JP5126617B2 - 半導体装置及び接続部材 - Google Patents

Description

本発明は、少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板と、前記半導体素子と前記導体板とを電気的に接続する接続部材と、を備えた半導体装置に関する。また、少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板とを電気的に接続する接続部材に関する。

近年、省エネルギや環境負荷軽減の観点から、回転電機（モータやジェネレータ）を駆動力源として備えたハイブリッド車両や電動車両が注目されている。このようなハイブリッド車両や電動車両においては、インバータ装置（半導体装置の一種）により回転電機を流れる電流が制御される。ここで、当該インバータ装置にはＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子（半導体素子の一種）が備えられ、当該スイッチング素子によりバッテリからの直流電力を交流電力に変換して回転電機に供給し、或いは回転電機からの交流電力を直流電力に変換してバッテリに供給する。車載用のインバータ装置においては、回転電機による出力の向上を図るため、大電力化に対する要求が大きくなってきている。また、スイッチング素子に大電流が流れるとその分だけ発熱量も大きくなるため、スイッチング素子の保護を適切に図るべく放熱性能に対する要求も大きくなってきている。

インバータ装置により大容量の電流が流れるのを可能とすると共に放熱効果を上昇させるための一つの方策として、スイッチング素子を流れる電流の通電経路を、バスバー（導体板）を用いて構成することが提案されている。このようなバスバーを用いて構成された半導体装置が、例えば下記の特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された半導体装置では、図１１に示すように、少なくとも一つの半導体素子１０１が搭載されると共に、半導体素子１０１の上面に接合された金属板１０２と、当該金属板１０２に接合され半導体装置の通電経路となる導体板１０３と、を備えている。そして、導体板１０３と金属板１０２とが、半導体素子１０１の直上以外の部分でレーザ溶接により接合されている。

これにより、半導体素子１０１を流れる電流の通電経路の一部を例えば金属性ワイヤによるボンディングにより構成した場合と比較して、大電力化及び放熱効果の上昇を図ることが可能となっている。また、導体板１０３と金属板１０２とを半導体素子１０３の直上以外の部分で接合することにより、レーザ溶接を行う際に、仮に金属板１０２におけるレーザ接合部に貫通孔が生成してしまったとしても、レーザ光が直接的に半導体素子１０１に照射されることが抑制され、半導体素子１０１が熱ダメージを受けることが抑制されている。

特開２００８−０９８５８６号公報

しかし、通電経路の一部を単純にバスバー（導体板）を用いて構成しただけでは、半導体素子に流れる電流の大容量化を図れるとは限らない。すなわち、バスバー（導体板）と金属板との間を流れる電流容量はレーザ溶接のスポット点数（スポット面積）に応じて決まるため、電流容量を大きく確保しようとすれば、上記スポット点数（スポット面積）を増加させる必要があると言える。この点、特許文献１に記載された半導体装置では、バスバー（導体板）と金属板とが半導体素子の直上部分を避けてレーザ溶接により接合されるため、スポット点数（スポット面積）を増加させようとすれば、半導体素子の上面側から見た平面視で半導体素子が占める領域とは重複しない部分を占めることになるレーザ接合部の領域が大きくなる。その結果、半導体装置全体が大型化してしまうという問題があった。

なお、半導体装置全体の大型化を抑制するべく、単純に半導体素子の直上部分でのレーザ溶接による接合を許容した場合には、上述したような半導体素子に対する熱ダメージの抑制効果を得ることができない。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、小型化及び通電量の大容量化を図ることができると共に、半導体素子に対するダメージの抑制を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。また、そのような半導体装置を容易に具現化することができる電気的な接続部材を提供することを目的とする。

この目的を達成するための、本発明に係る少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板と、前記半導体素子と前記導体板とを電気的に接続する接続部材と、を備えた半導体装置の特徴構成は、前記接続部材は、前記導体板に対して略平行に接する板状の導体接続部と、前記半導体素子における前記導体接続部側の面に略平行に接する板状の素子接続部と、を備え、前記導体板に直交する方向である第一方向から見た平面視で、前記導体接続部と前記素子接続部とが互いに重複する重複領域を有し、前記重複領域内で、前記導体板と前記導体接続部とがレーザ溶接により接合され、前記第一方向に直交する方向であって前記導体接続部へ向かって延びる前記導体板の延在方向が第二方向であり、前記接続部材と前記導体板とは、前記第一方向及び前記第二方向の双方に直交する第三方向の幅が等しく構成されている点にある。

上記の特徴構成によれば、接続部材を構成する導体接続部と素子接続部とが、導体板に直交する方向から見た平面視で互いに重複する重複領域を有するので、当該重複領域内で導体板と導体接続部とがレーザ溶接により接合される際に、素子接続部がレーザ接合部位と半導体素子との間を遮蔽する機能を果たすことになる。よって、レーザ溶接時に仮に導体接続部に貫通孔が生成してしまったとしても、導体接続部を貫通したレーザ光が素子接続部により遮蔽されて半導体素子に直接照射されることが抑制される。また、レーザ溶接時の放射熱が半導体素子に伝導されるのを抑制することができる。これにより、半導体素子が熱ダメージを受けるのを抑制することができる。

また、導体板に直交する方向から見た平面視で半導体素子と重複する領域であっても、重複領域内では半導体素子への熱ダメージをほとんど懸念することなく導体板と導体接続部とをレーザ溶接により接合することができるので、レーザ溶接のためのスペースを別途確保する必要がなく、例えば半導体素子の直上以外の部分で導体板と導体接続部とが接合される場合と比較して、装置全体の小型化を図ることができる。更に、重複領域内ではレーザ溶接のスポット点数（スポット面積）を比較的自由に増加させることができるので、接続部材を介した導体板と半導体素子との間の通電量を大きく確保することができる。

従って、上記の特徴構成によれば、小型化及び通電量の大容量化を図ることができると共に、半導体素子に対するダメージの抑制を図ることができる半導体装置を提供することができる。

