以下、本発明に係る半導体装置の設計方法の実施の形態について説明する。まず、図1〜図7を用いて、本発明の実施に際しての基本的な動作について説明する。
<1.電源バンプの配設および割り付け>
ロジック領域に複数のクロックが与えられる場合に、クロックの種類ごとにドメインを区分し、ドメインごとに独立して電源電圧を供給するには、複数種類の電源バンプBPを設ける必要がある。
しかし、個々のドメインに対して個別に電源バンプを配設すると、工程が複雑になり実用的ではない。
そこで、本発明においてはロジック領域における電源バンプの配設位置を、予め定めた所定の規則(第1の規則)に従って一義的に決定する手法を採る。
図1に電源バンプの配設例を示す。図1においては、n種類の異なる電源を必要とする場合を示し、MOSトランジスタのドレイン電源電圧VDDに相当する電圧として、電圧V1〜Vnを想定し、ソース電源電圧VSSに相当する電圧として電圧G1〜Gnを想定する。なお、電圧V1〜Vnおよび電圧G1〜Gnのうち一方のグループは接地電圧、すなわち0Vとなるので、実質的に必要な電源電圧の種類はn種類である。以下の説明においては、電圧G1〜Gnを接地電圧として扱う。
図1に示すように、電圧V1〜Vnが与えられる複数の電源バンプBP1が横方向に配設されて配列を構成し、その下段には電圧G1〜Gnが与えられる複数の電源バンプBP2が横方向に配設されて配列を構成し、両配列が、縦方向に交互に繰り返す構成となっている。
なお、電源バンプBP1の配列には、図に向かって左端の電源バンプBP1から、電圧V1〜Vnが順に割り付けられた後、左端からn+1番目の電源バンプから再び電圧V1〜Vnが順に割り付けられるというように、電圧V1〜Vnの割り付けが繰り返される。これを周期nでの繰り返し配列と呼称する。
これは、電源バンプBP2の配列においても同じであり、電圧G1〜Gnの割り付けが、左端の電源バンプBP2から順に繰り返されている。
このように、マトリックス状に配列された電源バンプには、第1の方向には電源の種類nに応じて、周期nで電圧が繰り返して割り付けられ、第1の方向に直交する第2の方向には、電圧Vと電圧Gの電源バンプの配列が交互に配設されている。
<2.電源線の配設および割り付け>
図19を用いて説明したように、電源を1種類しか想定しない場合には、電源バンプBPに接続される上層の電源線WL1(基幹線)には、電圧Vと電圧Gを交互に割り付けるだけで済んだが、電源の種類が複数になると、上層の電源線WL1への割り付けも複数の組み合わせが考えられるが、本発明においては簡単な規則に従って割り付ける手法を採る。
ここで、与えられるクロックの種類と電源電圧の種類は共にnで、電源電圧は、V1、V2、・・・Vnで表す。そして、クロックの周波数と電源電圧とを対応させてF(V1)、F(V2)・・・F(Vn)として表し、クロック周波数の大小関係がF(V1)>F(V2)>・・・>F(Vn)を満たすように電源バンプおよび電源線への電源電圧の割り付けの変更処置を行う。
なお、各ドメインのロジックの規模(すなわち論理ゲートの個数)をN(V1)、N(V2)・・・N(Vn)で示し、前提として、各ドメインのロジックの規模がほぼ等しいとすると、各ドメインの消費電力P(V1)、P(V2)・・・P(Vn)は動作周波数に比例する。
図2には、上記規則に従った電源線の配設例を示す。図2において、電源バンプBP1およびBP2の配列は図1を用いて説明した方法に従っており、電源バンプBP1およびBP2に電気的に接続される上層の複数の電源線WL1は、電源バンプBP1およびBP2の横方向の配列に平行して配設され、電源線WL1に電気的に接続される下層の複数の電源線WL2(支線)は、電源線WL1に平面視的に直交するように互いに平行して配設されている。なお、電源線WL1とWL2との間には層間絶縁膜が配設され、両者を電気的に絶縁している。
従って、電源バンプBP1およびBP2は、平面視的に電源線WL1およびWL2に囲まれる位置に存在することになり、電源線WL1およびWL2の何れにも直結されていないが、電源バンプBP1と電源線WL1との接続方法については後に説明する。
そして、電源バンプに電気的に接続される上層の電源線WL1への電源電圧の割り付けは、高い周波数のクロックが与えられるドメインに対応する電源ほど電源バンプの近くの電源線に割り付けるようにする。
<2−1.電源線WL1への割り付け>
図2においては、電源バンプBP1の配列を挟む最近傍の2つの電源線WL1に電源電圧V1およびV2が割り付けられ、さらに外側の電源線WL1に電源電圧V3およびV4が割り付けられ、以後、電源電圧Vnまで、この規則(第2の規則)に従って割り付けが行われる。
なお、図2においては、電源バンプBP1の配列の上側の電源線WL1には、電源電圧V1、V3、Vn−1など、奇数番の電源電圧が割り付けられ、電源バンプBP1の配列の下側の電源線WL1には、電源電圧V2、V4、Vnなど、偶数番の電源電圧が割り付けられているが、高い周波数のクロックが与えられるドメインに対応する電源ほど電源バンプの近くに割り付けられていれば良く、奇数番と偶数番とで、上下関係が逆であっても良い。
また、図2に示すように、電源バンプBP2の配列を挟む最近傍の2つの電源線WL1に電源電圧G1およびG2が割り付けられ、さらに外側の電源線WL1に電源電圧G3およびG4が割り付けられ、以後、電源電圧Gnまで、この規則に従って割り付けが行われる。
なお、周波数の異なるクロックが与えられる複数のドメインにおいて、ロジック数がほぼ等しいとき、電源バンプに流れる電流は、クロック周波数に比例する。そして、図2においては、周波数の高いクロックを使用するドメインに与えられる電源電圧を供給する電源線WL1ほど、電源バンプに近く配設されているので、電源バンプBP1(BP2)から電源線WL1までの距離が短く、電源バンプBP1(BP2)と電源線WL1との間に電流が流れることで生じる電源電圧の降下を最小限に抑えることができる。
<2−2.電源線WL2への割り付け>
