JP5110076B2 - 反射屈折投影光学系、投影光学装置、及び走査型露光装置 - Google Patents
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Description
さらに本発明は、そのような投影光学装置を用いて走査露光方式でマスク等のパターンの拡大像をプレート等の物体上に形成できる露光技術及びデバイス製造技術を提供することを第2の目的とする。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の走査型露光装置を用いてマスクのパ ターンを感光基板上に露光する露光工程と、その露光工程により露光されたその感光基板 を現像する現像工程とを含むものである。
また、本発明の走査型露光装置によれば、その2つの投影領域が位置ずれしている方向(所定方向)に直交する方向に走査することによって、その2つの投影領域の像を繋ぎ合わせることができる。
図1は、本例のステップ・アンド・スキャン方式の走査型の投影露光装置(走査型露光装置)の概略構成を示し、図1において、その投影露光装置は、露光光源(不図示)と、この露光光源からの光束でマスクM(第1物体)のパターンを照明する照明装置IUと、そのマスクMを保持して移動するマスクステージ(不図示)と、そのマスクMのパターンの拡大像をプレートP(第2物体)上に投影する複数の反射屈折型の投影光学系PL1〜PL7を含む投影光学装置PLと、プレートPを保持して移動するプレートステージ(不図示)と、マスクステージ及びプレートステージを駆動するリニアモータ等を含む駆動機構(不図示)と、この駆動機構等の動作を統括的に制御する主制御系(不図示)とを備えている。なお、本実施形態のプレートPは、一例として液晶表示素子製造用のフォトレジスト(感光材料)が塗布された1.9×2.2m角、2.2×2.4m角、2.4×2.8m角、又は2.8×3.2m角等の矩形の平板状のガラスプレートである。なお、そのプレートPとしては、薄膜磁気ヘッド製造用のセラミックス基板又は半導体素子製造用の円形の半導体ウエハ等も使用できる。
以下、部分照明光学系IL1〜IL7及び投影光学系PL1〜PL7の構成につき詳細に説明する。本例の投影光学系PL1〜PL7は、それぞれマスクM上における視野(ここでは照明領域に等しい)内の拡大像である一次像をプレートP上の像野内に形成する反射屈折型の投影光学系であり、その走査方向(X方向)における拡大倍率が+1倍を超え、且つ非走査方向(Y方向)における拡大倍率は−1を下回る。言い換えると、投影光学系PL1〜PL7は、それぞれマスクMのパターンの走査方向に正立で、かつ非走査方向に倒立の拡大像をプレートP上に形成する。走査方向及び非走査方向の拡大倍率の絶対値は、一例として2.5程度である。
図2は、図1中の2つの部分照明光学系IL1,IL2、及びこれらに対応する2つの投影光学系PL1,PL2の構成を示す図である。図2において、ライトガイドファイバ8の射出口8b及び8cから射出した光束は、部分照明光学系IL1及びIL2に入射して、コリメートレンズ9b及び9cにより集光される。集光された光束は、オプティカルインテグレータであるフライアイレンズ10b及び10cに入射し、フライアイレンズ10b及び10cの後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、それぞれコンデンサーレンズ11b及び11cによりマスクMをほぼ均一に照明する。
ここで、投影光学系PL1は、一例として、マスクMと凹面反射鏡CCMbとの距離よりもマスクMとプレートPとの距離のほうが大きくなるように、かつ、マスクM側の作動距離よりもプレートP側の作動距離が大きくなるように、凹面反射鏡CCMb、第1レンズ群G1b、第2レンズ群G2b、第3レンズ群G3b、及び偏向部材FM1b,FM2bが配置されている。
なお、光軸AX11,AX13及びAX21,AX23はZ軸にほぼ平行でもよく、光軸AX12及びAX22はX軸にほぼ平行でもよい。
Dp=Dm×|β| …(1)
図3は、この実施形態に係る投影露光装置(走査型露光装置)で用いられるマスクMの構成を示す平面図である。図3に示すように、マスクMは、非走査方向(Y方向)に沿って配置されて、図1の投影光学系PL1〜PL7の台形状(円弧状、又は端部が三角形状等でもよい、以下同様)の視野V1〜V7が位置決めされる7列の列パターン部M10〜M16を備えている。視野V1〜V7が台形状であるのは、継ぎ誤差を低減するために、視野V1〜V7の両端部のパターンの像をプレートP上に重ねて露光するためである。そのため、列パターン部M10〜M16の両端部には交互に同じパターンが形成されている。ただし、Y方向の両端部の視野V1,V7の内側のエッジ部の像は重ねては露光されない部分であるため(非走査方向には倒立像となるため)、X軸に平行な直線状となっている。
