JP5092424B2 - Lead frame and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、表面実装型の樹脂封止半導体装置用のリードフレームおよびその製造方法に関する。本発明はまた、上記リードフレームを用いた半導体パッケージ、プリント配線板、および電子機器に関する。   The present invention relates to a lead frame for a surface-mount type resin-encapsulated semiconductor device and a manufacturing method thereof. The present invention also relates to a semiconductor package, a printed wiring board, and an electronic device using the lead frame.

近年、半導体装置は、高集積化、高性能化されており、半導体素子(チップ)をリードフレームに実装した半導体パッケージにおいても、小型化、薄型化が求められている。また、チップの高集積化に伴い外部端子が増加する傾向にあり、このようなチップを実装する様々な方法が開発・実用化されている。   2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been highly integrated and enhanced in performance, and a semiconductor package in which a semiconductor element (chip) is mounted on a lead frame is required to be reduced in size and thickness. In addition, the number of external terminals tends to increase with the high integration of chips, and various methods for mounting such chips have been developed and put into practical use.

リードフレームを用いてチップを実装したものとしては、QFP(Quad Flat Package)と呼ばれる表面実装型パッケージが用いられており、実用化されている。QFPは単層のリードフレームを用いたもので、リードフレームの片側表面に半導体素子と電気的に接続されるインナーリード、および外部接続用の端子となるアウターリード
が配置されている。QFPは、ダイパット上に半導体素子を搭載し、インナーリード先端部と半導体素子の端子をワイヤーで接続した後、全体を樹脂で封止し、アウターリードをガルウイング状に折り曲げて作成されている。このようなQFPは、パッケージの周囲4方向への外部回路と電気的に接続できるようにアウターリードを配置した構造となっており、多ピン(端子)化に対応できるように開発されてきた。
As a chip mounted using a lead frame, a surface mount package called QFP (Quad Flat Package) is used and put into practical use. QFP uses a single-layer lead frame, and an inner lead electrically connected to a semiconductor element and an outer lead serving as a terminal for external connection are disposed on one surface of the lead frame. The QFP is produced by mounting a semiconductor element on a die pad, connecting the tip of the inner lead and the terminal of the semiconductor element with a wire, sealing the whole with resin, and bending the outer lead into a gull wing shape. Such a QFP has a structure in which outer leads are arranged so as to be electrically connected to an external circuit in four directions around the package, and has been developed so as to cope with the increase in the number of pins (terminals).

QFPでは、外部端子ピッチを狭めることにより、更なる多ピン化に対応できるが、外部端子ピッチを狭くした場合、外部端子自体の幅を狭める必要があり、外部端子の強度を低下させる恐れがある。また、外部端子のピッチが狭まることにより、これら狭ピッチの端子の実装が困難になるという問題がある。   QFP can cope with further increase in pin count by narrowing the external terminal pitch, but if the external terminal pitch is narrowed, it is necessary to narrow the width of the external terminal itself, which may reduce the strength of the external terminal. . Further, since the pitch of the external terminals is narrowed, there is a problem that it is difficult to mount these narrow pitch terminals.

これらのQFPの実装効率、実装性に関する問題点を解決するために、半田ボールをパッケージの外部端子とした面実装パッケージであるBGA(Ball Grid Array)と呼ばれる半導体パッケージが開発されてきた。BGAとは、一方の面に外部端子用電極となる半田ボールをマトリクス状に配置した半導体パッケージの総称である。通常、BGAは、端子を増やすために、一方の面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半田を付けた外部端子を設け、スルーホールを通じて半導体素子と外部端子とを電気的に接続する。BGAでは、球状の半田をマトリスク状に並べることによって端子ピッチの間隔を、従来の単層のリードフレームを用いたQFPよりも広くすることができ、この結果、半導体素子の実装を容易にし、入出力端子の増加に対応することができる。   In order to solve the problems related to the mounting efficiency and mountability of these QFPs, a semiconductor package called BGA (Ball Grid Array), which is a surface mount package using solder balls as external terminals of the package, has been developed. BGA is a general term for semiconductor packages in which solder balls serving as external terminal electrodes are arranged in a matrix on one surface. Usually, in order to increase the number of terminals, a BGA has a semiconductor element mounted on one side and an external terminal with a spherical solder attached on the other side, and the semiconductor element and the external terminal are electrically connected through a through hole. Connecting. In BGA, the pitch of the terminal pitch can be made wider than the conventional QFP using a single-layer lead frame by arranging spherical solders in a matrix pattern. As a result, mounting of the semiconductor element is facilitated. It is possible to cope with an increase in output terminals.

しかしながら、BGAではパッケージに搭載する半導体素子とワイヤーの結線を行なう回路を一方の面に設け、半導体素子を搭載した後のパッケージをプリント配線板に実装するための外部端子をもう一方の面に設ける。一方の面に設けられた回路と、他方の面に設けられた外部端子とは、基板を貫通するスルーホールを介して電気的に接続する必要があり、BGAの製造工程は複雑である。さらに、樹脂基板の熱膨張によりスルーホール部の断線が生じて信頼性を低下させるおそれがある。   However, in the BGA, a semiconductor element mounted on a package and a circuit for connecting wires are provided on one surface, and external terminals for mounting the package after mounting the semiconductor device on a printed wiring board are provided on the other surface. . The circuit provided on one surface and the external terminal provided on the other surface need to be electrically connected through a through hole penetrating the substrate, and the manufacturing process of the BGA is complicated. Furthermore, the thermal expansion of the resin substrate may cause disconnection of the through-hole portion and reduce reliability.

このため、製造工程の簡略化、信頼性の問題を回避するために、リードフレームをコア材として回路を形成したBGAも提案されてきた。特開平8−139259号公報(特許文献1)には、金属板の加工により形成され、絶縁層があり、外部端子が格子状に配列されているリードフレームが開示されている。特許文献1のリードフレームの絶縁層は、リードフレームの半導体素子搭載側(チップ実装面)と対向する側の面(反対面)に配置され樹脂封止領域全面を覆うが、外部端子は外部に露出するように絶縁層には覆われていない。   For this reason, in order to simplify the manufacturing process and avoid the problem of reliability, a BGA in which a circuit is formed using a lead frame as a core material has been proposed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-139259 (Patent Document 1) discloses a lead frame formed by processing a metal plate, having an insulating layer, and having external terminals arranged in a grid pattern. The insulating layer of the lead frame of Patent Document 1 is disposed on the surface (opposite surface) opposite to the semiconductor element mounting side (chip mounting surface) of the lead frame and covers the entire resin-encapsulated region, but the external terminals are outside. The insulating layer is not covered so as to be exposed.

また、特開平9-307043号公報(特許文献2)には、少なくともインナーリードと、該インナーリードと一体的に連結された外部端子とを備え、一部が元々の基材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、該リードフレーム全体を固定する絶縁樹脂とを含む樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材が開示されている。外部端子は、板状の基材の片側の面(反対面)に沿い二次元的に配列され、外部回路と電気的に接続される。このリードフレーム部材の製造方法は、(a)金属板等を基材としてその両面に感光性のレジストを塗布した後、表裏両面に所定の絵柄を持つレジストパターンを形成する工程と、(b)レジストパターンを形成した基材の一方の面からエッチングして穴部を形成する第1のエッチング加工を少なくとも施し、基材を貫通せずにエッチングを止める工程と、(c)第1のエッチング加工により形成された基材の一方の面の穴部に、耐エッチング性を有する硬化性絶縁樹脂を埋め込む工程と、(d)基材の他方の面からエッチングして貫通させる第2のエッチング加工を施し、リードフレームを外形加工する工程と、(e)リードフレームの一方の面側から研磨して、少なくとも一方の面側にエッチングにより形成された外部端子部を露出させるものである。特許文献2に記載の発明は、上記のような構造、製造方法にすることにより、インナーリードや外部端子の固定ができ、かつインナーリードの微細化を可能としたものである。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-307043 (Patent Document 2) includes at least an inner lead and an external terminal integrally connected to the inner lead, and a part thereof is thinner than the original thickness of the base material. A lead frame member for a resin-encapsulated semiconductor device is disclosed, which includes a lead frame formed on the substrate and an insulating resin that fixes the entire lead frame. The external terminals are two-dimensionally arranged along one surface (opposite surface) of the plate-like substrate, and are electrically connected to an external circuit. The lead frame member manufacturing method includes: (a) a step of forming a resist pattern having a predetermined pattern on both front and back surfaces after applying a photosensitive resist on both sides of a metal plate or the like as a base material; and (b) Performing at least a first etching process that forms a hole by etching from one surface of a base material on which a resist pattern is formed, and stopping the etching without penetrating the base material; and (c) a first etching process. A step of embedding a curable insulating resin having etching resistance in a hole portion on one surface of the base material formed by the step (d), and (d) a second etching process for etching and penetrating from the other surface of the base material. And (e) polishing from one surface side of the lead frame to expose an external terminal portion formed by etching on at least one surface side. It is. The invention described in Patent Document 2 allows the inner lead and the external terminal to be fixed and the inner lead to be miniaturized by adopting the above-described structure and manufacturing method.