また、前記接続部材は、前記導体接続部と前記素子接続部とを連結する連結部を更に備え、前記導体接続部と前記素子接続部とが互いに略平行に配置されると共に、前記連結部が前記第一方向に弾性変形可能とされている構成とすると好適である。

この構成によれば、導体接続部と素子接続部とを連結する連結部が弾性変形可能とされているので、互いに略平行に配置される導体接続部と素子接続部との間の位置関係を、それらに直交する方向に相対変位可能とすることができる。よって、半導体装置の組み付けの際に、半導体素子と導体板との間の距離が多少のバラツキを有していたとしても、導体接続部と素子接続部との間の位置関係を変位させることで上記バラツキを吸収することができる。
また、半導体装置が、例えば振動の多い場所で用いられる場合にも、同様に導体接続部と素子接続部との間の位置関係を変位させることで上記振動を吸収して、導体接続部と導体板との間の接合箇所、及び素子接続部と半導体素子との間の接続箇所に加わる応力を低減させることができる。よって、接続部材を介した導体板と半導体素子との間の電気的接続を適切に維持することができるので、そのような振動の多い場所で用いられる場合にも、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

ここで、前記接続部材は、板状部材を断面略Ｕ字状に屈曲形成した形状を有し、互いに略平行な二つの面のうちの一方が前記導体接続部とされ、他方が前記素子接続部とされている構成とすると好適である。

なお、「略Ｕ字状」は、互いに略平行な二辺の一方の端部が曲線又は直線で構成される他の一辺により接続されて、全体的に見ておよそＵ字型に形成されていることを意味する。その際、全体的に見ておよそＵ字型となっていれば、丸みを帯びたり角張ったり、或いはその他の形状を有したりしていても良いものとする。

この構成によれば、接続部材を断面略Ｕ字状に屈曲形成することにより簡易に重複領域を生じさせることができる。また、その際、屈曲させて折り返す分の長さを調整することで、必要に応じた重複領域の面積を適切に確保することができる。よって、半導体装置全体の小型化と通電量の大容量化とのバランスを取りつつ、これらのメリットを享受することができる。

また、前記接続部材は、板状部材を断面略Ｚ字状に屈曲形成した形状を有し、互いに略平行な二つの面のうちの一方が前記導体接続部とされ、他方が前記素子接続部とされている構成とすると好適である。

なお、「略Ｚ字状」は、互いに略平行な二辺のうちの一方の一端と他方の他端とが曲線又は直線で構成される他の一辺により接続されて、全体的に見ておよそＺ字型に形成されていることを意味する。その際、全体的に見ておよそＺ字型となっていれば、丸みを帯びたり角張ったり、或いはその他の形状を有したりしていても良いものとする。

この構成によれば、接続部材を断面略Ｚ字状に屈曲形成することにより簡易に重複領域を生じさせることができる。また、その際、概ね二回屈曲させて折り返す分のそれぞれの長さを調整することで、必要に応じた重複領域の面積を適切に確保することができる。よって、半導体装置全体の小型化と通電量の大容量化とのバランスを取りつつ、これらのメリットを享受することができる。
更に、この構成では、接続部材のうち導体接続部と素子接続部とを連結する部位が重複領域全体に亘って延在することになる。そのため、重複領域内で導体板と導体接続部とがレーザ溶接により接合される際に、素子接続部に加えて当該連結部位もがレーザ接合部位と半導体素子との間を遮蔽する機能を果たすことになる。また、断面略Ｚ字状とすることで接続部材の長さが長くなるので、接続部材の表面積を大きくして放熱効果を上昇させることができる。更に、この場合において、板厚を同等とした場合には接続部材の熱容量が増大するので当該接続部材を介した半導体素子への熱伝導を抑制することができる。従って、半導体素子が熱ダメージを受けることをより一層効果的に抑制することができる。或いは、遮蔽性を確保しつつ、板厚を薄くして軽量化を図ることができる。

また、複数の前記半導体素子を備えると共に、前記接続部材は二つの前記半導体素子を共通に前記導体板に接続するように構成され、前記接続部材が二つの前記半導体素子にそれぞれ接する二つの前記素子接続部を備えると共に、前記導体接続部が二つの前記素子接続部の間に介在され、当該二つの前記素子接続部を一体的に連結している構成とすると好適である。

この構成によれば、導体板に直交する方向から見た平面視で導体接続部と二つの素子接続部とがそれぞれ重複する二つの重複領域で、半導体素子への熱ダメージをほとんど懸念することなく導体板と導体接続部とをレーザ溶接により接合することができる。よって、二つの半導体素子の間の距離を短縮化することができ、半導体装置全体のより一層の小型化を図ることができる。
また、一つの接続部材を用いて導体板と二つの半導体素子と同時に接続することができるので、構造が簡素化されると共に製造性も良好なものとなる。

本発明に係る少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板とを電気的に接続する接続部材の特徴構成は、前記導体板に対して略平行に接してレーザ溶接により接合される板状の導体接続部と、前記半導体素子における前記導体接続部側の面に略平行に接する板状の素子接続部と、を備え、前記導体接続部に直交する方向である第一方向から見た平面視で、前記導体接続部と前記素子接続部とが互いに重複する重複領域を有し、前記導体接続部が前記導体板に接合された状態で、前記第一方向に直交する方向であって前記導体接続部へ向かって延びる前記導体板の延在方向が第二方向であり、前記第一方向及び前記第二方向の双方に直交する方向が第三方向であり、前記接続部材の前記第三方向の幅が、前記導体板の前記第三方向の幅に等しく構成されている点にある。

上記の特徴構成によれば、導体接続部と素子接続部とが、導体接続部に直交する方向から見た平面視で互いに重複する重複領域を有するので、導体板と導体接続部とをレーザ溶接により接合させる際に、当該重複領域内でレーザ溶接させることにより、素子接続部にレーザ接合部位と半導体素子との間を遮蔽する機能を持たせることができる。よって、レーザ溶接時に仮に導体接続部に貫通孔が生成してしまったとしても、導体接続部を貫通したレーザ光が素子接続部により遮蔽されて半導体素子に直接照射されることが抑制される。また、レーザ溶接時の放射熱が半導体素子に伝導されるのを抑制することができる。これにより、半導体素子が熱ダメージを受けるのを抑制することができる。

