JP5075985B2 - Dc−dcコンバータ回路 - Google Patents

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Description

この発明は、フルブリッジ型やハーフブリッジ型等のインバータ回路と異なる新規な構成のインバータ回路をトランスの一次側に設けた、DC−DCコンバータ回路に関する。
従来から良く知られているインバータ回路は、フルブリッジ型インバータ回路、ハーフブリッジ型インバータ回路、センタータッププッシュプル型インバータ回路である。これらのインバータ回路の概念図は図5に示されている。
フルブリッジ型は、スイッチ素子S1〜S4をブリッジ接続して構成し、電源Vをブリッジ間に接続する。スイッチ素子S1、S4とスイッチ素子S2、S3とを交互にオンオフして、出力トランスの一次巻線Pに交番電流を流す(特許文献1参照)。
ハーフブリッジ型は、スイッチ素子S1、S2にそれぞれ電圧源C1、C2を並列接続し、電圧源C1、C2間に電源Vを接続する。スイッチ素子S1、S2を交互にオンオフして、一次巻線Pに交番電流を流す(特許文献2参照)。
センタータッププッシュプル型は、スイッチ素子S1、S2間に接続した一次巻線Pのセンタータップに電源Vを接続する。スイッチ素子S1、S2を交互にオンオフして、一次巻線Pに交番電流を流す(特許文献3参照)。
また、これらのインバータ回路には、スイッチ素子に対してサージ電圧が印加されないよう、通常、スナバコンデンサとスナバ抵抗を含むスナバ回路が設けられている。
特許公開2007−151225号 特許公開2005−279774号 特許公開2001−112253号
しかし、上記の各種インバータ回路は、以下の点で不都合がある。
(1)フルブリッジ型
スイッチ素子を4個使うことになるため、コスト高となる。
(2)ハーフブリッジ型
スイッチ素子は2個で良いが、各スイッチ素子S1、S2及び一次巻線Pに流れる電流はフルブリッジ型やセンタータッププッシュプル型に比較して2倍となる。このため、スイッチ素子やトランスの大型化と高価格が避けられない。
(3)センタータッププッシュプル型
スイッチ素子は2個で良く、各スイッチ素子S1、S2及び一次巻線Pに流れる電流はフルブリッジ型と同じで大きくならない。しかし、電源Vを一次巻線Pのセンタータップに接続するため、巻線Pの左右の結合にリーケージインダクタンスが介在する。このため、第1のスイッチ素子をターンオフしたときに発生するサージ電圧は、上記リーケージインダクタンスを介して、第2のスイッチ素子に接続されるフリーホイールダイオードでクランプされる。上記リーケージインダクタンスの存在のために、完全なクランプができず、第1のスイッチ素子に過大なサージ電圧が印加される不都合がある。
また、CRスナバ回路では、スナバコンデンサの充電電荷がスナバ抵抗で熱消費されるため、回路の効率が悪いという問題がある。
この発明の目的は、スイッチ素子が2個で良く、スイッチ素子に流れる電流値も小さく、スイッチ素子に過大なサージ電圧が印加されず、且つ高効率であるインバータ回路を、トランスの一次側に設けたDC−DCコンバータ回路を提供することにある。
この発明のDC−DCコンバータ回路に用いるインバータ回路は図1に示すような基本構成を備える。インバータ回路は、スイッチ素子として、第1のスイッチ素子S1と、第2のスイッチ素子S2とを備える。これらのスイッチ素子S1、S2は、半導体スイッチ素子で構成され、例えば、IGBT(絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ)やMOS−FETで構成される。また、このインバータ回路は、前記第1のスイッチ素子S1と前記第2のスイッチ素子S2間に直列的に接続される第1の一次巻線P1を備え、さらに出力電圧を得るための二次巻線を備える出力トランスを備える。