特開平8-139259号公報JP-A-8-139259 特開平9-307043号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-307043

しかしながら特許文献1の絶縁層は、感光性のフィルムあるいは接着剤付フィルムである。前者は基材を金属加工してリードフレームを形成した後、感光性樹脂をリードフレームに貼り付け、フィルム状の観光性樹脂を露光、現像して形成される。また、後者はあらかじめフィルムに外部端子を露出させる孔を形成し、この孔から外部端子が露出するように位置合わせをしてリードフレームにラミネートしたものである。このため、前者についてはリードフレーム形成後、感光性樹脂を貼り付け、露光、現像する必要で製造工程数が増え、また、すでに形成されたリードフレームと位置合わせをして露光する必要もある。一方、後者の場合は、接着剤付フィルムに形成した孔から、外部端子が露出されるようにフィルムを位置合わせしながらラミネートする必要があり、ラミネートに高度な技術を必要とするため、生産性に問題がある。   However, the insulating layer of Patent Document 1 is a photosensitive film or a film with an adhesive. The former is formed by forming a lead frame by metallizing the base material, then sticking a photosensitive resin to the lead frame, and exposing and developing a film-like tourism resin. In the latter, holes for exposing the external terminals are formed in advance in the film, and alignment is performed so that the external terminals are exposed from the holes, and the film is laminated on the lead frame. For this reason, after forming the lead frame, it is necessary to attach a photosensitive resin, expose and develop the number of manufacturing steps, and it is also necessary to align and expose the lead frame already formed. On the other hand, in the latter case, it is necessary to laminate the film while aligning the film so that the external terminals are exposed from the holes formed in the film with adhesive. There is a problem.

また、特許文献1のリードフレームでは、基材の両面全体をエッチングする、あるいはプレス加工することによりリードフレームを形成するため、インナーリード、リード、外部端子が全て同じ厚さとなる。したがって、狭ピッチ化する場合には、基材の板厚を薄くする必要があり、絶縁層の形成、貼り合せがさらに困難となる。   Moreover, in the lead frame of Patent Document 1, since the lead frame is formed by etching or pressing both sides of the base material, the inner leads, leads, and external terminals all have the same thickness. Therefore, when narrowing the pitch, it is necessary to reduce the thickness of the base material, which makes it more difficult to form and bond the insulating layer.

特許文献2の製造方法では、埋め込んだ硬化樹脂を薄く、かつ精度よく外部端子部を露出させるように研磨する工程が必要になる。埋め込んだ硬化樹脂の厚さはリードフレーム材の厚さの半分ほどになり、強度的に弱く、研磨工程で樹脂にクラックが発生する場合がある。また、外部端子を露出させる際、外部端子部分が剥離しインナーリード側に押し込まれてしまうといった不良が発生する可能性がある。   In the manufacturing method of Patent Document 2, a step of polishing the embedded cured resin so as to be thin and accurately expose the external terminal portion is necessary. The thickness of the embedded cured resin is about half the thickness of the lead frame material and is weak in strength, and cracks may occur in the resin during the polishing process. In addition, when the external terminal is exposed, there is a possibility that a defect such that the external terminal part peels off and is pushed into the inner lead side may occur.

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、BGAタイプの樹脂封止型半導体装置とそれに用いられるリードフレームで、多ピン化、狭ピッチ化に対応でき、簡易的な方法で製造可能となるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and is a BGA type resin-encapsulated semiconductor device and a lead frame used therefor, which can cope with a large number of pins and a narrow pitch, and is a simple method. It is an object of the present invention to provide a lead frame that can be manufactured and a manufacturing method thereof.

本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ね、基材のチップ実装面となる面の一部、具体的にはリードが形成される領域を除く部分をハーフエッチングすることにより、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成させた。具体的には、本発明は以下を提供する。   The inventors of the present invention have made extensive studies to solve the above problems, and by half-etching a part of the surface to be the chip mounting surface of the base material, specifically, a portion excluding the region where the lead is formed, The inventors have found that the above problems can be solved and have completed the present invention. Specifically, the present invention provides the following.

請求項1に係る発明は、リードおよび該リードに電気的に接続された外部端子を少なくとも備え、チップ実装面と該チップ実装面に相反する側にある反対面とを有するリードフレームにおいて、前記チップ実装面の一部はハーフエッチングされ前記反対面にある前記外部端子の接続面までの距離が他部より短くなっており、前記チップ実装面において前記リードは前記他部に位置すると共に、前記リードが前記反対面側からエッチングされ、前記反対面において前記外部端子の接続面に比べて前記チップ実装面側に窪んでおり、前記リードを介して前記外部端子と電気的に接続されたチップ接続端子をさらに備え、前記チップ接続端子は、前記反対面にマトリクス状に配置され、前記外部端子が連結される枠部にあたる一辺から遠ざかり、前記枠部の一辺以外の他の3辺の外縁に近い位置に配置されることを特徴とするリードフレームである。
The invention according to claim 1 is a lead frame comprising at least a lead and an external terminal electrically connected to the lead, and having a chip mounting surface and an opposite surface on the side opposite to the chip mounting surface. A part of the mounting surface is half-etched so that the distance to the connection surface of the external terminal on the opposite surface is shorter than the other part, and the lead is located in the other part on the chip mounting surface, and the lead Is etched from the opposite surface side, and is recessed on the chip mounting surface side compared to the connection surface of the external terminal on the opposite surface, and the chip connection terminal electrically connected to the external terminal via the lead The chip connection terminals are arranged in a matrix on the opposite surface, away from one side corresponding to a frame portion to which the external terminals are coupled, A lead frame, characterized in that disposed on the other edge near the position of the three sides except one side of the frame portion.

本発明に係るリードフレームは、基材を両面からエッチング加工して作製され、基材の一方の面であってチップ実装面となる側はリードとなる部分を除いてハーフエッチングされており、基材よりも薄肉化されている。このように、リードとなる部分以外の部分を薄肉化することにより、本発明によればリードのエッチングの高精細化を図ることができ、薄肉化されていないよりも狭ピッチの配線ルールでリードを形成することができる。   The lead frame according to the present invention is produced by etching a base material from both sides, and one side of the base material, which is a chip mounting surface side, is half-etched except for a portion to be a lead. Thinner than the wood. In this way, by thinning the portion other than the portion that becomes the lead, according to the present invention, it is possible to achieve high definition of the etching of the lead, and lead with a wiring rule having a narrower pitch than that which is not thinned. Can be formed.

このリードフレームには、樹脂モールド工程で必要部分のみに絶縁層を一括形成できる。このため、特許文献1のように外部端子を露出させるように絶縁層を形成する必要はなく、特許文献2のように外部端子を露出させるように硬化樹脂で埋めた部分を研磨する工程は必要ない。   On this lead frame, an insulating layer can be collectively formed only in a necessary portion by a resin molding process. For this reason, it is not necessary to form an insulating layer so as to expose the external terminal as in Patent Document 1, and a process of polishing a portion buried with a cured resin so as to expose the external terminal as in Patent Document 2 is necessary. Absent.