図4は、第1列の投影光学系PL1,PL3のマスクM上の視野V1,V3及びプレートP上の像野(投影領域)I1,I3と、第2列の投影光学系PL2のマスクM上の視野V2及びプレートP上の像野I2の関係を説明するための平面図である。図4において、視野V1,V2,V3内のパターンをX方向に正立で、Y方向に倒立で拡大した像が像野I1,I2,I3内に形成される。また、視野V1及び像野I1は、それぞれ光軸AX11,AX13から−X方向に外れており、視野V2及び像野I2は、それぞれ光軸AX21,AX23から+X方向に外れている。従って、第3レンズ群G3b及びG3cを構成するレンズの形状を凹面反射鏡CCMb,CCMc側の半分を切り落とした回転非対称にしても、像野I1,I2に向かう結像光束にケラレが生じない。
この場合には、図3に示すように、第1列の投影光学系用の列パターン部M10,M12等と、第2列の投影光学系用の列パターン部M11,M13等とをX方向の同じ位置に形成して、マスクオフセットを0にしておいても、その投影像をプレートP上で正確に繋ぎ合わせて露光できる。ただし、図4において、像野I1,I2の中心のX方向の間隔Lpは、本来のマスクMの全部のパターンの像のX方向の長さの他に、プレートステージによってプレートPをX方向に余分に走査する距離(以下、空走距離とも言う)である。
図2に戻り、本実施形態の投影光学系PL1においては、第3レンズ群G3bの光軸AX13から凹面反射鏡CCMb側の半分が無い。従って、2点鎖線の位置A1,A2で示すように、第2偏向部材FM2b及び第3レンズ群G3bを凹面反射鏡CCMb側に近付けることができる。同様に、投影光学系PL2においても、2点鎖線の位置A3,A4で示すように、第2偏向部材FM2c及び第3レンズ群G3cを凹面反射鏡CCMc側に近付けることができる。この場合には、結像面が−Z方向に移動するため、プレートPをマスクMに対して位置A5に下げる必要がある。さらに、外側の光軸AX13,AX23のX方向の間隔がDpからDp’に短縮されるため、投影光学装置PLを全体として小型化できる。
従って、空走距離を短縮でき、プレート側のステージ系を小型化できる一方で、マスクMが僅かに大型化することになる。
図2において、本実施形態では、走査露光時に、マスクMのパターンを投影光学装置PPLを介してプレートP上に露光した状態で、一例としてマスクMを矢印SM1で示す+X方向に速度VMで移動するのに同期して、プレートPが矢印SP1で示す+X方向に速度VM×|β|で移動される。βは投影光学系PL1〜PL7の投影倍率である。これによって、図3のマスクMの列パターン部M10〜M16の拡大倍率βの像を繋ぎ合わせたパターンがプレートP上に露光される。なお、マスクM及びプレートPを−X方向に走査することも可能である。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
また、第3レンズ群G3b中の回転非対称なレンズを例えば1つの回転対称なレンズを2分割して形成できる場合には、その1つの回転対称なレンズから2個分の回転非対称なレンズが得られるため、投影光学系PL1の製造コストが低減できる。
(4)また、投影光学系PL1の瞳位置(瞳面)は、第1レンズ群G1bと第1偏向部材FM1bとの間の光路上に位置しているため、その位置に容易に開口絞りASbを設置できる。
(6)また、第3レンズ群G3bの回転非対称な外形のレンズの切欠き面が、凹面反射鏡CCMb側に向けられているため、図2の位置A2等に示すように、切り欠かれた幅の分だけ第3レンズ群G3b(及び第2偏向部材FM2b)を凹面反射鏡CCMb側に近付けることが可能となり、投影光学系PL1をさらに(X方向に)小型化できる。
(10)また、上記の実施形態の投影露光装置は、マスクMのパターンの像をプレートP上に投影した状態で、マスクMのパターンの像とプレートPとの位置関係を走査方向(X方向)に関して変化させつつ、マスクMのパターンをプレートP上に転写露光する走査型露光装置において、マスクMをパターンの像をプレートP上に投影するために投影光学装置PLを備え、像野I1,I2が少なくとも離れている方向であるY方向に直交するX方向をその走査方向としている。従って、走査露光後に像野I1,I2によって露光される像を繋ぎ合わせることができ、これによって、プレートP上に大面積のパターンを露光できる。さらに、像野I1,I2の走査方向の距離を短縮できる場合には、プレートステージの空走距離(走査距離)を短縮できる。この結果、ステージ系の小型化によって露光装置の製造コストをさらに低減できるとともに、露光時間が短縮でき、露光工程のスループットを向上できる。
図5は、本実施形態にかかる部分照明光学系IL1,IL2及び投影光学系PLA1,PLA2を示し、投影光学系PLA1,PLA2は中間像を形成する点が図2の投影光学系PL1,PL2と主に異なっている。