複数の電源線WL2は、電源線WL1に平面視的に直交するように互いに平行して配設されているとして説明したが、さらに言うと、電源線WL2は電源バンプBP1およびBP2が縦方向に交互に配設されて構成される配列(以後、電源バンプの交互配列と呼称する場合あり)の間に2本ずつ対になって配設されている。
そして、図2に示すように、電源電圧V1およびG1が割り付けられる電源バンプBP1およびBP2の交互配列と、電源電圧V2およびG2が割り付けられる電源バンプBP1およびBP2の交互配列との間の2本の電源線WL2には、電源電圧V1およびG1が割り付けられている。また、電源電圧V2およびG2が割り付けられる電源バンプBP1およびBP2の交互配列と、電源電圧V3およびG3が割り付けられる電源バンプBP1およびBP2の交互配列との間2本の電源線WL2には、電源電圧V2およびG2が割り付けられている。以後、電源電圧VnおよびGnが割り付けられる電源バンプBP1およびBP2の交互配列と、電源電圧V1およびG1が割り付けられる電源バンプBP1およびBP2の交互配列との間の2本の電源線WL2まで、この規則(第3の規則)に従って割り付けが行われる。
なお、電源線WL1とWL2とは、両者の間を電気的に絶縁する層間絶縁膜を貫通するようにエッチング等で設けられたビアホールに導電性の材質を埋め込むことによって得られるビアコンタクトVHにより電気的に接続される。
例えば、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL1は、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL2とビアコンタクトVHを介して電気的に接続される。図2においては、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL1は2本が示されているので、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL2は、この2本の電源線WL1と平面視的に直交する部分においてビアコンタクトVHを介して電気的に接続されている。
<3.電源バンプと電源線との接続方法>
図19を用いて説明した従来の手法では、電源線WL1には電源バンプBPを直接に接続する構成を採っていたが、本発明においては、電源バンプBP1およびBP2は電源線WL1に挟まれる位置に配設されるので、電源バンプBP1およびBP2に接続のためのブランチを設け、当該ブランチを介して電源線WL1との接続を行うようにする。以下、電源バンプと電源線との接続のバリエーションについて図3〜図7を用いて説明する。
図3は、電源バンプBP1の最も基本的な構成を示しており、バンプ本体BBから互いに反対の方向に2本のブランチBRが延在する構成を示している。ブランチBRは、バンプ本体BBと同じ材質の導体で構成され、また、電源線WL1と同じレイヤに配設されている。
図4は、図3に示す基本構成の電源バンプBP1(BP2においても同じ)を用いて、電源線WL1との接続を行う場合の一例を示している。
図4に示す電源バンプBP1は、電源電圧V1が割り付けられるバンプであり、その2つのブランチBRは、ブランチBRより下層に設けられた中継導体層RL1およびRL2にビアコンタクトVH1を介して接続されている。
中継導体層RL1およびRL2は、電源バンプBP1を挟むように平行して配設された電源線WL1に平面視的に直交する方向に延在する導体層であり、中継導体層RL1は、ブランチBRの下部から、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、中継導体層RL2はブランチBRの下部から、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在している。
そして、中継導体層RL1は、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1に電気的にビアコンタクトVH1を介して接続されるが、中継導体層RL2は電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1とは電気的に接続されない構成となっている。これにより、電源バンプBP1に与えられた電源電圧V1を、所定の電源線WL1に供給することができる。
電源電圧の種類がさらに増えた場合はブランチBRの本数を増やすことで対応でき、例えば、図5においてはバンプ本体BBから相異なる3方向にブランチBRが延在した構成を示している。
すなわち、図5に示す電源バンプBP1は、電源電圧V2が割り付けられるバンプであり、その3つのブランチBRは、中継導体層RL1、RL2およびRL3にビアコンタクトVH1を介して接続されている。
中継導体層RL1は、ブランチBRの下部から、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、中継導体層RL2はブランチBRの下部から、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、中継導体層RL3はブランチBRの下部から、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在している。
そして、中継導体層RL2のみが、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1にビアコンタクトVH1を介して電気的に接続される構成となっている。
また、図6に示す電源バンプBP1は、電源電圧V3が割り付けられるバンプであり、バンプ本体BBから相異なる4方向に延在する4つのブランチBRを有し、それぞれ、中継導体層RL1、RL2、RL3およびRL4にビアコンタクトVH1を介して接続されている。