また、重複領域内で導体板と導体接続部、及び半導体素子と素子接続部とを接続させることにより、コンパクトに導体板と半導体素子とを電気的に接続させることができる。更に、重複領域内ではレーザ溶接のスポット点数（スポット面積）を比較的自由に増加させることができるので、導体板と半導体素子との間の通電量を大きく確保させることができる。

従って、上記の特徴構成によれば、小型化及び通電量の大容量化を図ることができると共に、半導体素子に対するダメージの抑制を図ることができる半導体装置を、容易に実現することができる接続部材を提供することができる。

第一の実施形態に係るインバータ装置の回路構成を模式的に示すブロック図である。 第一の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 第一の実施形態に係るスイッチングモジュールの平面図である。 第一の実施形態に係るスイッチングモジュールの斜視図である。 第二の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 第三の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 その他の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 その他の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 その他の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 その他の実施形態に係るスイッチングモジュールの断面図である。 従来技術を示す図である。

〔第一の実施形態〕
本発明の第一の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態においては、本発明に係る半導体装置を、回転電機３を制御するためのインバータ装置７を構成するスイッチングモジュール８に適用した場合を例として説明する。本実施形態では、インバータ装置７は、電動車両やハイブリッド車両に備えられた回転電機３の制御のために用いられている。なお、回転電機３は、電力の供給を受けて動力を発生するモータ（電動機）としての機能と、動力の供給を受けて電力を発生するジェネレータ（発電機）としての双方の機能を果たすことが可能とされている。

１．インバータ装置の概略構成
まず、インバータ装置７の概略構成について説明する。図１は、本実施形態に係るインバータ装置７の回路構成を模式的に示すブロック図である。図１に示すように、このインバータ回路は、回転電機３の駆動用の回路となっている。本実施形態では、回転電機３は、三相交流で駆動される構成となっており、このインバータ回路はブリッジ回路により構成されている。つまり、電源電圧となる正極Ｐ側とグランドとなる負極Ｎ側との間に二つのスイッチング素子１１が直列に接続され、この直列回路が３回線並列に接続されている。なお、回転電機３のステータコイルＵ相、Ｖ相、Ｗ相のそれぞれに一組のスイッチング素子１１の直列回路が対応している。

図１において、
符号１１ａは、Ｕ相の上段側スイッチング素子であり、
符号１１ｂは、Ｖ相の上段側スイッチング素子であり、
符号１１ｃは、Ｗ相の上段側スイッチング素子であり、
符号１１ｄは、Ｕ相の下段側スイッチング素子であり、
符号１１ｅは、Ｖ相の下段側スイッチング素子であり、
符号１１ｆは、Ｗ相の下段側スイッチング素子である。
これらのスイッチング素子１１ａ〜１１ｆとしては、ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）やＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）等を適用すると好適である。本例では、ＩＧＢＴを用いた場合の例を示している。

図１に示すように、各相の上段側スイッチング素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃのコレクタは正極Ｐ側に接続され、エミッタは各相の下段側スイッチング素子１１ｄ、１１ｅ、１１ｆのコレクタに接続されている。また、各相の下段側スイッチング素子１１ｄ、１１ｅ、１１ｆのエミッタは、負極Ｎ側に接続されている。各スイッチング素子１１ａ〜１１ｆのゲートは図示しない制御ユニットに接続されており、それぞれ個別にスイッチング制御される。すなわち、制御ユニットは、これらスイッチング素子１１ａ〜１１ｆを、回転電機３に要求される要求回転速度及び要求トルクに基づいてＰＷＭ制御することで、回転電機３に三相の交流電力を供給する。これにより、回転電機３を要求回転速度及び要求トルクに応じて力行させる。一方、回転電機３が発電機として機能し、回転電機側から電力の供給を受ける場合には、制御ユニットは、発電された交流を直流に変換するように各スイッチング素子１１ａ〜１１ｆを制御する。

各スイッチング素子１１ａ〜１１ｆのエミッタ−コレクタ間には、ダイオード素子１３が並列接続されている。ここで、ダイオード素子１３は、アノードがスイッチング素子１１ａ〜１１ｆのエミッタに接続され、カソードがスイッチング素子１１ａ〜１１ｆのコレクタに接続されている。ダイオード素子１３はＦＷＤ（Free Wheel Diode）として用いられている。本実施形態においては、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３が本発明における「半導体素子」に相当する。そして、各スイッチング素子１１ａ〜１１ｆと各ダイオード素子１３とが、後述する接続部材３１により電気的に接続されている（図２を参照）。なお、それぞれ対となるスイッチング素子１１とダイオード素子１３とにより、スイッチングモジュール８が構成されている。本実施形態においては、スイッチングモジュール８が本発明における「半導体装置」に相当する。

対となる各相のスイッチング素子（１１ａ、１１ｄ）、（１１ｂ、１１ｅ）、（１１ｃ、１１ｆ）による直列回路の中間点（スイッチング素子の接続点）１２ｕ、１２ｖ、１２ｗは、回転電機３の各相のコイル１５ｕ、１５ｖ、１５ｗにそれぞれ接続されている。ここでは、各スイッチング素子１１ａ〜１１ｆと各ダイオード素子１３とを接続する接続部材３１と、各相のコイル１５ｕ、１５ｖ、１５ｗとが、後述するバスバー２５により電気的に接続されている。本実施形態においては、バスバー２５が本発明における「導体板」に相当する。