接続例として、第1の一次巻線P1は、第1のスイッチ素子S1と、第2のスイッチ素子S2のそれぞれの正極側に接続される。また、このインバータ回路は、電圧源を2つ備えている(図1では電圧源を電源として示している)。第1の電圧源である第1の電源V1は、前記第1の一次巻線P1が前記第2のスイッチ素子S2に接続される第1の接続点A1と前記第1のスイッチ素子S1間に接続される。これにより、第1の電源V1は、前記第1の一次巻線P1を介して前記第1のスイッチ素子S1に電圧を印加する。第2の電源V2は、前記第1の一次巻線P1が前記第1のスイッチ素子S1に接続される第2の接続点A2と前記第2のスイッチ素子S2間に接続される。これにより、第2の電源V2は、前記第1の一次巻線P1を介して前記第2のスイッチ素子S2に電圧を印加する。
なお、第1の一次巻線P1を、第1のスイッチ素子S1と第2のスイッチ素子S2のそれぞれの負極側に接続することも可能である。
制御部は、前記第1のスイッチ素子S1と前記第2のスイッチ素子S2を交互にオンオフする制御を行う。
以上の構成からなるインバータ回路を、この明細書では、カレントバランスドプッシュップル型(Current Balanced P.P)インバータ回路と称する。
上記インバータ回路の変形例は、図2に示すように、次のように構成できる。
すなわち、第1の電圧源(図2ではコンデンサC1)は、その正極側が前記第1の接続点A1に接続され、前記第2の電圧源(図2ではコンデンサC2)は、その正極側が前記第2の接続点A2に接続され、さらに、前記第1の電圧源の負極側と前記第2の電圧源の負極側間に接続される第2の一次巻線P2を備える。また、前記第1の一次巻線P1のセンタータップと、前記第2の一次巻線P2のセンタータップ間に接続され、前記第1、第2の電圧源に対して前記第1の一次巻線P1及び前記第2の一次巻線P2を介してエネルギー供給する電源Vを備える。
上記の構成では、電源Vから第1の電圧源と第2の電圧源に対して常時充電電流が流れる(エネルギーが供給される)。第1のスイッチ素子S1がオンすると、第1の電圧源から第1の一次巻線P1を介して第1のスイッチ素子S1に流れる電流成分と、第2の電圧源から第2の一次巻線P2を介して第1のスイッチ素子S1に流れる電流成分とが合成され、この合成された電流が第1のスイッチ素子S1に流れる。言い換えると、第1のスイッチ素子S1に流れる電流は、第1の一次巻線P1と第2の一次巻線P2に分流(shunt)する。
この発明のDC−DCコンバータ回路は、スナバ回路を備えることで、ZVS(Zero Voltage Switching)動作を可能にし、また、回生回路を備えることで損失を低減することができる。
上記の回生回路は、回生時にスナバコンデンサと共振する共振部と、電圧嵩上げ部とを備えている。共振部は共振リアクトルで構成される。電圧嵩上げ部は、出力トランスの入力電圧(一時側電圧)を所定電圧に変圧して出力する二次巻線(電圧嵩上げ巻線)で構成される。所定電圧を(1/2)E(但し、電圧源の電圧をEとする)以上とすることで、スナバコンデンサの充電電荷をすべて回生させることが可能である。
この発明によれば、スイッチ素子が2個で良く、スイッチ素子に流れる電流値も小さく、また、スイッチ素子に過大なサージ電圧が印加されない。また、スナバ回路と回生回路を接続することにより、スイッチ素子のZVS動作を可能にし、且つ、損失を減らすことができる。
この発明のDC−DCコンバータ回路に使用されるカレントバランスドプッシュプル型(Current Balanced P.P型)インバータ回路の基本概念図である。 カレントバランスドプッシュプル型インバータ回路の他の例を示す。 インバータ回路の動作を説明するための図である。 インバータ回路のタイムチャートである。 フルブリッジ型、ハーフブリッジ型、センタータッププッシュプル型、カレントバランスドプッシュプル型の各インバータ回路の概念図を示している。 この発明の第1の実施形態であるDC−DCコンバータ回路の回路図である。 DC−DCコンバータ回路のタイムチャートである。 回生時においての第1の回生部の等価回路でしる。 回生時のタイムチャートである。 この発明の第2の実施形態であるDC−DCコンバータ回路の回路図である。 この発明の第3の実施形態であるDC−DCコンバータ回路の回路図である。 トランスの構造図である。