図5において、投影光学系PLA1,PLA2は、マスクMの中間像を形成する第1結像光学系14b,14cと、中間像とプレートPとを光学的に共役にする第2結像光学系16b,16cとを備える投影光学装置により構成される。その第2結像光学系16b,16cの構成は、図2の投影光学系PL1,PL2とほぼ同じであるが、第2結像光学系16b,16cの第1レンズ群G1bh,G1chを構成する各レンズは、投影光学系PL1,PL2の第1レンズ群G1b,G1cを構成する回転対称な各レンズの、光軸に対して+X方向側及び−X方向側の半分を切り欠いた回転非対称な外形である点が異なっている。この場合でも、結像光束は、第1レンズ群G1bh,G1chの光軸から−X方向側及び+X方向側を通過しているため、投影光学系PLA1,PLA2をさらに軽量化できるとともに、有効な結像光束のケラレは生じない。
また、第1結像光学系14b,14cと第2結像光学系16b,16cとの間の光路中の中間像が形成される位置には、視野絞り15b,15cが配置されている。この実施形態に係る投影光学系によれば、視野絞り15b,15cの配置を容易に行うことができ、また、投影光学系の精度で視野絞りをプレートP上に投影することができるため、高精度な投影を行うことができる。
図6は、本実施形態に係る投影光学系PLB1,PLB2の構成を示す図である。図6において、投影光学系PLB1,PLB2は、図2の投影光学系PL1,PL2に対して、第1レンズ群G1bh,G1chの各レンズが回転非対称である点が異なっている。さらに、投影光学系PLB1,PLB2は、マスクMと第1レンズ群G1bh,G1chとの間の光路中に配置されたクサビ状のペアガラスにより構成される第1光学特性調整機構AD1b,AD1cと、第2光路偏向部材FM2b,FM2cの回転機構により構成される第2光学特性調整機構AD2b,AD2cと、同曲率を有する3枚のレンズにより構成される第3光学特性調整機構AD3b,AD3cと、平行平板を備えて構成される第4光学特性調整機構AD4b,AD4cとを備えている点とが異なっている。
なお、第2光学特性調整機構としては、第1光路偏向部材FM1b,FM1cのみを第2光路偏向部材FM2b,FM2cの回転軸と平行な軸を中心として回転させる機構や、第1光路偏向部材FM1b,FM1c及び第2光路偏向部材FM2b,FM2cを独立的に又は同期して上記軸を中心として回転させる機構を用いてもよい。
図8(A)は、図2の投影光学系PL2の実施例を示し、この図8(A)において、第1レンズ群G1cは、マスクM側から順に両凸レンズL11、両凹レンズL12、及び両凸レンズL13を配置して構成されている。第2レンズ群G2cは、マスクM側から順に、両凸レンズL14、両凹レンズL15、及びマスクMに凹面を向けた正メニスカスレンズL16を配置して構成されている。第3レンズ群G3cは、マスクM側から順に、両凹レンズL17、マスクMに凹面を向けた正メニスカスレンズL18、マスクMに凹面を向けた正メニスカスレンズL19、及びマスクMに凸面を向けた正メニスカスレンズL1Aを配置して構成されている。また、第1レンズ群G1cとマスクMとの間に平行平板状の光学特性調整部材AD11が配置され、第3レンズ群G3cとプレートPとの間に2枚の平行平板よりなり、光軸AX23に対して凹面反射鏡CCMc側の半分が切り欠かれた形状の光学特性調整部材AD12が配置されている。
次に、図9は、図2の投影光学系PL2(又は図6の投影光学系PLB2)としても使用できる投影光学系PLD2を示し、この図9において、光学特性調整部材AD13及び第1レンズ群G1Aは、それぞれ図8(A)の光学特性調整部材AD11及び第1レンズ群G1cから光軸AX21に対して第3レンズ群G3A側の半分を切り落とした形状である。また、第2レンズ群G2Aは、図8(A)の第2レンズ群G2cと同じ構成であり、第3レンズ群G3A及び光学特性調整部材AD14は、それぞれ図8(A)の第3レンズ群G3c及び光学特性調整部材AD12を光軸AX23の周りに180°回転した形状である。また、偏向部材FM1c及びFM2cは、それぞれ光軸AX21及びAX23に対して内側の光束を偏向している。この結果、第1レンズ群G1Aの切断面B2は光軸AX23側を向き、第3レンズ群G3Aの切断面B3は凹面反射鏡CCMcと反対側を向いているが、第3レンズ群G3Aと凹面反射鏡CCMcとの間隔を狭くしているため、投影光学系PLD2を軽量化できるとともに、小型化できる。
この実施例の第1レンズ群G1cの焦点距離f1、第3レンズ群G3cの焦点距離f3、及び投影倍率は図8(A)の実施例と同様である。
図13は、図12中のレンズL19の保持部の構成を示し、この図13において、ほぼ光軸AX23を含む切断面B6を持つレンズL19の外周には凸部(つば部)B7が形成され、この凸部B7が3箇所のレンズ保持部33A,33B,33Cを介してレンズ枠32に保持され、レンズ枠32が図8(A)の投影光学系PL2の鏡筒(不図示)内に収められる。図13において、凸部B7の上面が光軸AX23にほぼ垂直な平面部31Cとなっている。
