JP5083081B2 - 同軸コネクタ及び高周波信号伝送方法 - Google Patents

Description

本発明は同軸コネクタに係り、特に光送受信機等に用いられる電気信号伝送用の同軸コネクタ及びそのような同軸コネクタを用いた高周波信号伝送方法に関する。

一般的に、高速（高周波）電気信号を伝送するための信号線の接続には同軸コネクタが用いられる。同軸コネクタの中心部には信号線となる内導体が設けられ、内導体を包囲するように接地線となる外導体が設けられる。内導体と外導体との間には誘電体が充填される。内導体の外径及び外導体の内径は、特定のインピーダンス（例えば、５０Ω）に整合するように所定の径に設定されている。

上述の同軸コネクタでは、一定の周波数以上は伝送できなくなるカットオフ周波数ｆｃが存在する。カットオフ周波数ｆｃは、内導体の外径、外導体の内径、及び内導体と外導体との間に充填される誘電体の比誘電率によって決まり、径が小さく、比誘電率が小さいほどカットオフ周波数ｆｃは高くなる。したがって、高周波信号を伝送するためには、同軸コネクタの径を小さくし、充填される誘電体の比誘電率を小さくする必要がある。一般的に、６０ＧＨｚ程度の高周波伝送帯域を得るためには、内導体の外径を１ｍｍ程度まで小さくし、誘電体には空気（εｒ＝１．０）が使用される。

近年、高速（高周波）電気信号を扱う計測器や光送受信機の小型化、高速化が進み、それに伴いそれらに用いられる同軸コネクタにも小型化が要求されている。かつては、2.92mmコネクタ、1.85mmコネクタに代表されるネジ式の結合部を持つコネクタが一般的であったが、小型化の要求にともない、ＳＭＰ、ＳＭＰＭなどのプッシュオン式の結合部を持つコネクタが一般的になりつつある（例えば、非特許文献１参照）。

測定器やデバイス間の接続に用いられる同軸コネクタには、ＤＣブロックや周波数フィルタなどの機能が設けられることが多い。ＤＣブロックは、直流成分を遮断して高周波信号のみを伝達するために設けられる。また、周波数フィルタは信号の特定周波数成分のみを減衰させるために設けられる。

具体的には、ＤＣブロックや周波数フィルタは、内導体の途中にコンデンサを挿入することで形成される。例えば、内導体を分断して第１の内導体と第２の内導体に分け、第１及び第２の内導体の間に２枚の平板型コンデンサを直列に配置して接続することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）また、内導体を軸に平行な面を形成しながら分断して第１の内導体と第２の内導体に分け、軸に平行な面の間に誘電体を挟んで第１の内導体と第２の内導体を接続することでコンデンサを形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。

これらのＤＣブロックの構造では、第１の内導体と第２の内導体との接続部分（ＤＣブロックが形成される部分）の強度が小さくなるため、内導体の熱応力などにより接続部分が破損するおそれがある。そこで、ＤＣブロックを形成するための内導体の接続部分に、軸方向の応力を吸収して緩和する応力緩和機構を設けることが提案されている（例えば、特許文献３参照。）
米国特許第６４９６３５３号 米国特許第７１８０３９２号 米国特許第５５７６６７５号 米国軍用規格ＭＩＬ＿ＳＴＤ＿３４８Ａ

上述のように内導体の間にコンデンサを介在させた場合、コンデンサの部分と外導体との間でのインピーダンスと、内導体と外導体との間のインピーダンスとを等しくすることは難しい。このため、所定のインピーダンスを維持するように設定されていた内導体と外導体との間の距離が、コンデンサの部分で変化してしまい、インピーダンスが変化してしまう。すなわち、コンデンサを設けた部分においてインピーダンスミスマッチが生じ、高周波信号の伝送特性が劣化してしまう。

したがって、内導体の途中にコンデンサを挿入しても、コンデンサが設けられた部分でのインピーダンスミスマッチを抑制することのできる構造の小型同軸コネクタの開発が望まれている。

