JP5135374B2 - キャパシタ、集積装置、高周波切替装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施の形態に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)は、キャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図1に表したように、第1の実施の形態に係るキャパシタ110は、基板10、第1電極31、第2電極32及び第1誘電体部40を備える。
本実施の形態に係るキャパシタ110では、構造体CSが、ダミーアクティブ領域20の上に配置されている。構造体CSは、ダミーアクティブ領域20のほか、隣接する分離領域22へ延設していてもよい。
図2は、比較例に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)はキャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図2に表したように、比較例に係るキャパシタ190は、基板15、分離領域22、第1電極31、第2電極32及び第1誘電体部40を備える。
同図(a)は、基板15のダミーアクティブ領域20の上に構造体CSを配置したときの信号の流れを例示している。
同図(b)は、基板10のダミーアクティブ領域20の上に構造体CSを配置したときの信号の流れを例示している。
一例として、同じアクティブ領域25を備えた同じ面積の基板を用いた場合、キャパシタ110の容量密度は、キャパシタ190の容量密度に対して約20%向上する。
図4は、第2の実施の形態に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)は、キャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図4に表したように、第2の実施の形態に係るキャパシタ120は、基板10、第1電極31、第2電極32、第1誘電体部40、第3電極33、第4電極34及び第2誘電体部41を備える。さらに、キャパシタ120は、接地電位になる接地端子TGを備えている。
図5は、第3の実施の形態に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)は、キャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図5に表したように、第3の実施の形態に係るキャパシタ130は、基板10、第1電極31、第2電極32、第1誘電体部40、第3電極33、第4電極34及び第2誘電体部41を備える。
また、キャパシタ130は、第1配線51及び第2配線52を備える。第1配線51及び第2配線52としては、例えば金属が用いられる。
図6は、第4の実施の形態に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)は、キャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図6に表したように、第4の実施の形態に係るキャパシタ140では、図5に表した第3の実施の形態に係るキャパシタ130に対し、コンタクトホールCH42a、孔HL1a及びHL2aの態様が相違する。
また、コンタクトホールCH22を貫通させる孔HL2aの大きさは、コンタクトホールCH22の外形よりもわずかに大きい。
図7は、第5の実施の形態に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)は、キャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図7に表したように、第5の実施の形態に係るキャパシタ150では、図6に表した第4の実施の形態に係るキャパシタ140に対し、ダミーアクティブ領域20と第2配線52とを導通するコンタクトホールCH202が追加されている点で相違する。
図8は、第6の実施の形態に係るキャパシタの構成例を説明する模式図である。
同図(a)は、キャパシタの模式的断面図である。また、同図(b)は、キャパシタの模式的平面図である。
図8に表したように、第6の実施の形態に係るキャパシタ160では、図7に表した第5の実施の形態に係るキャパシタ150に対し、構造体CS3の配線が相違する。
キャパシタ160では、構造体CS3の第1電極31が第2配線52に接続され、構造体CS3の隣りに配置される構造体CS2の第3電極33が第1配線51に接続されている。
同様に、キャパシタ160では、構造体CS3の第2電極32が第1配線51に接続され、構造体CS3の隣りに配置される構造体CS2の第4電極34が第2配線52に接続されている。
つまり、キャパシタ160では、構造体CS2及びCS3について、隣り合う同層の電極間で、印加される電圧の極性が反転する。
例えば、第1電極31に正(+)の電圧が印加されている場合、第1電極31と同層で、隣り合う第3電極33には、負(−)の電圧が印加される。この状態では、同層で隣り合う電極間の縁に、寄生容量(フリンジによる寄生容量)Cpが発生する。したがって、キャパシタ160では、それぞれの構造体CS2及びCS3によるキャパシタ容量に加え、寄生容量Cpが加算され、容量密度をより向上させることができる。
図10は、第7の実施の形態に係る集積装置の構成例を説明する回路図である。
図11は、第7の実施の形態に係る集積装置の配置例を説明するブロック図である。