２．インバータ装置の具体的構成
次に、インバータ装置７を構成する各スイッチングモジュール８の具体的構成について説明する。図２は、本実施形態に係るスイッチングモジュール８の断面図であり、図３は、本実施形態に係るスイッチングモジュール８の平面図である。また、図４は、本実施形態に係るスイッチングモジュール８の斜視図である。これらの図に示すように、スイッチングモジュール８は、ベースプレート２１と、絶縁基板２３と、半導体素子としてのスイッチング素子１１及びダイオード素子１３と、接続部材３１と、バスバー２５と、を備えている。ベースプレート２１、絶縁基板２３、並びにスイッチング素子１１及びダイオード素子１３は、この順に積層されている。そして、スイッチング素子１１とダイオード素子１３とを電気的に接続するように接続部材３１が配置され、接続部材３１に対して更にバスバー２５が接続されている。このようなスイッチングモジュール８において、本発明は、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３とバスバー２５とを電気的に接続するための接続部材３１の構造、及び当該接続部材３１とバスバー２５との接続構造に特徴を有する。以下、本実施形態に係るスイッチングモジュール８の各部の詳細について説明する。

ベースプレート２１は、絶縁基板２３、並びにスイッチング素子１１及びダイオード素子１３を積層するためのベースとなる板状の部材である。なお、本実施形態では、ベースプレート２１は各スイッチングモジュール８の間で共通化されている。ベースプレート２１は、銅やアルミニウム等の金属材料で形成されている。ベースプレート２１の上面には、板状の絶縁基板２３が載置されている。絶縁基板２３の上下両面には、ＤＢＣ（Direct Bonding Copper）法等により形成された図示しない銅箔が備えられている。絶縁基板２３の下面側の銅箔が半田にてベースプレート２１に固着されることにより、ベースプレート２１上に絶縁基板２３が固着されている。

絶縁基板２３の上面には、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３が載置されている。スイッチング素子１１とダイオード素子１３とは、一つの絶縁基板２３上に互いに隣接して並列配置されている。ここでは、絶縁基板２３の上面側の銅箔に、半田にてスイッチング素子１１及びダイオード素子１３が固着されている。これらのベースプレート２１、絶縁基板２３、並びにスイッチング素子１１及びダイオード素子１３は、互いに略平行な状態で積層されている。なお、以下では、これらの積層方向をＺ軸方向とする。また、スイッチング素子１１からこれに隣接配置されるダイオード素子１３に向かう方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に直交する方向をＹ軸方向とする。

バスバー２５は、導電性を有する板状の部材であり、例えば銅やアルミニウム等の金属材料で構成されている。バスバー２５は、スイッチングモジュール８における電流の通電経路の一部を構成しており、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３を流れる電流の通電経路となっている。本例では、上記のとおりバスバー２５はスイッチング素子１１及びダイオード素子１３と回転電機３の各相のコイル１５ｕ、１５ｖ、１５ｗのいずれかとの間の通電経路となっている。なお、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３と、電源電圧の正極Ｐ側や負極Ｎ側との間の通電経路等に適用しても良い。本実施形態では、バスバー２５は、ベースプレート２１、絶縁基板２３、並びにスイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対して略平行な状態で配置されている。

スイッチング素子１１及びダイオード素子１３とバスバー２５とを電気的に接続するように、接続部材３１が設けられている。接続部材３１は、導電性を有する板状の部材であり、例えば銅やアルミニウム等の金属材料で構成されている。接続部材３１は、バスバー２５に対して接続される導体接続部３３と、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対して接続される素子接続部３５と、導体接続部３３と素子接続部３５とを連結する連結部３７と、を備えて構成されている。本実施形態においては、一つの接続部材３１が、一つのスイッチング素子１１と一つのダイオード素子１３とを共通に一つのバスバー２５に接続するように構成されている。

このような構成を実現するため、本実施形態では接続部材３１は、スイッチング素子１１に対して接続される第一素子接続部３５ａと、ダイオード素子１３に対して接続される第二素子接続部３５ｂと、を備えると共に、第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂの間に介在され、当該二つの素子接続部３５ａ、３５ｂを一体的に連結する導体接続部３３を備えている。また、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａとが第一連結部３７ａにより連結され、導体接続部３３と第二素子接続部３５ｂとが第二連結部３７ｂにより連結されている。本例では、接続部材３１は一つの略一定幅の帯状の板状部材を屈曲形成することにより形成されている。そして、導体接続部３３、第一素子接続部３５ａ、第二素子接続部３５ｂ、第一連結部３７ａ、及び第二連結部３７ｂが一体となって接続部材３１が構成されている。

導体接続部３３は、その上面がバスバー２５の下面に対して略平行に接するように配置されてバスバー２５に接続されている。また、第一素子接続部３５ａは、その下面がスイッチング素子１１の上面に対して略平行に接するように配置されてスイッチング素子１１に接続されている。同様に、第二素子接続部３５ｂは、その下面がダイオード素子１３の上面に対して略平行に接するように配置されてダイオード素子１３に接続されている。なお、導体接続部３３とバスバー２５とはレーザ溶接により接合される。詳細については後述する。また、第一素子接続部３５ａとスイッチング素子１１、及び第二素子接続部３５ｂとダイオード素子１３とは半田にて固着される。

ここで、本実施形態においては、接続部材３１は、各素子１１、１３に対応する部分において、Ｙ軸に直交する面における断面形状が略Ｕ字状に屈曲形成された形状を有して構成されている。本例では、連結部３７ａ、３７ｂは直線状の断面形状を有しており、接続部材３１の断面形状は角張ったＵ字状（略コ字状）とされている。そして、バスバー２５とスイッチング素子１１及びダイオード素子１３とが互いに略平行に配置されるのに対応して、導体接続部３３と素子接続部３５も互いに略平行となるように配置されている。本例では、接続部材３１のうち、バスバー２５とスイッチング素子１１とを接続する部位、及びバスバー２５とダイオード素子１３とを接続する部位、の双方が略Ｕ字状の断面形状を有している。なお、接続部材３１は、Ｙ軸方向には一定の幅を有して構成されている。本例では、接続部材３１とバスバー２５とは、Ｙ軸方向の幅が等しく設定されている。

