JP5119753B2 - パワーモジュール用基板並びにパワーモジュール - Google Patents
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Description
図1はこの発明の一実施形態のパワーモジュールを示す縦断面図、図2は金属板とセラミックス基板との接合界面近傍を示す拡大図である。図1に示すように、この実施形態におけるパワーモジュール1は、セラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、該パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成されている。
ところで、従来のパワーモジュール用基板におけるクラックを観察したところ、金属板とセラミックス基板との接合界面よりもわずかに金属板内に入った位置で発生し、進展していた。そこで、この界面付近における金属板の微細組織に着目した。
[実施例1]
まず、厚さ0.635mmのAlN製セラミックス基板2の両面に、ろう材箔として厚さ20μmのAl−10.5%Si箔を挟んだ状態で、厚さ0.6mmの純度99.99%以上のAl製金属板6,7をそれぞれ積層し、これらを接合してパワーモジュール用基板3を得た。このパワーモジュール用基板3の接合界面の評価に際しては、このパワーモジュール用基板3の冷熱サイクル試験(―40℃・5分⇔105℃・5分)を繰り返し行い、夫々2000サイクル、4000サイクル、6000サイクル行った時点で、超音波探傷による方法で金属板6,7とセラミックス基板2との接合界面の剥離状態を観察し、剥離率の推移を2値化処理によって測定した。また、極低加速電圧SEM(ZEISS社「ULTRA55」)を用いて、析出粒子の元素成分・析出粒子径・互いに最も近傍に存在する析出粒子間距離につき、夫々測定した。このようにして測定された結果を、表1として示す。
実施例1のろう材箔を厚さ25μmのAl−7.5%Siとした以外は、実施例1と同様にして評価を行った。
[比較例]
従来例として、ろう材箔を厚さ10μmのAl−7.5%Siとした以外は、実施例1と同様にして評価を行った。
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
6 回路層用金属板
7 熱伝達層用金属板
20 Si析出粒子
A アルミニウム
Claims (2)
- セラミックス基板の表面に純アルミニウムからなる金属板を接合したパワーモジュール用基板であって、
前記金属板における前記セラミックス基板との接合界面から50μmまでの範囲には、複数のSi析出粒子が析出されており、
前記Si析出粒子は、その粒子径が3nm〜170nmとされ、互いに隣り合う最も近傍に存在するSi析出粒子同士の間の距離が100nm〜900nmとされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項1記載のパワーモジュール用基板の前記金属板の上に電子部品が搭載されていることを特徴とするパワーモジュール。
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