JP7363682B2

JP7363682B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP7363682B2
Application number: JP2020110671A
Authority: JP
Inventors: 大輔福岡; 領二上瀧
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2020-06-26
Filing date: 2020-06-26
Publication date: 2023-10-18
Anticipated expiration: 2040-06-26
Also published as: JP2022007599A

Description

この明細書における開示は、半導体装置に関する。

特許文献１は、半導体装置を開示する。先行技術文献の記載内容は、この明細書における技術的要素の説明として、参照により援用される。

特開２０１６－１９７７０６号公報

特許文献１では、半導体素子の一面に形成された主電極と放熱部材との間にターミナルが介在している。ターミナル側面の表面には、レーザ光の照射により、表面が連続して凹凸をなす凹凸酸化膜が形成されている。側面において、半導体素子側の端部に凹凸酸化膜は設けることで、封止樹脂体との密着性を高め、主電極の寿命を向上することができる。しかしながら、凹凸酸化膜は、はんだに対する濡れ性が低い。よって、凹凸酸化膜を設けると、主電極に対してターミナルが位置ずれしやすくなり、放熱性が低下する虞がある。上述の観点において、または言及されていない他の観点において、半導体装置にはさらなる改良が求められている。

開示されるひとつの目的は、主電極の寿命を向上しつつ放熱性の低下を抑制できる半導体装置を提供することにある。

ここに開示された半導体装置は、
一面に形成された主電極（３１）を有する半導体素子（３０）と、
半導体素子の生じた熱を外部に放熱する放熱部材（５０）と、
主電極に対向する第１端面（６０ａ）と、放熱部材に対向する第２端面（６０ｂ）と、第１端面および第２端面とに連なる側面（６０ｃ）とを有し、主電極と放熱部材との間に介在するターミナル（６０）と、
主電極とターミナルとの間に接合部を形成するはんだ（９１）と、
半導体素子、放熱部材、ターミナル、およびはんだを一体的に封止する封止樹脂体（２０）と、を備える。

ターミナルは、母材（６３）と、母材の表面に形成された金属膜（６４）と、金属膜の主成分の金属と同じ金属の酸化物であり、表面が連続して凹凸をなす凹凸酸化膜（６５）と、を有し、
側面は、凹凸酸化膜が形成された領域である粗化領域（６１）と、凹凸酸化膜が形成されていない領域である非粗化領域（６２）と、を有し、
側面において半導体素子側の端部の一部分に非粗化領域が設けられ、端部の残りの部分に粗化領域が設けられている。

開示の半導体装置によると、側面の半導体素子側の端部に非粗化領域が設けられている。非粗化領域は、凹凸酸化膜が設けられておらず、これによりはんだに対する濡れ性が粗化領域よりも高い。よって、側面端部の非粗化領域にはんだが濡れ拡がることで、主電極に対するターミナルの位置ずれを抑制し、ひいては放熱性を向上することができる。

また、側面の半導体素子側の端部には、粗化領域も設けられている。粗化領域は、凹凸酸化膜が設けられているため、封止樹脂体との密着力が非粗化領域よりも高い。これにより、主電極の歪を低減し、ひいては主電極の寿命を向上することができる。以上より、主電極の寿命を向上しつつ、放熱性の低下を抑制できる半導体装置を提供することができる。

この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。

第１実施形態に係る半導体装置が適用される電力変換装置の回路図である。半導体装置の平面図である。図２のIII-III線に沿う断面図である。図２のIV-IV線に沿う断面図である。封止樹脂体を省略した平面図である。エミッタ電極側のヒートシンクを省略した平面図である。図６に示すＸ１方向から見たターミナルの平面図である。図７に示すＺ１方向から見たターミナルの平面図である。図６のIX-IX線に沿う断面図である。半導体素子とターミナルとのはんだ接合部を示す平面図である。半導体素子とターミナルとの位置関係を示す平面図である。参考例を示す平面図である。第２実施形態に係る半導体装置において、ターミナルを示す平面図である。ターミナルを示す平面図である。半導体素子とターミナルとのはんだ接合部を示す平面図である。半導体素子とターミナルとの位置関係を示す平面図である。第３実施形態に係る半導体装置において、ターミナルを示す平面図である。ターミナルを示す平面図である。半導体素子とターミナルとのはんだ接合部を示す平面図である。半導体素子とターミナルとの位置関係を示す平面図である。第４実施形態に係る半導体装置において、ターミナルを示す平面図である。変形例を示す平面図である。別の変形例を示す平面図である。別の変形例を示す平面図である。別の変形例を示す平面図である。第５実施形態に係る半導体装置において、パッドの構造を示す平面図である。製造方法を示す図である。

以下、図面に基づいて複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的におよび／または構造的に対応する部分および／または関連付けられる部分には同一の参照符号が付される場合がある。対応する部分および／または関連付けられる部分については、他の実施形態の説明を参照することができる。

（第１実施形態）

本実施形態の半導体装置は、たとえば、回転電機を駆動源とする移動体の電力変換装置に適用される。移動体は、たとえば、電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド自動車（ＨＶ）、燃料電池車（ＦＣＶ）などの電動車両、ドローンなどの飛行体、船舶、建設機械、農業機械である。以下では、車両に適用される例について説明する。

（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、車両の駆動システムの概略構成について説明する。

＜車両の駆動システム＞
図１に示すように、車両の駆動システム１は、直流電源２と、モータジェネレータ３と、電力変換装置４を備えている。

直流電源２は、充放電可能な二次電池で構成された直流電圧源である。二次電池は、たとえばリチウムイオン電池、ニッケル水素電池である。モータジェネレータ３は、三相交流方式の回転電機である。モータジェネレータ３は、車両の走行駆動源、すなわち電動機として機能する。モータジェネレータ３は、回生時に発電機として機能する。電力変換装置４は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で電力変換を行う。

＜電力変換装置＞
次に、図１に基づき、電力変換装置４の回路構成について説明する。電力変換装置４は、平滑コンデンサ５と、インバータ６を備えている。

平滑コンデンサ５は、主として、直流電源２から供給される直流電圧を平滑化する。平滑コンデンサ５は、高電位側の電力ラインであるＰライン７と低電位側の電力ラインであるＮライン８とに接続されている。Ｐライン７は直流電源２の正極に接続され、Ｎライン８は直流電源２の負極に接続されている。平滑コンデンサ５の正極は、直流電源２とインバータ６との間において、Ｐライン７に接続されている。同じく負極は、直流電源２とインバータ６との間において、Ｎライン８に接続されている。平滑コンデンサ５は、直流電源２に並列に接続されている。

インバータ６は、ＤＣ－ＡＣ変換回路である。インバータ６は、図示しない制御回路によるスイッチング制御にしたがって、直流電圧を三相交流電圧に変換し、モータジェネレータ３へ出力する。これにより、モータジェネレータ３は、所定のトルクを発生するように駆動する。インバータ６は、車両の回生制動時、車輪からの回転力を受けてモータジェネレータ３が発電した三相交流電圧を、制御回路によるスイッチング制御にしたがって直流電圧に変換し、Ｐライン７へ出力する。このように、インバータ６は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で双方向の電力変換を行う。

インバータ６は、三相分の上下アーム回路９を備えて構成されている。上下アーム回路９は、レグと称されることがある。上下アーム回路９は、上アーム９Ｈと、下アーム９Ｌをそれぞれ有している。上アーム９Ｈと下アーム９Ｌは、上アーム９ＨをＰライン７側として、Ｐライン７とＮライン８との間で直列接続されている。上アーム９Ｈと下アーム９Ｌとの接続点は、出力ライン１０を介して、モータジェネレータ３における対応する相の巻線３ａに接続されている。インバータ６は、６つのアームを有している。Ｐライン７、Ｎライン８、および出力ライン１０それぞれの少なくとも一部は、たとえばバスバーなどの導電部材により構成されている。

本実施形態では、各アームを構成するスイッチング素子として、ｎチャネル型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１１（以下、ＩＧＢＴ１１と示す）を採用している。ＩＧＢＴ１１のそれぞれには、還流用のダイオード１２（以下、ＦＷＤ１２と示す）が逆並列に接続されている。上アーム９Ｈにおいて、ＩＧＢＴ１１のコレクタが、Ｐライン７に接続されている。下アーム９Ｌにおいて、ＩＧＢＴ１１のエミッタが、Ｎライン８に接続されている。そして、上アーム９ＨにおけるＩＧＢＴ１１のエミッタと、下アーム９ＬにおけるＩＧＢＴ１１のコレクタが相互に接続されている。ＦＷＤ１２のアノードは対応するＩＧＢＴ１１のエミッタに接続され、カソードはコレクタに接続されている。

電力変換装置４は、電力変換回路として、コンバータをさらに備えてもよい。コンバータは、直流電圧を異なる値の直流電圧に変換するＤＣ－ＤＣ変換回路である。コンバータは、直流電源２と平滑コンデンサ５との間に設けられる。コンバータは、たとえばリアクトルと、上記した上下アーム回路９を備えて構成される。この構成によれば、昇降圧が可能である。電力変換装置４は、直流電源２からの電源ノイズを除去するフィルタコンデンサを備えてもよい。フィルタコンデンサは、直流電源２とコンバータとの間に設けられる。

電力変換装置４は、インバータ６などを構成するスイッチング素子の駆動回路を備えてもよい。駆動回路は、制御回路の駆動指令に基づいて、対応するアームのＩＧＢＴ１１のゲートに駆動電圧を供給する。駆動回路は、駆動電圧の印加により、対応するＩＧＢＴ１１を駆動、すなわちオン駆動、オフ駆動させる。駆動回路は、ドライバと称されることがある。