符号の説明
C1−第1の電圧源であるコンデンサ
C2−第2電圧源であるコンデンサ
V−電源
S1−第1のスイッチ素子
S2−第2のスイッチ素子
P1−第1の一次巻線
P2−第2の一次巻線
INV−インバータ回路
SN1−第1の回生スナバ回路
SN2−第2の回生スナバ回路
C3、C5、C4、C6−スナバコンデンサ
L1、L2、L3、L4−共振リアクトル
S3、S4、S5、S6−電圧嵩上げ巻線
OUT−出力回路
図1は、この発明のDC−DCコンバータ回路に使用されるカレントバランスドプッシュプル型(Current Balanced P.P型)インバータ回路の概念図である。
このインバータ回路は、第1のスイッチ素子S1と、第2のスイッチ素子S2と、第1のスイッチ素子S1と第2のスイッチ素子S2間に直列的に接続される第1の一次巻線P1を備えさらに出力電圧を得るための二次巻線を備える出力トランス(図示せず)と、を備えている。
また、このインバータ回路は、第1の一次巻線P1が第2のスイッチ素子S2に接続される第1の接続点A1と第1のスイッチS1素子間に接続され、第1の一次巻線P1を介して第1のスイッチ素子S1に電圧を印加する第1の電源V1と、
第1の一次巻線P1が第1のスイッチ素子S1に接続される第2の接続点A2と第2のスイッチ素子S2間に接続され、第1の一次巻線P1を介して第2のスイッチ素子S2に電圧を印加する第2の電源V2と、を備えている。
第1のスイッチ素子S1と第2のスイッチ素子S2は、制御部(図示しない)によって交互にオンオフされる。
上記インバータ回路において、第1のスイッチ素子S1がオンすると、第1の一次巻線P1に第1の電源V1から左方向に電流I1が流れ、第2のスイッチ素子S2がオンすると、第1の一次巻線P1に第2の電源V2から右方向に電流I2が流れる。第1のスイッチ素子S1と第2のスイッチ素子S2を交互にオンオフすることで、第1の一次巻線P1に電流I1と電流I2が交互に流れるから、トランスの二次巻線に交流出力電圧が発生する。
図2は、インバータ回路の他の例を示す。このインバータ回路は、2つの一次巻線を用いている。
このインバータ回路は、図1の第1の電源V1が第1の電圧源であるコンデンサC1に置き換えられ、図1の第2の電源V2が第2の電圧源であるコンデンサC2に置き換えられている。
また、第1の電圧源C1の負極側と第2の電圧源C2の負極側間に第2の一次巻線P2が接続されている。
また、第1の一次巻線P1のセンタータップと第2の一次巻線P2のセンタータップ間に、第1の電圧源C1と第2の電圧源C2に対して第1の一次巻線P1及び第2の一次巻線P2を介してエネルギー供給する電源Vを備えている。
図3は、上記インバータ回路の動作を説明するための図であり、図4はタイムチャートである。図4において、期間Dは第1のスイッチ素子S1又は第2のスイッチ素子S2がオンする期間である。この期間Dの最大値はここでは0.5である。期間(0.5−D)は、スイッチ素子S1、S2が共にオフしている休止期間である。
図3において、第1の一次巻線P1は、センタータップを中心に巻線P1aとP1bで構成され、第2の一次巻線P2は、センタータップを中心に巻線P2aとP2bで構成される。なお、トランスTの二次巻線Sには、ダイオードブリッジ整流回路が接続されて全体としてDC−DCコンバータ回路が構成され、さらに、整流出力を平滑するリアクトルLと負荷Rが接続されている。その他の構成は図2と同様である。