中継導体層RL1は、ブランチBRの下部から、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、中継導体層RL2はブランチBRの下部から、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、中継導体層RL3はブランチBRの下部から、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、中継導体層RL4はブランチBRの下部から、電源電圧V4が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在している。
そして、中継導体層RL3のみが、電源電圧V3が割り付けられる電源線WL1に電気的にビアコンタクトVH1を介して接続される構成となっている。
ここで、図6に示すA−B線での矢視方向の断面構成を図7に示す。図7に示すように、層間絶縁膜ZL1およびZL2が下から順に積層された構成において、層間絶縁膜ZL2上に、電源線WL1およびブランチBRが配設される構成となっている。
電源バンプBP1のバンプ本体BBは、層間絶縁膜ZL1上に配設された第1本体BB1と、第1本体BB1上に配設された第2本体BB2とで構成され、第1本体BB1は、電源線WL1およびブランチBRと同じ材質で、同じ工程により形成される。そして、バンプ本体BBの上部にはバンプ頭部BPHが配設され、このバンプ頭部BPHが、外部の配線等と電気的に接続される。
ブランチBRは層間絶縁膜ZL2を貫通するビアコンタクトVH1を介して中継導体層RL3に電気的に接続され、中継導体層RL3は、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1の下方を通って電源電圧V3が割り付けられる電源線WL1の下部まで延在し、ビアコンタクトVH1を介して電源線WL1に電気的に接続される。
なお、層間絶縁膜ZL2上には絶縁性の保護膜PVが配設されて電源線WL1およびブランチBRが覆われ、バンプ本体BBは保護膜PVを貫通して突出している。
このように、電源バンプBP1およびBP2は、電源線WL1との接続のためのブランチを有し、当該ブランチを介して電源線WL1との接続を行うようにするので、電源バンプBP1およびBP2の配設の自由度が大きくなり、図1を用いて説明したように、電源バンプの配設位置を、予め定めた所定の規則に従って一義的に決定しても、電源線WL1との電気的な接続に支障はきたさない。
また、電源の供給源となる電源バンプBP1およびBP2と、電源供給の幹線となる電源線WL1とを、同一レイヤの配線層で形成することにより、効率的な形成が可能となる。
<4.電源割り付けの具体例>
以上説明した基本動作を踏まえて、電源電圧の割り付け方法の具体例について、図9〜図12を用いて説明する。
<4−1.フロアプラン決定>
まず、図8に示すように、ロジック領域のフロアプランを決定する。フロアプランは、供給されるクロックの種類に合わせてロジック領域を区分する作業であり、例えば、図8では半導体基板上のロジック領域LRを、ドメインD1、D2およびD3の3つに区分するフロアプランを示している。
ここで、ドメインD1およびD2は、それぞれクロックCK1およびCK2が供給される領域であり、ドメインD3は、クロックCK1およびCK2の両方が供給される領域である。
このように、複数のクロックが1つのドメインに供給されることは多々あり、その場合には、複数のクロックが供給されるドメインを別個のドメインとして定義することで、電源電圧の割り付けを単純化することができる。
なお、図8に示す具体例では、クロックCK1およびCK2の2種類であるので、電源電圧はV1およびV2と、それに対応するG1およびG2だけである。そして、クロックCK1が与えられるドメインD1に対応する電源電圧はV1およびG1であり、クロックCK2が与えられるドメインD2に対応する電源電圧はV2およびG2であり、クロックCK1の周波数の方がクロックCK2よりも高い。
<4−2.電源バンプの配設および割り付けの変更>
フロアプランを決定した後、電源バンプの配設および電源電圧の割り付けを行うが、電源バンプへの電源電圧の割り付けは図1を用いて説明した規則に従って行う。
すなわち、図9に示すようにロジック領域LRの全域に渡って、マトリックス状に電源バンプを配設し、そのうち、図に向かって横方向最上段のバンプ配列に、左側から順に電圧V1およびV2を交互に繰り返して割り付け、次の段のバンプ配列に、左側から順に電圧G1およびG2を交互に繰り返して割り付ける。これを縦方向に繰り返すことで、電圧V1およびV2が与えられる複数の電源バンプBP1の横方向の配列と、電圧G1およびG2が与えられる複数の電源バンプBP2の横方向の配列とが、縦方向に交互に繰り返す構成となる。
なお、電源バンプの配設は、ドメイン間の境界上に電源バンプが位置しないようにフロアプランを参照して行うので、全ての電源バンプが必ずしも等間隔になるとは限らない。
電源バンプBP1およびBP2に電源電圧を割り付けた後、フロアプランを参照して割り付けの変更を行う。図9においては、割り付けの変更についても併せて示しており、図9に従って説明すると、ドメインD1においては、当初、電源電圧V2が割り付けられていた電源バンプBP1は、電源電圧V1に割り付けを変更し、電源電圧G2が割り付けられていた電源バンプBP2は、電源電圧G1に割り付けを変更する。
一方、ドメインD2においては、当初、電源電圧V1が割り付けられていた電源バンプBP1は、電源電圧V2に割り付けを変更し、電源電圧G1が割り付けられていた電源バンプBP2は、電源電圧G2に割り付けを変更する。
そして、クロックCK1およびCK2の両方が供給されるドメインD3においては、当初の割り付けを維持することで、電源電圧V1およびV2が割り付けられた電源バンプBP1と、電源電圧G1およびG2が割り付けられた電源バンプBP2とが存在することになる。
<4−3.電源線の配設および割り付けの変更>
電源バンプの電源電圧の割り付けの変更を行った後、電源線の配設および割り付け行うが、電源線へ電源電圧の割り付けは、図2を用いて説明した規則に従って行う。