本発明に係るリードフレームは、第2のエッチングを行なうことにより、リードが形成される部分がチップ実装面と反対側からハーフエッチングされ、基材よりも薄肉化されている。このため、元の基材と同じ厚さの部分にリードを形成する場合に比べて高精細化できる。また、外部接続端子の接続面と同一平面上にはリードは現れないため、樹脂モールド後、反対面から固定テープを剥離すると外部端子部分のみを露出させることができる。   In the lead frame according to the present invention, the portion where the lead is formed is half-etched from the side opposite to the chip mounting surface by performing the second etching, and is thinner than the base material. For this reason, high definition can be achieved as compared with the case where the lead is formed in the same thickness as the original base material. Moreover, since the lead does not appear on the same plane as the connection surface of the external connection terminal, only the external terminal portion can be exposed by peeling the fixing tape from the opposite surface after resin molding.

本発明に係るリードフレームは、複数の外部端子を基材の反対面側にマトリクス状に配置したBGAタイプであり、複数の外部端子を一方向に並べるQFPタイプのように外部端子を狭ピッチ化することなく、多ピン化に対応できる。   The lead frame according to the present invention is a BGA type in which a plurality of external terminals are arranged in a matrix on the opposite side of the substrate, and the pitch of the external terminals is narrowed like the QFP type in which a plurality of external terminals are arranged in one direction. It is possible to cope with the increase in the number of pins without having to do so.

チップ接続端子は、外部端子の接続面と反対側にあるチップ実装面にあって、このチップ実装面側に実装されるICチップと電気的に接続される。本発明に係るリードフレームではチップ接続端子を外部端子より外周側に配置することによって、チップ接続端子を狭ピッチ化する必要性を小さくできる。   The chip connection terminal is on the chip mounting surface opposite to the connection surface of the external terminal, and is electrically connected to the IC chip mounted on the chip mounting surface side. In the lead frame according to the present invention, it is possible to reduce the necessity of narrowing the pitch between the chip connection terminals by disposing the chip connection terminals on the outer peripheral side from the external terminals.

基材のチップ接続端子が形成される部分を薄肉化してしまうと、中空化してしまい形状を保持することが困難になる場合がある。また、チップ接続端子は、チップ実装工程の際にチップとワイヤーボンディングされるが、チップ接続端子が中空化した状態であると、ワイヤーボンディングが困難となる。本発明に係るリードフレームでは、チップ接続端子を薄肉化せず、基材と同じ厚さにすることによって形状を保持し、ワイヤーボンディングを容易とする。   If the portion of the substrate where the chip connection terminals are formed is thinned, it may become hollow and it may be difficult to maintain the shape. The chip connection terminal is wire-bonded to the chip during the chip mounting process. However, if the chip connection terminal is hollow, wire bonding becomes difficult. In the lead frame according to the present invention, the chip connection terminal is not thinned, and the same thickness as that of the base material is maintained, thereby facilitating wire bonding.

本発明のリードフレームは、外部端子の接続面がある反対面にテープが貼着されているため、基材が貫通された部分があるリードフレームの変形を防ぐことができる。テープは、チップを実装して樹脂モールドした後、剥離可能であるため、樹脂モールド後にテープを剥離することで、外部端子が露出した構造の半導体装置とすることが容易である。   In the lead frame of the present invention, since the tape is attached to the opposite surface where the connection surface of the external terminal is present, it is possible to prevent deformation of the lead frame having a portion through which the base material is penetrated. Since the tape can be peeled after the chip is mounted and resin molded, it is easy to obtain a semiconductor device having a structure in which the external terminals are exposed by peeling the tape after resin molding.

上述したリードフレームには、チップ実装面側にチップを実装し、これを樹脂モールド加工することで請求項7に係る半導体パッケージが得られる。半導体パッケージは、プリント配線板に実装して電子機器に実装できる。電子機器としては、高集積化され、小型、かつ薄型の半導体パッケージが搭載される機器、例えばノート型パソコン、携帯電話、PDA(携帯情報端末、Personal Digital Assistance)、およびゲーム機等が例示できる。   A semiconductor package according to claim 7 is obtained by mounting a chip on the chip mounting surface side of the lead frame described above and processing the chip by resin molding. The semiconductor package can be mounted on a printed wiring board and mounted on an electronic device. Examples of the electronic device include a highly integrated device on which a small and thin semiconductor package is mounted, such as a notebook personal computer, a mobile phone, a PDA (personal digital assistant, personal digital assistance), and a game machine.

a)板状の基材の両面にフォトレジストを塗布、露光し所望のレジストパターンを形成する工程と、(b)前記レジストパターンが形成された前記基材の一方の面をチップ実装面とし該チップ実装面に相反する他方の面を反対面として、該反対面がエッチング液に触れる事を防ぐように保護シートで保護して該チップ実装面をエッチングして第1の穴部を形成する第1のエッチングを行なう工程と、(c)前記第1の穴部および前記チップ実装面を覆うように耐エッチング性を有する樹脂を塗布する工程と、(d)前記反対面から前記保護シートを剥離し、該反対面をエッチングして第2の穴部を形成する第2のエッチングを行なう工程と、(e)前記第2のエッチングがされた前記反対面にICチップ実装工程に耐え得る耐熱性テープを貼り付ける工程と、(f)前記耐エッチング性を有する樹脂を剥離する工程と、を少なくとも有するリードフレームの製造方法である。 (A ) a step of applying a photoresist on both surfaces of a plate-like substrate and exposing to form a desired resist pattern; and (b) one surface of the substrate on which the resist pattern is formed as a chip mounting surface. The other surface opposite to the chip mounting surface is set as the opposite surface, and the first surface is formed by etching the chip mounting surface while protecting the opposite surface with a protective sheet so as to prevent the opposite surface from touching the etching solution. Performing a first etching; (c) applying a resin having etching resistance so as to cover the first hole and the chip mounting surface; and (d) applying the protective sheet from the opposite surface. Peeling and etching the opposite surface to form a second hole, and (e) heat resistance that can withstand an IC chip mounting process on the opposite surface that has been subjected to the second etching. Sex tape A method of manufacturing a lead frame comprising at least a bonding step and (f) a step of peeling off the resin having etching resistance.

本発明によれば、外部端子を露出させるように絶縁層を形成する必要はなく、また、外部端子を露出させるように硬化樹脂で埋めた部分を研磨することもなく、外部端子のみを露出させることができるリードフレームを簡易に製造できる。   According to the present invention, it is not necessary to form an insulating layer so as to expose the external terminal, and only the external terminal is exposed without polishing the portion buried with the cured resin so as to expose the external terminal. Can be manufactured easily.

本発明によれば、多端子化、高精細化に対応でき、工程数が少なく簡易的な方法で製造可能となるリードフレーム及びその製造方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a lead frame that can cope with an increase in the number of terminals and a high definition, can be manufactured by a simple method with a small number of processes, and a manufacturing method thereof.

以下、図面を参照して本発明について詳細に説明する。なお、同一部材には同一符号を付し、説明を省略、または簡略化する。また、図面は説明の便宜のため、各部材を適宜、縮小または拡大して示している。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same member and description is abbreviate | omitted or simplified. In the drawings, each member is appropriately reduced or enlarged for convenience of explanation.

図1(a)に本発明の第1実施態様に係るリードフレーム100の平面概略図を示し、図1(b)に図1(a)のX−X線での断面図、図1(c)に図1(a)の破線で囲った部分のY−Y線での断面図を示す。なお、これらの図では説明の都合上、端子の一部を省略しており、実際に設けられる端子の数は図に示すより多い。   FIG. 1A is a schematic plan view of a lead frame 100 according to the first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line YY of the portion surrounded by the broken line in FIG. In these figures, for convenience of explanation, some of the terminals are omitted, and the number of terminals actually provided is larger than shown in the figures.

リードフレームは、金属基板を基材としてエッチング加工することによって得られ、全体としては薄板状をなす。基材の材質は特に限定されず、例えば、Fe−42Niまたは、銅合金などからなる。   The lead frame is obtained by etching using a metal substrate as a base material, and has a thin plate shape as a whole. The material of the substrate is not particularly limited, and is made of, for example, Fe-42Ni or a copper alloy.

リードフレームは、一方の面をチップが実装されるチップ実装面とし、プリント配線板等に実装される際には、チップ実装面を上側、その反対側の面(以下、「反対面」)を下側として配線板上に実装される。第1実施態様に係るリードフレーム100は、外部端子101、チップ接続端子102、リード103、ダイパット104、枠部105、およびテープ106を有する。   One side of the lead frame is the chip mounting surface on which the chip is mounted, and when mounted on a printed wiring board, etc., the chip mounting surface is the upper side and the opposite side (hereinafter referred to as the “opposite surface”) Mounted on the wiring board as the lower side. The lead frame 100 according to the first embodiment includes an external terminal 101, a chip connection terminal 102, a lead 103, a die pad 104, a frame portion 105, and a tape 106.

枠部105はリードフレーム100の外縁を規定しており、その形状は限定されるものではないが、本実施態様では実質的に四角形状である。このように、第1実施態様のリードフレーム100は、全体として平面視略四角形薄板状であり、図1(b)に示すように、チップ実装面Sと反対面Rとが板の厚さ方向で向かい合い、反対面Rにテープ106が貼着されている。   The frame portion 105 defines the outer edge of the lead frame 100, and the shape thereof is not limited. However, in the present embodiment, the frame portion 105 is substantially rectangular. As described above, the lead frame 100 according to the first embodiment has a substantially rectangular thin plate shape in plan view as a whole, and as shown in FIG. 1B, the chip mounting surface S and the opposite surface R are in the thickness direction of the plate. The tape 106 is stuck on the opposite surface R.

外部端子101、チップ接続端子102、リード103、およびダイパット104は枠部105の内側に配置されている。ダイパット104は、枠部105のほぼ中心部分に配置され、リード103は外部端子101とチップ接続端子102の間にあって両者を接続している。   The external terminal 101, the chip connection terminal 102, the lead 103, and the die pad 104 are disposed inside the frame portion 105. The die pad 104 is disposed substantially at the center of the frame portion 105, and the lead 103 is located between the external terminal 101 and the chip connection terminal 102 to connect them.

外部端子101からは連結部107がリード103と反対側に延び、連結部107の一端(以下、「基端」)が枠部105に連結されている。すなわち、外部端子101、リード103、およびチップ接続端子102は、この順に枠部105から遠ざかり中心に向かうように並んでいる。   A connecting portion 107 extends from the external terminal 101 to the opposite side of the lead 103, and one end (hereinafter referred to as “base end”) of the connecting portion 107 is connected to the frame portion 105. That is, the external terminal 101, the lead 103, and the chip connection terminal 102 are arranged in this order away from the frame portion 105 and toward the center.

図1(a)に示すように、枠部105の内側は、外部端子101、チップ接続端子102、リード103、ダイパット104、枠部105、および連結部107が存在する部分以外は中空となっている。そして、図1(b)に示すように、リードフレーム100においては、チップ実装面S側では、外部端子101、リード103、枠部105、および連結部107は実質的に同一の平面(第1の平面)上にあり、チップ接続端子102とダイパット104とは第1の平面より反対面R側にある別の実質的に同一な平面(第2の平面)上にある。図1(c)に第1の平面は符号S1を付した一点破線で、第2の平面は符号S2を付した二点破線で示す。   As shown in FIG. 1A, the inside of the frame portion 105 is hollow except for the portions where the external terminals 101, the chip connection terminals 102, the leads 103, the die pad 104, the frame portion 105, and the connecting portion 107 exist. Yes. As shown in FIG. 1B, in the lead frame 100, on the chip mounting surface S side, the external terminals 101, the leads 103, the frame portion 105, and the connecting portion 107 are substantially in the same plane (the first plane). The chip connection terminal 102 and the die pad 104 are on another substantially identical plane (second plane) on the opposite surface R side from the first plane. In FIG. 1C, the first plane is indicated by a one-dot broken line denoted by reference numeral S1, and the second plane is indicated by a two-dot broken line denoted by reference numeral S2.

このように、外部端子101、チップ接続端子102、リード103、ダイパット104、枠部105、および連結部107の片側面を含んで構成されるチップ実装面Sには凹凸があり、チップ実装面Sの一部であってチップ接続端子102とダイパット104とが存在する部分(以下、「薄肉部」と称する場合がある)は、その他の部分に比べて反対面R側に窪んでいる。   As described above, the chip mounting surface S including one side of the external terminal 101, the chip connection terminal 102, the lead 103, the die pad 104, the frame portion 105, and the connecting portion 107 has irregularities, and the chip mounting surface S A portion where the chip connection terminal 102 and the die pad 104 are present (hereinafter sometimes referred to as a “thin portion”) is recessed toward the opposite surface R as compared with the other portions.

一方、反対面R側では外部端子101、チップ接続端子102、リード103、ダイパット104、枠部105、および連結部107は、リード103および連結部107を除いて全て同一平面上に現れている。外部端子101の反対面R側の表面は、外部回路が接続される接続面であり、外部端子101の表面高さを反対面Rの基準高さとする。上述したとおり、チップ実装面Sには凹凸があるため、外部端子101の反対面R側表面(接続面)を反対面Rの基準高さとした場合、チップ実装面Sの薄肉部は、他の部分に比べて反対面Rの基準高さまでの距離が短い。これは、リードフレーム100の製造過程において、チップ実装面S側をエッチングする際、少なくともリード103を除く部分がハーフエッチングされて薄肉化されたことによる。   On the other hand, on the opposite surface R side, the external terminal 101, the chip connection terminal 102, the lead 103, the die pad 104, the frame portion 105, and the connecting portion 107 all appear on the same plane except for the lead 103 and the connecting portion 107. The surface on the opposite surface R side of the external terminal 101 is a connection surface to which an external circuit is connected, and the surface height of the external terminal 101 is the reference height of the opposite surface R. As described above, since the chip mounting surface S has irregularities, when the opposite surface R side surface (connection surface) of the external terminal 101 is the reference height of the opposite surface R, the thin portion of the chip mounting surface S Compared to the portion, the distance to the reference height of the opposite surface R is short. This is because, in the manufacturing process of the lead frame 100, when the chip mounting surface S side is etched, at least a portion excluding the lead 103 is half-etched and thinned.

以下、図2を参照してリードフレーム100の製造方法について説明する。   Hereinafter, a method of manufacturing the lead frame 100 will be described with reference to FIG.

まず、基材として金属基板31を準備する。金属の種類は例えばFe−42Ni、または銅合金などで、基板31の厚さは0.05mm以上0.2mm以下、好ましくは0.1mm以上0.15mm以下の範囲で選択するとよい。   First, the metal substrate 31 is prepared as a base material. The type of metal is, for example, Fe-42Ni or a copper alloy, and the thickness of the substrate 31 is 0.05 mm or more and 0.2 mm or less, preferably 0.1 mm or more and 0.15 mm or less.

基板31を脱脂、および洗浄処理した後、基板31の両面にフォトレジスト32を塗布する(図2(a)参照)。フォトレジスト32の層はネガ型又はポジ型のどちらでもよく、ネガ型のフォトレジストとしては、重クロム酸系やポリケイ皮酸ビニル系や環化ゴムアジド系などが挙げられる。また、ポジ型フォトレジストとしては、ナフトキノンアジド系やノボラック樹脂系などが挙げられる。   After degreasing and cleaning the substrate 31, a photoresist 32 is applied to both surfaces of the substrate 31 (see FIG. 2A). The layer of the photoresist 32 may be either a negative type or a positive type, and examples of the negative type photoresist include bichromic acid type, polycinnamate vinyl type, and cyclized rubber azide type. Examples of the positive photoresist include naphthoquinone azide and novolak resin.

フォトレジスト層の形成方法は特に限定されないが、液状フォトレジストを塗布する場合には、スピンコーター、ロールコーター、またはディップコーターなどを用い通常使用されるフォトレジストコート方法を用いる。ドライフィルムレジストを用いる場合にはラミネーターを用いる。また、印刷レジストをパターン印刷してフォトレジスト層を形成しても良い。   The method for forming the photoresist layer is not particularly limited, but when a liquid photoresist is applied, a commonly used photoresist coating method using a spin coater, a roll coater, a dip coater or the like is used. When a dry film resist is used, a laminator is used. Alternatively, a photoresist layer may be formed by pattern printing of a printing resist.