具体的には、接続部材３１のうち、バスバー２５とスイッチング素子１１とを接続する部位では、互いに略平行に配置される導体接続部３３及び第一素子接続部３５ａが、Ｘ軸方向の一方側（図２における左側）でそれぞれの端部がＸ軸方向の位置を揃えて配置されると共に、それぞれのＸ軸方向の一方側の端部どうしが第一連結部３７ａによりＺ軸方向に連結されて、略Ｕ字状の断面形状を形成している。また、接続部材３１のうち、バスバー２５とダイオード素子１３とを接続する部位では、互いに略平行に配置される導体接続部３３及び第二素子接続部３５ｂが、Ｘ軸方向の他方側（図２における右側）でそれぞれの端部がＸ軸方向の位置を揃えて配置されると共に、それぞれのＸ軸方向の他方側の端部どうしが第二連結部３７ｂによりＺ軸方向に連結されて、略Ｕ字状の断面形状を形成している。なお、上記のとおり導体接続部３３は二つの素子接続部３５ａ、３５ｂを一体的に連結しており、接続部材３１の断面形状は、全体として導体接続部３３のＸ軸方向の両端からそれぞれ略Ｕ字状に折り返した形状とされている。

このような形状を有して構成された接続部材３１では、図２〜図４に示すように、バスバー２５及び導体接続部３３に直交する方向（Ｚ軸方向）から見た平面視で、導体接続部３３と素子接続部３５とが互いに重複する重複領域Ｄを有している。本例では、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａ、及び導体接続部３３と第二素子接続部３５ｂとが、互いに重複する重複領域Ｄをそれぞれ有している。

そして、当該重複領域Ｄ内で、バスバー２５と導体接続部３３とが、レーザ溶接により接合されている。レーザ溶接は、導体接続部３３と素子接続部３５ａ、３５ｂとの重複領域Ｄに対して、バスバー２５の上面側からＺ軸方向にレーザ光Ｌを照射することにより行う。このようなレーザ溶接に用いるレーザとしては、例えばＹＡＧレーザ、ＣＯ_２レーザ、半導体レーザ等の溶接用のレーザを利用することができる。本例ではＹＡＧレーザが用いられている。レーザ溶接では、エネルギ密度の高い熱源を利用して極小スポットを短時間で集中的に加熱することで、熱影響範囲を狭く抑えて歪みの少ない溶接を行うことができる。レーザ溶接により、バスバー２５と導体接続部３３とが複数の溶融スポット４１を介して接合される。なお、溶融スポット４１の数、及びそれに伴う溶融スポット４１の総面積に応じて、バスバー２５と接続部材３１との間を流れる電流の最大容量が定まる。

ところで、本実施形態に係るスイッチングモジュール８を備えたインバータ装置７のように、車両に搭載されて用いられる場合には、振動に対する強度を高く確保するために強固に接合されると共に、小型化及び軽量化が図られていることが望ましい。そのため、接続部材３１が本実施形態のように板状部材で形成されると共に、バスバー２５と接続部材３１の導体接続部３３とに跨って形成される溶融スポット４１が導体接続部３３に深く喰い込むようにレーザ光Ｌの強度及び照射時間が設定される場合がある。このような場合にあっては、バスバー２５や接続部材３１の製造上のバラツキ等に起因して、レーザ光Ｌが導体接続部３３を完全に貫通してスイッチング素子１１やダイオード素子１３側に照射されてしまう場合がある。スイッチング素子１１やダイオード素子１３にレーザ光Ｌが直接照射されると、スイッチング素子１１やダイオード素子１３が熱ダメージを受ける可能性がある。

この点、本実施形態に係るスイッチングモジュール８では、接続部材３１の断面形状が、全体として導体接続部３３のＸ軸方向の両端からそれぞれ略Ｕ字状に折り返した形状とされ、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａ、及び導体接続部３３と第二素子接続部３５ｂとが、互いに重複する重複領域Ｄをそれぞれ有している。そして、当該重複領域Ｄ内で、バスバー２５と導体接続部３３とがレーザ溶接により接合されている。そのため、バスバー２５の上面側からＺ軸方向にレーザ光Ｌを照射してレーザ溶接を行う際に、仮にレーザ光Ｌが導体接続部３３を完全に貫通してしまったとしても、第一素子接続部３５ａ又は第二素子接続部３５ｂがスイッチング素子１１及びダイオード素子１３へのレーザ光Ｌの直接の照射を遮蔽する。よって、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３が熱ダメージを受けるのを抑制することができる。

また、第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂは、バスバー２５と導体接続部３３とがレーザ溶接により接合される際の放射熱がスイッチング素子１１及びダイオード素子１３側へ伝導されるのを遮蔽するようにも機能する。よって、この点からもスイッチング素子１１及びダイオード素子１３が熱ダメージを受けるのを抑制することができる。つまり、Ｚ軸方向から見た平面視で導体接続部３３と重複する素子接続部３５ａ、３５ｂが、レーザ光Ｌ及び放射熱に対する遮蔽手段として機能することにより、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対する直接的及び間接的な熱ダメージの双方が抑制されている。

また、重複領域Ｄ内であれば、第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂによりスイッチング素子１１及びダイオード素子１３へのレーザ光Ｌの直接の照射が遮蔽されるので、Ｚ軸方向から見た平面視でスイッチング素子１１及びダイオード素子１３と重複する領域であってもバスバー２５と導体接続部３３とをレーザ溶接により接合することができる。よって、レーザ溶接のためのスペースを別途確保する必要がないので、例えば従来技術を表した図１１に示すように、スイッチング素子やダイオード素子等の半導体素子１０１の直上以外の部分で導体板１０３と金属板１０２とが接続される場合と比較して、Ｘ軸方向におけるスイッチング素子１１とダイオード素子１３との間の距離を短縮化することができる。よって、スイッチングモジュール８を小型化することができ、その結果インバータ装置７全体も小型化することができる。