第1のスイッチ素子S1がオンして、第1の電圧源であるコンデンサC1と第2の電圧源であるコンデンサC2により、第1の一次巻線P1、第2の一次巻線P2にそれぞれ電圧Vが印加され、二次巻線Sに出力電圧Vsが発生すると、負荷Rに出力電流Iが流れる。これにより、一次巻線P1、P2にはそれぞれ0.5I・aが流れる(トランスの巻線比=1:a)。このとき、コンデンサC1からスイッチ素子S1に流れる電流と、コンデンサC2からスイッチ素子S1に流れる電流とを合成した素子電流I1は、
1=I・aである。
コンデンサC1、コンデンサC2の充電電流(直流)Ic1′、Ic2′は、それぞれ出力電力を電源電圧で除したIiの半分(0.5Ii)である。したがって、コンデンサC1、コンデンサC2に流れる合成電流Ic1、Ic2は、それぞれ放電電流−充電電流=0.5(I1−Ii)となる。
一方、一次巻線P1a、P2bに流れる電流は充電電流が減算されたものとなり、一次巻線P1b、P2aに流れる電流は充電電流が加算されたものとなる。すなわち、
IP1a,Ip2b=0.5(I1−Ii)
IP1b,Ip2a=0.5(I1+Ii)
である。この電流アンバランスは問題ない。なぜなら、スイッチ素子S1、S2が交互にオンオフすることで(転流することで)平均巻線電流の平衡が保たれるからである。したがって、特にトランスのコアが偏磁するという問題を生じることはない。
また、電源Vから見て、P1a,P1b,P2a,P2bの各巻線の極性はそれぞれ逆極性である。このため、電源電圧でトランスTを直接、励磁することはない。また、一次巻線P1とP2にそれぞれ流入する充電電流Ic1′とIc2′は逆方向であるため、コアが直流磁化するという問題もない。
上記の構成で、第1の一次巻線P1と第2の一次巻線P2にそれぞれ印加される交番電圧は電源電圧Vとなり、フルブリッジ型と同じとなる。また、第1の一次巻線P1と第2の一次巻線P2に設けたセンタータップは電源Vからのエネルギー供給用であり、出力電力供給には、図3の太線で示す電流が流れることによって、第1の一次巻線P1と第2の一次巻線P2の全巻線が利用される。このため、センタータッププッシュプル型のように、半サイクル毎に遊び巻線が生じることがない。つまり、P1aとP1b間のリーケージインダクタンス、及びP2aとP2b間のリーケージインダクタンスを考慮する必要がなく、そのため転流時にサージ電圧が発生することがない。したがって、サージ電圧を防ぐことを目的として、P1aとP1b間、P2aとP2b間、P1とP2間を密結合させる必要がない。また、電源Vからは、コンデンサC1、C2に対して、常時、充電電流0.5Iiが第1の一次巻線P1と第2の一次巻線P2を介して流れている。この充電時においては、それらの巻線P1、P2間の漏れインダクタンスがリップル成分を除去するフィルタとして機能するため、電源Vから供給される電流Iiは連続した直流となる。そのため、電源Vとしては、リップル成分を嫌う(リップルにより寿命特性を悪くする)電池、例えば燃料電池を使用することができる。なお、第1の一次巻線P1と二次巻線Sとの結合、及び第2の一次巻線P2二次巻線Sとの結合は、分流を平衡させることが必要であることから対称でなければならない。
図5は、参考のため、フルブリッジ型、ハーフブリッジ型、センタータッププッシュプル型、カレントバランスドプッシュプル型の各インバータ回路の概念図を示したものである。
上記説明のように、カレントバランスドプッシュプル型インバータ回路では、スイッチ素子が2個で良く、各スイッチ素子に流入する電流がハーフブリッジ型に比較して2分の1で良く、また、スイッチ素子に過大なサージ電圧が印加されない利点がある。さらに、電源Vには、リップル成分を嫌う(リップルにより寿命特性を悪くする)電池、例えば燃料電池を使用することができる。
次に、この発明の第1の実施形態のDC−DCコンバータ回路を示す。
図6は、同DC−DCコンバータ回路の回路図である。図7はタイムチャートである。
このコンバータ回路は、カレントバランスドプッシュプル型インバータ回路INVと、該インバータ回路INVの交流出力を整流して負荷に出力する出力回路OUTと、第1の回生スナバ回路SN1と、第2の回生スナバ回路SN2とを備えている。
