圧を１．５秒間印加して白色を表示させ、−１．５Ｖの電圧を０．５秒間印加させてグレーを表示させた状態の表示素子の任意の５箇所の５５０ｎｍでの反射率をコニカミノルタセンシング社製の分光測色計ＣＭ−３７００ｄで測定し、反射率の最大値と最小値の差を算出した。算出した反射率の差をΔＲＧｌａｙとし、ΔＲＧｌａｙを表示ムラの指標とした。ここでは、ΔＲＧｌａｙが小さいほど表示ムラ耐性に優れていることを表す。
以上により得られた結果を、表１に示す。
表１に記載の結果より明らかなように、固体電解質である表示素子１は長期保存での表示ムラが小さいものの表示速度が著しく遅く、電解質にＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）を使用している表示素子２は表示速度は速いものの長期保存での表示ムラが大きいことが分かる。
一方、本発明の構成である多孔質白色散乱層に細孔を有しており、また、該細孔の表面に銀と錯体を形成する部位を有する化合物からなる自己組織化膜を形成しており、さらに該自己組織化膜表面に銀が配位している構成を取っている表示素子５〜１４は表示速度の低下がなく、かつ長期保存での表示ムラの発生が抑えられていることがわかる。
１、２ 電極
３ 電解質
４ 多孔質白色散乱層
５ 金属酸化物粒子
６ 細孔
Ｄ 細孔の内径
Ｌ 細孔の深さ
３ 電解質
４ 多孔質白色散乱層
５ 金属酸化物粒子
６ 細孔
Ｄ 細孔の内径
Ｌ 細孔の深さ
Claims (11)
- 対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層及び多孔質白色散乱層を有し、銀の溶解、析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子において、多孔質白色散乱層が細孔を有しており、かつ細孔の表面に銀と錯体を形成する部位を有する化合物からなる自己組織化膜が形成されており、かつ該自己組織化膜表面に銀が配位し、前記銀と錯体を形成する部位を有する化合物が、構造中に、多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基を有していることを特徴とする表示素子。
- 前記多孔質白色散乱層の有する細孔の深さ／細孔の径の比が３０００以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
- 前記多孔質白色散乱層を形成する化合物が、二酸化チタンであることを特徴とする請求項１または２に記載の表示素子。
- 前記多孔質白色散乱層を形成する化合物が、アルミナであることを特徴とする請求項１または２に記載の表示素子。
- 光電気化学エッチング処理によって細孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示素子。
- 陽極酸化処理によって細孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示素子。
- 前記銀と錯体を形成する部位を有する化合物の錯体形成部位が、銀と配位結合可能なＳ原子またはＮ原子を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示素子。
- 前記銀と錯体を形成する部位が、メルカプトトリアゾール誘導体、メルカプトオキサジアゾール誘導体またはメルカプトチアジアゾール誘導体構造であることを特徴とする請求項７に記載の表示素子。
- 前記銀と錯体を形成する部位が、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体またはターピリジン誘導体構造であることを特徴とする請求項７に記載の表示素子。
- 多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基が、−ＣＯＯＨ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＨ）２、−Ｓｉ（ＯＲ）３であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示素子。
（ここにおいて、Ｒは炭素原子数１〜８のアルキル基を表す。） - 前記電解質層がイオン性液体を含有していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載に表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006315349A JP5135775B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006315349A JP5135775B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008129393A JP2008129393A (ja) | 2008-06-05 |
| JP5135775B2 true JP5135775B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=39555246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006315349A Expired - Fee Related JP5135775B2 (ja) | 2006-11-22 | 2006-11-22 | 表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5135775B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009023350A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11101994A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sony Corp | エレクトロデポジション型画像表示装置 |
| KR100601090B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-07-14 | 주식회사 엘지화학 | 다공성 템플레이트를 이용하여 제조된 고표면적 전극시스템 및 이를 이용한 전기 소자 |
| JP2005338515A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sony Corp | 電解質およびそれを用いた電気化学表示装置 |
-
2006
- 2006-11-22 JP JP2006315349A patent/JP5135775B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008129393A (ja) | 2008-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5104860B2 (ja) | 電気化学表示素子の製造方法及び電気化学表示素子 | |
| JPWO2008023551A1 (ja) | 表示素子 | |
| JP4998466B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP5135775B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2007264011A (ja) | 表示素子 | |
| JP5003685B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP5070746B2 (ja) | 表示素子及びその製造方法 | |
| JP4998470B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2008224717A (ja) | 表示素子 | |
| JPWO2007145100A1 (ja) | 表示素子 | |
| JP5287254B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2008065028A (ja) | 表示素子 | |
| JP2007199147A (ja) | 表示素子 | |
| JP2007322862A (ja) | 表示素子 | |
| JP5256480B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP5130636B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2007192980A (ja) | 表示素子 | |
| JP2008185686A (ja) | 表示素子の駆動方法 | |
| JP5309476B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2006337457A (ja) | 表示素子 | |
| JP2007241178A (ja) | 表示素子 | |
| JP4997807B2 (ja) | 多孔質白色散乱層の形成方法及び表示素子 | |
| JP4992241B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP2008139745A (ja) | 表示素子の製造方法および表示素子 | |
| JP2008129549A (ja) | 表示素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091110 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110805 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120615 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |