JP5100349B2 - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
このようなカラーフィルター等のデバイスにおいては、例えばガラス等からなる基板上に形成された有機層上に、例えばITOやSiO2からなる無機層が形成される。
また、本発明の他の目的は、真空槽内における残留ガスや脱ガスの影響を最小限にすることによりプロセスマージンを広くすることが可能な薄膜製造技術を提供することにある。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記プラズマ暴露工程は、前記成膜対象物上の有機層に対し、真空中でプラズマを用いてエッチングを行うエッチング工程を有するものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記加熱工程における雰囲気温度が、前記プラズマ暴露工程における雰囲気温度より高いものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記加熱工程における雰囲気温度が、前記無機系薄膜形成工程における雰囲気温度より高いものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項記載の発明において、前記無機系薄膜形成工程の後に当該無機系薄膜上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程を有するものである。
請求項6記載の発明は、真空連通可能な複数の真空処理槽を有し、成膜対象物上に設けられた有機層上に真空中で無機系薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記成膜対象物上の有機層を加熱する加熱手段を有する加熱槽と、前記加熱槽に連通され前記成膜対象物上の有機層に対して雰囲気温度を制御しつつプラズマ処理を行うプラズマ処理槽とを備え、前記加熱槽が、前記プラズマ処理槽に対して当該成膜工程における前段側に配置されるとともに、前記加熱槽と前記プラズマ処理槽とがゲートバルブを介して接続され、前記加熱槽の内部圧力が、1×10 -5 Pa〜1×10 -3 Paに設定されるとともに、前記プラズマ処理槽の内部圧力が、1Pa〜10 2 Paに設定されているものである。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記成膜対象物上の無機系薄膜上に透明導電膜を形成するための成膜槽を有するものである。
図1(a)は、本発明に係る薄膜形成装置の一例を示す概略断面構成図、図1(b)は、本発明に係る薄膜形成方法の一例を示す概略流れ図である。また、図2(a)〜(c)は、本発明による多層膜の成膜工程を示す断面図である。
そして、この薄膜形成装置1を用い、仕込み/取り出し室2に搬入された成膜用基板20に対し、各室において以下に説明する処理を行う。
ここで、成膜用基板20は、図2(a)に示すように、例えば、ガラス基板21上に、第1の有機層22が形成され、その上に第2の有機層23が形成されたものである。なお、第2の有機層23の材料としては、例えば、エポキシアクリレート系の樹脂が用いられる。
加熱室3内には、図示しないヒーターが設けられており、これにより加熱室3内の雰囲気を真空中で第1の温度T1に保持するようになっている。
そして、加熱室3内において、成膜用基板20を加熱する工程を行うことにより、成膜用基板20の脱ガスを行う(ステップS2)。
ここで、加熱室3内の圧力は、1×10-5Pa〜1×10-3Paとすることが好ましい。
プラズマ処理室4は、ガスライン(図示せず)を介して例えばアルゴンガス及び酸素ガスを導入するように構成されている。また、プラズマ処理室4内には、図示しないDC電源に接続されたDC電極40が設けられている。
この場合、プラズマ処理室4内の雰囲気温度は上述した第1の温度T1と同一、好ましくは第1の温度T1より低い第2の温度T2に保持する。
ここで、プラズマ処理室4内の圧力は、1×100Pa〜102Paとすることが好ましい。
成膜室5内には、図示しないRF電源に接続された第1のカソード(ターゲット)51が設けられており、この第1のカソード51の近傍には、図示しないガスラインを介して第1のプロセスガスを導入するようになっている。ここで、第1のカソード51としては、例えば、SiO2からなるターゲットを用いることができる。
この場合、成膜室5内の雰囲気温度は上記第1の温度T1と同一、好ましくは第1の温度T1より低い第3の温度T3に保持する。
その後、成膜室5内に第2のプロセスガスを導入して例えばDCスパッタリングを行い、成膜用基板20の第1の無機膜24上に第2の無機膜25を形成する(ステップS5、図2(c))。