(21)図5及び図6の実施形態、及び図9、図10の実施例等では、投影光学系PLA1,PLB1,PLD2等の第1レンズ群G1bh,G1A,G1c等を構成する全部のレンズは、光軸に対して半分側が切り欠かれた回転非対称な形状である。この場合でも、凹面反射鏡CCMb,CCMcによって第1レンズ群を通過する有効な結像光束の分布は回転非対称になるため、結像光束のケラレを生じることなく、投影光学系PLA1等がさらに軽量化されている。また、回転対称なレンズから2つの回転非対称な形状のレンズを製造することによって、複数の第1レンズ群G1bh等を製造する場合の製造コストを低減できる。
(22)また、例えば図13の回転非対称な外形のレンズL19は、このレンズの光軸(AX23)にほぼ平行な切断面B6を備え、この切断面B6から光軸AX23までの最短距離(正から負の値で、ここではほぼ0)が、レンズL19の外周から光軸AX23までの距離よりも短く設定されている。これによって、レンズL19は回転対称なレンズに比べて軽量化される。
(24)また、回転非対称な外形のレンズである図12のレンズL17〜L1Aは、光束が通過しない周縁部に形成された平面部31A〜31Dを備えている。従って、その平面部を用いて光学調整を効率的に行うことができるとともに、レンズを平凸又は平凹以外の任意の形状にできる利点がある。
図14のステップS401(パターン形成工程)では、先ず、露光対象の基板上にフォトレジストを塗布して感光基板を準備する塗布工程、上記の走査型露光装置を用いて液晶表示素子用のマスクのパターンをその感光基板上に転写露光する露光工程、及びその感光基板を現像する現像工程が実行される。この塗布工程、露光工程、及び現像工程を含むリソグラフィ工程によって、その基板上に所定のレジストパターンが形成される。このリソグラフィ工程に続いて、そのレジストパターンをマスクとしたエッチング工程、及びレジスト剥離工程等を経て、その基板上に多数の電極等を含む所定パターンが形成される。そのリソグラフィ工程等は、その基板上のレイヤ数に応じて複数回実行される。
本発明は、液晶表示素子の製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、セラミックスウエハ等を基板として用いる薄膜磁気ヘッド、及び半導体素子等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。
Claims (19)
- 第1面上に配置される第1物体の像を第2面上に配置される第2物体上に拡大の投影倍率で形成する反射屈折投影光学系において、
前記第1面と前記第2面との間の光路中に配置され、前記第2面に垂直な第1光軸を有する凹面反射鏡と、
前記第1面と前記凹面反射鏡との間の光路中に配置される前側レンズ群と、
前記凹面反射鏡と前記第2面との間の光路中に配置され、前記第1光軸と異なり且つ前記第1光軸に対して第1方向に離れて平行な第2光軸を有する後側レンズ群と、を備え、
前記後側レンズ群は、少なくとも1枚の前記第1方向側の一部が切り欠かれた回転非対称な外形のレンズを含むことを特徴とする反射屈折投影光学系。 - 前記凹面反射鏡と前記少なくとも1枚の回転非対称な外形のレンズとの間の光路中に配置されて、前記第1物体上での所定の視野点からの光束を、前記視野点に対して少なくとも前記第1方向にシフトした前記第2物体上の共役点に移送する光束移送部材をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記凹面反射鏡と前記光束移送部材との間に配置されて、前記凹面反射鏡に入射する光束と前記凹面反射鏡で反射された光束とが通過する中間レンズ群をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記反射屈折投影光学系の瞳位置は、前記前側レンズ群と前記光束移送部材との間に位置していることを特徴とする請求項2又は3に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記前側レンズ群は正屈折力を有し、前記後側レンズ群は正屈折力を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記前側レンズ群は、少なくとも1枚の回転非対称な外形のレンズを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記回転非対称な外形のレンズは、該レンズの光軸にほぼ平行な切欠き面を備え、