次に、透光又は遮光部位からなるパターンが形成されたフォトマスク33を介し、表裏の位置あわせして露光を行なう(図2(b)参照)。その後、現像を行い、所望のパターンを有するフォトレジストパターンを形成する(図2(c)参照)。本実施態様では、チップ実装面31S側に形成されたフォトレジストパターン34Sは、リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105のパターンとされている。一方、反対面31R側に形成されたフォトレジストパターン34Rは、外部端子101、チップ接続端子102、ダイパット104、および枠部105の形状とされている。   Next, exposure is performed by aligning the front and back surfaces through a photomask 33 on which a pattern consisting of light-transmitting or light-shielding portions is formed (see FIG. 2B). Thereafter, development is performed to form a photoresist pattern having a desired pattern (see FIG. 2C). In this embodiment, the photoresist pattern 34S formed on the chip mounting surface 31S side is a pattern of the leads 103, the external terminals 101, the connecting portions 107, and the frame portions 105. On the other hand, the photoresist pattern 34 </ b> R formed on the opposite surface 31 </ b> R side has the shape of the external terminal 101, the chip connection terminal 102, the die pad 104, and the frame portion 105.

次に基材31のチップ実装面となる片側面31Sに対して、第1のエッチングを行なう。第1のエッチングを行なう際は、図2(d)に示すように、基材31の反対面31Rがエッチング液に触れないように保護シート35を反対面31Rに貼り付けるとよい。エッチングには、塩化第二鉄液や塩化第二銅液のような金属板を腐食可能なエッチング液を用い、スプレー法などを用いて第1のエッチング(ハーフエッチング)を行い、チップ実装面31Sに第1の穴部36を形成する(図2(e)参照)。   Next, 1st etching is performed with respect to the single side surface 31S used as the chip | tip mounting surface of the base material 31. FIG. When performing the first etching, as shown in FIG. 2D, the protective sheet 35 may be attached to the opposite surface 31R so that the opposite surface 31R of the base material 31 does not touch the etching solution. For the etching, an etching solution capable of corroding a metal plate such as ferric chloride solution or cupric chloride solution is used, and the first etching (half etching) is performed by using a spray method or the like, and the chip mounting surface 31S. A first hole 36 is formed in (see FIG. 2E).

チップ実装面31S側のフォトレジストパターン34Sは、リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105のパターン形状とされているため、第1の穴部36は、これら以外の部分に対応する。このように本実施態様ではチップ実装面31Sの一部(リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105となる部分以外)がエッチングされ、他部(すなわちリード103、外部端子101、連結部107、および枠部105となる部分)はエッチングされない。このため、チップ実装面31Sの一部(リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105となる部分以外)は、基材31の元の表面と実質的に同じ高さにある他部(リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105となる部分)に比べて、反対面31R側に窪む。   Since the photoresist pattern 34S on the chip mounting surface 31S side has a pattern shape of the lead 103, the external terminal 101, the connecting portion 107, and the frame portion 105, the first hole portion 36 corresponds to other portions. To do. As described above, in this embodiment, a part of the chip mounting surface 31S (except for the part that becomes the lead 103, the external terminal 101, the connecting part 107, and the frame part 105) is etched, and the other part (that is, the lead 103, the external terminal 101, The connecting portion 107 and the portion that becomes the frame portion 105) are not etched. For this reason, a part of the chip mounting surface 31 </ b> S (except for the part that becomes the lead 103, the external terminal 101, the connecting part 107, and the frame part 105) is substantially at the same height as the original surface of the base material 31. Compared to the portion (the portion that becomes the lead 103, the external terminal 101, the connecting portion 107, and the frame portion 105), it is recessed toward the opposite surface 31R.

チップ実装面31Sに第1の穴部36を形成した後、チップ実装面31Sに塗布され第1のエッチングに使用されたフォトレジストパターン34Sを水酸化ナトリウムのようなアルカリ水溶液で剥離する。次いで、第1のエッチングで形成された第1の穴部36を含む基材31のチップ実装面31Sに耐エッチング性を有する硬化樹脂37を塗布して、第1の穴部36を穴埋めする(図2(f)参照)。耐エッチング性を有する硬化樹脂としては、ホットメルトワックスやUV硬化ニス等が使用でき、後に熱アルカリなどにより剥離できるようなものを使用する。硬化樹脂の塗布方法は、ロールコート、カーテンコート、ディップコート、バーコート等が使用できる。   After forming the first hole 36 in the chip mounting surface 31S, the photoresist pattern 34S applied to the chip mounting surface 31S and used for the first etching is peeled off with an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide. Next, a hardened resin 37 having etching resistance is applied to the chip mounting surface 31S of the base material 31 including the first hole portion 36 formed by the first etching to fill the first hole portion 36 ( (Refer FIG.2 (f)). As the cured resin having etching resistance, hot melt wax, UV cured varnish, or the like can be used, and a resin that can be peeled off by hot alkali or the like later is used. Roll coating, curtain coating, dip coating, bar coating, and the like can be used as a method for applying the cured resin.

次に、反対面31Sに貼った保護シート35を剥離し、第1のエッチング方法と同様に、反対面31Sに対して第2のエッチングを行い、反対面31Sに第2の穴部38を形成する(図2(g)参照)。反対面31側のフォトレジストパターン34R、外部端子101、チップ接続端子102、ダイパット104、および枠部105の形状とされているため、第2の穴部38は、これら以外の部分に対応する。   Next, the protective sheet 35 attached to the opposite surface 31S is peeled off, and the second etching is performed on the opposite surface 31S in the same manner as in the first etching method to form the second hole 38 in the opposite surface 31S. (See FIG. 2 (g)). Since the photoresist pattern 34R on the opposite surface 31 side, the external terminal 101, the chip connection terminal 102, the die pad 104, and the frame portion 105 are formed in shape, the second hole portion 38 corresponds to other portions.

ここで、本実施態様においては第1のエッチングによってチップ実装面31Sの一部(リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105となる部分以外)がエッチングされ、他部(リード103、外部端子101、連結部107、および枠部105)より薄肉となっている。このため、第2のエッチングによって反対面31S側をエッチングすると、反対面31S側のフォトレジストパターン34Rを除く部分であって他部に比べて薄肉化された前記一部がまず、基材31の表裏を貫通する。このように、第2のエッチング深さを、第1のエッチングによって薄肉化されたチップ実装面31Sの一部のみが基材31を貫通する深さとすれば、第1のエッチングおよび第2のエッチングで残された部分(リード103、外部端子101、チップ接続端子102、連結部107、および枠部105)を除いた部分のみが基材31を貫通してくり抜かれた中空の部分となる。   Here, in the present embodiment, a part of the chip mounting surface 31S (other than the part that becomes the lead 103, the external terminal 101, the connecting part 107, and the frame part 105) is etched by the first etching, and the other part (the lead 103). The outer terminal 101, the connecting portion 107, and the frame portion 105) are thinner. For this reason, when the opposite surface 31S side is etched by the second etching, the part that is thinner than the other part except the photoresist pattern 34R on the opposite surface 31S side is first of the base 31 It penetrates the front and back. As described above, when the second etching depth is a depth at which only a part of the chip mounting surface 31S thinned by the first etching penetrates the base material 31, the first etching and the second etching are performed. Only the portions other than the remaining portions (the leads 103, the external terminals 101, the chip connection terminals 102, the coupling portions 107, and the frame portions 105) are hollow portions that are penetrated through the base material 31 and are removed.

このように、第1のエッチングによってチップ実装面31Sの一部、特にリード103、および外部端子101が形成される部分をハーフエッチングし薄肉化すると、高精細の配線が形成しやすくなる。以下、図2および図4を用いてこの点について説明する。   As described above, when a part of the chip mounting surface 31S, in particular, the portion where the lead 103 and the external terminal 101 are formed is half-etched and thinned by the first etching, a high-definition wiring is easily formed. Hereinafter, this point will be described with reference to FIGS.

図4(a)は、チップ実装面31Sをハーフエッチングしない従来法でリードフレームを形成した場合を示し、図1(c)に示す部分に対応する部分の断面模式図である。   FIG. 4A shows a case where a lead frame is formed by a conventional method in which the chip mounting surface 31S is not half-etched, and is a schematic cross-sectional view of a portion corresponding to the portion shown in FIG.

金属製の基板31をウエットエッチングすると、ウエットエッチングは等方性エッチングであるため、エッチングは基材31の垂直(厚さ)方向のみならず、これに直交する水平方向(面が広がる方向)にも進行して、サイドエッチングが生じる。したがって、フォトレジレジストの開口に対してある一定以上の深さにエッチングして基材31を貫通させようとすると、水平方向へ進行するサイドッチングが生じるため、リード103等の配線同士の間の距離が広がり、狭ピッチでリード103を配置できない。一方で、サイドエッチングを避けるためにエッチングの深さを浅くすると、従来では図4(a)に示すように、基材31を貫通させたい部分を貫通させることができない。このため、リード103同士の間L1を貫通させるため、貫通加工が必要となるが、微細な配線を貫通することは困難である。   When the metal substrate 31 is wet etched, since the wet etching is isotropic etching, the etching is performed not only in the vertical (thickness) direction of the base material 31 but also in the horizontal direction (direction in which the surface spreads) perpendicular thereto. Also proceeds and side etching occurs. Therefore, if etching is performed to a certain depth or more with respect to the opening of the photoresist resist and the base material 31 is penetrated, side etching that proceeds in the horizontal direction occurs. The leads 103 cannot be arranged at a narrow pitch. On the other hand, if the etching depth is reduced in order to avoid side etching, conventionally, as shown in FIG. For this reason, in order to penetrate L1 between the leads 103, penetration processing is required, but it is difficult to penetrate fine wiring.

これに対し、本発明によれば、第1のエッチングでチップ実装面31Sの一部、具体的には基材31を貫通させる部分を含む部分をエッチングするハーフエッチングを行っている。このため、第2のエッチングの際に、サイドエッチングの影響を回避する深さでエッチングを終了しても、基材31を貫通させたい部分を貫通させることができる。したがって、リード103同士の間L1を狭くすることができ、高精度の配線加工ができる。   On the other hand, according to the present invention, half etching is performed in which the first etching etches a part of the chip mounting surface 31S, specifically, a part including a part that allows the base material 31 to penetrate. For this reason, in the second etching, even if the etching is finished at a depth that avoids the influence of side etching, it is possible to penetrate the portion where the base material 31 is to penetrate. Therefore, L1 between the leads 103 can be narrowed, and highly accurate wiring processing can be performed.

第1のエッチングでのハーフエッチングは、少なくともリード103が形成される部分以外に対して行っていればよい。しかし、外部端子102が形成される部分をチップ実装面31Sの他部としてハーフエッチングしない場合は、図4(c)に示すように、外部端子102とリード103との間L2を貫通させるために深いエッチングまたは貫通加工が必要となり、リード103と外部端子102との間L2を狭くできない。このため、本実施態様のように、第1のエッチングでは、基材31を貫通させたい部分のみならず、外部端子102が形成される部分もチップ実装面31Sの一部としてハーフエッチングし、第2のエッチングで外部端子102を残すようにエッチングすることが好ましい。このように、本発明によればリード103と外部端子102との間を狭めることができ、設計の自由度、高精細化が図れる。   The half etching in the first etching may be performed on at least a portion other than the portion where the lead 103 is formed. However, in the case where the portion where the external terminal 102 is formed is not half-etched as the other part of the chip mounting surface 31S, as shown in FIG. 4C, in order to penetrate L2 between the external terminal 102 and the lead 103. Deep etching or through processing is required, and L2 between the lead 103 and the external terminal 102 cannot be narrowed. For this reason, as in the present embodiment, in the first etching, not only the portion where the substrate 31 is desired to penetrate, but also the portion where the external terminal 102 is formed is half-etched as a part of the chip mounting surface 31S, It is preferable to perform etching so that the external terminal 102 is left by etching 2. Thus, according to the present invention, the space between the lead 103 and the external terminal 102 can be narrowed, and the degree of freedom in design and high definition can be achieved.

第2のエッチングにより反対面31Rに第2の穴部38を形成した後、反対面31Rに塗布され第2のエッチングに使用されたフォトレジストパターン34Rを剥離する。硬化樹脂が薄い場合や、金属基板に貫通孔が多く形状保持が困難な場合は、硬化樹脂37の表面に保護シート(図示せず)をラミネートしてエッチングすると良い。   After the second hole 38 is formed in the opposite surface 31R by the second etching, the photoresist pattern 34R applied to the opposite surface 31R and used for the second etching is peeled off. When the cured resin is thin or when the metal substrate has many through holes and it is difficult to maintain the shape, a protective sheet (not shown) may be laminated on the surface of the cured resin 37 and etched.

次に、反対面31R全面にテープ39を貼り付ける(図2(h)参照)。テープ39としては、チップ実装面31SにICチップを実装した後、剥離可能な耐熱性テープを用いるとよい。具体的には、ポリイミドフィルムに熱可塑性の接着剤が塗布されているものなどが挙げられる。   Next, the tape 39 is affixed to the entire opposite surface 31R (see FIG. 2 (h)). As the tape 39, it is preferable to use a heat-resistant tape that can be peeled after an IC chip is mounted on the chip mounting surface 31S. Specific examples include those in which a thermoplastic adhesive is applied to a polyimide film.

ここで、リード103および連結部107が形成された部分は、第1のエッチングの際にはエッチングされない他部とされる一方、第2のエッチングの際にはエッチングされている。すなわち、リード103および連結部107は、第2のエッチングで反対面31Rがエッチングされる際にエッチングされ、外部端子102の接続面に比べてチップ実装面31S側に窪み、薄肉化されている。このため、外部端子102の接続面と同一平面上にテープ39を貼り付けると、リード103および連結部107にはテープ39が接着されない。すなわち、テープ39に接着している部分は、第2のエッチングで残された部分である外部端子101、チップ接続端子102、および枠部105のみとなり、テープ39を剥離することで外部端子101の接続面を露出させることができる。   Here, the portion where the lead 103 and the connecting portion 107 are formed is the other portion that is not etched during the first etching, but is etched during the second etching. That is, the lead 103 and the connecting portion 107 are etched when the opposite surface 31R is etched by the second etching, and are recessed toward the chip mounting surface 31S side and thinner than the connection surface of the external terminal 102. For this reason, when the tape 39 is attached on the same plane as the connection surface of the external terminal 102, the tape 39 is not bonded to the lead 103 and the connecting portion 107. That is, the portion bonded to the tape 39 is only the external terminal 101, the chip connection terminal 102, and the frame portion 105 that are the portions left by the second etching. The connection surface can be exposed.

その後、硬化樹脂37を熱アルカリによって剥離し、図1に示すリードフレーム100を得る(図2(i)参照)。リードフレーム100は、チップ実装面のダイパット104が形成された部分にICチップ(図示せず)を実装し、樹脂封止することで半導体パッケージとされる。ICチップ実装工程では、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、エポキシ樹脂モールド等が行われ、被加工物は最高190℃程度の温度に数時間さらされる場合がある。このため、リードフレーム100の反対面に貼り付けるテープとしては、封止時の封止材の漏れを防いだ後に、封止材とリードフレームから引きはがすことが可能なテープとする。   Thereafter, the cured resin 37 is peeled off by hot alkali to obtain the lead frame 100 shown in FIG. 1 (see FIG. 2 (i)). The lead frame 100 is formed into a semiconductor package by mounting an IC chip (not shown) on a portion of the chip mounting surface where the die pad 104 is formed and sealing with resin. In the IC chip mounting process, die bonding, wire bonding, epoxy resin molding, and the like are performed, and the workpiece may be exposed to a temperature of about 190 ° C. for several hours. For this reason, the tape to be attached to the opposite surface of the lead frame 100 is a tape that can be peeled off from the sealing material and the lead frame after preventing leakage of the sealing material during sealing.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.

図3(a)に本発明の第2実施態様に係るリードフレーム200に、ICチップ210が実装された状態の平面概略図を示し、図3(b)にICチップ210を樹脂220で封止してなる半導体パッケージ250の断面模式図を示す。図3(b)は、図3(a)のX−X線での断面模式図である。なお、これらの図では説明の都合上、端子の一部を省略しており、実際に設けられる端子の数は図に示すより多い。   FIG. 3A shows a schematic plan view of an IC chip 210 mounted on the lead frame 200 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 3B shows the IC chip 210 sealed with a resin 220. The cross-sectional schematic diagram of the semiconductor package 250 formed is shown. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along line XX in FIG. In these figures, for convenience of explanation, some of the terminals are omitted, and the number of terminals actually provided is larger than shown in the figures.

第2実施態様に係るリードフレーム200は、第1実施態様に係るリードフレーム100と同様に、外部端子201、チップ接続端子202、リード203、ダイパット204、枠部205、およびテープ206を有する。ダイパット204のチップ実装面S側には、ICチップ210が実装され、チップ接続端子202とICチップ210とがボンディングワイヤ230により結線され、全体が樹脂220によりモールドされている。   Similar to the lead frame 100 according to the first embodiment, the lead frame 200 according to the second embodiment includes an external terminal 201, a chip connection terminal 202, a lead 203, a die pad 204, a frame portion 205, and a tape 206. An IC chip 210 is mounted on the chip mounting surface S side of the die pad 204, the chip connection terminal 202 and the IC chip 210 are connected by a bonding wire 230, and the whole is molded with a resin 220.

以下に、本発明のリードフレームについて実施例を挙げてより具体的に説明する。工程の概略は、図2に示した手順と同様である。   Hereinafter, the lead frame of the present invention will be described more specifically with reference to examples. The outline of the process is the same as the procedure shown in FIG.

[実施例1]
基材として、0.12mmのFe−42Ni製の金属薄板を用意し、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、界面活性剤からなるアルカリ性脱脂液に55℃で10分浸漬し脱脂を行なった。その後、基材の両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とするカゼインレジストをディップコートにより10μmの厚さで塗布してフォトレジスト層を形成した。両面にフォトレジストを塗布した基材を70℃のオーブンで20分乾燥させた後、所定のパターンを有したフォトマスクで両面露光、現像を行い、耐エッチング性のレジストパターンを形成した。
[Example 1]
A 0.12-mm thin metal plate made of Fe-42Ni was prepared as a base material, and degreased by being immersed in an alkaline degreasing solution composed of sodium hydroxide, potassium hydroxide, and a surfactant at 55 ° C. for 10 minutes. Thereafter, a casein resist using potassium dichromate as a photosensitizer was applied on both surfaces of the substrate to a thickness of 10 μm by dip coating to form a photoresist layer. The substrate coated with photoresist on both sides was dried in an oven at 70 ° C. for 20 minutes, and then exposed and developed on both sides with a photomask having a predetermined pattern to form an etching resistant resist pattern.

基材の一方の面のレジストパターンは、リード、外部端子、連結部、および枠部のパターンで、他方の面は、外部端子、チップ接続端子、ダイパット、および枠部のパターンとした。この一方の面を第1のエッチングでエッチングするチップ実装面として、この面と反対側の他方の面(反対面)に耐エッチング性を有する保護シートをラミネートした。次いで、チップ実装面を塩化第二鉄液、65℃、0.4MPaでスプレーエッチングする第1のエッチングを行い、反対面側に窪んだ第1の穴部を形成した。   The resist pattern on one surface of the substrate was a pattern of leads, external terminals, connecting portions, and a frame portion, and the other surface was a pattern of external terminals, chip connection terminals, die pads, and a frame portion. This one surface was used as a chip mounting surface to be etched by the first etching, and a protective sheet having etching resistance was laminated on the other surface (opposite surface) opposite to this surface. Subsequently, the chip mounting surface was subjected to first etching by spray etching with ferric chloride solution at 65 ° C. and 0.4 MPa to form a first hole that was depressed on the opposite surface side.

その後、第1のエッチングで使用したフォトレジストを剥離し、フォトレジストが剥離されたチップ実装面の窪んだ穴部を充填するようにエッチング防止用ニスを塗布した。エッチング防止用ニスとしては、170℃で1000cpsまで軟化するエチレンーアクリル酸共重合体樹脂であるホットメルト樹脂を使用した。この樹脂は、アルカリ溶解型のワックスであり、また酸性のエッチング液に耐性がある、耐エッチング性を有する硬化樹脂である。ホットメルト樹脂は、ダイコーター方式で膜厚50μmとなるように基材のチップ実装面に塗布した。   Thereafter, the photoresist used in the first etching was peeled off, and an anti-etching varnish was applied so as to fill the depressed hole on the chip mounting surface where the photoresist was peeled off. As the etching preventing varnish, a hot melt resin, which is an ethylene-acrylic acid copolymer resin that softens up to 1000 cps at 170 ° C., was used. This resin is an alkali-dissolving wax, and is a cured resin having resistance to etching and having resistance to acidic etching solutions. The hot melt resin was applied to the chip mounting surface of the substrate so as to have a film thickness of 50 μm by a die coater method.

次に第1のエッチングでエッチングしたチップ実装面と反対側の面から保護シートを剥離し、この反対側の面を第1のエッチングと同様にエッチングする第2のエッチングを行った。第2のエッチングを行った後、第2のエッチングを行った面のフォトレジスト剥離を行なった。次いで、耐熱性テープ(RT-321 日立化成工業株式会社製)を260℃の温度でフォトレジストを剥離した第2のエッチング面にラミネートした後、水酸化カリウムおよび界面活性剤からなる水溶液に50℃で10分間浸漬し、チップ実装面側に塗布したエッチング防止用ニスを剥離した。   Next, the protective sheet was peeled off from the surface opposite to the chip mounting surface etched by the first etching, and second etching was performed to etch the surface on the opposite side in the same manner as the first etching. After performing the second etching, the photoresist was peeled off from the second etched surface. Next, after heat-resistant tape (RT-321, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is laminated on the second etching surface from which the photoresist has been peeled off at a temperature of 260 ° C., an aqueous solution comprising potassium hydroxide and a surfactant is added at 50 ° C. Was immersed for 10 minutes, and the etching preventing varnish applied to the chip mounting surface side was peeled off.

エッチング防止用ニスを剥離したチップ実装面のうち、チップ接続端子が形成された部分には、ワイヤーボンディング可能となるよう銀メッキを施し、本発明の実施例1に係るリードフレームを得た。   Of the chip mounting surface from which the etching preventing varnish was peeled off, the portion where the chip connection terminals were formed was subjected to silver plating so that wire bonding was possible, and the lead frame according to Example 1 of the present invention was obtained.

このリードフレームのチップ実装面側のダイパット上にICチップを搭載し、ワイヤーボンディングによりチップ接続端子と結線した。次いで、チップ実装面をエポキシ樹脂でモールド封止した後、反対面から耐熱性テープを剥離することによって、樹脂封止された半導体装置を得ることができた。   An IC chip was mounted on a die pad on the chip mounting surface side of the lead frame and connected to a chip connection terminal by wire bonding. Next, after the chip mounting surface was mold-sealed with an epoxy resin, the heat-resistant tape was peeled off from the opposite surface, whereby a resin-sealed semiconductor device could be obtained.

[実施例2]
次に、実施例2について説明する。基材として厚さ0.15mmのFe−42Ni製の金属薄板を用意し、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、界面活性剤からなるアルカリ性脱脂液に55℃で10分浸漬し脱脂を行なった。その後、基材の両面に厚さ20μmのドライフィルムレジスト(AQ2038 旭化成エレクトロニクス株式会社製)をラミネートしてフォトレジスト層を形成した。フォトレジスト層を形成した基材を、所定のパターンを有したフォトマスクで両面露光、現像を行い、耐エッチング性のレジストパターンを得た。
[Example 2]
Next, Example 2 will be described. A thin metal plate made of Fe-42Ni having a thickness of 0.15 mm was prepared as a base material, and degreased by being immersed in an alkaline degreasing solution composed of sodium hydroxide, potassium hydroxide, and a surfactant at 55 ° C. for 10 minutes. Thereafter, a dry film resist (AQ2038, manufactured by Asahi Kasei Electronics Co., Ltd.) having a thickness of 20 μm was laminated on both surfaces of the base material to form a photoresist layer. The base material on which the photoresist layer was formed was subjected to double-sided exposure and development with a photomask having a predetermined pattern to obtain an etching-resistant resist pattern.