電力変換装置４は、スイッチング素子の制御回路を備えてもよい。制御回路は、ＩＧＢＴ１１を動作させるための駆動指令を生成し、駆動回路に出力する。制御回路は、図示しない上位ＥＣＵから入力されるトルク要求、各種センサにて検出された信号に基づいて、駆動指令を生成する。各種センサとして、たとえば電流センサ、回転角センサ、電圧センサがある。電流センサは、各相の巻線３ａに流れる相電流を検出する。回転角センサは、モータジェネレータ３の回転子の回転角を検出する。電圧センサは、平滑コンデンサ５の両端電圧を検出する。制御回路は、駆動指令として、たとえばＰＷＭ信号を出力する。制御回路は、たとえばマイコン（マイクロコンピュータ）を備えて構成されている。ＥＣＵは、Electronic Control Unitの略称である。ＰＷＭは、Pulse Width Modulationの略称である。

＜半導体装置＞
次に、図２～図６に基づき、半導体装置の概略構成について説明する。図２は、エミッタ電極側から見た半導体装置の平面図である。図３は、図２のIII-III線に沿う断面図である。図４は、図２のIV-IV線に沿う断面図である。図５は、図２に対して封止樹脂体を省略した図である。図６は、図５に対してエミッタ電極側のヒートシンクを省略した図である。図５および図６では、便宜上、タイバーカット前のリードフレームの状態を示している。

以下では、半導体装置を構成する要素の一部について、符号末尾に上アーム９Ｈ側を示す「Ｈ」を付与し、下アーム９Ｌ側を示す「Ｌ」を付与する。要素の他の一部について、便宜上、上アーム９Ｈと下アーム９Ｌとで共通の符号を付与する。

また、半導体素子の板厚方向をＺ方向、Ｚ方向に直交する一方向、具体的には２つの半導体素子の並び方向をＸ方向と示す。Ｚ方向およびＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断わりのない限り、Ｚ方向から平面視した形状、換言すればＸ方向およびＹ方向により規定されるＸＹ面に沿う形状を平面形状とする。Ｚ方向からの平面視を単に平面視と示す。

図２～図６に示すように、半導体装置１５は、封止樹脂体２０と、半導体素子３０と、ヒートシンク４０と、ヒートシンク５０およびターミナル６０と、継手部７０～７２と、主端子８０～８２および信号端子８５を備えている。半導体装置１５は、上記した一相分の上下アーム回路９を構成する。

封止樹脂体２０は、半導体装置１５を構成する他の要素の一部を封止している。他の要素の残りの部分は、封止樹脂体２０の外に露出している。封止樹脂体２０は、たとえばエポキシ系樹脂を材料とする。封止樹脂体２０は、たとえばトランスファモールド法により成形されている。図２～図４に示すように、封止樹脂体２０は平面略矩形状をなしている。封止樹脂体２０は、一面２０ａと、Ｚ方向において一面２０ａとは反対の面である裏面２０ｂを有している。一面２０ａおよび裏面２０ｂは、たとえば平坦面となっている。

半導体素子３０は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンよりもバンドギャップが広いワイドバンドギャップ半導体などを材料とする半導体基板に、素子が形成されてなる。ワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、ダイヤモンドがある。半導体素子３０は、半導体チップと称されることがある。

素子は、Ｚ方向に主電流が流れるように縦型構造をなしている。縦型素子として、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオードなどを採用することができる。本実施形態では、縦型素子として、ひとつのアームを構成するＩＧＢＴ１１およびＦＷＤ１２が形成されている。縦型素子は、ＲＣ（Reverse Conducting）－ＩＧＢＴである。半導体素子３０は、図示しないゲート電極を有している。ゲート電極は、たとえばトレンチ構造をなしている。

半導体素子３０は、自身の板厚方向、すなわちＺ方向における両面に、素子の主電極を有している。具体的には、主電極として、一面側にエミッタ電極３１を有し、裏面側にコレクタ電極３２を有している。エミッタ電極３１は、ＦＷＤ１２のアノード電極を兼ねている。コレクタ電極３２は、ＦＷＤ１２のカソード電極を兼ねている。エミッタ電極３１が、主電極に相当する。

半導体素子３０は、平面略矩形状をなしている。図６に示すように、半導体素子３０は、表面においてエミッタ電極３１とは異なる位置に形成されたパッド３３を有している。エミッタ電極３１およびパッド３３は、半導体基板の一面の図示しない保護膜からそれぞれ露出している。エミッタ電極３１は、半導体素子３０の一面の一部分に形成されている。コレクタ電極３２は、裏面のほぼ全面に形成されている。

パッド３３は、信号用の電極である。パッド３３は、エミッタ電極３１と電気的に分離されている。パッド３３は、Ｙ方向において、エミッタ電極３１の形成領域とは反対側の端部に形成されている。パッド３３は、少なくともゲート電極用のパッドを含む。本実施形態において、半導体素子３０は、５つのパッド３３を有している。具体的には、ゲート電極用、エミッタ電極３１の電位を検出するケルビンエミッタ用、電流センス用、半導体素子３０の温度を検出する感温ダイオードのアノード電位用、同じくカソード電位用を有している。５つのパッド３３は、平面略矩形状の半導体素子３０において、Ｙ方向の一端側にまとめて形成されるとともに、Ｘ方向に並んで形成されている。

半導体装置１５は、２つの半導体素子３０を備えている。具体的には、上アーム９Ｈを構成する半導体素子３０Ｈと、下アーム９Ｌを構成する半導体素子３０Ｌを備えている。半導体素子３０Ｈ、３０Ｌは、互いに同様の構成を有している。半導体素子３０Ｈ、３０Ｌは、Ｘ方向に並んでいる。半導体素子３０Ｈ、３０Ｌは、Ｚ方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。

ヒートシンク４０、５０は、Ｚ方向において半導体素子３０を挟むように配置されている。ヒートシンク４０、５０は、Ｚ方向において互いに対向するように配置されている。ヒートシンク４０、５０は、平面視において半導体素子３０を内包している。ヒートシンク４０、５０は、半導体素子３０の生じた熱を、半導体装置１５の両面側で外部に放熱する。ヒートシンク４０、５０として、たとえばＣｕ、Ｃｕ合金などを材料とする金属板、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板などを採用することができる。ヒートシンク４０、５０は、表面に、ＮｉやＡｕなどのめっき膜を備えてもよい。本実施形態のヒートシンク４０、５０は、Ｃｕを材料とする金属板である。

ヒートシンク４０は、Ｚ方向において半導体素子３０の裏面側に配置され、はんだ９０を介して、コレクタ電極３２に電気的に接続された配線部材である。はんだ９０は、ヒートシンク４０とコレクタ電極３２とを接続（接合）している。ヒートシンク４０は、半導体素子３０との対向面である実装面４０ａと、実装面４０ａとは反対の面である裏面４０ｂを有している。ヒートシンク４０の実装面４０ａと半導体素子３０のコレクタ電極３２との間にはんだ９０が介在し、はんだ接合部が形成されている。

ヒートシンク４０は、リードフレーム８６の一部分として構成されている。ヒートシンク４０は、異形条のリードフレーム８６において厚肉部である。半導体装置１５は、２つのヒートシンク４０をそれぞれ備えている。半導体装置１５は、上アーム９Ｈを構成するヒートシンク４０Ｈと、下アーム９Ｌを構成するヒートシンク４０Ｌをそれぞれ備えている。

図６に示すように、ヒートシンク４０Ｈ、４０Ｌは、平面略矩形状をなしている。ヒートシンク４０Ｈ、４０Ｌは、Ｘ方向に並んでいる。図３および図４に示すように、ヒートシンク４０Ｈ、４０Ｌは、互いにほぼ同じ厚みを有し、Ｚ方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。ヒートシンク４０Ｈの実装面４０ａと半導体素子３０Ｈのコレクタ電極３２との間、および、ヒートシンク４０Ｌの実装面４０ａと半導体素子３０Ｌのコレクタ電極３２との間に、はんだ９０による接合部がそれぞれ形成されている。

ヒートシンク４０Ｈ、４０Ｌは、Ｚ方向からの平面視において、対応する半導体素子３０を内包している。ヒートシンク４０Ｈ、４０Ｌの裏面４０ｂは、封止樹脂体２０から露出している。裏面４０ｂは、放熱面、露出面と称されることがある。裏面４０ｂは、封止樹脂体２０の裏面２０ｂと略面一である。ヒートシンク４０Ｈ、４０Ｌの裏面４０ｂは、Ｘ方向に並んでいる。

ヒートシンク５０は、ターミナル６０を介して、エミッタ電極３１に接続されている。本実施形態のヒートシンク５０は、ターミナル６０を介してエミッタ電極３１に電気的に接続され、エミッタ電極３１の配線部材として機能する。半導体素子３０のエミッタ電極３１とターミナル６０との間にはんだ９１による接合部が形成され、ターミナル６０とヒートシンク５０との間にはんだ９２による接合部が形成されている。ヒートシンク５０が、放熱部材に相当する。

ヒートシンク５０は、半導体素子３０側の面である実装面５０ａと、実装面５０ａとは反対の面である裏面５０ｂを有している。半導体装置１５は、２つのヒートシンク５０をそれぞれ備えている。半導体装置１５は、上アーム９Ｈを構成するヒートシンク５０Ｈと、下アーム９Ｌを構成するヒートシンク５０Ｌをそれぞれ備えている。