更に、重複領域Ｄ内であれば、レーザ溶接による溶接スポット４１の数（溶接スポット４１の総面積）を比較的自由に設定することができるので、これらを大きく確保することにより、接続部材３１を介したバスバー２５とスイッチング素子１１及びダイオード素子１３との間の通電量の大容量化を図ることができる。なお、重複領域Ｄの大きさは、導体接続部３３や第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂのＸ軸方向に沿った長さを適宜変更することにより調整することが可能である。或いは、これらのＹ軸方向の幅を適宜変更することによっても調整することができる。

〔第二の実施形態〕
本発明の第二の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態においても、本発明を、回転電機３を制御するためのインバータ装置７を構成するスイッチングモジュール８に適用している。図５は、本実施形態に係るスイッチングモジュール８の断面図である。本実施形態に係るスイッチングモジュール８は、接続部材３１の構造が上記第一の実施形態と一部相違している。それ以外の構成に関しては、基本的には上記第一の実施形態と同様である。以下では、本実施形態に係るスイッチングモジュール８について、上記第一の実施形態との相違点を中心に説明する。なお、特に明記しない点については、上記第一の実施形態と同様とする。

本実施形態においては、接続部材３１は、各素子１１、１３に対応する部分において、Ｙ軸に直交する面における断面形状が略Ｚ字状に屈曲形成された形状を有して構成されている。そして、バスバー２５とスイッチング素子１１及びダイオード素子１３とが互いに略平行に配置されるのに対応して、導体接続部３３と素子接続部３５も互いに略平行となるように配置されている。本例では、接続部材３１のうち、バスバー２５とスイッチング素子１１とを接続する部位、及びバスバー２５とダイオード素子１３とを接続する部位、の双方が略Ｚ字状の断面形状を有している。

具体的には、接続部材３１のうち、バスバー２５とスイッチング素子１１とを接続する部位では、互いに略平行に配置される導体接続部３３及び第一素子接続部３５ａが、Ｘ軸方向の一方側（図５における左側）でそれぞれの端部がＸ軸方向の位置を揃えて配置されている。そして、導体接続部３３におけるＸ軸方向の一方側の端部と第一素子接続部３５ａにおけるＸ軸方向の他方側（図５における右側）の端部とが第一連結部３７ａにより斜め方向に連結されて、略Ｚ字状の断面形状を形成している。また、接続部材３１のうち、バスバー２５とダイオード素子１３とを接続する部位では、互いに略平行に配置される導体接続部３３及び第二素子接続部３５ｂが、Ｘ軸方向の他方側でそれぞれの端部がＸ軸方向の位置を揃えて配置されている。そして、導体接続部３３におけるＸ軸方向の他方側の端部と第二素子接続部３５ｂにおけるＸ軸方向の一方側の端部とが第二連結部３７ｂにより斜め方向に連結されて、略Ｚ字状の断面形状を形成している。なお、導体接続部３３は二つの素子接続部３５ａ、３５ｂを一体的に連結しており、接続部材３１の断面形状は、全体として導体接続部３３のＸ軸方向の両端からそれぞれ略Ｚ字状に折り返した形状とされている。

このような形状を有して構成された接続部材３１でも、図５に示すように、バスバー２５及び導体接続部３３に直交する方向（Ｚ軸方向）から見た平面視で、導体接続部３３と素子接続部３５ａ、３５ｂとが互いに重複する重複領域Ｄをそれぞれ有している。そして、当該重複領域Ｄ内で、バスバー２５と導体接続部３３とが、レーザ溶接により接合されている。

本実施形態に係るスイッチングモジュール８では、接続部材３１を構成する第一連結部３７ａ及び第二連結部３７ｂが重複領域Ｄ全体に亘って延在している。そのため、本実施形態においては、素子接続部３５ａ、３５ｂに加えて更に連結部３７ａ、３７ｂもがレーザ光Ｌ及び放射熱に対する遮蔽手段として機能する。従って、上記第一の実施形態における場合と比較して、スイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対する直接的及び間接的な熱ダメージの双方が、更に効果的に抑制されている。なお、導体接続部３３及び素子接続部３５ａ、３５ｂのＸ軸方向の長さが等しいという条件の下では、本実施形態では上記第一の実施形態と比べて接続部材３１全体の長さが長くなる。よって、接続部材３１の熱容量が大きくなるので、接続部材３１を介してスイッチング素子１１及びダイオード素子１３に伝導される熱量を減少させることができる。また、接続部材３１の表面積が大きくなるので、放熱性も向上する。従って、この点からもスイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対する熱ダメージを抑制することができる。なお、遮蔽性を確保しつつ、接続部材３１の板厚を薄くして軽量化を図ることもできる。

また、本実施形態に係る接続部材３１の構造では、各屈曲部における屈曲角度を変角させることにより、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂとが略平行な状態を維持したままで、これらの間の相対的な位置関係が弾性的に変化可能である。よって、製造上の誤差によりスイッチング素子１１やダイオード素子１３とバスバー２５との間の距離が多少のバラツキ（公差）を有していたとしても、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂとの間の位置関係を変位させることで、当該バラツキ（公差）を吸収することができる。また、本実施形態に係るスイッチングモジュール８を備えたインバータ装置７のように、車両に搭載されて振動が生じやすい場所で用いられることが多い場合にも、当該振動を吸収して、導体接続部３３とバスバー２５との間の接合箇所、第一素子接続部３５ａとスイッチング素子１１との間の接合箇所、及び第二素子接続部３５ｂとダイオード素子１３との間の接続箇所、に加わる応力を低減させることができる。よって、そのような振動の多い場所で用いられる場合にも、これらの間の電気的接続を適切に維持することができる。このようにして、スイッチングモジュール８を備えたインバータ装置７の信頼性の向上が図られている。