インバータ回路INVは、図2又は図3に示す回路と同一である(図6と図3では、コンデンサC1とC2の表示位置がお互いに逆である)。インバータ回路INVの第1のスイッチ素子S1には、第1の回生スナバ回路SN1が接続され、第2のスイッチ素子S2には、第2の回生スナバ回路SN2が接続されている。なお、第1のスイッチ素子S1、第2のスイッチ素子S2には、半導体スイッチ素子、例えばIGBTやMOS−FET等が使用される。
出力回路OUTは、トランスTの二次巻線Sに接続された整流用ダイオードD13〜D16と、平滑用のリアクトルL5及びコンデンサC7と、で構成され、出力回路OUTに負荷Rが接続されている。
第1の回生スナバ回路SN1は、スイッチ素子S1に逆並列に接続された第1のフリーホイールダイオードD1と、スイッチ素子S1に並列に接続された第1のスナバ回路とを備える。第1のスナバ回路は、第1のスナバダイオードD3と第1のスナバコンデンサC3と第2のスナバコンデンサC5との直列回路を含む。また、第1の回生スナバ回路SN1は、前記第1のスナバ回路に接続され、第1の回生部と第2の回生部から構成される第1の回生回路を備える
第1の回生回路に含まれる第1の回生部は、第1の電圧源であるコンデンサC1の正極側とスナバコンデンサC3間に接続される。すなわち、第1の回生部は、充電阻止用の回生ダイオードD5と、共振リアクトルL1と、電圧嵩上げ巻線S3との直列回路を備える。共振リアクトルL1は、回生時にコンデンサC3と共振し、電圧嵩上げ巻線S3は、出力トランスSの一次側電圧を変圧して所定電圧を出力する。電圧嵩上げ巻線S3の巻線数は、後述のように、第1の電圧源であるコンデンサC1の電位をEとしたときに前記所定電圧が0.5Eになるように設定される。
第2の回生部は、充電阻止用の回生ダイオードD7と、共振リアクトルL2と、電圧嵩上げ巻線S4との直列回路を備える。共振リアクトルL2は、回生時にコンデンサC5と共振し、電圧嵩上げ巻線S4は、出力トランスSの一次側電圧を変圧して所定電圧を出力する。
第2の回生スナバ回路SN2は、第1の回生スナバ回路SN1と対称の回路構成を備えている。
すなわち、第2の回生スナバ回路SN2は、スイッチ素子S2に逆並列に接続された第2のフリーホイールダイオードD2と、スイッチ素子S2に並列に接続された第2のスナバ回路とを備える。第2のスナバ回路は、第2のスナバダイオードD4と第3のスナバコンデンサC4と第4のスナバコンデンサC6との直列回路を含む。また、第2の回生スナバ回路SN2は、前記第2のスナバ回路に接続され、第3の回生部と第4の回生部から構成される第2の回生回路を備える
第2の回生回路に含まれる第3の回生部は、第2の電圧源であるコンデンサC2の正極側とスナバコンデンサC4間に接続される。すなわち、第3の回生部は、充電阻止用の回生ダイオードD6と、共振リアクトルL3と、電圧嵩上げ巻線S5との直列回路を備える。共振リアクトルL3は、回生時にコンデンサC4と共振し、電圧嵩上げ巻線S5は、出力トランスSの一次側電圧を変圧して所定電圧を出力する。電圧嵩上げ巻線S5の巻線数は、電圧嵩上げ巻線S3、S4と同様に、前記所定電圧が0.5Eになるように設定される。
第4の回生部は、充電阻止用の回生ダイオードD8と、共振リアクトルL4と、電圧嵩上げ巻線S6との直列回路を備える。共振リアクトルL4は、回生時にコンデンサC6と共振し、電圧嵩上げ巻線S6は、出力トランスSの一次側電圧を変圧して所定電圧を出力する。
以上の第1の回生スナバ回路SN1において、共振リアクトルL1と共振リアクトルL2とは本発明の第1の共振部を構成している。また、電圧嵩上げ巻線S3と電圧嵩上げ巻線S4とで本発明の第1の電圧嵩上げ部を構成している。
また、第2の回生スナバ回路SN2において、共振リアクトルL3と共振リアクトルL4とは本発明の第2の共振部を構成している。また、電圧嵩上げ巻線S5と電圧嵩上げ巻線S6とで本発明の第2の電圧嵩上げ部を構成している。
コンバータ回路は、さらに制御部CTを備え、この制御部CTはスイッチ素子S1、S2をオンオフ制御するためのゲート信号G1、G2を生成する。ゲート信号G1、G2は、それぞれスイッチ素子S1、S2のゲート端子に供給されている。
次に、図7を参照して動作を説明する。
第1の回生スナバ回路SN1に含まれている第1のスナバ回路と第1の回生部の動作を説明する。
toの直前では電流源であるリアクトルL5(トランスTの二次側に接続されている)の作用により整流用ダイオードD13〜D16がフリーホイール状態にある。toで制御信号G1がオンしてスイッチ素子S1がオンしたとき、一次巻線P1(P1a,P1b)、P2(P2a,P2b)のリーケージインダクタンスの減流作用により、スイッチ素子S1に流れる電流ICEは一定の傾きで直線的に増加する。このため、スイッチング動作はZCS(Zero Current Switching)動作となる。
また、スイッチ素子S1がt3でオフしたとき、上記リーケージインダクタンスの蓄積エネルギーでスナバコンデンサC3が徐々に充電されていく。スナバコンデンサC3の充電電位VC3の変位は、充電期間の後半において上記リーケージインダクタンスとスナバコンデンサC3の共振系によるものとなり、最終的にE(コンデンサC1の電位をEとする)にクランプされる。なお、このスナバコンデンサC3と第2の回生部のスナバコンデンサC5の直列回路に2Eが印加されることで、結果的にコンデンサC3の充電電位がEにクランプされる。このため、サージ電圧がスイッチ素子S1に印加されることが防止され、スイッチ素子S1の両端電圧VCEは、図7(C)のようにt3から徐々に上昇する。したがって、スイッチング動作はZVS(Zero Voltage Switching)動作となる。
スイッチ素子S1がオフしたときにスナバコンデンサC3に充電された電荷は、従来の回路のようにスナバ抵抗で消費されることなく、次にスイッチ素子S1がオンしたときのt1−t2で第1の電圧源であるコンデンサC1に回生される。すなわち、スナバコンデンサC3の充電電荷は、充電阻止用の回生ダイオードD5と、共振リアクトルL1と、電圧嵩上げ巻線S3との直列回路からなる第1の回生部により、コンデンサC1に回生される。
詳細は次のとおりである。
スイッチ素子S1がオンすると、スナバコンデンサC3の充電電位Eに電圧嵩上げ巻線S3の電位0.5Eが嵩上げされる。これにより、Eに充電されたスナバコンデンサC3の充電電荷がスナバコンデンサC3と共振リアクトル部L1の共振回路によりコンデンサC1に回生される。
図8は、スナバコンデンサC3の充電電荷が第1の回生部により回生されるときの等価回路である。
上記等価回路の電圧方程式は、式1の通りである。
L1(dif/dt)+(1/C3)∫if・dt=L1(d2q/dt2)+(1/C3)q=0.5E・・・・(式1)
式(1)は二階線形常微分方程式であり、この解は以下の通りである。
if(t2-t1)=(0.5E/Zf)Sinωft・・・・・(式2)
VC3(t2-t1)=0.5E(1+Cosωft)・・・・・(式3)
VL1(t2-t1)=0.5E・Cosωft・・・・・・(式4)
ただし、
Zf=√(L1/C3)(特性インピーダンス)
ωf=1/√(L1/C3)(角周波数)
なお、充電阻止用の回生ダイオードD5により、t1−t2の期間のみに回生電流ifが流れる。式(2)〜(4)を図示すると図9のようになる。
このように、電圧嵩上げ巻線S3により、スナバコンデンサC3の充電電位EをE+0.5Eに嵩上げすることで、t2において電位VC3がゼロとなるから、t1−t2において、スナバコンデンサC3の充電電荷を全部コンデンサC1に回生することができる。
第2の回生部についても、上記第1の回生部と同様な動作を行い、スナバコンデンサC5の充電電荷がt2において全部コンデンサC2に回生される。