上述の目的を達成するために、第１の内導体及び第２の内導体と、該第１の内導体と該第２の内導体の間を接続するコンデンサと、前記第１及び第２の内導体及び前記コンデンサの周囲を包囲して延在する外導体と、前記第１及び第２の内導体と前記外導体との間隙に充填された第１の誘電体と、前記第１及び第２の内導体を前記外導体に対して支持する支持部材と、前記コンデンサと前記外導体との間に設けられたインピーダンス整合用の第２の誘電体とを有することを特徴とする同軸コネクタが提供される。

また、信号線となる内導体で高周波信号を伝送する高周波信号伝送方法であって、接地線となる外導体との間のインピーダンスを整合した内導体に高周波信号を入力して伝播させ、前記内導体の途中に設けられ且つ周囲に誘電体が設けられてインピーダンスが前記所定のインピーダンスに整合するように調整されたコンデンサに該高周波信号の成分を伝播させることを特徴とする高周波信号伝送方法が提供される。

内導体の途中にコンデンサを挿入しても、コンデンサの周囲に設けられた誘電体によりインピーダンスを整合することで、インピーダンスミスマッチを抑制するこができる。

本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。

まず、同軸コネクタの基本構造について、図１を参照しながら説明する。図１に示す同軸コネクタは、内導体２と、内導体２を包囲するように設けられた外導体４と、内導体２と外導体４との間隙に充填された第１の誘電体として誘電体３とを有する。内導体２及び外導体４は、銅合金などの良導電性の金属で形成される。内導体２と外導体４との間には所定の間隙が設けられる。間隙には比誘電率εｒの小さい物質が充填されることが好ましい。間隙に充填される比誘電率εｒの小さい物質としては、フッ素樹脂が用いられることが多いが、単なる空隙としておいてもよい。この場合、空隙内の空気が充填された物質に相当する。ここでは、内導体２と外導体４との間を空隙として、誘電体３として空気が充填されているものとする。

内導体２は同軸コネクタ内で２つの部分、すなわち内導体２Ａ及び内導体２Ｂに分けられおり、それらの間にコンデンサ６が挿入されている。コンデンサ６は、はんだ８等の接合部材により内導体２Ａ及び２Ｂに接合され固定されている。ここでは、コンデンサ６として、一般的な基板への実装部品として形成された積層セラミックチップコンデンサを用いることとするが、これに限定されるものではない。なお、図１に示す例では、内導体２Ａ，２Ｂは、コンデンサ６をはんだ８で接合固定することにより、互いに機械的に接続されて固定されており、内導体２Ａ，２ｂの接続強度は、はんだ８の接合強度に等しくなる。

コンデンサ６が途中に組み込まれた内導体２は、支持部材１０を介して外導体４に対して固定される。支持部材１０を形成する材料として樹脂を用いることが好ましい。樹脂の比誘電率εｒは一般的に２〜４（εｒ＝２〜４）であるので、支持部材１０が設けられた部分以外の部分（空隙）に比べて比誘電率εｒは大きくなる。そこで、内導体２及び外導体４の支持部材１０が設けられる部分に溝を設けて間隙を大きくすることでインピーダンスを整合している。なお、この溝は、支持部材１０を内導体２及び外導体４に取り付けるための係合部分としても機能する。

図１に示すような同軸コネクタの構造における信号伝送路を等価回路で示すと、図２に示すような回路となる。コンデンサ６の内部電極は内導体２の外径より小さいため、コンデンサ６と外導体４との間の空隙の距離が他の部分での空隙の距離より大きくなる。これにより、コンデンサ６を設けたことにより発生する寄生容量（図２のコンデンサＣｐ）は、内導体２と外導体４との間に発生する静電容量（図２のコンデンサＣｎ）より小さくなる。

ここで、図２に示す等価回路を一分布定数回路と考えると、その特性インピーダンスＺは、単位長さ当たりのインダクタンスをＬとし容量をＣとする、Ｚ＝（Ｌ／Ｃ）１／２で表わされる。この式からすると、コンデンサ６が設けられた部分では、インダクタンス性が強くなり（分母の容量Ｃｐが小さくなるのでインダクタンスＬｐが大きくなったことと同じに見える）、インピーダンスＺが大きくなってしまう。すなわち、コンデンサ６が設けられた部分では他の部分よりインピーダンスが大きくなり、インピーダンスミスマッチが生じる。

上述のように、インピーダンスミスマッチが生じると、その部分で高周波信号の反射が生じるため、高周波信号伝送特性が悪化してしまう。そこで、コンデンサ６の寄生容量Ｃｐを調整することにより、コンデンサ６が設けられた部分のインピーダンスを整合し、高周波信号伝送特性を改善する。

図３は第１実施形態による同軸コネクタの断面図である。図３に示す同軸コネクタ２０の基本構造は図１に示す同軸コネクタと同様であり、図１に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

図３において、コンデンサ６の寄生容量Ｃｐを整合するための部材として、第２の誘電体として誘電体リング２２がコンデンサ６の外周に取り付けられている。誘電体リング２２は、絶縁性を有し且つ比誘電率εｒが誘電体３の比誘電率よりも大きい（この場合、空気の比誘電率εｒ＝１．０よりも大きい）材料であればどのような材料で形成してもよい。例えば、誘電体リング２２を、支持部材１０と同様なフッ素樹脂、あるいはフッ素ゴム等のゴムにより形成することとしてもよい。また、誘電体リング２２は、リングと表記しているが、半円状あるいは、コンデンサ６の周囲に部分的に塗布されるような形状でも同様の効果が得られる。

誘電体リング２２をコンデンサ６の周囲に配置することで、コンデンサ６と外導体４との間に生じる寄生容量Ｃｐを増大させることができる。したがって、コンデンサ６部でのインピーダンスを整合することができる。すなわち、比誘電率εｒの大きい誘電体リング２２をコンデンサ６の周囲に配置することで、コンデンサ６が設けられた部分でもインピーダンスを一定（例えば５０Ωの特定インピーダンス）にしておくことができ、高周波信号の反射を抑制することができる。この結果、コンデンサ６を内導体２の途中に設けても、インピーダンス変化による高周波の反射を低減することができ、同軸コネクタ２０の高周波信号伝送特性を良好に維持することができる。

なお、図４に示す同軸コネクタ２０Ａのように、内導体２Ａ，２Ｂの端面にコンデンサ６の外形にほぼ等しい大きさの凹部を形成しておき、コンデンサ６をこの凹部に嵌め込んだうえで、はんだ等により接合することとしてもよい。これにより、コンデンサ６での接続部分の強度を高めることができる。凹部は内導体２A，２Bの端面に形成された窪み、あるいはコの字型の切り欠きのような形状、あるいは内導体２A，２B端面に接続された部材により形成されたものでも良い。

ここで、コンデンサ６の外径が内導体２Ａ，２Ｂの外径に近い、あるいは外径よりも大きくて、内導体２Ａ，２Ｂの端面が凹部を形成するのに十分な大きさが無いときは、図５に示す同軸コネクタ２０Ｂのように、内導体２Ａ，２Ｂの外径を大きくして大径部を形成することとしてもよい。この場合、内導体２Ａ，２Ｂの端面付近で外径が大きくなった大径部に対向する外導体４の内面に、凹部４ａを形成しておく必要がある。すなわち、内導体２Ａ，２Ｂの端面付近で外径が大きくなった部分においても、内導体２Ａ，２Ｂと外導体４との間の距離により、インピーダンスを所望の値にしておく必要がある。

さらに、図６に示す同軸コネクタ２０Ｃのように、支持部材１０をコンデンサ６の接続部に近づけることで、外導体４の内面において支持部材１０を嵌め込む溝と、上述のインピーダンス整合用の凹部４ａとを一つの溝又は凹部としてもよい。これにより、コンデンサ６を設けた部分を小さくすることができ、その分同軸コネクタ２０Ｃ全体を小さくすることができる。また、外導体４の内面の形状を簡素化できるため、外導体４の切削加工が容易となる。

ここで、図６に示す同軸コネクタ２０Ｃの組み立て方法の一例について、図７を参照しながら説明する。図７に示す組み立て方法では、外導体４を２つに分けて外導体４Ａ，４Ｂとして形成しておき、これらを嵌合させて一体とすることで外導体４とする。外導体４Ａ，４Ｂの嵌合方法について、ここでは圧入を用いて説明するが、それに限定させるものではなく、ネジ込みによる嵌合、および電気的、物理的な接続を含む。

まず、図７（ａ）に示すように、内導体２Ａ，２Ｂの端面の凹部に、誘電体リング２２を嵌め込んだコンデンサ６を嵌め込んではんだ等で固定し、内導体組立体２Ｃを形成する。次に、内導体組立体の内導体２Ａ，２Ｂの各々に支持部材１０を取り付ける。そして、図７（ｂ）に示すように、支持部材１０が外導体４Ｂの凹部４ａに嵌り込むように、内導体組立体２Ｃを外導体４Ｂに組み込む。次に、図７（ｃ）に示すように、外導体４Ａを外導体４Ｂに圧入する。これにより、図７（ｄ）に示すように外導体４が形成されると共に、外導体４の内面の凹部４ａに支持部材１０が固定された状態で内導体組立体２Ｃが外導体４の内部に固定される。

以上のように、内導体組立体２Ｃを外導体４Ｂに挿入してから、外導体４Ａを外導体４Ｂに圧入することにより、小型の同軸コネクタ２０Ｃを非常に簡単に組み立てることができる。このように外導体を２つに分けて圧入により組み立てる方法は、上述の他の同軸コネクタにも適用することができ、また以下に説明する同軸コネクタにも適用することができる。

図８は、図６に示す構成の同軸コネクタ２０Ｃをモデルとして電磁界シミュレーションにより求めたインピーダンスを示すグラフである。図８のグラフにおいて、実線が誘電体リング２２が設けられた同軸コネクタ２０Ｃのインピーダンスを示し、点線が誘電体リングが設けられていない同軸コネクタのインピーダンスを示している。

図８のグラフから明らかなように、誘電体リング２２を設けることにより、コンデンサ６が設けられた部分におけるインピーダンス変化が抑制されている。すなわち、誘電体リング２２を設けることで、インピーダンスを整合することができ、インピーダンスミスマッチを抑制することができる。

図９は、図６に示す構成の同軸コネクタ２０Ｃをモデルとして電磁界シミュレーションにより求めた反射特性Ｓ１１と透過特性Ｓ２１を示すグラフである。図９のグラフにおいて、実線が誘電体リング２２が設けられた同軸コネクタ２０Ｃの反射特性Ｓ１１及び透過特性Ｓ２１を示し、点線が誘電体リングが設けられていない同軸コネクタの反射特性Ｓ１１及び透過特性Ｓ２１を示している。反射特性Ｓ１１はグラフの下部に示された２本の曲線（実線及び点線）であり、透過特性Ｓ２１はグラフの上部に示されたやや平坦な２本の曲線（実線及び点線）である。

誘電体リング２２が設けられない同軸コネクタの透過特性Ｓ２１は点線で示されており、周波数が高くなるほど低下することが示されているが、誘電体リング２２が設けられた同軸コネクタ２０Ｃの透過特性Ｓ２１は全帯域にわたってほぼゼロであり、透過損失がほとんど無い。これにより、誘電体リングを設けることで、高周波での透過特性Ｓ２１が改善されていることがわかる。

また、誘電体リング２２が設けられない同軸コネクタの反射特性Ｓ１１は点線で示されており、周波数が低い部分において−２０ｄＢ以下であるが、２０ＧＨｚを超える周波数では、−２０ｄＢ以上に反射が増加していることが示されているが、誘電体リング２２が設けられた同軸コネクタ２０Ｃの反射特性Ｓ１１は低周波から５５ＧＨｚ程度の高周波帯域において−２０ｄＢ以下となっている。これにより、誘電体リング２２を設けることで、高周波帯域での反射特性Ｓ１１が大きく改善されていることがわかる。

また、図６に示す構成の同軸コネクタ２０Ｃを作製して反射特性Ｓ１１及び透過特性を実測したところ、図１０のグラフに示すような結果が得られた。反射特性Ｓ１１は低周波から５５ＧＨｚ程度の高周波帯域において−２０ｄＢ以下となり、大きく改善されていることがわかった。また、透過特性Ｓ２１は６０ＧＨｚ付近までほぼゼロに近い値が維持されており、高周波帯域においても良好な透過特性であることが確認できた。

次に、第２実施形態による同軸コネクタについて、図１１を参照しながら説明する。なお、図１１において図６及び図７に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

第２実施形態による同軸コネクタ２０Ｄは、上述の同軸コネクタ２０Ｃと同様な構造を有するが、誘電体リング２２が変形誘電体リング２４となっている点が異なる。変形誘電体リング２４は、誘電体リング２２のようにコンデンサ６の外周に取り付けられる形状ではなく、内導体２Ａ，２Ｂの端部の外周を覆うような形状となっている。そして、変形誘電体リング２４の長さは、支持部材１０の間の距離に等しくなっており、変形誘電体リング２４の両端はそれぞれ支持部材１０に当接する。

変形誘電体リング２４の厚みは、区間Ｂ，Ｃ，Ｄの間のインピーダンスが、区間Ａのインピーダンスに等しくなるように設定されている。具体的には、変形誘電体リング２４の厚みは、区間Ｃでは薄く、区間Ｄでは厚くなっており、区間Ｄの部分が突出したような形状となっている。区間Ｄでの変形誘電体リング２４の突出部は外側に突出しているが、所望の厚みを確保するために内側に突出することとしてもよく、形状も図示のように断面が矩形である必要はない。変形誘電体リング２４の形状は、インピーダンスを整合するために様々な形状とすることができる。

本実施形態によれば、左右の支持部材１０の間に変形誘電体リング２４が介在しており、変形誘電体リング２４により内導体２Ａ，２Ｂの間の接合部分を補強することができる。すなわち、同軸コネクタの着脱時などに、内導体２Ａ，２Ｂにコンデンサ６を圧縮するような力が加わった場合、その力の一部を変形誘電体リング２４で吸収することができ、コンデンサ６及びその接合部分に加わる力を軽減することができる。

次に、第３実施形態による同軸コネクタについて、図１２を参照しながら説明する。なお、図１２において図６及び図７に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

第３実施形態による同軸コネクタ２０Ｅは、上述の同軸コネクタ２０Ｃと同様な構造を有するが、誘電体リング２２の代わりに接着剤２６がコンデンサ６の外周に設けられている点が異なる。接着剤２６として、例えばエポキシ樹脂のような樹脂を用いることで、誘電体リング２２と同様に、静電容量を調整してインピーダンスを整合することができる。

接着剤２６はコンデンサ６の外周に塗布して硬化させることで設けてもよく、コンデンサ６の外周で左右の内導体２Ａ，２Ｂの間全体にわたって設けることとしてもよい。接着剤２６をコンデンサ６の外周のみに設けた場合、接着剤２６によりコンデンサ６を補強することができる。接着剤２６がコンデンサ６の外周及びコンデンサの接合部を覆うように設けられた場合、接着剤２６によりコンデンサ６が補強されるとともに接合部も補強される。

次に、第４実施形態による同軸コネクタについて、図１３を参照しながら説明する。なお、図１３において図１１及び図１２に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。

第４実施形態による同軸コネクタ２０Ｆは、図１１に示す変形誘電体リング２４と図１２に示す接着剤２６を組み合わせたものである。変形誘電体リング２６とコンデンサ６の外周との間の空間に接着剤２６を充填したものであり、変形誘電体リング２４と接着剤２６とによりコンデンサ６の接合部分が強固に補強される。

