JP5071164B2 - 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5071164B2 JP5071164B2 JP2008055877A JP2008055877A JP5071164B2 JP 5071164 B2 JP5071164 B2 JP 5071164B2 JP 2008055877 A JP2008055877 A JP 2008055877A JP 2008055877 A JP2008055877 A JP 2008055877A JP 5071164 B2 JP5071164 B2 JP 5071164B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- metallized pattern
- wave element
- element piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 138
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
これにより、弾性表面波デバイスは、周囲の温度変化に伴う接合部材の収縮により、弾性表面波素子片に応力が発生することがある。また、弾性表面波デバイスは、外部機器へのリフロー実装などの加熱時に、接合部材からガスが発生し、ガスの成分が凝縮して弾性表面波素子片に付着することがある。
これらにより、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の周波数特性が劣化し、所望の性能を得られないことがある。
この接触により、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の振動状態が変化し、周波数のエージング特性の劣化、特定の温度領域における著しい周波数の変化など、周波数特性が劣化し所望の性能を得られないという問題がある。
このことから、電子デバイスは、電子素子の実装時に、電子素子の実装面とベース部の一面との間隔が、従来と比較してメタライズパターンの厚み分広がることから、電子素子の傾斜による電子素子の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減することができる。
このことから、電子デバイスは、弾性表面波素子片の実装時に、実装面とベース部の一面との間隔が、従来と比較してメタライズパターンの厚み分広がることから、電子素子の傾斜による実装面の角部とベース部の一面とが接触するリスクを低減することができ、弾性表面波素子片の周波数のエージング特性の向上、特定の温度領域における著しい周波数の変化の回避など、周波数特性が向上し所望の性能を得られ易くなる。
このことから、電子デバイスは、例えば、メタライズパターンに接着剤などを塗布して弾性表面波素子片を実装する際に、メタライズパターンの濡れ性などによる接着剤の流出を絶縁部によって遮断することができる。これにより、電子デバイスは、接続端子への接着剤の不要な接近または付着のリスクを回避することができる。
図1は、電子デバイスの一例としての弾性表面波共振子の概略構成を示す構成図である。図1(a)は平面図、図1(b)は、図1(a)のA−A線での断面図である。なお、平面図では、理解を容易にするためにリッド(蓋)部を省略し、リッド部の外形を2点鎖線で表している。
ベース部11は、セラミックグリーンシートを成形して積層し、焼成した酸化アルミニウム質焼結体などの絶縁体からなり、凹状に形成されている。
ベース部11の一面としての底面11aには、メタライズパターン11bが設けられている。メタライズパターン11bは、タングステン、モリブデンなどのメタライズ層、またはこのメタライズ層にニッケル、金などの金属の被膜をメッキ、スパッタなどにより積層した金属被膜からなる。なお、メタライズパターン11bの表層には、金被膜が好ましい。
メタライズパターン11bは、長辺が弾性表面波素子片20の長辺と略直交するように形成されている。換言すれば、メタライズパターン11bは、長辺が弾性表面波素子片20の弾性表面波の伝播方向と略直交するように形成されている。
接続端子11d,11eは、タングステンなどのメタライズ層にニッケル、金などの各被膜をメッキ、スパッタなどにより積層した金属被膜からなる。
なお、弾性表面波共振子1は、実装端子11h,11iにより外部機器に実装される。
弾性表面波素子片20は、圧電基板21、すだれ状電極22、反射器23,24などから構成されている。
圧電基板21の一方の主面25には、一対のすだれ状電極22が形成され、一対のすだれ状電極22は、電極指を交互に噛み合わせて配置されている。すだれ状電極22の両端には、弾性表面波を反射する反射器23,24が形成されている。
なお、接合部材30には、シリコーン樹脂系、エポキシ樹脂系などの接着剤が用いられ、ディスペンサなどによりメタライズパターン11b及び底面11aに塗布されている。なお、接合部材30の塗布量は、弾性表面波素子片20が実装された状態で、約20μm程度の厚みとなる量が好ましい。
本実施形態では、Lが約40μm程度となる(メタライズパターン11bの厚み:約20μm+接合部材30の厚み:約20μm)。
これらにより、弾性表面波共振子1のパッケージ10内は、気密に封止されている。なお、パッケージ10の内部は、真空または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが封入されている。
そして、弾性表面波共振子1は、メタライズパターン11bが、平面視で弾性表面波素子片20の他方の主面28の、底面11aとの接触のリスクが最も高い隅部28a,28b,28c,28dと重ならない位置に、矩形形状で形成されている。
これにより、弾性表面波共振子1は、弾性表面波素子片20が傾斜した状態で実装されても、弾性表面波素子片20の他方の主面28の、底面11aとの接触のリスクが最も高い隅部28a,28b,28c,28dと、底面11aとの間隔を、従来より充分広くすることができる。