また、第2の回生スナバ回路SN2においても、上記第1の回生スナバ回路SN1と同様な動作を行う。
このように、スナバコンデンサC3、C5、C4、C6の充電電荷は、従来のスナバ回路のようにスナバ抵抗で消費されることなく、コンデンサC1、C2に回生されるため、インバータ回路の効率を上げることができる。なお、共振リアクトルL1〜L4は、一次巻線P1(P1a、P1b),P2(P2a、P2b)と電圧嵩上げ巻線S3〜S6間のリーケージインダクタンスで代用することが可能である。
次に、この発明の第2の実施形態を示す。
図10は、変形したカレントバランスドプッシュプル型インバータ回路を使用したDC−DCコンバータ回路の回路図である。
図10の回路が図6の回路と相違する点は次の通りである。
(A1)図1に示す構成のカレントバランスドプッシュプル型インバータ回路を用いた。すなわち、電圧源となるコンデンサC1、C2に代えて第1の電源V1と第2の電源V2を用いた。また、一次巻線には、第1の一次巻線Pのみを設けている。なお、この例では、図示している一次巻線Pがこの発明の第1の一次巻線P1に対応している(したがって、一次巻線Pは電圧源V1、V2の負極側に接続している。
この回路では、一次巻線にセッタータップを設ける必要がなく、また、一次巻線は1つの巻線でよい。
次に、この発明の第3の実施形態を示す。
図11は、変形したカレントバランスドプッシュプル型インバータ回路を使用したDC−DCコンバータ回路の回路図である。
図11の回路が図6の回路と相違する点は次の通りである。
(B1)電圧源となるコンデンサC2に代えて電源Vを用いた。
(B2)一次巻線P1、P2のセンタータップをなくした。
この回路では、一次巻線にセッタータップを設ける必要がなく、また、電源が1つで良い。
上記いずれの実施形態でも、動作は図6に示すDC−DCコンバータ回路と同様である。
次に、以上の実施形態で使用するトランスTの構造を図12を参照して説明する。
トランスTは、鉄芯1を中心として内側から一次巻線P(P1、P2)の半分、二次巻線Sの半分、電圧嵩上げ巻線S3、S4、電圧嵩上げ巻線S5、S6、二次巻線Sの半分、一次巻線P(P1、P2)の半分、の順に同芯状に配置している。この配置構造により、電圧嵩上げ巻線S3〜S6は、一次巻線P(P1、P2)と二次巻線S間の漏れ磁束の影響を受けない。
すなわち、スイッチ素子S1がオフする時刻t3においては、一次巻線P(P1、P2)に該一次巻線と二次巻線間のリーケージインダクタンスによる共振電圧が発生する。しかし、整流用ダイオードD13〜D16が共に導通するフリーホイール期間(図7のt3−t5、又はt4−t6)においては、二次巻線Sは短絡しているため、この期間においては、二次巻線Sに密結合した電圧嵩上げ巻線S3〜S6は拘束磁化されることになる。したがって、上記共振電圧は電圧嵩上げ巻線S3〜S6に伝達されない。この結果、スナバコンデンサC3〜C6が不必要に充放電されることがなくなり、良好なZVS動作が行われる。

Claims (5)

  1. 第1のスイッチ素子S1と、
    第2のスイッチ素子S2と、
    前記第1のスイッチ素子S1と前記第2のスイッチ素子S2間に直列的に接続される第1の一次巻線P1を備え、さらに出力電圧を得るための二次巻線を備える出力トランスTと、
    前記出力電圧を整流して平滑する平滑回路と、
    前記第1の一次巻線が前記第2のスイッチ素子S2に接続される第1の接続点と前記第1のスイッチ素子S1間に接続され、前記第1の一次巻線P1を介して前記第1のスイッチ素子S1に電圧を印加する第1の電圧源と、
    前記第1の一次巻線が前記第1のスイッチ素子S1に接続される第2の接続点と前記第2のスイッチ素子S2間に接続され、前記第1の一次巻線を介して前記第2のスイッチ素子S2に電圧を印加する第2の電圧源と、
    前記第1のスイッチ素子S1と前記第2のスイッチ素子S2を交互にオンオフする制御部と、