レジストパターンは実施例1と同様であり、リード、外部端子、連結部、および枠部の形状がパターニングされた面を実装面とし、その反対側の面を反対面として反対面に耐エッチング性を有する保護シートをラミネートした。次いで、チップ実装面を、塩化第二鉄液、50℃、0.3MPaでスプレーエッチングする第1のエッチングを行ない、第1の穴部を形成した。   The resist pattern is the same as in Example 1, and the surface on which the shape of the lead, external terminal, connecting portion, and frame portion is patterned is the mounting surface, and the opposite surface is the opposite surface, and the opposite surface has etching resistance. The protective sheet having the laminate was laminated. Next, the chip mounting surface was subjected to first etching by spray etching with ferric chloride solution at 50 ° C. and 0.3 MPa to form a first hole.

第1の穴部を形成したあと、第2のエッチングで使用したフォトレジストを剥離し、その面に穴部を充填するようにエッチング防止用UV硬化ニスをダイコートにより塗布し、紫外光を照射し硬化させた。ここで使用するニスはアルカリ溶解型のワックスであり、また酸性のエッチング液には耐性がある硬化樹脂である。   After forming the first hole, the photoresist used in the second etching is peeled off, and UV curing varnish for etching prevention is applied by die coating so that the hole is filled in the surface, and then irradiated with ultraviolet light. Cured. The varnish used here is an alkali-dissolving wax, and is a cured resin that is resistant to an acidic etchant.

次に反対面から保護シートを剥離し、反対面を第1のエッチングと同様にエッチングする第2のエッチングを行なった。第2のエッチングを行なった後、反対面のフォトレジスト剥離を行なった。次いで、耐熱性テープ(RT-321 日立化成工業株式会社製)を260℃の温度でフォトレジストを剥離した反対面にラミネートし、水酸化カリウム、界面活性剤からなる水溶液に50℃で10分間浸漬し、エッチング防止用UV硬化ニスを剥離した。   Next, the protective sheet was peeled from the opposite surface, and a second etching was performed in which the opposite surface was etched in the same manner as the first etching. After the second etching, the photoresist on the opposite surface was stripped. Next, heat-resistant tape (RT-321 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is laminated on the opposite surface from which the photoresist has been peeled off at a temperature of 260 ° C., and immersed in an aqueous solution of potassium hydroxide and a surfactant for 10 minutes at 50 ° C. Then, the UV curing varnish for preventing etching was peeled off.

ニスを剥離したチップ実装面のうち、チップ接続端子が形成された部分には、ワイヤーボンディング可能となるようニッケルめっき、金メッキを施し本発明の実施例2に係るリードフレームを得た。   Of the chip mounting surface from which the varnish was peeled, the portion where the chip connection terminal was formed was subjected to nickel plating and gold plating so that wire bonding was possible, and the lead frame according to Example 2 of the present invention was obtained.

このリードフレームのチップ実装面側のダイパットにICチップを搭載し、ワイヤーボンディングにより結線した。その後、全体をエポキシ樹脂でモールド封止して反対面の耐熱性テープを剥離することによって、樹脂封止された半導体装置を得ることができた。   An IC chip was mounted on a die pad on the chip mounting surface side of the lead frame and connected by wire bonding. Thereafter, the whole was mold-sealed with an epoxy resin, and the heat-resistant tape on the opposite surface was peeled off to obtain a resin-sealed semiconductor device.

本発明は、プリント配線板等に実装される半導体パッケージに適用できる。   The present invention can be applied to a semiconductor package mounted on a printed wiring board or the like.

本発明の第1実施形態に係るリードフレームの模式図。The schematic diagram of the lead frame concerning a 1st embodiment of the present invention. 第1実施形態に係るリードフレームの製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the lead frame which concerns on 1st Embodiment. 本発明の第2実施形態に係るリードフレームの模式図。The schematic diagram of the lead frame concerning a 2nd embodiment of the present invention. リードと外部端子とを形成する工程を説明する図。The figure explaining the process of forming a lead and an external terminal.

符号の説明Explanation of symbols

100、200 リードフレーム
101、201 外部端子
102、202 チップ接続端子
103、203 リード
104、204 ダイパット
105、205 枠部
106、206 テープ
107、207 連結部
210 チップ
220 樹脂
250 半導体パッケージ
100, 200 Lead frame 101, 201 External terminal 102, 202 Chip connection terminal 103, 203 Lead 104, 204 Die pad 105, 205 Frame portion 106, 206 Tape 107, 207 Connection portion 210 Chip 220 Resin 250 Semiconductor package

Claims (2)

リードおよび該リードに電気的に接続された外部端子を少なくとも備え、チップ実装面と該チップ実装面に相反する側にある反対面とを有するリードフレームにおいて、
前記チップ実装面の一部はハーフエッチングされ前記反対面にある前記外部端子の接続面までの距離が他部より短くなっており、
前記チップ実装面において前記リードは前記他部に位置すると共に、前記リードが前記反対面側からエッチングされ、前記反対面において前記外部端子の接続面に比べて前記チップ実装面側に窪んでおり、
前記リードを介して前記外部端子と電気的に接続されたチップ接続端子をさらに備え、前記チップ接続端子は、前記反対面にマトリクス状に配置され、前記外部端子が連結される枠部にあたる一辺から遠ざかり、前記枠部の一辺以外の他の3辺の外縁に近い位置に配置されることを特徴とするリードフレーム。
In a lead frame comprising at least a lead and an external terminal electrically connected to the lead, and having a chip mounting surface and an opposite surface opposite to the chip mounting surface,
A part of the chip mounting surface is half-etched and the distance to the connection surface of the external terminal on the opposite surface is shorter than the other part,
In the chip mounting surface, the lead is located in the other part, and the lead is etched from the opposite surface side, and the opposite surface is recessed toward the chip mounting surface side compared to the connection surface of the external terminal,
A chip connection terminal electrically connected to the external terminal via the lead; and the chip connection terminal is arranged in a matrix on the opposite surface, from one side corresponding to a frame portion to which the external terminal is connected A lead frame characterized in that the lead frame is disposed at a position close to the outer edge of the other three sides other than the one side of the frame portion.
請求項1に記載のリードフレームの製造方法であって、
(a)板状の基材の両面にフォトレジストを塗布、露光し所望のレジストパターンを形成する工程と、
(b)前記リード及び前記外部端子のパターン形状を含む前記レジストパターンが形成された前記基材の一方の面をチップ実装面とし該チップ実装面に相反する他方の面を反対面として、該反対面がエッチング液に触れる事を防ぐように保護シートで保護して該チップ実装面をエッチングして第1の穴部を形成する第1のエッチングを行なう工程と、
(c)前記第1の穴部および前記チップ実装面を覆うように耐エッチング性を有する樹脂を塗布する工程と、
(d)前記反対面から前記保護シートを剥離し、前記外部端子及び前記チップ接続端子のパターン形状を含む前記レジストパターンが形成された前記反対面をエッチングして第2の穴部を形成する第2のエッチングを行なう工程と、
(e)前記第2のエッチングがされた前記反対面にICチップ実装工程に耐え得る耐熱性テープを貼り付ける工程と、
(f)前記耐エッチング性を有する樹脂を剥離する工程と、を少なくとも有するリードフレームの製造方法。
The lead frame manufacturing method according to claim 1,
(A) applying a photoresist on both sides of a plate-like substrate, exposing to form a desired resist pattern;
(B) One side of the base material on which the resist pattern including the pattern shape of the lead and the external terminal is formed is a chip mounting surface, and the other surface opposite to the chip mounting surface is an opposite surface. A step of performing a first etching to form a first hole by etching the chip mounting surface by protecting with a protective sheet so as to prevent the surface from touching the etchant;
(C) applying a resin having etching resistance so as to cover the first hole and the chip mounting surface;
(D) A second hole is formed by peeling the protective sheet from the opposite surface and etching the opposite surface on which the resist pattern including the pattern shape of the external terminal and the chip connection terminal is formed . 2 etching steps;
(E) attaching a heat-resistant tape that can withstand an IC chip mounting process to the second etched surface;
(F) A method for producing a lead frame, comprising: a step of peeling the resin having etching resistance.
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