すなわち、図10に示すように、電源バンプBP1およびBP2に電気的に接続される電源線WL1を、電源バンプBP1およびBP2の横方向の配列に平行して複数配設し、電源線WL1に電気的に接続される下層の電源線WL2を、電源線WL1に平面視的に直交するように互いに平行して複数配設する。
そして、電源バンプBP1の配列を挟む最近傍の2つの電源線WL1に電源電圧V1およびV2を割り付け、電源バンプBP2の配列を挟む最近傍の2つの電源線WL1に電源電圧G1およびG2を割り付ける。このパターンを繰り返すことで、ロジック領域LR上の全ての電源線WL1への電源電圧の割り付けを行う。
また、電源線WL2は、電源線WL1に平面視的に直交するように互いに平行して配設する。このとき、電源バンプBP1およびBP2の交互配列の間に2本ずつ対になるように配設する。なお、対となった電源線WL2は、半導体基板上に形成されたゲートアレイに電源を供給する最下層の電源線に電気的に接続され、ゲートアレイのソース・ドレイン層に、電源線WL2から電源電圧が供給される。
そして、左端の電源線WL2の対には、それぞれ電源電圧V1およびG1を割り付け、その次の電源線WL2の対には、それぞれ電源電圧V2およびG2を割り付け、このパターンを繰り返すことで、ロジック領域LR上の全ての電源線WL2への電源電圧の割り付けを行う。
電源線WL1およびWL2に電源電圧を割り付けた後、フロアプランを参照して、電源線WL1およびWL2の切断と、電源電圧の割り付けの変更を行う。図10においては、電源線WL1およびWL2の切断と、割り付けの変更についても併せて示している。
図10に従って一例を説明すると、図中の最上段の電源電圧V2が割り付けられていた電源線WL1は、当該電源線WL1全体がドメインD1上に位置しているので、電源電圧V1に割り付けを変更する。また、最上段から3番目の電源電圧G2が割り付けられていた電源線WL1は、当該電源線WL1全体がドメインD1上に位置しているので、電源電圧G1に割り付けを変更する。
最上段から5番目の電源電圧V2が割り付けられていた電源線WL1は、ドメインD1およびD3上に跨って配設されているので、ドメインD1とドメインD3との境界上で切断し、ドメインD1上に位置する部分は電源電圧V1に割り付けを変更し、ドメインD3上に位置する部分は当初の割り付けを維持する。同様に、最上段から7番目の電源電圧G2が割り付けられていた電源線WL1は、ドメインD1とドメインD3との境界上で切断し、ドメインD1上に位置する部分は電源電圧G1に割り付けを変更し、ドメインD3上に位置する部分は当初の割り付けを維持する。
なお、最上段から6番目の電源電圧V1が割り付けられている電源線WL1は、ドメインD1およびD3上に跨って配設されているが、ドメインD3では電源電圧V1も使用するので、切断の必要はなく、電源電圧の割り付けも変更しない。
また、最上段から9番目の電源電圧V2が割り付けられていた電源線WL1は、ドメインD1およびD2上に跨って配設されているので、ドメインD1とドメインD2との境界上で切断し、ドメインD1上に位置する部分は電源電圧V1に割り付けを変更し、ドメインD2上に位置する部分は当初の割り付けを維持する。このような処置を全ての電源線WL1に対して行う。
また、電源線WL2についても同様の処置を行う。すなわち、図中の左端から3番目および4番目の電源電圧V2およびG2が割り付けられていた2本の電源線WL2は、当該2本の電源線WL2全体がドメインD1上に位置しているので、電源電圧V1およびG1に割り付けを変更する。
また、左端から5番目および6番目の電源電圧V1およびG1が割り付けられていた2本の電源線WL2は、ドメインD1、D3およびD2上に跨って配設されているが、ドメインD3では電源電圧V1も使用するので、ドメインD1とドメインD3との境界上での切断は不要であり、ドメインD3とドメインD2との境界上でのみ切断する。そして、ドメインD1およびD3上に位置する部分は当初の割り付けを維持し、ドメインD2上に位置する部分は電源電圧V2およびG2に割り付けを変更する。このような処置を全ての電源線WL2に対して行う。
なお、以上の処置が終了した後、互いに電源電圧が対応する電源線WL1およびWL2においては、両者が平面視的に直交する部分で、電気的に接続されるように、ビアコンタクトVHを配設する。
電源バンプBP1およびBP2と、電源線WL1との電気的接続は、図3を用いて説明した基本構成の電源バンプBP1(BP2においても同じ)を用いて行えば良い。
ここで、図11に、クロックCK1だけを使用するドメインD1における電源バンプBP1およびBP2の電源線WL1との電気的接続の例を示し、図12にはクロックCK1およびCK2を使用するドメインD3における電源バンプBP1およびBP2の電源線WL1との電気的接続の例を示す。
図11においては、電源バンプBP1は全て電源電圧V1が割り付けられるバンプであり、その2つのブランチBRは、ブランチBRより下層に設けられた中継導体層RL1およびRL2にビアコンタクトVH1を介して接続されている。
なお、電源バンプBP1の配列を挟む2本の電源線WL1は、共に電源電圧V1が割り付けられており、中継導体層RL1およびRL2は、ブランチBRの下部から、上記2本の電源線WL1の下部までそれぞれ延在し、ビアコンタクトVH1を介して電気的に接続されている。
同様に、電源バンプBP2は全て電源電圧G1が割り付けられるバンプであり、その2つのブランチBRは、ブランチBRより下層に設けられた中継導体層RL1およびRL2にビアコンタクトVH1を介して接続されている。
なお、電源バンプBP2の配列を挟む2本の電源線WL1は、共に電源電圧G1が割り付けられており、中継導体層RL1およびRL2は、ブランチBRの下部から、上記2本の電源線WL1の下部までそれぞれ延在し、ビアコンタクトVH1を介して電気的に接続されている。