〔第三の実施形態〕
本発明の第三の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態においても、本発明を、回転電機３を制御するためのインバータ装置７を構成するスイッチングモジュール８に適用している。図６は、本実施形態に係るスイッチングモジュール８の断面図である。本実施形態に係るスイッチングモジュール８は、接続部材３１の構造が上記第一及び第二の実施形態と一部相違している。それ以外の構成に関しては、基本的には上記第一及び第二の実施形態と同様である。以下では、本実施形態に係るスイッチングモジュール８について、上記第一及び第二の実施形態との相違点を中心に説明する。なお、特に明記しない点については、上記第一及び第二の実施形態と同様とする。

本実施形態においては、接続部材３１を構成する導体接続部３３と素子接続部３５ａ、３５ｂとが互いに略平行に配置されると共に、連結部３７ａ、３７ｂが導体接続部３３及び素子接続部３５ａ、３５ｂに直交する方向（Ｚ軸方向）に弾性変形可能とされている。より具体的には、連結部３７ａ、３７ｂは、導体接続部３３におけるＸ軸方向の両端部からそれぞれ内側に向かって（互いに近接する方向に）湾曲した断面形状を有して構成されている。このときの導体接続部３３と連結部３７ａ、３７ｂとの間の屈曲角、及び素子接続部３５ａ、３５ｂと連結部３７ａ、３７ｂとの間の屈曲角は、例えば３０〜６０°等とすると好適である。図示の例では、それぞれ約４５°とされている。このような形状を有する連結部３７ａ、３７ｂは、Ｚ軸方向に加わる応力を弾性変形により吸収することができる。

すなわち、本実施形態に係る接続部材３１の構造では、連結部３７ａ、３７ｂ自体を弾性変形させることにより、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂとが略平行な状態を維持したままで、これらの間の相対的な位置関係が変化可能である。よって、本実施形態に係るスイッチングモジュール８でも、導体接続部３３と第一素子接続部３５ａ及び第二素子接続部３５ｂとの間の位置関係を変位させることで、スイッチング素子１１やダイオード素子１３とバスバー２５との間の距離のバラツキ（公差）を吸収することができる。また、スイッチングモジュール８に伝わる振動を吸収して、導体接続部３３とバスバー２５との間の接合箇所、第一素子接続部３５ａとスイッチング素子１１との間の接合箇所、及び第二素子接続部３５ｂとダイオード素子１３との間の接続箇所、に加わる応力を低減させることができる。よって、振動の多い場所で用いられる場合にも、これらの間の電気的接続を適切に維持することができるので、スイッチングモジュール８を備えたインバータ装置７の信頼性を向上させることができる。

〔その他の実施形態〕
（１）上記第一の実施形態においては、接続部材３１が、Ｙ軸に直交する面における断面形状が略Ｕ字状に屈曲形成された形状を有して構成されている場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、例えば図７に示すように、接続部材３１が、Ｘ軸に直交する面における断面形状が略Ｕ字状に屈曲形成された形状を有する構成とすることも、本発明の好適な実施形態の一つである。この場合において、第一連結部３７ａと第二連結部３７ｂとは、Ｙ軸方向において同じ位置に配置されてもいて良いし、異なる位置に配置されていても良い。図７には、第一連結部３７ａは導体接続部３３及びスイッチング素子１１のＹ軸方向の一方側（図７（ｂ）における右側）の端部でこれらを連結し、第二連結部３７ｂは導体接続部３３及びダイオード素子１３のＹ軸方向の他方側（図７（ｂ）における左側）の端部でこれらを連結することにより、これらが異なる位置に配置されている場合の例を示している。

（２）上記第二の実施形態においては、接続部材３１が、Ｙ軸に直交する面における断面形状が略Ｚ字状に屈曲形成された形状を有して構成されている場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、例えば図８に示すように、接続部材３１が、Ｘ軸に直交する面における断面形状が略Ｚ字状に屈曲形成された形状を有する構成とすることも、本発明の好適な実施形態の一つである。この場合において、第一連結部３７ａと第二連結部３７ｂとは、法線ベクトルが同じ方向を向くように配置されていても良いし、異なる方向を向くように配置されていても良い。図８には、第一連結部３７ａは導体接続部３３のＹ軸方向の他方側（図８（ｂ）における左側）の端部とスイッチング素子１１のＹ軸方向の一方側（図８（ｂ）における右側）の端部とを連結し、第二連結部３７ｂは導体接続部３３のＹ軸方向の一方側の端部とダイオード素子１３のＹ軸方向の他方側の端部とを連結することにより、これらの法線ベクトルが異なる方向を向くように配置されている場合の例を示している。

（３）上記第一の実施形態においては、接続部材３１が、Ｙ軸に直交する面における断面形状が角張ったＵ字状（略コ字状）に屈曲形成された形状を有して構成されている場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、例えば図９に示すように、接続部材３１が、Ｙ軸に直交する面における断面形状が丸みを帯びたＵ字状に屈曲形成された形状を有する構成とすることも、本発明の好適な実施形態の一つである。上記第二の実施形態についても同様であり、例えば接続部材３１が、Ｙ軸に直交する面における断面形状が丸みを帯びたＺ字状に屈曲形成された形状を有する構成とすることも、本発明の好適な実施形態の一つである。これらの場合には、上記第三の実施形態の場合と同様の公差吸収効果及び振動吸収効果を得ることができる。

（４）上記第三の実施形態においては、接続部材３１の連結部３７ａ、３７ｂが、導体接続部３３におけるＸ軸方向の両端部からそれぞれ内側に向かって湾曲する断面形状を有して構成されることにより、これらがＺ軸方向に弾性変形可能とされている場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、例えば連結部３７ａ、３７ｂとしてコイルバネを用いることにより、これらがＺ軸方向に弾性変形可能とされた構成とすることも、本発明の好適な実施形態の一つである。