図10に表したように、集積装置200は、第1アクティブ領域25aに形成された能動素子AEと、第2アクティブ領域25bに形成された制御部CTRと、ダミーアクティブ領域20に設けられたキャパシタ110と、を備える。
ここで、集積装置200は、例えば高周波切替装置である。高周波切替装置では、高周波信号(無線通信に用いる信号)を扱う能動素子AEとして、例えばFET(Field effect transistor)が用いられている。以下、集積装置200の例として、高周波切替装置を説明する。
集積装置200の制御回路CTR、キャパシタ領域CA及び切替素子部SWは、基板10の半導体層13に設けられている。切替素子部SWにおいては、各スイッチSWa1〜SWan及びSWb1〜SWbnとして、トランジスタ等の能動素子が用いられている。したがって、切替素子部SWは、第1アクティブ領域25aに設けられる。
図13は、第8の実施の形態に係る電子機器の構成例を説明する模式的斜視図である。
第8の実施の形態に係る電子機器300は、高周波切替装置320を筐体310に備えている。電子機器300は、例えば携帯電話機である。高周波切替装置としては、第7の実施の形態に係る集積装置200が用いられる。
Claims (7)
- 絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ、能動素子が形成されるアクティブ領域とは電気的に分離して設けられたダミーアクティブ領域を含む半導体層と、を有する基板と、
前記ダミーアクティブ領域の上に、互いに対向して配置された第1電極及び第2電極と、
前記第1電極と、前記第2電極と、の間に設けられた第1誘電体部と、
前記第1電極及び前記第2電極の周辺を囲み、互いに対向して配置された第3電極及び第4電極と、
前記第3電極と、前記第4電極と、の間に設けられた第2誘電体部と、
接地電位になる接地端子と、
を備え、
前記第3電極及び前記第4電極のいずれか一方は、前記接地端子に接続され、
前記第3電極、前記第4電極及び前記第2誘電体部で形成される第2構造体は、前記第1電極、前記第2電極及び前記第1誘電体部で形成される第1構造体を前記能動素子で扱う信号から保護することを特徴とするキャパシタ。 - 前記第2構造体は、前記ダミーアクティブ領域の上、及び前記アクティブ領域と前記ダミーアクティブ領域との間に設けられた分離領域の上の少なくともいずれかに設けられたことを特徴とする請求項1記載のキャパシタ。
- 第1配線と、
前記第1配線とは異なる電位になる第2配線と、
をさらに備え、
前記第1電極、前記第2電極、前記第3電極及び前記第4電極のうち、前記半導体層の主面に沿って隣接する電極間において、一方の電極は前記第1配線に接続され、他方の電極は前記第2配線に接続されたことを特徴とする請求項2記載のキャパシタ。 - 前記第1電極及び前記第2電極のうち、前記ダミーアクティブ領域から遠い側に配置された電極と、前記ダミーアクティブ領域と、を電気的に導通させる導通部をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のキャパシタ。
- 絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ、アクティブ領域と前記アクティブ領域とは電気的に分離して設けられたダミーアクティブ領域とを含む半導体層と、を有する基板と、
前記アクティブ領域に形成された能動素子と、
前記ダミーアクティブ領域の上に、互いに対向して配置された第1電極及び第2電極と、
前記第1電極と、前記第2電極と、の間に設けられた第1誘電体部と、
前記第1電極と、前記第2電極と、の間に設けられた第1誘電体部と、
前記第1電極及び前記第2電極の周辺を囲み、互いに対向して配置された第3電極及び第4電極と、
前記第3電極と、前記第4電極と、の間に設けられた第2誘電体部と、
接地電位になる接地端子と、
を備え、
前記第3電極及び前記第4電極のいずれか一方は、前記接地端子に接続され、
前記第3電極、前記第4電極及び前記第2誘電体部で形成される第2構造体は、前記第1電極、前記第2電極及び前記第1誘電体部で形成される第1構造体を前記能動素子で扱う信号から保護することを特徴とする集積装置。 - 絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられ、第1アクティブ領域と第2アクティブ領域と前記第1アクティブ領域及び前記第2アクティブ領域とは電気的に分離して設けられたダミーアクティブ領域とを含む半導体層と、を有する基板と、
前記基板の前記第1アクティブ領域に設けられた高周波切替回路と、
前記基板の前記第2アクティブ領域に設けられ、前記高周波切替回路を制御する制御回路と、
前記ダミーアクティブ領域の上に、互いに対向して配置された第1電極及び第2電極と、
前記第1電極と、前記第2電極と、の間に設けられた第1誘電体部と、
前記第1電極及び前記第2電極の周辺を囲み、互いに対向して配置された第3電極及び第4電極と、
前記第3電極と、前記第4電極と、の間に設けられた第2誘電体部と、
接地電位になる接地端子と、
を備え、
前記第3電極及び前記第4電極のいずれか一方は、前記接地端子に接続され、
前記第3電極、前記第4電極及び前記第2誘電体部で形成される第2構造体は、前記第1電極、前記第2電極及び前記第1誘電体部で形成される第1構造体を前記能動素子で扱う信号から保護することを特徴とする高周波切替装置。 - 請求項6記載の高周波切替装置を筐体に備えたことを特徴とする電子機器。
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