また、図12においては、電源バンプBP1の配列においては、電源電圧V1が割り付けられたバンプと、電源電圧V2が割り付けられたバンプとが交互に存在しており、電源電圧V1が割り付けられた電源バンプBP1においては、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1の方向に延在する中継導体層RL2は、当該電源線WL1にビアコンタクトVH1を介して電気的に接続されるが、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1の方向に延在する中継導体層RL1は、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1とは電気的に接続されない構成となっている。
電源電圧V2が割り付けられた電源バンプBP1においては、電源電圧V2が割り付けられる電源線WL1の方向に延在する中継導体層RL1は、当該電源線WL1にビアコンタクトVH1を介して電気的に接続されるが、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1の方向に延在する中継導体層RL2は、電源電圧V1が割り付けられる電源線WL1とは電気的に接続されない構成となっている。なお、電源バンプBP2においても同様であり、電源電圧G1が割り付けられるバンプと、電源電圧G2が割り付けられるバンプとでは、中継導体層RL1およびRL2と電源線WL1との接続関係が異なっている。
これらにより、電源バンプBP1に与えられた電源電圧V1およびV2を、所定の電源線WL1に、電源バンプBP2に与えられた電源電圧G1およびG2を、所定の電源線WL1に供給することができる。
<5.作用効果>
以上説明したように、電源バンプへの電源電圧の割り付けを、予め設定した簡単な規則に従って行い、その後、フロアプランに基づいて各ドメインで使用される電源電圧に対応するように割り付けを変更する。
そして、電源線を予め設定した簡単な規則に従って配設するとともに、電源電圧の割り付けを行い、その後、フロアプランに基づいて、複数のドメイン上に跨っている電源線であって、かつ、当該電源線に割り付けられた電源電圧が、複数のドメインのそれぞれで使用される電源電圧に共通する電圧でない場合は、ドメインとドメインとの境界上で電源線を切断して、それぞれのドメインに固有の電源線となるように複数に分割する。
そして、必要に応じて、分割後の電源線の電源電圧の割り付けを変更することで、複数のクロックを使用するドメインには、各クロックに対応した電源電圧が過不足なく割り付けられ、また、単一のクロックを使用するドメインには、そのクロックに対応した電源電圧のみが供給されることになる。この結果、クロックの種類に対応した電源供給が可能になるとともに、各ドメインにおいて電源バンプの有効利用が可能となり、電圧供給能力が強化される。
また、異なるドメインのそれぞれに、独立して電源電圧を供給することが可能となるので、クロックジッタを抑制して、ロジックの動作速度の低下を防止した半導体装置を得ることができる。
また、電源バンプに電気的に接続される電源線については、高い周波数のクロックが与えられるドメインに対応する電源電圧を供給する電源線ほど電源バンプに近く配設するように配設規則を定めるので、電源バンプから電源線までの距離が短く、電源バンプと電源線との間に電流が流れることで生じる電源電圧の降下を最小限に抑えることができる。
また、クロックごとに電源を完全に分離することで、クロックが非同期で動作することに起因する電源ノイズやクロックジッタの発生を抑制することができ、回路の誤動作や転送におけるタイミングのマージンを確保することができる。
<6.変形例>
なお、以上説明した実施の形態においては、各ドメインのロジックの規模N(V1)、N(V2)・・・N(Vn)がほぼ等しいとして説明したが、ロジックの規模大きな差があるときは、各ドメインの消費電力P(V1)、P(V2)・・・P(Vn)は、そのクロック周波数に関係なく、そのロジック規模に比例することになる。
その場合は、ロジック規模の大小関係N(V1)>N(V2)>・・・>N(Vn)を満たすように、電源バンプおよび電源線への電源電圧の割り付けの変更処置を行っても良い。
この結果、電源バンプに電気的に接続される電源線は、ロジック規模(消費電力)が大きいドメインに電源電圧を供給する電源線ほど、電源バンプに近く配設されるので、電源バンプから電源線までの距離が短く、電源バンプと電源線との間に電流が流れることで生じる電源電圧の降下を最小限に抑えることができる。
また、以上説明した実施の形態においては、電源線WL1を電源線WL2よりも上層に配設した例を示したが、電源線WL1およびWL2の上下関係を逆転させた構成としても良い。この場合、電源線WL2から最下層の電源線WL3までの距離が長くなることを除けば、発明の作用効果に変わりはない。
<7.活性領域の電気的分離>
電源線WL1およびWL2の電源電圧の割り付けの変更については、図10を用いて要点を説明したが、半導体基板上に形成されたゲートアレイに電源を供給する最下層の電源線についても同様に電源電圧の割り付けの変更を行う。
これに際して、例えば、図10に示したドメインD1とD2のように、異なるクロックが使用されるドメインにおいては、使用する電源電圧が異なるので、半導体基板を介して電源どうしが干渉することを防ぐため、半導体基板の表面内に形成されるドメインD1とD2との活性領域間を電気的に分離する。
このためには、ドメインD1とD2との境界に対応する部分に絶縁層を設けても良いが、先に説明したように、半導体基板上にはゲートアレイが配設されるので、ゲートアレイ構造を利用しても良い。
<7−1.ドメイン境界部の平面構成>
図13は、ドメインD1とD2の電気的な分離を、ゲートアレイレベルで説明する平面図であり、ドメインD1におけるゲートアレイ構造を図13に向かって左側に示し、ドメインD2におけるゲートアレイ構造を図13に向かって右側に示している。