上述の同軸コネクタ２０〜２０Ｆの構造は、ＳＭＰ、ＳＭＰＭなどのプッシュオン式の嵌合部（結合部）を持つコネクタに用いることができる。ＳＭＰ，ＳＭＰＭの仕様は、米国軍用規格ＭＩＬ＿ＳＴＤ＿３４８Ａで規定されている。図１４は一例として図６に示す同軸コネクタ２０Ｃの構造をプッシュ式の嵌合部（結合部）３０ａを有するコネクタ３０に適用した場合の同軸コネクタの断面図である。図１４（ａ）はコネクタ３０を他のコネクタ３２に接続する前の状態を示し、図１４（ｂ）はコネクタ３０を他のコネクタ３２に接続した状態を示している。

図１４において、同軸コネクタ２０Ｃの構造を有するコネクタ３２の両端には、他のコネクタ３２の嵌合部（結合部）３２ａと嵌合（結合）する嵌合部（結合部）３０ａが形成されている。コネクタ３０の嵌合部３０ａを他のコネクタ３２の嵌合部３２ａに向かい合わせて押し込むことで、コネクタ３０を他のコネクタ３２に容易に且つ迅速に接続することができる。

なお、上述の同軸コネクタ２０〜２０Ｆを用いることにより、信号劣化を抑制しながら高周波信号を伝送する高周波信号伝送方法を実現することができる。すなわち、信号線としての内導体２の周囲に接地線として外導体４が設けられた信号伝送路により高周波信号を伝送する際に、反射特性及び透過特性を良好に維持して信号劣化を抑制しながら、高周波信号を伝送する方法を実現することができる。

この高周波信号伝送方法では、まず、所定のインピーダンスとされた信号線となる内導体２に高周波信号を入力して伝播させる。そして、高周波信号を、内導体２の途中に挿入されたコンデンサ６を通じてさらに伝播させる。高周波信号がコンデンサ６を伝播する際に、高周波信号の成分をコンデンサ６により制限する。すなわち、高周波信号のＤＣ成分がコンデンサ６により除去されたり、ある帯域の周波数成分のみがコンデンサ６により除去される。コンデンサ６の周囲に誘電体（誘電体リング２２、変形誘電体リング２４、接着剤２６）が設けられており、コンデンサ６が設けられた部分のインピーダンスが整合されているので、高周波信号の反射が生じ難く、高周波信号はコンデンサ６が設けられた部分で減衰せずに伝送される。

同軸コネクタの基本構造を示す断面図である。 図１に示す同軸コネクタの伝送路の等価回路図である。 第１実施形態による同軸コネクタの断面図である。 図３に示す同軸コネクタの第１変形例を示す断面図である。 図３に示す同軸コネクタの第２変形例を示す断面図である。 図３に示す同軸コネクタの第３変形例を示す断面図である。 図６に示す同軸コネクタの製造方法を示す図である。 電磁界シミュレーションにより求めた同軸コネクタのインピーダンスを示すグラフである。 電磁界シミュレーションにより求めた同軸コネクタの反射特性及び透過特性を示すグラフである。 同軸コネクタの反射特性及び透過特性の実測値を示すグラフである。 第２実施形態による同軸コネクタの断面図である。 第３実施形態による同軸コネクタの断面図である。 第４実施形態による同軸コネクタの断面図である。 図６に示す同軸コネクタの構造をプッシュ式の嵌合部（結合部）を有するコネクタに適用した場合のコネクタの断面図である。

符号の説明

２，２Ａ，２Ｂ 内導体
２Ｃ 内導体組立体
３ 誘電体
４，４Ａ，４Ｂ 外導体
４ａ 凹部
６ コンデンサ
８ はんだ
１０ 支持部材
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ 同軸コネクタ
２２ 誘電体リング
２４ 変形誘電体リング
２６ 接着剤
３０ コネクタ
３０ａ 嵌合部（結合部）
３２ 他のコネクタ
３２ａ 嵌合部（結合部）

Claims (17)

