JP5107032B2 - チャンバクリーニング処理を制御するための方法 - Google Patents
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Description
処理システム1は、基板25の温度を保持及び制御する目的で基板ホルダー20を搭載するための台5を有する処理チャンバ10、処理ガス15を処理チャンバ10に注入するガス注入システム40、真空ポンプシステム50を備える。例えば、処理ガス15は、処理チャンバ10中のクリーニング処理(処理チャンバ10中における基板ホルダー20及び他のシステム部品からの材料堆積物の除去を含む)を行うためのクリーニングガスであってもよく、基板25を処理するための処理ガスであってもよい。ガス注入システム40は、実験施設内の供給源(図示せず)から処理チャンバ10への処理ガス15輸送に亘る独立制御を可能とする。ガスは、ガス注入システム40を介して処理チャンバ10から導入され得るし、処理圧力は調整される。コントローラー55は、真空ポンプシステム50及びガス注入システム40を制御するために用いられる。ガス注入システム40は、ガスを励起するためのリモートプラズマ供給源(図示せず)をさらに備えていてもよい。
20 基板ホルダー
25 基板
95 ロボット基板移送システム
Claims (11)
- 発熱チャンバクリーニング処理の制御方法であって、
基板ホルダー、シャワーヘッド、シールド、リング、電極、又は、これらの組合せ、から選択されるシステム部品から材料堆積物を除去するために発熱チャンバクリーニング処理においてクリーニングガスに前記システム部品を晒すこと、
直接測定される前記システム部品に対する温度関連パラメータを選択すること、及び前記パラメータに対する閾値を設定することであって、前記温度関連パラメータは、前記システム部品の温度と、前記システム部品に印加される加熱出力及び前記システム部品に印加される冷却出力のうち少なくとも一つと、の組み合わせであること、
前記晒している間に前記温度関連パラメータを直接測定することによって前記システム部品のクリーニング状態を決定すること、及び、前記直接測定された温度関連パラメータを前記閾値と比較すること、を含み、
前記決定された状態に基づいて、
(a)前記晒すこと及び前記直接測定の継続、又は、(b)前記チャンバクリーニング処理の停止、のうち1つを行う、方法。 - 前記システム部品に印加される前記加熱出力は、抵抗ヒータ又はランプヒータを出力することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記システム部品に印加される前記冷却出力は、前記システム部品を冷却媒体に接触することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記晒すことには、ClF3、F2、NF3、又は、HF、又はこれらの少なくとも2以上の混合物を含むクリーニングガスに、前記システム部品を晒すことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記クリーニングガスは、Ar、He、Ne、Kr、Xe、及びN2、又はこれらの少なくとも2以上の混合物を含む不活性ガスをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記直接測定することには、前記温度関連パラメータにおける変化を検出することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記閾値は、
予め選択されたシステム部品温度を保持するために前記クリーニングガスに前記システム部品を晒すことの前に前記システム部品に印加された、前記加熱出力及び冷却出力を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記(b)を行うことには、前記閾値に到達した後に前記チャンバクリーニング処理を停止することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記直接測定することには、前記温度関連パラメータを組み合わせることによって、調整されたシステム部品パラメータを演算すること、及び、前記温度関連パラメータに対して予め選択された値を組み合わせることによって演算された調整された閾値と前記調整されたシステム部品パラメータとを比較すること、をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板ホルダーは、Al2O3、AlN、SiC、BaO、又は、LaB6、又は、これらの混合物、の少なくとも1つを含む、請求項1記載の方法。
- 前記材料堆積物は、シリコン含有堆積物、高誘電体堆積物、金属堆積物、金属酸化堆積物、金属窒化堆積物、の少なくとも1つを含む、請求項1記載の方法。
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