図13のドメインD1およびD2においては、並列して配設された複数の電源線WL3の間の半導体基板の表面内に、p型不純物を有するウエル領域PWおよびn型不純物を有するウエル領域NWとで構成される活性領域AR1あるいはAR2を有している。ウエル領域PWにはNチャネルMOSトランジスタが形成され、ウエル領域NWにはPチャネルMOSトランジスタが形成される。
なお、ゲートアレイ構造とは、正確には活性領域AR1あるいはAR2上に、ゲート電極がアレイ状に複数配列されたものを言うが、その構造は周知であるので、説明は省略し、活性領域AR1およびAR2と、電源線WL3の交互配列をゲートアレイ構造として説明する。
ドメインD1において、複数の電源線WL3は最上段から順に、電源電圧V1、G1、V1、G1およびV1に割り付けられている。これは、ドメインD1が電源電圧V1およびG1だけを使用するからであり、最上段から3番目の電源線WL3は、電源電圧V2からV1に割り付けを変更されており、最上段から4番目の電源線WL3は、電源電圧G2からG1に割り付けを変更されている。
また、最上段の電源線WL3と次の段の電源線WL3との間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域NWおよびPWで構成される活性領域AR1(電源電圧Vが割り付けられた電源線が上側で、電源電圧Gが割り付けられた電源線が下側にある活性領域)が配設されており、最上段から2番目と3番目の電源線WL3の間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域PWおよびNWによって構成される活性領域AR2(電源電圧Gが割り付けられた電源線が上側で、電源電圧Vが割り付けられた電源線が下側にある活性領域)が配設されている。なお、活性領域AR1およびAR2は交互に配設されている。
ここで、電源電圧Vおよび電圧Gとしては、電源電圧V1、V2および電源電圧G1、G2に相当し、より具体的には、例えばMOSトランジスタのドレイン電源電圧VDDおよびソース電源電圧VSSに対応する。
同様に、ドメインD2において、複数の電源線WL3は最上段から順に、電源電圧V2、G2、V2、G2およびV2に割り付けられている。これは、ドメインD2が電源電圧V2およびG2だけを使用するからであり、最上段の電源線WL3は、電源電圧V1からV2に割り付けを変更されており、最上段から2番目の電源線WL3は、電源電圧G1からG2に割り付けを変更されている。
また、最上段の電源線WL3と次の段の電源線WL3との間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域NWおよびPWで構成される活性領域AR1が配設されており、最上段から2番目と3番目の電源線WL3の間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域PWおよびNWによって構成される活性領域AR2が配設されている。なお、活性領域AR1およびAR2は交互に配設されている。ここで、図中のnおよびpの表記は、それぞれn型不純物およびp型不純物を含む領域であることを示している。
そして、隣り合うドメインD1とD2との間に、両者を電気的に分離する分離セルT1およびT2が交互に複数配設されている。ここがドメインD1とD2との境界部となる。
分離セルT1は、図中の上側から順にウエル領域PWおよびNWが配設されて構成され、分離セルT2は、図中の上側から順にウエル領域NWおよびPWが配設されて構成されている。なお、図中において分離セルT1およびT2の角部には斜線を記しているが、これは分離セルT1およびT2のウエル領域の配列の違いを明示するための便宜的なものである。
図13において、分離セルT1は活性領域AR1に対応して設けられ、分離セルT1のウエル領域の配列と活性領域AR1のウエル領域の配列とは順序が逆転しているので、pnジャンクションによって、ドメインD1およびD2の活性領域AR1間は電気的に分離されることになる。
分離セルT2は活性領域AR2に対応して設けられ、分離セルT2のウエル領域の配列と活性領域AR2のウエル領域の配列とは順序が逆転しているので、pnジャンクションによって、ドメインD1およびD2の活性領域AR2間は電気的に分離されることになる。
なお、分離セルT1およびT2は電源線を有さないので、分離セルT1およびT2を配設することで、ドメインD1とD2との境界部では、電源線WL3が切断されることになる。
また、図10に示したドメインD3のように、複数のクロックを使用するドメインと、ドメインD1のように、単一のクロックを使用するドメインの境界においては、もう少し複雑な構造の分離セルを用いて電気的な分離を行うことになる。
図14は、ドメインD1とD3の電気的な分離を、ゲートアレイレベルで説明する平面図であり、ドメインD1におけるゲートアレイ構造を図14に向かって左側に示し、ドメインD3におけるゲートアレイ構造を図14に向かって右側に示している。
図14のドメインD1およびD3においては、並列して配設された複数の電源線WL3の間に、p型不純物を有するウエル領域PWおよびn型不純物を有するウエル領域NWとで構成される活性領域AR1あるいはAR2を有している。
ドメインD1において、複数の電源線WL3は最上段から順に、電源電圧V1、G1、V1、G1およびV1に割り付けられている。これは、ドメインD1が電源電圧V1およびG1だけを使用するからであり、最上段から3番目の電源線WL3は、電源電圧V2からV1に割り付けを変更されており、最上段から4番目の電源線WL3は、電源電圧G2からG1に割り付けを変更されている。
また、最上段の電源線WL3と次の段の電源線WL3との間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域NWおよびPWで構成される活性領域AR1が配設されており、最上段から2番目と3番目の電源線WL3の間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域PWおよびNWによって構成される活性領域AR2が配設されている。なお、活性領域AR1およびAR2は交互に配設されている。