図５に示すように、ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌは、平面略矩形状をなしている。ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌは、Ｘ方向に並んでいる。図３および図４に示すように、ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌは、互いにほぼ同じ厚みを有し、Ｚ方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌは、Ｚ方向からの平面視において、対応する半導体素子３０およびターミナル６０を内包している。

ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌの実装面５０ａには、溢れたはんだ９２を収容する溝５１が形成されている。溝５１は、実装面５０ａにおいてはんだ接合部を取り囲んでいる。溝５１は、たとえば環状に形成されている。ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌの裏面５０ｂは、封止樹脂体２０から露出している。裏面５０ｂは、放熱面、露出面と称されることがある。裏面５０ｂは、封止樹脂体２０の一面２０ａと略面一である。ヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌの裏面５０ｂは、Ｘ方向に並んでいる。

ターミナル６０は、半導体素子３０（エミッタ電極３１）とヒートシンク５０との熱伝導経路の途中に位置する。ターミナル６０は、Ｃｕ、Ｃｕ合金などの金属材料を含んでいる。表面に、めっき膜を備えてもよい。ターミナル６０は、平面視においてエミッタ電極３１とほぼ同じ大きさを有する平面略矩形状の柱状体である。ターミナル６０は、Ｚ方向においてエミッタ電極３１と対向する端面６０ａと、ヒートシンク５０と対向する端面６０ｂを有している。ターミナル６０は、金属ブロック体、中継部材と称されることがある。端面６０ａが第１端面に相当し、端面６０ｂが第２端面に相当する。

半導体装置１５は、２つのターミナル６０を備えている。具体的には、上アーム９Ｈを構成するターミナル６０Ｈと、下アーム９Ｌを構成するターミナル６０Ｌを備えている。ターミナル６０Ｈの端面６０ａと半導体素子３０Ｈのエミッタ電極３１との間、および、ターミナル６０Ｌの端面６０ａと半導体素子３０Ｌのエミッタ電極３１との間に、はんだ９１による接合部がそれぞれ形成されている。ヒートシンク５０Ｈの実装面５０ａとターミナル６０Ｈの端面６０ｂとの間、および、ヒートシンク５０Ｌの実装面５０ａとターミナル６０Ｌの端面６０ｂとの間に、はんだ９２による接合部がそれぞれ形成されている。

継手部７０～７２は、上下アーム回路９を構成する要素間をつないでいる。継手部は、半導体装置１５を構成する要素間をつないでいる。図３および図６に示すように、継手部７０は、ヒートシンク４０Ｌに連なっている。継手部７０の厚みは、ヒートシンク４０Ｌよりも薄い。継手部７０は、ヒートシンク４０Ｌに対して、実装面４０ａと略面一の状態で、ヒートシンク４０Ｈ側の面に連なっている。継手部７０は、２つの屈曲部を有することで、ＺＸ平面において略クランク状をなしている。継手部７０は、封止樹脂体２０によって覆われている。継手部７０は、ヒートシンク４０Ｌに対して一体的に設けられることで連なってもよいし、別部材として設けられ、接続により連なってもよい。本実施形態において、継手部７０は、リードフレーム９６の一部として、ヒートシンク４０Ｌと一体的に設けられている。

図３および図５に示すように、継手部７１、７２は、対応するヒートシンク５０に連なっている。継手部７１は、ヒートシンク５０Ｈに連なっている。継手部７２は、ヒートシンク５０Ｌに連なっている。継手部７１、７２の厚みは、対応するヒートシンク５０よりも薄い。継手部７１、７２は、封止樹脂体２０によって覆われている。継手部７１、７２は、ヒートシンク５０に対して一体的に設けられることで連なってもよいし、別部材として設けられ、接続により連なってもよい。本実施形態において、継手部７１、７２は、対応するヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌに対して一体的に設けられている。継手部７１、７２は、２つのヒートシンク５０Ｈ、５０Ｌにおいて、互いに対向する側面からＸ方向に延設されている。

継手部７１を含むヒートシンク５０Ｈと、継手部７２を含むヒートシンク５０Ｌとが共通部材となっている。継手部７１を含むヒートシンク５０Ｈと、継手部７２を含むヒートシンク５０Ｌとの配置は、Ｚ軸を回転軸とする２回対称となっている。継手部７０と継手部７１との対向面間にはんだ９３が介在し、はんだ接合部が形成されている。

継手部７１の接合面には、溢れたはんだ９３を収容する溝７３が形成されている。溝７３は、はんだ接合部を取り囲むように環状に形成されている。同様に、継手部７２の接合面にも、溢れたはんだを収容する溝７３が形成されている。本実施形態において、溝７３がプレス加工により形成されている。このため、継手部７１、７２は、溝７３の裏面側に凸部７４を有している。

主端子８０～８２および信号端子８５は、外部接続端子である。主端子８０、８１は、電源端子である。主端子８０は、平滑コンデンサ５の正極端子に電気的に接続される。主端子８１は、平滑コンデンサ５の負極端子に電気的に接続される。主端子８０は、Ｐ端子、高電位電源端子と称されることがある。主端子８１は、Ｎ端子、低電位電源端子と称されることがある。

図５および図６に示すように、主端子８０は、ヒートシンク４０ＨにおけるＹ方向の一端に連なっている。主端子８０の厚みは、ヒートシンク４０Ｈよりも薄い。主端子８０は、実装面４０ａと略面一でヒートシンク４０Ｈに連なっている。主端子８０は、ヒートシンク４０ＨからＹ方向に延設され、封止樹脂体２０の側面２０ｃから外部に突出している。側面２０ｃは、一面２０ａと裏面２０ｂとをつなぐ面である。主端子８０は、封止樹脂体２０により覆われる部分の途中に屈曲部を有し、側面２０ｃにおいてＺ方向の中央付近から突出している。

図４および図５に示すように、主端子８１は、継手部７２に接続されている。主端子８１と継手部７２との対向面間にはんだ９４が介在し、はんだ接合部が形成されている。主端子８１は、Ｙ方向に延設されて、主端子８０と同じ側面２０ｃから封止樹脂体２０の外に突出している。なお、本実施形態のはんだ９０～９４は、たとえば、Ｓｎの他に、Ｃｕ、Ｎｉなどを含む多元系の鉛フリーはんだである。

主端子８１は、Ｙ方向の一端付近に継手部７２との接続部８１ａを有している。主端子８１のうち、接続部８１ａを含む一部分が封止樹脂体２０により覆われ、残りの部分が封止樹脂体２０から突出している。接続部８１ａは、封止樹脂体２０から突出した部分よりも板厚が厚い。接続部８１ａの板厚は、たとえばヒートシンク４０とほぼ同じ厚みである。主端子８１も、主端子同様に屈曲部を有し、側面２０ｃにおいてＺ方向の中央付近から突出している。

主端子８２は、上アーム９Ｈと下アーム９Ｌとの接続点に接続されている。主端子８２は、モータジェネレータ３の対応する相の巻線３ａ（固定子コイル）に電気的に接続される。主端子８２は、出力端子、交流端子、Ｏ端子と称されることがある。主端子８２は、ヒートシンク４０ＬにおけるＹ方向の一端に連なっている。主端子８２の厚みは、ヒートシンク４０Ｌよりも薄い。主端子８２は、実装面４０ａと略面一でヒートシンク４０Ｌに連なっている。主端子８２は、ヒートシンク４０ＬからＹ方向に延設され、主端子８０と同じ側面２０ｃから封止樹脂体２０の外に突出している。主端子８２も、主端子８０同様に屈曲部を有し、側面２０ｃにおいてＺ方向の中央付近から突出している。３本の主端子８０～８２は、Ｘ方向において主端子８０、主端子８１、主端子８２の順に配置されている。

信号端子８５は、対応する半導体素子３０のパッド３３に電気的に接続されている。本実施形態では、ボンディングワイヤ９５を介して電気的に接続されている。信号端子８５は、Ｙ方向に延設されており、封止樹脂体２０の側面２０ｄから外部に突出している。側面２０ｄは、Ｙ方向において側面２０ｃとは反対の面である。本実施形態では、ひとつの半導体素子３０に対して５本の信号端子８５が設けられている。

なお、図２、図５、および図６に示す符号９７は、吊りリードである。ヒートシンク４０（４０Ｈ、４０Ｌ）と、継手部７０と、主端子８０～８２と、信号端子８５は、共通部材であるリードフレーム９６に構成されている。このリードフレーム９６は部分的に厚みが異なる異形条である。信号端子８５は、カット前の状態で、タイバー９８を介して吊りリード９７に接続される。複数の信号端子８５は、タイバー９８のカットにより、互いに電気的に分離されている。複数の主端子８０～８２も、タイバー９８のカットにより、互いに電気的に分離されている。タイバー９８など、リードフレーム９６の不要部分は、封止樹脂体２０の成形後にカット（除去）されている。

上記したように、半導体装置１５では、封止樹脂体２０によって一相分の上下アーム回路９を構成する複数の半導体素子３０が封止されている。封止樹脂体２０は、複数の半導体素子３０、ヒートシンク４０それぞれの一部、ヒートシンク５０それぞれの一部、ターミナル６０、継手部７０～７２、主端子８０～８２および信号端子８５それぞれの一部を、一体的に封止している。

Ｚ方向において、ヒートシンク４０、５０の間に、半導体素子３０が配置されている。これにより、半導体素子３０の熱を、Ｚ方向において両側に放熱することができる。半導体装置１５は、両面放熱構造をなしている。ヒートシンク４０の裏面４０ｂは、封止樹脂体２０の裏面２０ｂと略面一となっている。ヒートシンク５０の裏面５０ｂは、封止樹脂体２０の一面２０ａと略面一となっている。裏面４０ｂ、５０ｂが露出面であるため、放熱性を高めることができる。