    前記第1のスイッチ素子S1に逆並列に接続された第1のフリーホイールダイオードと、
    前記第1のスイッチ素子S1に並列に接続され、第1のスナバコンデンサと、第1のスナバダイオードと、第2のスナバコンデンサとの直列回路を含む第1のスナバ回路と、
    前記第2のスイッチ素子S2に逆並列に接続された第2のフリーホイールダイオードと、
    前記第2のスイッチ素子S2に並列に接続され、第3のスナバコンデンサと、第2のスナバダイオードと、第4のスナバコンデンサとの直列回路を含む第2のスナバ回路と、
    前記第1の電圧源及び前記第2の電圧源と、前記第1のスナバ回路間に接続され、回生時に、前記第1のスナバコンデンサ及び前記第2のスナバコンデンサの充電電荷を前記第1の電圧源及び前記第2の電圧源に回生させる第1の回生回路と、
    前記第1の電圧源及び前記第2の電圧源と、前記第2のスナバ回路間に接続され、回生時に、前記第3のスナバコンデンサ及び前記第4のスナバコンデンサの充電電荷を前記第1の電圧源及び前記第2の電圧源に回生させる第2の回生回路と、
    を備え、
    前記第1の回生回路は、回生時に前記第1のスナバコンデンサ及び前記第2のスナバコンデンサと共振させる第1の共振部と、該第1の共振部に直列に接続され前記出力トランスの一次側電圧を変圧した所定電圧を出力する第1の電圧嵩上げ部とを含み、
    前記第2の回生回路は、回生時に前記第3のスナバコンデンサ及び前記第4のスナバコンデンサと共振させる第2の共振部と、該第2の共振部に直列に接続され前記出力トランスの一次側電圧を変圧した所定電圧を出力する第2の電圧嵩上げ部とを含む、DC−DCコンバータ回路。
  2. 前記第1の共振部は、回生時に、前記第1のスナバコンデンサと共振させる第1の共振リアクトルと、前記第2のスナバコンデンサと共振させる第2の共振リアクトルと、で構成され、
    前記第1の電圧嵩上げ部は、前記第1の共振リアクトルに直列に接続された第1の電圧嵩上げ巻線と、前記第2の共振リアクトルに直列に接続された第2の電圧嵩上げ巻線とで構成され、
    前記第2の共振部は、回生時に、前記第3のスナバコンデンサと共振させる第3の共振リアクトルと、前記第4のスナバコンデンサと共振させる第4の共振リアクトルと、で構成され、
    前記第2の電圧嵩上げ部は、前記第3の共振リアクトルに直列に接続された第3の電圧嵩上げ巻線と、前記第4の共振リアクトルに直列に接続された第4の電圧嵩上げ巻線とで構成される、請求項1記載のDC−DCコンバータ回路。
  3. 前記第1の電圧源は第1の電源で構成され、前記第2の電圧源は第2の電源で構成されている請求項1記載のDC−DCコンバータ回路。
  4. 前記第1の電圧源は第1の電圧源コンデンサで構成され、前記第2の電圧源は第2の電圧源コンデンサで構成され、
    前記出力トランスは、前記第1の電圧源及び前記第2の電圧源を基準に前記第1の一次巻線に対向する位置で前記第1のスイッチ素子S1と前記第2のスイッチ素子S2間に直列的に接続される第2の一次巻線P2を備え、
    前記第1の一次巻線P1及び前記第2の一次巻線P2のセンタータップ間に接続され、前記第1の電圧源コンデンサと前記第2の電圧源コンデンサに対して前記第1の一次巻線P1及び前記第2の一次巻線P2を介してエネルギーを供給する電源を備える、請求項1記載のDC−DCコンバータ回路。
  5. 前記第1の電圧源は電源で構成され、前記第2の電圧源は第2の電圧源コンデンサで構成され、
    前記出力トランスは、前記電源及び前記第2の電圧源コンデンサを基準に前記第1の一次巻線に対向する位置で前記第1のスイッチ素子S1と前記第2のスイッチ素子S2間に直列的に接続される第2の一次巻線P2を備える、請求項1記載のDC−DCコンバータ回路。
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