（５）上記の各実施形態においては、接続部材３１が第一素子接続部３５ａと第二素子接続部３５ｂとを備えると共に、当該二つの素子接続部３５ａ、３５ｂを一体的に連結する導体接続部３３を備え、一つの接続部材３１が一つのスイッチング素子１１と一つのダイオード素子１３とを共通に一つのバスバー２５に接続するように構成されている場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、例えば図１０に示すように、スイッチング素子１１とダイオード素子１３とが、それぞれ個別の接続部材３１によりバスバー２５に電気的に接続された構成とすることも、本発明の好適な実施形態の一つである。なお、図１０には、個別の接続部材３１が、Ｙ軸に直交する面における断面形状が角型パイプ状の形状を有して構成されている場合の例を示しているが、これ以外にも、個別の接続部材３１を、上記の各実施形態において例示したような各種の形状を有して構成することも当然に可能である。

（６）上記の各実施形態においては、スイッチングモジュール８に備えられた接続部材３１の具体的形状をそれぞれ例示して説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、導体接続部３３と素子接続部３５ａ、３５ｂとが、バスバー２５及び導体接続部３３に直交する方向（Ｚ軸方向）から見て重複する重複領域Ｄを有していれば、導体接続部３３と素子接続部３５ａ、３５ｂとを連結する連結部３７ａ、３７ｂが配置される位置及びその形状は任意とすることができる。

（７）上記の各実施形態においては、バスバー２５が、ベースプレート２１上に積層される絶縁基板２３、並びにスイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対して略平行な状態で配置されている場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、ベースプレート２１上に積層される絶縁基板２３、並びにスイッチング素子１１及びダイオード素子１３に対して、バスバー２５が傾斜した状態で配置されていても良い。この場合であっても、導体接続部３３は、その上面がバスバー２５の下面に対して略平行に接するように配置されてバスバー２５に接続される。また、第一素子接続部３５ａは、その下面がスイッチング素子１１の上面に対して略平行に接するように配置されてスイッチング素子１１に接続され、第二素子接続部３５ｂは、その下面がダイオード素子１３の上面に対して略平行に接するように配置されてダイオード素子１３に接続される。

（８）上記の各実施形態においては、本発明を、ハイブリッド車両に備えられた回転電機３を制御するためのインバータ装置７を構成するスイッチングモジュール８に適用した場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、例えば電動車両に備えられた回転電機を制御するためのインバータ装置にも、本発明を適用することができる。また、車両用に限らず、例えば定置型のエア・コンディショナー設備等に備えられる回転電機を制御するためのインバータ装置等にも、本発明を適用することができる。

（９）上記の各実施形態においては、本発明を半導体素子としてのＩＧＢＴ及びＦＷＤを備えたスイッチングモジュール８に適用した場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、半導体素子として例えばＭＯＳＦＥＴやＧＴＯ（Gate Turn-Off thyristor）等のその他の素子を備えた、あらゆる半導体装置に本発明を適用することが可能である。

本発明は、例えば回転電機を制御するためのインバータ装置等、少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板と、前記半導体素子と前記導体板とを電気的に接続する接続部材と、を備えた半導体装置に好適に利用することができる。

８ スイッチングモジュール（半導体装置）
１１ スイッチング素子（半導体素子）
１３ ダイオード素子（半導体素子）
２５ バスバー（導体板）
３１ 接続部材
３３ 導体接続部
３５ 素子接続部
３５ａ 第一素子接続部（素子接続部）
３５ｂ 第二素子接続部（素子接続部）
３７ 連結部
３７ａ 第一連結部（連結部）
３７ｂ 第二連結部（連結部）
Ｄ 重複領域

Claims (6)

1. 少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板と、前記半導体素子と前記導体板とを電気的に接続する接続部材と、を備えた半導体装置であって、
   前記接続部材は、前記導体板に対して略平行に接する板状の導体接続部と、前記半導体素子における前記導体接続部側の面に略平行に接する板状の素子接続部と、を備え、
   前記導体板に直交する方向である第一方向から見た平面視で、前記導体接続部と前記素子接続部とが互いに重複する重複領域を有し、
   前記重複領域内で、前記導体板と前記導体接続部とがレーザ溶接により接合され、
   前記第一方向に直交する方向であって前記導体接続部へ向かって延びる前記導体板の延在方向が第二方向であり、
   前記接続部材と前記導体板とは、前記第一方向及び前記第二方向の双方に直交する第三方向の幅が等しく構成されている半導体装置。
2. 前記接続部材は、前記導体接続部と前記素子接続部とを連結する連結部を更に備え、
   前記導体接続部と前記素子接続部とが互いに略平行に配置されると共に、前記連結部が前記第一方向に弾性変形可能とされている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記接続部材は、板状部材を断面略Ｕ字状に屈曲形成した形状を有し、互いに略平行な二つの面のうちの一方が前記導体接続部とされ、他方が前記素子接続部とされている請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記接続部材は、板状部材を断面略Ｚ字状に屈曲形成した形状を有し、互いに略平行な二つの面のうちの一方が前記導体接続部とされ、他方が前記素子接続部とされている請求項１又は２に記載の半導体装置。
5. 複数の前記半導体素子を備えると共に、前記接続部材は二つの前記半導体素子を共通に前記導体板に接続するように構成され、
   前記接続部材が二つの前記半導体素子にそれぞれ接する二つの前記素子接続部を備えると共に、前記導体接続部が二つの前記素子接続部の間に介在され、当該二つの前記素子接続部を一体的に連結している請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子を流れる電流の通電経路となる導体板とを電気的に接続する接続部材であって、
   前記導体板に対して略平行に接してレーザ溶接により接合される板状の導体接続部と、前記半導体素子における前記導体接続部側の面に略平行に接する板状の素子接続部と、を備え、
   前記導体接続部に直交する方向である第一方向から見た平面視で、前記導体接続部と前記素子接続部とが互いに重複する重複領域を有し、
   前記導体接続部が前記導体板に接合された状態で、前記第一方向に直交する方向であって前記導体接続部へ向かって延びる前記導体板の延在方向が第二方向であり、
   前記第一方向及び前記第二方向の双方に直交する方向が第三方向であり、
   前記接続部材の前記第三方向の幅が、前記導体板の前記第三方向の幅に等しく構成されている接続部材。

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