＜ターミナル＞
次に、図７～図９に基づき、ターミナルについて説明する。図７は、ターミナルを図６に示すＸ１方向から見た平面図である。すなわち、ターミナルの側面図である。図８は、ターミナルを図７に示すＺ１方向、すなわち半導体素子側から見た平面図である。図８では、便宜上、側面において半導体素子側の端部付近の粗化領域のみを図示している。図８では、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。図９は、図７のIX-IX線に沿う断面図である。図７～図９では、上アーム側のターミナルについて例示するが、下アーム側のターミナルも同様の構成を有している。

図７および図８に示すように、ターミナル６０（ターミナル６０Ｈ）は、端面６０ａ、６０ｂをつなぐ側面６０ｃを有している。側面６０ｃは、端面６０ａおよび端面６０ｂに連なっている。上記したように、本実施形態のターミナル６０は、平面略矩形状の柱状体である。側面６０ｃは、４つの平面部６００、６０１、６０２、６０３と、４つの角部６０４、６０５、６０６、６０７を有している。平面部６００～６０３は、平面視において矩形状の辺に相当するため、辺部と称されることがある。平面部６００、６０１はＸ方向において両端に設けられており、平面部６０２、６０３はＹ方向において両端に設けられている。平面部６０３が、パッド３３側の面である。

角部６０４～６０７は、隣り合う平面部の間に設けられている。角部６０４は平面部６００、６０２の間に設けられ、角部６０５は平面部６００、６０３の間に設けられている。角部６０６は平面部６０１、６０２の間に設けられ、角部６０７は平面部６０１、６０３の間に設けられている。本実施形態の角部６０４～６０７は、丸みを帯びている。

ターミナル６０は、側面６０ｃに、粗化領域６１と非粗化領域６２を有している。粗化領域６１はターミナル６０の表面が粗化された領域であり、非粗化領域６２は粗化されていない領域である。非粗化領域６２は、粗化領域６１に較べてはんだに対する濡れ性が高い。ターミナル６０の側面６０ｃは、一部が粗化領域６１であり、残りの部分が非粗化領域６２である。側面６０ｃにおいて、半導体素子３０側の端部の一部が粗化領域６１であり、端部の残りの部分が非粗化領域６２である。側面６０ｃにおいて、半導体素子３０側の端部とは、端面６０ａとの境界からＺ方向に途中までの領域である。

図９に示すように、ターミナル６０は、母材６３と、母材６３の表面上に設けられた金属膜６４および凹凸酸化膜６５を有している。母材６３は、ターミナル６０の主たる部分をなしている。母材６３は、Ｃｕ系の材料を用いて形成されている。金属膜６４は、母材６３よりもはんだに対する濡れ性が高い材料を含んで形成されている。金属膜６４は、側面６０ｃの全域に形成されている。本実施形態の金属膜６４は、母材６３の表面の全域に形成されている。凹凸酸化膜６５は、側面６０ｃにおいて局所的に形成されている。

凹凸酸化膜６５は、金属膜６４にレーザ光を照射することで、側面６０ｃにおいて金属膜６４上に局所的に形成されている。金属膜６４は、Ｎｉ（ニッケル）を主成分とする下地膜と、Ａｕ（金）を主成分とする上地膜を有している。本実施形態では、下地膜として、Ｐ（リン）を含む無電解Ｎｉめっき膜を採用している。凹凸酸化膜６５から露出する金属膜６４のうち、はんだが接触する部分の上地膜（Ａｕ）は、リフロー時にはんだ中に拡散する。金属膜６４のうち、凹凸酸化膜６５が形成される部分の上地膜（Ａｕ）は、凹凸酸化膜６５を形成する際にレーザ光の照射により除去される。凹凸酸化膜６５は、Ｎｉを主成分とする酸化物の膜である。たとえば、凹凸酸化膜６５を構成する成分のうち、８０％がＮＩ_２Ｏ_３、１０％がＮｉＯ、１０％がＮｉとなっている。

金属膜６４の表面の凹部６６は、パルス発振のレーザ光の照射により形成される。１パルスごとに、ひとつの凹部６６が形成される。凹凸酸化膜６５は、レーザ光の照射により、金属膜６４の表層部分が溶融、気化し、蒸着することで形成される。凹凸酸化膜６５は、金属膜６４由来の酸化膜である。凹凸酸化膜６５は、金属膜６４の主成分の金属（Ｎｉ）の酸化物の膜である。凹凸酸化膜６５は、凹部６６を有する金属膜６４の表面の凹凸に倣って形成されている。凹凸酸化膜６５の表面には、凹部６６の幅よりも細かいピッチで凹凸が形成されている。すなわち、非常に微細な凹凸（粗化部）が形成されている。

側面６０ｃにおいて、凹凸酸化膜６５が形成された領域が、粗化領域６１である。側面６０ｃにおいて、凹凸酸化膜６５が形成されていない領域、すなわち金属膜６４が露出する領域が、非粗化領域６２である。端面６０ａ、６０ｂも、凹凸酸化膜６５が形成されていない領域である。

本実施形態の粗化領域６１は、図７および図８に示すように、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、角部６０４～６０７にそれぞれ設けられている。非粗化領域６２は、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、平面部６００～６０３にそれぞれ設けられている。つまり、矩形環状の四隅に粗化領域６１がそれぞれ設けられ、四隅の間の辺部に非粗化領域６２が設けられている。

粗化領域６１は、側面６０ｃのヒートシンク５０側の端部において全周に設けられている。粗化領域６１は、ヒートシンク５０側の端部において、平面部６００～６０３と角部６０４～６０７に設けられている。非粗化領域６２は、Ｚ方向において端面６０ｂまで延設されていない。Ｚ方向において、非粗化領域６２と粗化領域６１とが並設されている。

側面６０ｃにおける粗化領域６１および非粗化領域６２の配置は、平面視においてターミナル６０の中心Ｃ１を通り、Ｘ方向に平行な仮想的な直線ＶＬ１に対して線対称である。同様に、中心Ｃ１を通り、Ｙ方向に平行な仮想的な直線ＶＬ２に対して線対称である。粗化領域６１および非粗化領域６２の配置は、中心Ｃ１を通り、Ｚ方向に平行な軸に対して回転対称性を有している。ターミナル６０が平面正方形の場合、４回対称性を有している。平面長方形の場合、２回対称性を有している。Ｘ方向が第１方向に相当し、直線ＶＬ１が第１仮想線に相当する。Ｙ方向が第２方向に相当し、直線ＶＬ２が第２仮想線に相当する。

＜半導体装置の製造方法＞
次に、上記した半導体装置の製造方法の一例について説明する。以下では、溶融状態のはんだについては、溶融はんだと示すことがある。

先ず、粗化領域６１および非粗化領域６２を有するターミナル６０を準備する。

母材６３上に金属膜６４が形成されたターミナル６０の側面６０ｃに対して、パルス発振のレーザ光を照射し、金属膜６４の表面を溶融および蒸発させる。パルス発振のレーザ光は、エネルギー密度が０Ｊ／ｃｍ^２より大きく１００Ｊ／ｃｍ^２以下で、パルス幅が１μ秒以下となるように調整される。この条件を満たすには、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ファイバレーザなどを採用することができる。たとえばＹＡＧレーザの場合、エネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ^２以上であればよい。無電解Ｎｉめっきの場合、たとえば５Ｊ／ｃｍ^２程度でも金属膜６４を加工することができる。

このとき、レーザ光の光源とターミナル６０とを相対的に移動させることにより、レーザ光を走査し、複数の位置に順に照射する。レーザ光を照射し、金属膜６４の表面を溶融、気化させることで、金属膜６４の表面には、凹部６６が形成される。金属膜６４のうち、レーザ光を照射した部分の平均厚みは、レーザ光を照射しない部分の平均厚みよりも薄くなる。また、レーザ光のスポットに対応して形成される複数の凹部６６は連なり、たとえば鱗状となる。スポットとは、１パルスによる照射範囲である。

たとえば、Ｘ方向において隣り合うレーザ光のスポットが一部重なるとともに、Ｙ方向において隣り合うレーザ光のスポットが一部重なるように、レーザ光を走査する。その際、Ｘ方向の基準座標からレーザ光をＸ方向に走査して第１列の照射を行う。第１列の照射が完了したら、Ｙ方向の座標をずらし、Ｘ方向の基準座標からレーザ光をＸ方向に走査し、第２列の照射を行ってもよい。

本実施形態では、第１列の照射が完了したら、レーザ光をＸ方向において逆向きに走査し、第２列の照射を行う。このように、基準座標への復帰を待たずに、折り返し走査する。これにより、レーザ光の照射時間を短縮することができる。また、第１列のスポットと第２列のスポットを、Ｘ方向においてずらす。具体的には、Ｘ方向において、第１列における隣り合う２つのスポット間の中心位置と、第２列のスポットの中心位置とが、略一致するようにスポットの位置をずらす。

次いで、溶融した金属膜６４の部分を凝固させる。具体的には、溶融して気化した金属膜６４を、レーザ光が照射された部分やその周辺部分に蒸着させる。このように、溶融して気化した金属膜６４を蒸着させることにより、金属膜６４の表面上に凹凸酸化膜６５を形成する。上記したように、スポットの千鳥配置（千鳥配列）により、凹凸酸化膜６５の形成ばらつきを、粗化領域６１の全域において低減することができる。すなわち、単位面積当たりの凹凸酸化膜６５の膜厚を、粗化領域６１の全域においてほぼ均一にすることができる。以上のようにして、ターミナル６０を準備する。