ドメインD3において、複数の電源線WL3は最上段から順に、電源電圧V1、G1、V2、G2およびV1に割り付けられている。これは、ドメインD3が電源電圧V1およびG1、電源電圧V2およびG2を使用するからである。
なお、ドメインD3の最上段、最上段から2番目および5番目の電源線WL3は、ドメインD1の電源線WL3と電気的に接続されている。
また、ドメインD3の最上段の電源線WL3と次の段の電源線WL3との間、および最上段から3番目と4番目の電源線WL3の間には、図中の上側から順に配設されたウエル領域NWおよびPWで構成される活性領域AR1が配設されている。
そして、隣り合うドメインD1とD3との間に、両者を電気的に分離する分離セルT11、T12、T13およびT14が配列されている。ここがドメインD1とD3との境界部となる。
また、最上段から2番目と3番目の電源線WL3の間には複数の分離セルT13が配列され、最上段から4番目と5番目の電源線WL3の間には複数の分離セルT12が配列されている。
ここで、図15(A)〜図15(D)を用いて、分離セルT11〜T14の平面構成について説明する。
図15(A)に示すように、分離セルT11は、図中の上側から順にウエル領域PWおよびNWが配設されて構成され、ウエル領域PWの外側には電圧Vが割り付けられる電源線WL31を有し、ウエル領域NWの外側には電圧Gが割り付けられる電源線WL31を有している。なお、以下においては分離セルT11をVG付き分離セルと呼称する場合もある。
図15(B)に示す分離セルT12は、図中の上側から順にウエル領域NWおよびPWが配設されて構成され、ウエル領域PWの外側には電圧Vが割り付けられる電源線WL31を有している。なお、以下においては分離セルT12をV付き分離セルと呼称する場合もある。
図15(C)に示す分離セルT13は、図中の上側から順にウエル領域NWおよびPWが配設されて構成され、ウエル領域NWの外側には電圧Gが割り付けられる電源線WL31を有している。なお、以下においては分離セルT13をG付き分離セルと呼称する場合もある。
図15(D)に示す分離セルT14は、図中の上側から順にウエル領域PWおよびNWが配設されて構成されている。なお、以下においては分離セルT14をVGなし分離セルと呼称する場合もある。
なお、図中において分離セルT11〜T14の角部には斜線を記しているが、これは分離セルT11〜T14のウエル領域の配列の違いを明示するための便宜的なものである。
再び、図14の説明に戻ると、ドメインD1とD3との境界部には、上から順に、分離セルT11、T13、T14およびT12が配設されている。
図15を用いて説明したように、分離セルT11はウエル領域NWおよびPWの外側(現実には外側上方)に、電源線WL31を有しているので、最上段の活性領域AR1の間に配設することで、ドメインD1およびD3の活性領域AR1間が電気的に分離されるとともに、最上段の電源線WL3および次の段の電源線WL3が電源線WL31によって、ドメインD1とD3に実質的に跨るようになる。
分離セルT13はウエル領域NWの外側(現実には外側上方)に、電源線WL31を有しているので、ドメインD1の最上段から2番目の活性領域AR2の隣に配設することで、ドメインD1の活性領域AR2が電気的に分離される。
また、最上段から2番目と3番目の電源線WL3の間に複数の分離セルT13を連続して配列することで、最上段から2番目の電源線WL3が電源線WL31によって、ドメインD1とD3に実質的に跨るようになる。
分離セルT14は、電源線WL31を有さないので、最上段から3番目の活性領域AR1の間に配設することで、ドメインD1およびD3の活性領域AR1間が電気的に分離されることになる。
分離セルT12は、ウエル領域PWの外側(現実には外側上方)に、電源線WL31を有しているので、ドメインD1の最上段から4番目の活性領域AR2の隣に配設することで、ドメインD1の活性領域AR2が電気的に分離されるとともに、最上段から5番目の電源線WL3が電源線WL31によって、ドメインD1とD3に実質的に跨るようになる。
また、最上段から4番目と5番目の電源線WL3の間に複数の分離セルT12を連続して配列することで、最上段から5番目の電源線WL3が電源線WL31によって、ドメインD1とD3に実質的に跨るようになる。
<7−2.活性領域の電気的分離処理のフロー>
次に、以上説明した活性領域の電気的分離処理のフローについて、図16〜図18に示すフローチャートを用いて説明する。なお、図16〜図18において、記号(1)、(2)で示す部分は互いに接続関係にあることを示している。
まず、図16に示すステップS11において、フロアプランを参照してドメイン間の境界部を特定する。
次に、ドメイン間の境界部上に位置する、最下層の電源線を切断する(ステップS12)。
次に、切断した最下層の電源線について、電源電圧の割り付けを変更する(ステップS13)。なお、割り付けの変更については、図10を用いて説明した電源線WL1およびWL2への割り付けの変更の手法を用いる。
次に、最下層の電源線で挟まれた活性領域がタイプ1であるか、あるいはタイプ2であるかについて判断する(ステップS14)。タイプ1の活性領域とは、先に説明した活性領域AR1、すなわち電源電圧Vが割り付けられた電源線が上側で、電源電圧Gが割り付けられた電源線が下側にある活性領域であり、タイプ2の活性領域とは、先に説明した活性領域AR2、すなわち電源電圧Gが割り付けられた電源線が上側で、電源電圧Vが割り付けられた電源線が下側にある活性領域である。
ステップS14において、タイプ1であると判断された場合は、タイプ1の電気的に分離に対応する分離セル、例えば、図14に示す分離セルT11を準備する(ステップS15)。