該切欠き面から前記光軸までの最短距離が前記レンズの外周から前記光軸までの距離よりも短いことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。 - 前記後側レンズ群中の前記回転非対称な外形のレンズの前記切欠き面は、前記凹面反射鏡側に向けられていることを特徴とする請求項7に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記第1光軸と前記第2光軸との間の距離は、前記第1光軸に沿って配置される光学部材のうち最大径を持つ光学部材の半径と、前記後側レンズ群を構成する光学部材のうちの最大径を持つ光学部材の半径との和よりも狭いことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記後側レンズ群中の前記回転非対称な外形のレンズは、該レンズの光軸を横切る方向に延びた平面部を持つことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記回転非対称な外形のレンズの前記平面部は、光束が通過する部分又は光束が通過しない周縁部に形成されたことを特徴とする請求項10に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記第1面と前記第2面との間の光路中に配置されて、前記反射屈折投影光学系の前記第2面側開口数を決定するための開口絞りをさらに備え、
該開口絞りは、前記第1面側及び前記第2面側が略テレセントリックとなるように位置決めされていることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。 - 前記第1面と前記第2面とは互いに平行であることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記第1面と前記第2面との間に、前記第1物体の中間像が形成されないことを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 前記第2物体上に前記第1物体の一次像を形成することを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系。
- 請求項1から15のいずれか一項に記載の反射屈折投影光学系よりなる第1及び第2投影光学系を備えた投影光学装置であって、
前記第1投影光学系は、前記第1面上で第1視野を有し、該第1視野からの光に基づいて前記第2面上の第1投影領域に前記第1物体の一部の拡大像を投影し、
前記第2投影光学系は、前記第1面上で前記第1視野から少なくとも前記第1方向に直交する第2方向に離れた第2視野を有し、該第2視野からの光に基づいて第2面上の前記第1投影領域から少なくとも前記第2方向に離れた第2投影領域に前記第1物体の一部の拡大像を投影し、
前記第1及び第2投影光学系の前記後側レンズ群中の前記回転非対称なレンズは、前記第1光軸に平行な軸に関してほぼ線対称であることを特徴とする投影光学装置。 - 第1面に配置される第1物体の像を第2面に配置される第2物体上に投影した状態で、前記第1物体の像と前記第2物体との位置関係を走査方向に関して変化させつつ、前記第1物体のパターンを前記第2物体上に転写露光する走査型露光装置において、
前記第1物体の像を前記第2物体上に投影するために請求項16に記載の投影光学装置を備え、
前記投影光学装置の前記第1方向を前記走査方向とすることを特徴とする走査型露光装置。 - 前記第2物体は、1辺の長さが1.9mから3.2mの矩形のガラスプレートであることを特徴とする請求項17に記載の走査型露光装置。
- 請求項17又は18に記載の走査型露光装置を用いてマスクのパターンを感光基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009502481A JP5110076B2 (ja) | 2007-03-05 | 2008-01-30 | 反射屈折投影光学系、投影光学装置、及び走査型露光装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007054882 | 2007-03-05 | ||
| JP2007054882 | 2007-03-05 | ||
| JP2009502481A JP5110076B2 (ja) | 2007-03-05 | 2008-01-30 | 反射屈折投影光学系、投影光学装置、及び走査型露光装置 |
| PCT/JP2008/051358 WO2008108123A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-01-30 | 反射屈折投影光学系、投影光学装置、及び走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2008108123A1 JPWO2008108123A1 (ja) | 2010-06-10 |
| JP5110076B2 true JP5110076B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=39738019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009502481A Active JP5110076B2 (ja) | 2007-03-05 | 2008-01-30 | 反射屈折投影光学系、投影光学装置、及び走査型露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5110076B2 (ja) |