次いで、リードフレーム９６を準備する。

具体的には、ヒートシンク４０、継手部７０、主端子８０～８２、および信号端子８５を有するリードフレーム９６を準備する。リードフレーム９６の準備は、ターミナル６０の準備と並行して行ってもよいし、ターミナル６０の準備の前に行ってもよい。

次いで、図６に示したように、ヒートシンク４０上に半導体素子３０およびターミナル６０が配置された積層体を形成する。

具体的には、ヒートシンク４０の実装面４０ａ上に溶融はんだ９０を塗布し、コレクタ電極３２が実装面４０ａ側となるように、溶融はんだ９０上に半導体素子３０を配置する。次いで、半導体素子３０のエミッタ電極３１上に溶融はんだ９１を塗布し、端面６０ａが半導体素子３０側となるように溶融はんだ９１上にターミナル６０を配置する。さらにターミナル６０の端面６０ｂ上に溶融はんだ９２を塗布する。また、継手部７０および接続部８１ａ上にも溶融はんだ９３、９４を塗布する。

溶融はんだ９０～９４は、たとえば転写法を用いて塗布することができる。塗布した溶融はんだ９０、９１が固化（凝固）することで、積層体が得られる。溶融はんだ９０～９４については、積層順に固化させてもよいし、すべてを一括で固化させてもよい。ボンディングワイヤ９５の接続は、積層体の形成後に行ってもよいし、溶融はんだ９０が固化した状態で、エミッタ電極３１上に溶融はんだ９１を塗布する前に行ってもよい。すべてのはんだ９０～９４の塗布が完了した積層体の状態でのボンディングのほうが、塗布装置の接触等による不良を抑制できるため好ましい。

両面放熱構造の半導体装置１５は、図示しない冷却器の熱交換部によってＺ方向の両面側から挟まれる。よって、Ｚ方向において表面の高い平行度と表面間の高い寸法精度が求められる。このため、はんだ９２については、半導体装置１５の高さばらつきを吸収可能な量を配置する。すなわち、はんだ９０、９１よりも多めのはんだ９２を配置する。はんだ９３、９４についても同様である。

次いで、積層体とヒートシンク５０とを接続する。

実装面５０ａが上になるように、ヒートシンク５０を図示しない台座上に配置する。そして、ターミナル６０の端面６０ｂ、すなわちはんだ９２が実装面５０ａと対向するように、積層体をヒートシンク５０上に配置し、リフローを実施する。リフローでは、ヒートシンク４０側からＺ方向に荷重を加えることで、半導体装置１５の高さが所定高さとなるようにする。詳しくは、荷重を加えることで、図示しないスペーサを、ヒートシンク４０の実装面４０ａと台座の載置面との両方に接触させる。このようにして、半導体装置１５の高さが所定高さとなるようにする。

リフローにより、はんだ９２を介して、ターミナル６０とヒートシンク５０が接続（接合）される。すなわち、エミッタ電極３１とヒートシンク５０とが電気的に接続される。はんだ９２は、半導体装置１５を構成する要素の寸法公差や組み付け公差による高さばらつきを吸収する。たとえば、半導体装置１５の高さを所定高さにするために、はんだ９２の全量が必要な場合には、はんだ９２の全量が溝５１よりも内側の領域に留まる。一方、所定高さにするために、はんだ９２が余る場合、余剰分のはんだ９２は、溝５１に収容される。なお、リフローにより、はんだ９３を介して、継手部７０とヒートシンク５０に連なる継手部７１が接続される。また、はんだ９４を介して、ヒートシンク５０Ｌに連なる継手部７１と、主端子８１の接続部８１ａが接続される。

次いで、トランスファモールド法により封止樹脂体２０を成形する。

図示を省略するが、本実施形態では、ヒートシンク４０、５０が完全に被覆されるように封止樹脂体２０を成形し、成形後に切削を行う。封止樹脂体２０をヒートシンク４０、５０の一部ごと切削する。これにより、裏面４０ｂ、５０ｂを露出させる。裏面４０ｂは裏面２０ｂと略面一となり、裏面５０ｂは一面２０ａと略面一となる。

次いで、リードフレーム９６からタイバー９８などの不要部分を除去することで、半導体装置１５を得ることができる。

半導体装置１５の製造方法は、上記した例に限定されない。たとえば、ヒートシンク４０、５０の裏面４０ｂ、５０ｂを成形金型のキャビティ壁面に押し当て、密着させた状態で、封止樹脂体２０を成形してもよい。この場合、封止樹脂体２０を成形した時点で、裏面４０ｂ、５０ｂが封止樹脂体２０から露出する。このため、成形後の切削が不要となる。

積層体を形成後にヒートシンク５０を配置し、リフローを実施する例を示したが、これに限定されない。ターミナル６０の端面６０ｂ上に溶融はんだ９２を塗布した後、溶融はんだ９２上にヒートシンク５０を配置してもよい。また、すべてのはんだ９０～９４を一括で固化（凝固）させ、ヒートシンク５０まで含む積層体を一括で形成してもよい。すなわち、リフローを実施せずに、半導体装置１５を得ることもできる。

また、ソルダダイボンド法に限定されない。溶融はんだに代えて、はんだ箔等を用いてもよい。２段階のリフローによって、半導体装置１５を形成してもよい。具体的には、１段目ではんだ９０、９１をリフローして上記した積層体を形成し、２段目ではんだ９２をリフローしてヒートシンク５０を積層体に接続してもよい。この場合も、多めのはんだ９２によって、半導体装置１５の高さばらつきを吸収することができる。

＜第１実施形態のまとめ＞
図１０は、参考例を示す部分断面図である。参考例では、本実施形態の要素と同一または関連する要素について、本実施形態の符号の末尾にｒを付け加えて示している。図１０では、エミッタ電極とターミナルとのはんだ接続構造を示している。図１０は、図７に対応する図であるが、はんだ接合部を示すために保護膜を断面で示した部分断面図である。

参考例では、ターミナル６０ｒの側面６０ｃｒの全域に、粗化領域６１ｒが設けられている。つまり、側面６０ｃｒの全域に、上記した凹凸酸化膜が形成されている。酸化膜（凹凸酸化膜）は、金属膜に較べて、はんだに対する濡れ性が低い。凹凸酸化膜は、表面に微細な凹凸を有しているため、はんだとの接触面積が小さくなり、はんだの一部は表面張力によって球状になる。すなわち、接触角が大きくなる。これにより、はんだに対する濡れ性が低い。

よって、凹凸酸化膜が形成された粗化領域６１ｒ、すなわち側面６０ｃｒに、はんだ９１ｒが濡れ拡がり難い。はんだ９１ｒは、端面６０ａｒのみを濡れ拡がる。このため、はんだ９１ｒを固化（凝固）する前に、平面視においてターミナル６０ｒの一部がエミッタ電極３１ｒの外側にはみ出していると、はみ出した状態（位置ずれ状態）のまま、はんだ９１ｒが固化する。このため、平面視において、ターミナル６０ｒの一部がエミッタ電極３１ｒではなく、保護膜３４ｒと重なる。よって、ターミナル６０ｒの全体がエミッタ電極３１ｒの直上に位置する構成に較べて、半導体素子３０の生じた熱をターミナル６０（ヒートシンク５０）側に逃がし難い。このように、放熱性が低下してしまう。

放熱性の低下を抑制すべく、側面６０ｃｒにおいて、少なくとも半導体素子３０ｒ側の端部の全周を非粗化領域にすることも考えられる。この場合、端面６０ａｒ側において側面６０ｃの全周に、はんだ９１ｒが濡れ拡がる。よって、上記したように、はんだ９１ｒを固化（凝固）する前に、ターミナル６０ｒの一部がエミッタ電極３１ｒの外側にはみ出していても、はんだ９１ｒの表面張力により、ターミナル６０ｒの位置がエミッタ電極３１ｒの直上に自動的に修正される。このように、セルフアライメントの効果が期待できる。

しかしながら、上記したように非粗化領域を設けると、側面６０ｃｒの半導体素子３０ｒ側の端部の全周において、封止樹脂体との密着力が低下する。これにより、パワーサイクルや冷熱サイクル等の熱応力がエミッタ電極３１ｒに集中し、図１０に示す参考例に較べてエミッタ電極３１ｒの歪が増加する。この結果、エミッタ電極３１ｒの寿命が低下してしまう。なお、熱応力は、半導体素子３０ｒ（半導体基板）とターミナル６０ｒ等の金属部材との線膨張係数差に起因して生じる。

図１１および図１２は、本実施形態の半導体装置において、エミッタ電極とターミナルのはんだ接続構造を示している。図１１は、図７に対応する図であるが、図１０同様、保護膜を断面で示した部分断面図である。図１２は、ヒートシンク側から見た平面図である。図１２では、便宜上、粗化領域および非粗化領域について、半導体素子側の端部の配置を示している。図１２では、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。

図１１および図１２に示すように、本実施形態では、ターミナル６０の側面６０ｃのうち、半導体素子３０側の端部の一部分に非粗化領域６２を設け、端部の残りの部分に粗化領域６１を設けている。非粗化領域６２には、凹凸酸化膜６５が形成されておらず、金属膜６４が露出している。金属膜６４は、凹凸酸化膜６５よりもはんだ９１に対する濡れ性が高い。図１１に示すように、はんだ９１は側面６０ｃの非粗化領域６２に濡れ拡がり、フィレット９１ａを形成する。フィレット９１ａ（はんだ９１）の表面張力は、ターミナル６０をエミッタ電極３１上にとどめようとする。したがって、エミッタ電極３１に対するターミナル６０の位置ずれを抑制し、ひいては放熱性の低下を抑制することができる。