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
さらに、本発明は枚葉式のみならず、例えばマルチチャンバー方式等の種々の薄膜形成装置に適用することができるものである。
図1に示す構成の薄膜形成装置を用い、次のような実験を行った。
まず、仕込み/取り出し室に、図2(a)に示す成膜用基板を搬入して粗引き排気を行った後、この成膜用基板を加熱室に搬送して加熱工程を行った。
加熱工程では、圧力1×10-4Paの下、加熱温度(雰囲気温度)を、200℃又は無加熱とした。
プラズマ処理工程では、酸素ガスを含有するアルゴンガスを導入した後、圧力20Paの下、DC電極にDC電圧を印加し放電を発生させてプラズマ処理を行った。
この場合、加熱温度(雰囲気温度)は、150℃、200℃又は無加熱とした。
成膜工程では、プロセスガスを導入後、RFスパッタにより、膜厚150オングストロームとなるようにSiO2膜を形成し、引き続き、DCスパッタにより膜厚1500オングストロームとなるようにITO膜を形成し、これにより、成膜用基板上に、SiO2/ITO薄膜を成膜した。
この場合、加熱温度(雰囲気温度)は、100℃、200℃又は無加熱とした。
上述した各条件で成膜を行った後、各サンプルについてテープピール試験により密着性を評価し、有機層とSiO2膜間で、目視で剥離が観察されたものを×、顕微鏡下では一部剥離が見られたものの、目視では剥離が観察されず、実用上問題とならないものを○、顕微鏡下でも、目視でも剥離が観察されなかったものを◎とした。その結果を表1に示す。
(1)プラズマ処理工程において、エッチング不足により、コンタミネーション及び表面粗化不足が密着を阻害した場合
(2)プラズマ処理工程において、基板からの脱ガスにより、過剰エッチングとなり有機層が破壊された場合
なお、使用する有機層の材料の種類によっては、プラズマ処理工程又はSiO2成膜工程において、プラズマ雰囲気の温度の高さに起因する過剰エッチングにより有機層に影響を及ぼす場合がある。
しかも、SiO2成膜工程において、プラズマ雰囲気の温度が高いため、RFプラズマの反応性が高く過剰エッチングとなり有機層が破壊された。
この場合、ITO成膜工程において雰囲気温度を200℃に上昇させた実施例2についても、問題が生ずることはなかった。
以上より、本発明の効果を実証することができた。
Claims (7)
- 成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ暴露工程と、当該成膜対象物の有機層上に真空中で無機系薄膜層を形成する無機系薄膜形成工程を有する薄膜形成方法であって、
前記プラズマ暴露工程の前に、真空中で前記成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程を有し、
前記加熱工程は、1×10 -5 Pa〜1×10 -3 Paの圧力下で行い、前記プラズマ暴露工程は、1Pa〜10 2 Paの圧力下で行う薄膜形成方法。 - 前記プラズマ暴露工程は、前記成膜対象物上の有機層に対し、真空中でプラズマを用いてエッチングを行うエッチング工程を有する請求項1記載の薄膜形成方法。
- 前記加熱工程における雰囲気温度が、前記プラズマ暴露工程における雰囲気温度より高い請求項1又は2のいずれか1項記載の薄膜形成方法。
- 前記加熱工程における雰囲気温度が、前記無機系薄膜形成工程における雰囲気温度より高い請求項1乃至3のいずれか1項記載の薄膜形成方法。
- 前記無機系薄膜形成工程の後に当該無機系薄膜上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程を有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の薄膜形成方法。
- 真空連通可能な複数の真空処理槽を有し、成膜対象物上に設けられた有機層上に真空中で無機系薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記成膜対象物上の有機層を加熱する加熱手段を有する加熱槽と、前記加熱槽に連通され前記成膜対象物上の有機層に対して雰囲気温度を制御しつつプラズマ処理を行うプラズマ処理槽とを備え、
前記加熱槽が、前記プラズマ処理槽に対して当該成膜工程における前段側に配置されるとともに、前記加熱槽と前記プラズマ処理槽とがゲートバルブを介して接続され、
前記加熱槽の内部圧力が、1×10 -5 Pa〜1×10 -3 Paに設定されるとともに、前記プラズマ処理槽の内部圧力が、1Pa〜10 2 Paに設定されている薄膜形成装置。 - 前記成膜対象物上の無機系薄膜上に透明導電膜を形成するための成膜槽を有する請求項6記載の薄膜形成装置。
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