1. 第１の内導体及び第２の内導体と、
   該第１の内導体と該第２の内導体の間を接続するコンデンサと、
   前記第１及び第２の内導体及び前記コンデンサの周囲を包囲して延在する外導体と、
   前記第１及び第２の内導体と前記外導体との間隙に充填された第１の誘電体と、
   前記第１及び第２の内導体を前記外導体に対して支持する支持部材と、
   前記コンデンサと前記外導体との間に設けられたインピーダンス整合用の第２の誘電体と
   を有することを特徴とする同軸コネクタ。
2. 請求項１記載の同軸コネクタであって、
   前記第２の誘電体は、前記第１の誘電体よりも大きな誘電率を有することを特徴とする同軸コネクタ。
3. 請求項１又は２記載の同軸コネクタであって、
   前記第２の誘電体は、前記コンデンサの外周に取り付けられたリング状の誘電体であることを特徴とする同軸コネクタ。
4. 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
   前記コンデンサの一端側の電極は前記第１の内導体の端面に形成された凹部に嵌合し、反対端側の電極は前記第２の内導体の端面に形成された凹部に嵌合し、前記コンデンサは前記第１及び第２の内導体に物理的かつ電気的に接続されることを特徴とする同軸コネクタ。
5. 請求項４記載の同軸コネクタであって、
   前記第１及び第２の内導体の前記凹部の周囲は、他の部分より外径が大きく形成された大径部であり、該大径部と前記第２誘電体とに対向する位置において、前記外導体の内面にインピーダンス整合用の凹部が形成されていることを特徴とする同軸コネクタ。
6. 請求項５記載の同軸コネクタであって、
   前記支持部材は、前記第１及び第２の内導体の前記大径部の近傍に取り付けられ、前記外導体の内面に形成された前記凹部に収容されて固定されていることを特徴とする同軸コネクタ。
7. 請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
   前記外導体は、第１の外導体と第２の外導体を嵌合させて一体としたものであることを特徴とする同軸コネクタ。
8. 請求項５乃至７のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
   前記第２の誘電体は、前記第１及び第２の内導体の前記大径部の外周部を覆う形状であることを特徴とする同軸コネクタ。
9. 請求項５乃至７のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
   前記第２の誘電体は、前記コンデンサの周囲に塗布されて硬化した樹脂であることを特徴とする同軸コネクタ。
10. 請求項５乃至７のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
    前記第２の誘電体は、前記第１及び第２の内導体の前記大径部の外周部を覆う形状の部材であり、該部材と前記コンデンサとの間に樹脂が充填されていることを特徴とする同軸コネクタ。
11. 請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
    前記第１の誘電体は空気であることを特徴とする同軸コネクタ。
12. 請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
    前記コンデンサの容量値が１０ｎＦから１０００ｎＦであることを特徴とする同軸コネクタ。
13. 請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
    前記同軸コネクタの特性インピーダンスが概５０Ωであり、かつ前記第１及び第２の内導体直径が０．４ｍｍから１．２７ｍｍであることを特徴とする同軸コネクタ。
14. 請求項１乃至１３のうちいずれか一項記載の同軸コネクタであって、
    前記同軸コネクタの少なくとも一端側に、他のコネクタと結合および離脱できる結合部を有し、
    前記同軸コネクタと該他のコネクタとを互いに対向する方向に押し込むことにより、それぞれの内導体同士、外導体同士が嵌合することを特徴とする同軸コネクタ。
15. 請求項１４記載の同軸コネクタであって、
    前記結合部がＳＭＰコネクタであることを特徴とする同軸コネクタ。
16. 請求項１４記載の同軸コネクタであって、
    前記結合部がＳＭＰＭコネクタであることを特徴とする同軸コネクタ。
17. 信号線となる内導体で高周波信号を伝送する高周波信号伝送方法であって、
    接地線となる外導体との間のインピーダンスを整合した内導体に高周波信号を入力して伝播させ、
    前記内導体の途中に設けられ且つ周囲に誘電体が設けられてインピーダンスが前記所定のインピーダンスに整合するように調整されたコンデンサに該高周波信号の成分を伝播させる
    ことを特徴とする高周波信号伝送方法。

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