また、粗化領域６１には、凹凸酸化膜６５が形成されている。上記したように、凹凸酸化膜６５のはんだ９１に対する濡れ性は、金属膜６４に較べて低い。図１１に示すように、側面６０ｃの粗化領域６１には、はんだ９１が濡れ拡がらない。一方、凹凸酸化膜６５の表面には、非常に微細な凹凸が形成されており、封止樹脂体２０が絡みつき、アンカー効果が生じる。また、封止樹脂体２０との接触面積が増える。これにより、粗化領域６１における封止樹脂体２０と密着力は、非粗化領域６２よりも高い。ターミナル６０の半導体素子３０側の端部は、封止樹脂体２０によって拘束される。したがって、エミッタ電極３１の歪を低減し、ひいてはエミッタ電極３１の寿命を向上することができる。

以上より、本実施形態の半導体装置１５によれば、エミッタ電極３１（主電極）の寿命を向上しつつ、放熱性の低下を抑制することができる。凹凸酸化膜６５の形成には、上記したようにレーザ光を用いるため、粗化領域６１と非粗化領域６２とのパターニングが容易である。

ターミナル６０の平面形状は、特に限定されない。たとえば、多角形状、円形状、楕円形状を採用することができる。

本実施形態では、ターミナル６０が平面略矩形状をなしている。そして、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、平面部６００～６０３のそれぞれに非粗化領域６２を設け、角部６０４～６０７のそれぞれに粗化領域６１を設けている。図１２に示すように、側面６０ｃの四面に、はんだ９１のフィレット９１ａが形成される。４つの平面部６００～６０３にはんだ９１の表面張力が作用し、ターミナル６０はエミッタ電極３１の直上にセルフアライメントされる。ターミナル６０は、平面視において保護膜３４とは重ならない。このように、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。

また、粗化領域６１を複数箇所に分散配置し、粗化領域６１と非粗化領域６２とを周方向に交互に設けている。ターミナル６０を取り囲むように、封止樹脂体２０の高密着部が形成されるため、エミッタ電極３１の歪を効果的に低減することができる。なお、矩形状以外の多角形状においても同様の効果を奏することができる。

側面６０ｃの半導体素子３０側の端部における粗化領域６１と非粗化領域６２の配置は、特に限定されない。特段の対称性を有さない配置としてもよい。本実施形態では、粗化領域６１および非粗化領域６２の配置を、上記した直線ＶＬ１に対して線対称としている。これにより、Ｙ方向において、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。また、粗化領域６１および非粗化領域６２の配置を、上記した直線ＶＬ２に対して線対称としている。これにより、Ｘ方向において、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。さらに、粗化領域６１および非粗化領域６２の配置に、回転対称性をもたせている。これにより、ＸＹ平面において、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。

ターミナル６０の側面６０ｃにおいて、ヒートシンク５０側の端部の配置は、上記した例に限定されない。たとえば、半導体素子３０側の端部における粗化領域６１および非粗化領域６２の配置を、そのままヒートシンク５０側の端部まで延設してもよい。ヒートシンク５０側の端部を全周で非粗化領域６２とし、半導体素子３０側の端部とヒートシンク５０側の端部の間の領域を全周で粗化領域６１としてもよい。

側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、平面部６００～６０３の全域を非粗化領域６２とし、角部６０４～６０７の全域を粗化領域６１とする例を示したが、これに限定されない。平面部６００～６０３のそれぞれの少なくとも一部を非粗化領域６２とし、角部６０４～６０７のそれぞれの少なくとも一部を粗化領域６１とすればよい。

（第２実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、平面部に非粗化領域を設け、角部に粗化領域を設けた。これに代えて、平面部に粗化領域を設け、角部に非粗化領域を設けてもよい。

図１３および図１４は、本実施形態の半導体装置において、ターミナルを示す平面図である。図１３は、図７に対応している。図１４は、図８に対応している。図８同様、図１４では、側面において半導体素子側の端部付近の粗化領域のみを図示している。また、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。図１３、図１４では、上アーム側のターミナルについて例示するが、下アーム側のターミナルも同様の構成を有している。

本実施形態の粗化領域６１は、図１３および図１４に示すように、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、平面部６００～６０３にそれぞれ設けられている。非粗化領域６２は、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、角部６０４～６０７にそれぞれ設けられている。つまり、矩形環状の四隅に非粗化領域６２がそれぞれ設けられ、四隅の間の辺部に粗化領域６１が設けられている。

非粗化領域６２は、側面６０ｃのヒートシンク５０側の端部において全周に設けられている。非粗化領域６２は、ヒートシンク５０側の端部において、平面部６００～６０３と角部６０４～６０７に設けられている。粗化領域６１は、Ｚ方向において端面６０ｂまで延設されていない。平面部６００～６０３において、粗化領域６１と非粗化領域６２とがＺ方向に並設されている。角部６０４～６０７において、非粗化領域６２が端面６０ａとの境界から端面６０ｂとの境界まで、設けられている。

第１実施形態同様、側面６０ｃにおける粗化領域６１および非粗化領域６２の配置は、直線ＶＬ１に対して線対称である。同様に、直線ＶＬ２に対して線対称である。粗化領域６１および非粗化領域６２の配置は、中心Ｃ１を通り、Ｚ方向に平行な軸に対して回転対称性を有している。ターミナル６０が平面正方形の場合、４回対称性を有している。平面長方形の場合、２回対称性を有している。

＜第２実施形態のまとめ＞
図１５および図１６は、本実施形態の半導体装置において、エミッタ電極とターミナルのはんだ接続構造を示している。図１５は、図１１に対応する部分断面図である。図１６は、図１２に対応する平面図である。図１５では、便宜上、粗化領域および非粗化領域について、半導体素子側の端部の配置を示している。図１５では、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。

本実施形態でも、ターミナル６０の側面６０ｃのうち、半導体素子３０側の端部の一部分に非粗化領域６２を設け、端部の残りの部分に粗化領域６１を設けている。したがって、先行実施形態同様、エミッタ電極３１の寿命を向上しつつ、放熱性の低下を抑制することができる。

本実施形態では、図１５および図１６に示すように、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、平面部６００～６０３のそれぞれに粗化領域６１を設け、角部６０４～６０７のそれぞれに非粗化領域６２を設けている。側面６０ｃの四隅に、はんだ９１のフィレット９１ａが形成される。４つの角部６０４～６０７にはんだ９１の表面張力が作用し、ターミナル６０はエミッタ電極３１の直上にセルフアライメントされる。よって、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。また、粗化領域６１を複数箇所に分散配置し、粗化領域６１と非粗化領域６２とを周方向に交互に設けている。ターミナル６０を取り囲むように、封止樹脂体２０の高密着部が形成されるため、エミッタ電極３１の歪を効果的に低減することができる。なお、矩形状以外の多角形状においても同様の効果を奏することができる。

また、平面部６００～６０３にレーザ光を照射して凹凸酸化膜６５を形成する。角部６０４～６０７よりも平面部６００～６０３のほうが、所望の位置に凹凸酸化膜６５を形成しやすい。すなわち、粗化領域６１を位置精度よく設けることができる。これにより、封止樹脂体２０に対する密着力のばらつき、ひいてはエミッタ電極３１の寿命のばらつきを低減することができる。

本実施形態でも、先行実施形態同様、粗化領域６１および非粗化領域６２の配置を、直線ＶＬ１、直線ＶＬ２に対して線対称としている。また、回転対称性をもたせている。よって、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。

ターミナル６０の側面６０ｃにおいて、ヒートシンク５０側の端部の配置は、上記した例に限定されない。たとえば、半導体素子３０側の端部における粗化領域６１および非粗化領域６２の配置を、そのままヒートシンク５０側の端部まで延設してもよい。ヒートシンク５０側の端部を全周で粗化領域６１としてもよい。

側面６０ｃの半導体素子３０側の端部において、平面部６００～６０３の全域を粗化領域６１とし、角部６０４～６０７の全域を非粗化領域６２とする例を示したが、これに限定されない。平面部６００～６０３のそれぞれの少なくとも一部を粗化領域６１とし、角部６０４～６０７のそれぞれの少なくとも一部を非粗化領域６２とすればよい。

（第３実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、平面部および角部の一方に粗化領域を設け、他方に非粗化領域を設けた。これに代えて、粗化領域と非粗化領域を平面部で交互に設けてもよい。

図１７および図１８は、本実施形態の半導体装置において、ターミナルを示す平面図である。図１７は、図７に対応している。図１８は、図８に対応している。図８同様、図１８では、側面において半導体素子側の端部付近の粗化領域のみを図示している。また、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。図１７、図１８では、上アーム側のターミナルについて例示するが、下アーム側のターミナルも同様の構成を有している。

図１７および図１８に示すように、本実施形態でも、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部に、粗化領域６１と非粗化領域６２が設けられている。粗化領域６１および非粗化領域６２は、平面部６００～６０３のそれぞれの面内において、周方向に沿って交互に設けられている。たとえば、図１７に示す平面部６００において、粗化領域６１と非粗化領域６２とがＹ方向に沿って交互に設けられている。平面部６００～６０３のそれぞれにおいて、両端は粗化領域６１とされている。角部６０４～６０７は、非粗化領域６２とされている。

非粗化領域６２は、側面６０ｃのヒートシンク５０側の端部において全周に設けられている。非粗化領域６２は、ヒートシンク５０側の端部において、平面部６００～６０３と角部６０４～６０７に設けられている。粗化領域６１は、Ｚ方向において端面６０ｂまで延設されていない。平面部６００～６０３において、粗化領域６１と非粗化領域６２とがＺ方向に並設されている。角部６０４～６０７において、非粗化領域６２が端面６０ａとの境界から端面６０ｂとの境界まで、設けられている。平面部６００～６０３のそれぞれの一部においても、非粗化領域６２が端面６０ａとの境界から端面６０ｂとの境界まで、設けられている。