なお、ステップS14において、タイプ2であると判断された場合は、タイプ2の電気的に分離に対応する分離セル、例えば、図14に示す分離セルT12を準備する(ステップS16)。なお、図13においては、分離セルT1およびT2のみを使用して分離する例を示しており、ステップS11〜S16の動作で、配置を完了するが、図14に示す場合に対応するには、以下のステップを実行することになる。
すなわち、ステップS17において、分離セルの配置位置が境界部か否かについて判断を行い、境界部である場合は、図17に示すステップS18以降の場合分けに従って、配置するセルを選択する。また、分離セルの配置位置が境界部でない場合、すなわち、複数のクロックを使用し、複数の電源電圧が必要となるドメインにおいて、電源電圧が異なる活性領域間に分離セルを配設する場合には、図18に示すステップS26以降の場合分けに従って、配置するセルを選択する。
すなわち、分離セルの配置位置が境界部である場合、図17に示すステップS18において、境界部を挟む2つのドメインの比較対象となるそれぞれの活性領域において、当該活性領域を挟む電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が対応関係にあり(V/Gが対応関係にあり)、かつ、2つのドメインにおいて、比較対象となる活性領域を挟む2つの電源線への電源電圧の割り付けに変更が加えられていない(V/Gの変更なし)と判断された場合は、図15に示す分離セルT11(VG付き分離セル)を、比較対象となる2つの活性領域の境界部に配設する(ステップS19)。これは、図14に示す分離セルT11の配設に対応する。
また、ステップS20において、境界部を挟む2つのドメインの比較対象となるそれぞれの活性領域において、当該活性領域を挟む電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が対応関係にあり(V/Gが対応関係にあり)、かつ、2つのドメインの何れかにおいて、比較対象となる活性領域を挟む2つの電源線への電源電圧の割り付けに変更が加えられている(V/Gともに変更あり)と判断された場合は、図15に示す分離セルT14(VGなし分離セル)を、比較対象となる2つの活性領域の境界部に配設する(ステップS21)。これは、図14に示す分離セルT14の配設に対応する。
また、ステップS22において、境界部を挟む2つのドメインの比較対象となるそれぞれの活性領域において、当該活性領域を挟む電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が対応関係になく(V/Gが対応関係になく)、かつ、2つのドメインの何れかにおいて、比較対象となる活性領域を挟む2つの電源線のうち、電源電圧Vを割り付ける方において、電源電圧の割り付けに変更が加えられている(Vのみ変更あり)と判断された場合は、図15に示す分離セルT13(G付き分離セル)を、比較対象となる2つの活性領域の境界部に配設する(ステップS23)。これは、図14に示す分離セルT13の配設に対応する。
また、ステップS24において、境界部を挟む2つのドメインの比較対象となるそれぞれの活性領域において、当該活性領域を挟む電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が対応関係になく(V/Gが対応関係になく)、かつ、2つのドメインの何れかにおいて、比較対象となる活性領域を挟む2つの電源線のうち、電源電圧Gを割り付ける方において、電源電圧の割り付けに変更が加えられている(Gのみ変更あり)と判断された場合は、図15に示す分離セルT12(V付き分離セル)を、比較対象となる2つの活性領域の境界部に配設する(ステップS25)。これは、図14に示す分離セルT12の配設に対応する。
なお、以上の説明において、V/Gが対応関係にあるとは、例えば、一方の電源線には電源電圧V1が割り付けられ、他方には電源電圧G1が割り付けられている状態であり、V/Gが対応関係にないとは、例えば、一方の電源線には電源電圧G1が割り付けられ、他方には電源電圧V2が割り付けられている状態である。
分離セルの配置位置が境界部でない場合、すなわち分離セルをドメイン内の活性領域間の電気的分離に用いる場合、図18に示すステップS26において、処理対象となる活性領域を挟む電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が、対応関係にある(V/Gが対応関係にある)と判断された場合は、当該活性領域に通常のゲートアレイを配設する(ステップS27)。
また、ステップS28において、処理対象となる活性領域を挟む、電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が対応関係になく(V/Gが対応関係になく)、かつ、処理対象となる活性領域を挟む2つの電源線のうち、電源電圧Vを割り付ける方において、電源電圧の割り付けに変更が加えられている(Vのみ変更あり)と判断された場合は、図15に示す分離セルT13(G付き分離セル)を、処理対象となる活性領域の代わりに配設する(ステップS29)。これは、図14に示す分離セルT13の連続配設に対応する。
また、ステップS30において、処理対象となる活性領域を挟む、電源電圧Vが割り付けられた電源線と電源電圧Gが割り付けられた電源線が対応関係になく(V/Gが対応関係になく)、かつ、処理対象となる活性領域を挟む2つの電源線のうち、電源電圧Gを割り付ける方において、電源電圧の割り付けに変更が加えられている(Gのみ変更あり)と判断された場合は、図15に示す分離セルT12(V付き分離セル)を、処理対象となる活性領域の代わりに配設する(ステップS31)。これは、図14に示す分離セルT12の連続配設に対応する。
以上のステップS11〜S31を実行することで、図14に示すように、複数のクロックを使用するドメインD3と、単一のクロックを使用するドメインD1との電気的分離が達成されるとともに、ドメインD3における活性領域間の電気的分離も達成される。