| TW (1) | TWI426295B (ja) |
| WO (1) | WO2008108123A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8130364B2 (en) * | 2007-01-04 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, photomask, and device and photomask manufacturing method |
| JP2013219089A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Canon Inc | 光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| CN109196423B (zh) * | 2016-05-06 | 2021-08-27 | 株式会社尼康 | 光束扫描装置 |
| JP7111108B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2022-08-02 | 株式会社ニコン | パターン描画装置 |
| JP7623915B2 (ja) * | 2021-09-14 | 2025-01-29 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 直描式露光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06242379A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
| JPH0821955A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
| JPH08188298A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Brother Ind Ltd | 光学式センサの駆動回路 |
| JPH11265848A (ja) * | 1997-12-20 | 1999-09-28 | Carl Zeiss:Fa | 投影露光装置及び露光方法 |
| JP2006184709A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05188298A (ja) * | 1991-08-05 | 1993-07-30 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
-
2007
- 2007-12-20 TW TW096148966A patent/TWI426295B/zh active
-
2008
- 2008-01-30 JP JP2009502481A patent/JP5110076B2/ja active Active
- 2008-01-30 WO PCT/JP2008/051358 patent/WO2008108123A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06242379A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系 |
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| JPH08188298A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Brother Ind Ltd | 光学式センサの駆動回路 |
| JPH11265848A (ja) * | 1997-12-20 | 1999-09-28 | Carl Zeiss:Fa | 投影露光装置及び露光方法 |
| JP2006184709A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2008108123A1 (ja) | 2010-06-10 |
| TWI426295B (zh) | 2014-02-11 |
| TW200844674A (en) | 2008-11-16 |
| WO2008108123A1 (ja) | 2008-09-12 |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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