＜第３実施形態のまとめ＞
図１９および図２０は、本実施形態の半導体装置において、エミッタ電極とターミナルのはんだ接続構造を示している。図１９は、図１１に対応する部分断面図である。図２０は、図１２に対応する平面図である。図２０では、便宜上、粗化領域および非粗化領域について、半導体素子側の端部の配置を示している。図２０では、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。

本実施形態では、図１９および図２０に示すように、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部であって、平面部６００～６０３のそれぞれにおいて、粗化領域６１と非粗化領域６２とを交互に設けている。これにより、側面６０ｃの四辺に、はんだ９１のフィレット９１ａが形成される。４つの平面部６００～６０３にはんだ９１の表面張力が作用し、ターミナル６０はエミッタ電極３１の直上にセルフアライメントされる。よって、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。また、粗化領域６１と非粗化領域６２とを周方向に交互に設けているため、エミッタ電極３１の歪を効果的に低減することができる。なお、矩形状以外の多角形状においても同様の効果を奏することができる。

側面６０ｃの半導体素子３０側の端部における交互配置は、上記した例に限定されない。角部６０４～６０７を非粗化領域６２としたが、粗化領域６１としてもよい。この場合、平面部６００～６０３のそれぞれにおいて両端は非粗化領域６２となる。粗化領域６１と非粗化領域６２の数も上記した例に限定されない。

（第４実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、複数の平面部のすべて、または、複数の角部のすべてに、非粗化領域を設けた。これに代えて、複数の平面部の一部のみ、または、複数の角部の一部のみ、非粗化領域を設けてもよい。

図２１は、本実施形態の半導体装置において、ターミナルを示す平面図である。図２１は、図８に対応している。図８同様、図２１では、側面において半導体素子側の端部付近の粗化領域のみを図示している。また、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。図２１では、上アーム側のターミナルについて例示するが、下アーム側のターミナルも同様の構成を有している。

図２１に示すように、本実施形態でも、側面６０ｃの半導体素子３０側の端部に、粗化領域６１と非粗化領域６２が設けられている。非粗化領域６２は、互いに対向する２つの平面部６００、６０１のみに設けられている。平面部６０２、６０３および角部６０４～６０７には、粗化領域６１が設けられている。

第１実施形態同様、側面６０ｃにおける粗化領域６１および非粗化領域６２の配置は、直線ＶＬ１に対して線対称である。同様に、直線ＶＬ２に対して線対称である。粗化領域６１および非粗化領域６２の配置は、中心Ｃ１を通り、Ｚ方向に平行な軸に対して２回対称性を有している。

＜第４実施形態のまとめ＞
本実施形態でも、ターミナル６０の側面６０ｃのうち、半導体素子３０側の端部の一部分に非粗化領域６２を設け、端部の残りの部分に粗化領域６１を設けている。したがって、先行実施形態同様、エミッタ電極３１の寿命を向上しつつ、放熱性の低下を抑制することができる。

本実施形態では、互いに対向する平面部６００、６０１のみに、非粗化領域６２を設けている。これにより、側面６０ｃの互いに対向する二辺に、はんだ９１のフィレット９１ａが形成される。したがって、はんだ９１の表面張力により、特に平面部６００、６０１の対向方向であるＸ方向において、ターミナル６０の位置ずれを効果的に抑制することができる。また、粗化領域６１と非粗化領域６２とを周方向に交互に設けているため、エミッタ電極３１の歪を効果的に低減することができる。

なお、非粗化領域６２を、平面部６０２、６０３のみに設けてもよい。同様の効果を奏することができる。また、矩形状以外の多角形状、たとえば六角形、八角形などにおいても、対向配置により、同様の効果を奏することができる。

＜変形例＞
図２２は、変形例を示す平面図である。図２２は、図２１に対応している。図２２では、非粗化領域６２を、平面部６０３のみに設けている。平面部６００～６０２および角部６０４～６０７には、粗化領域６１を設けている。平面部６０３は、ターミナル６０の側面６０ｃのうち、パッド３３側の面である。パッド３３側の平面部６０３にはんだ９１のフィレット９１ａが形成されるため、平面部６０３がＹ方向においてパッド３３側にはみ出すのを抑制することができる。ボンディングワイヤ９５の接続前であれば、ボンディングワイヤの接続箇所を確保することができる。接続後であれば、ボンディングワイヤ９５にターミナル６０が接触するのを抑制することができる。

図２３は、別の変形例を示す平面図である。図２３は、図２１に対応している。図２３では、非粗化領域６２を、平面部６００、６０３のみに設けている。平面部６０１、６０２および角部６０４～６０７には、粗化領域６１を設けている。非粗化領域６２を、隣り合う平面部６００、６０３に設けている。非粗化領域６２を、対角の平面部６００、６０３に設けている。なお、非粗化領域６２を、平面部６０１、６０２のみに設けてもよい。

図２４は、別の変形例を示す平面図である。図２４は、図２１に対応している。図２４では、非粗化領域６２を、平面部６００、６０１、６０３のみに設けている。平面部６０２および角部６０４～６０７には、粗化領域６１を設けている。非粗化領域６２を、３つの平面部６００、６０１、６０３に設けている。なお、３面の組み合わせは、上記例に限定されない。非粗化領域６２を、平面部６０１～６０３のみに設けてもよいし、平面部６００、６０２、６０３のみに設けてもよい。平面部６００～６０２のみに設けてもよい。平面部６０３に非粗化領域６２を設けると、図２２に示した構成と同等の効果を奏することができる。

非粗化領域６２を、平面部６００～６０３に代えて、角部６０４～６０７のひとつのみ、２つのみ、３つのみに設けてもよい。図２５は、別の変形例を示す平面図である。図２５は、図２１に対応している。図２５では、非粗化領域６２を、互いに対向する角部６０４、６０７のみに設けている。平面部６００～６０３および角部６０５、６０６には、粗化領域６１が設けられている。対角の角部６０４、６０７に非粗化領域６２を設けているため、図２１に示した構成と同様の効果を奏することができる。なお、非粗化領域６２を角部６０５、６０６のみに設けた場合にも、同様の効果を奏することができる。

図示を省略するが、非粗化領域６２を、パッド３３側の角部６０５、６０７のみに設けてもよい。これによれば、図２２に示した構成と同様の効果を奏することができる。

（第５実施形態）
この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例であり、先行実施形態の記載を援用できる。先行実施形態では、ターミナルの側面に、粗化領域と非粗化領域を設けた。これに代えて、半導体素子のパッドに、粗化領域と非粗化領域を設けてもよい。

図２６は、本実施形態の半導体装置において、半導体素子周辺を示す平面図である。図２６は、図１２に対応している。図２６では、領域の明確化のために、粗化領域にハッチングを施している。図２６では、上アーム側の半導体素子を示すが、下アーム側も同様の構成を有している。

図２６に示すように、本実施形態の半導体素子３０において、パッド３３は、粗化領域３３０と、非粗化領域３３１を有している。図示を省略するが、粗化領域３３０は、ターミナル６０の粗化領域６１同様、凹凸酸化膜が形成された領域である。非粗化領域３３１は、凹凸酸化膜が形成されていない領域である。

非粗化領域３３１は、ボンディングワイヤ９５の接続箇所を含んでいる。粗化領域３３０は、非粗化領域３３１の周りに設けられている。粗化領域３３０は、非粗化領域３３１を取り囲んでもよい。本実施形態の粗化領域３３０は、平面視において環状をなしており、粗化領域３３０の内側の領域が非粗化領域３３１となっている。

パッド３３は、エミッタ電極３１と同様の構成を有している。パッド３３は、下地電極と、下地電極上に積層された接続電極を有する多層構造をなしている。下地電極は、たとえばＡｌ（アルミニウム）を主成分とする材料を用いて形成されている。本実施形態では、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕなどのＡｌ合金を材料としている。接続電極は、Ｎｉ（ニッケル）層を少なくとも含んでいる。Ｎｉは、下地電極を構成するＡｌ合金よりも硬い。接続電極は、Ｎｉ層上に、さらにＡｕ（金）層を備えてもよい。

上記した構成のパッド３３において、下地電極がターミナル６０の母材６３に相当し、接続電極が金属膜６４に相当する。よって、接続電極にレーザ光を照射することで、凹凸酸化膜６５と同様の凹凸酸化膜を形成することができる。

たとえば、パッド３３の外周縁部にレーザ光を照射し、外周縁部に凹凸酸化膜を形成して環状の粗化領域３３０を設けてもよい。また、図２７に示すように、パッド３３の全域に凹凸酸化膜を形成して粗化領域３３０とした後、ボンディングワイヤ９５を超音波接合によりパッド３３に接続してもよい。超音波接合により酸化膜が除去されるため、パッド３３において、ボンディングワイヤ９５の接続箇所を含む所定の領域が非粗化領域３３１となる。

＜第５実施形態のまとめ＞
本実施形態では、半導体素子３０のパッド３３の一部を粗化領域３３０とし、残りの部分を非粗化領域３３１としている。粗化領域３３０を構成する図示しない凹凸酸化膜は、先行実施形態に示した凹凸酸化膜６５同様、表面に非常に微細な凹凸を有している。このため、封止樹脂体２０が絡みつき、アンカー効果が生じる。また、封止樹脂体２０との接触面積が増える。粗化領域３３０における封止樹脂体２０と密着力は、非粗化領域３３１よりも高いため、パッド３３からの封止樹脂体２０の剥離を抑制することができる。よって、ボンディングワイヤ９５にかかる応力を低減し、ひいてはボンディングワイヤ９５の破断を抑制することができる。

特に本実施形態では、非粗化領域３３１の周囲に粗化領域３３０を設けている。ボンディング周りの全周において、パッド３３から封止樹脂体２０が剥離するのを抑制することができる。よって、ボンディングワイヤ９５にかかる応力をさらに低減することができる。

本実施形態に示した構成は、先行実施形態に記載した種々の構成との組み合わせが可能である。

（他の実施形態）
この明細書および図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された部品および／または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および／または要素が省略されたものを包含する。開示は、ひとつの実施形態と他の実施形態との間における部品および／または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。

明細書および図面等における開示は、請求の範囲の記載によって限定されない。明細書および図面等における開示は、請求の範囲に記載された技術的思想を包含し、さらに請求の範囲に記載された技術的思想より多様で広範な技術的思想に及んでいる。よって、請求の範囲の記載に拘束されることなく、明細書および図面等の開示から、多様な技術的思想を抽出することができる。

ある要素または層が「上にある」、「連結されている」、「接続されている」または「結合されている」と言及されている場合、それは、他の要素、または他の層に対して、直接的に上に、連結され、接続され、または結合されていることがあり、さらに、介在要素または介在層が存在していることがある。対照的に、ある要素が別の要素または層に「直接的に上に」、「直接的に連結されている」、「直接的に接続されている」または「直接的に結合されている」と言及されている場合、介在要素または介在層は存在しない。要素間の関係を説明するために使用される他の言葉は、同様のやり方で（例えば、「間に」対「直接的に間に」、「隣接する」対「直接的に隣接する」など）解釈されるべきである。この明細書で使用される場合、用語「および／または」は、関連する列挙されたひとつまたは複数の項目に関する任意の組み合わせ、およびすべての組み合わせを含む。

空間的に相対的な用語「内」、「外」、「裏」、「下」、「低」、「上」、「高」などは、図示されているような、ひとつの要素または特徴の他の要素または特徴に対する関係を説明する記載を容易にするためにここでは利用されている。空間的に相対的な用語は、図面に描かれている向きに加えて、使用または操作中の装置の異なる向きを包含することを意図することができる。例えば、図中の装置をひっくり返すと、他の要素または特徴の「下」または「真下」として説明されている要素は、他の要素または特徴の「上」に向けられる。したがって、用語「下」は、上と下の両方の向きを包含することができる。この装置は、他の方向に向いていてもよく（９０度または他の向きに回転されてもよい）、この明細書で使用される空間的に相対的な記述子はそれに応じて解釈される。

車両の駆動システム１は、上記した構成に限定されない。たとえば、ひとつのモータジェネレータ３を備える例を示したが、これに限定されない。複数のモータジェネレータを備えてもよい。電力変換装置４が、電力変換部として、インバータ６を備える例を示したが、これに限定されない。複数の電力変換部を備えてもよい。たとえば、複数のインバータを備えてもよい。インバータとコンバータを備えてもよい。

半導体素子３０が、ＲＣ－ＩＧＢＴ素子を有する例を示したが、これに限定されない。ＩＧＢＴ１１とＦＷＤ１２を別チップ（別の半導体素子）としてもよい。スイッチング素子としてＩＧＢＴ１１の例を示したが、これに限定されない。たとえばＭＯＳＦＥＴを採用することもできる。

半導体装置１５が、一相分の上下アーム回路９を構成する複数の半導体素子３０（３０Ｈ、３０Ｌ）を備える例を示したが、これに限定されない。ひとつのアームを構成する半導体素子３０のみを備えてもよい。半導体装置１５は、たとえば、一面に主電極を有し、ひとつのアームを構成する半導体素子と、半導体素子の熱を放熱する放熱部材と、主電極と放熱部材との間に介在するターミナルと、主電極とターミナルとの間に接合部を形成するはんだを備えればよい。

ヒートシンク４０、５０の裏面４０ｂ、５０ｂが、封止樹脂体２０から露出する例を示したが、これに限定されない。裏面４０ｂ、５０ｂの少なくとも一方が、封止樹脂体２０によって覆われた構成としてもよい。裏面４０ｂ、５０ｂの少なくとも一方が、封止樹脂体２０とは別の図示しない絶縁部材によって覆われた構成としてもよい。

信号端子８５がボンディングワイヤ９５を介してパッド３３に接続される例を示したが、これに限定されない。たとえば信号端子８５を、はんだを介してパッド３３に接続してもよい。

ヒートシンク５０が溝５１を有する例を示したが、溝５１を排除した構成としてもよい。同様に、継手部７１、７２の溝７３を排除した構成としてもよい。

１…駆動システム、２…直流電源、３…モータジェネレータ、４…電力変換装置４…平滑コンデンサ、６…インバータ、７…Ｐライン、８…Ｎライン、９…上下アーム回路、９Ｈ…上アーム、９Ｌ…下アーム、１０…出力ライン、１１…ＩＧＢＴ、１２…ＦＷＤ、１５…半導体装置、２０…封止樹脂体、２０ａ…一面、２０ｂ…裏面、２０ｃ、２０ｄ…側面、３０、３０Ｈ、３０Ｌ…半導体素子、３１…エミッタ電極、３２…コレクタ電極、３３…パッド、３３０…粗化領域、３３１…非粗化領域、３４…保護膜、４０、４０Ｈ、４０Ｌ…ヒートシンク、４０ａ…実装面、４０ｂ…裏面、５０、５０Ｈ、５０Ｌ…ヒートシンク、５０ａ…実装面、５０ｂ…裏面、５１…溝、６０、６０Ｈ、６０Ｌ…ターミナル、６０ａ、６０ｂ…端面、６０ｃ…側面、６００、６０１、６０２、６０３…平面部、６０４、６０５、６０６、６０７…角部、６１…粗化領域、６２…非粗化領域、６３…母材、６４…金属膜、６５…凹凸酸化膜、６６…凹部、７０、７１、７２…継手部、７３…溝、７４…凸部、８０、８１、８２…主端子、８１ａ…接続部、８５…信号端子、９０、９１、９２、９３、９４…はんだ、９１ａ…フィレット、９５…ボンディングワイヤ、９６…リードフレーム、９７…吊りリード、９８…タイバー

Claims

一面に形成された主電極（３１）を有する半導体素子（３０）と、
前記半導体素子の生じた熱を外部に放熱する放熱部材（５０）と、
前記主電極に対向する第１端面（６０ａ）と、前記放熱部材に対向する第２端面（６０ｂ）と、前記第１端面および前記第２端面とに連なる側面（６０ｃ）とを有し、前記主電極と前記放熱部材との間に介在するターミナル（６０）と、
前記主電極と前記ターミナルとの間に接合部を形成するはんだ（９１）と、
前記半導体素子、前記放熱部材、前記ターミナル、および前記はんだを一体的に封止する封止樹脂体（２０）と、
を備え、
前記ターミナルは、母材（６３）と、前記母材の表面に形成された金属膜（６４）と、前記金属膜の主成分の金属と同じ金属の酸化物であり、表面が連続して凹凸をなす凹凸酸化膜（６５）と、を有し、
前記側面は、前記凹凸酸化膜が形成された領域である粗化領域（６１）と、前記凹凸酸化膜が形成されていない領域である非粗化領域（６２）と、を有し、
前記側面において前記半導体素子側の端部の一部分に前記非粗化領域が設けられ、前記端部の残りの部分に前記粗化領域が設けられている半導体装置。
前記ターミナルは、前記半導体素子の板厚方向からの平面視において多角形状をなし、複数の平面部（６００～６０３）と、隣り合う前記平面部の間にそれぞれ設けられた角部（６０４～６０７）と、を有している請求項１に記載の半導体装置。
前記側面の前記端部において、
前記非粗化領域は、前記平面部のそれぞれに設けられ、
前記粗化領域は、前記角部のそれぞれに設けられている請求項２に記載の半導体装置。
前記側面の前記端部において、
前記非粗化領域は、前記角部のそれぞれに設けられ、
前記粗化領域は、前記平面部のそれぞれに設けられている請求項２に記載の半導体装置。
前記非粗化領域および前記粗化領域は、前記平面部のそれぞれにおいて、周方向に沿って交互に設けられている請求項２に記載の半導体装置。
前記非粗化領域は、互いに対向する前記平面部のそれぞれに設けられている請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
前記非粗化領域は、対角の前記角部のそれぞれに設けられている請求項２または請求項４に記載の半導体装置。
前記半導体素子は、前記一面において前記主電極とは離れた位置に形成されたパッド（３３）を有し、
前記非粗化領域は、前記パッド側の前記平面部または前記角部にのみ設けられている請求項２に記載の半導体装置。
前記側面の前記端部に設けられた前記非粗化領域および前記粗化領域は、前記半導体素子の板厚方向からの平面視において、前記ターミナルの中心を通り、前記板厚方向に直交する第１方向に平行な第１仮想線、および、前記ターミナルの中心を通り、前記板厚方向および前記第１方向に直交する第２方向に平行な第２仮想線、の少なくとも一方に対して線対称配置とされている請求項１～６いずれか１項に記載の半導体装置。
前記側面の前記端部に設けられた前記非粗化領域および前記粗化領域は、前記半導体素子の板厚方向からの平面視において、前記ターミナルの中心を通り、前記板厚方向に平行な軸に対して、回転対称配置とされている請求項１～７いずれか１項に記載の半導体装置。