これにより、弾性表面波共振子1は、弾性表面波素子片20の周波数のエージング特性の向上、特定の温度領域における著しい周波数の変化の回避など、周波数特性が向上し所望の性能を得られ易くなる。
これにより、弾性表面波共振子1は、接続端子11d,11eへの接合部材30の付着を回避することができ、接続端子11d,11eに金属ワイヤ40を確実にボンディングすることができる。
これにより、弾性表面波共振子1は、基準位置に対するメタライズパターン11bの位置ずれを補正して、弾性表面波素子片20を実装できることから、弾性表面波素子片20のメタライズパターン11bに対する実装位置の精度を向上することができる。
これにより、弾性表面波共振子1は、周囲の温度変化に伴う接合部材30の収縮による弾性表面波素子片20の応力の発生を、メタライズパターン11bの長辺が弾性表面波素子片20の弾性表面波の伝播方向に沿って形成されている場合と比較して、低減することができる。
図2は、弾性表面波共振子1の製造方法を工程順に示す断面図である。
ここでは、メタライズパターン形成工程、メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程、弾性表面波素子片20をメタライズパターン上に実装する実装工程を中心に説明する。
まず、図2(a)に示すように、予め形成されたベース部11を用意し、タングステン、モリブデンなどの金属をペースト状にした金属ペーストを、ベース部11の底面11aに、図1(a)の11bで示す矩形形状で印刷する。
ついで、金属ペーストを焼成しメタライズ層にした後、メタライズ層にニッケル、金などの金属の被膜をメッキ、スパッタなどにより積層して、メタライズパターン11bを形成する。なお、メタライズパターン11bは、メタライズ層のみでもよい。
ついで、図示しない画像認識装置により、矩形形状に形成されたメタライズパターン11bを画像認識して、メタライズパターン11bの基準となる角部により、メタライズパターン11bの位置を認識する。
ついで、認識されたメタライズパターン11bの位置に基づき、メタライズパターン11bの実際の位置と、メタライズパターン11bの基準として設定されている基準位置とのずれを算出する。
ついで、このずれ分を補正して、図2(c)に示すように、弾性表面波素子片20の他方の主面28の隅部28a,28b,28c,28dが、メタライズパターン11bに重ならないように、弾性表面波素子片20を、前記メタライズパターン11b上に搭載する。
ついで、弾性表面波素子片20の他方の主面28を、接合部材30によりメタライズパターン11bに接着し、接合部材30を加熱硬化することで、弾性表面波素子片20を、メタライズパターン11b上に実装する。
ついで、アニール後、真空または不活性ガス中において、リッド部12をシール部13にシーム溶接する。なお、シール部13は、予めろう付けなどによりベース部11に接合しておく。
これらの工程により、図1に示す弾性表面波共振子1を得る。
そして、弾性表面波共振子1の製造方法は、メタライズパターン11bの位置を画像認識して、弾性表面波素子片20の他方の主面28の隅部28a,28b,28c,28dがメタライズパターン11bに重ならないように、弾性表面波素子片20をメタライズパターン11b上に実装する。
以下、メタライズパターン11bの形状を変更した変形例について、図3、図4を参照して説明する。
図3、図4は、弾性表面波共振子1の変形例を示す模式平面図である。なお、図3、図4では、理解を容易にするために、一部の構成部品、弾性表面波素子片20の電極類などを省略し、弾性表面波素子片20の外形を2点鎖線で表している。
また、メタライズパターン11bには、ハッチングを施している。なお、上記実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図3(a)のメタライズパターン11bは、上記実施形態の形状と比較して、紙面下側が短くなり、ベース部11の側壁11jから離れた形状で形成されている。
図3(b)のメタライズパターン11bは、上記実施形態の形状と比較して、紙面上側が長くなり、ベース部11の接続端子部11cの側壁11kに接触した形状で形成されている。
図3(c)のメタライズパターン11bは、上記実施形態の形状と比較して、紙面上側が長くなり、弾性表面波素子片20の外形に一致した形状で形成されている。
図4(b)のメタライズパターン11bは、上記実施形態の形状と比較して、メタライズパターン11bの形成方向が90°異なり、メタライズパターン11bの長辺が弾性表面波素子片20の長辺に沿って形成されている。なお、この場合は、弾性表面波素子片20の弾性表面波の伝播方向が、メタライズパターン11bの長辺と略直交するように構成されていることが好ましい。
図4(c)のメタライズパターン11bは、上記実施形態の形状と比較して、矩形形状ではなく、十字形状に形成されている。
なお、上記実施形態及び変形例において、接続端子部11cは、弾性表面波素子片20を挟んで、ベース部11の両側に形成されていてもよい。
また、上記実施形態及び変形例は、電子素子として、半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサなどのチップ状の電子部品にも適用できる。従って、上記実施形態及び変形例は、これらの電子部品が実装された電子デバイスにも適用できる。
Claims (2)
- 絶縁体であるベース部および前記ベース部の一方の主面に突出して設けられているメタライズパターンを有しているパッケージと、
基板および前記基板の一方の主面に弾性表面波を励振するためのすだれ状電極、前記すだれ状電極をはさんで配置されている第一と第二の反射器を有し、かつ前記一方の主面に対し前記基板の裏側の実装面が前記メタライズパターンに対向し、更に平面視で前記すだれ状電極が前記メタライズパターンに重なって、前記パッケージに収容されている弾性表面波素子片と、
前記メタライズパターンと前記実装面との間にあり、前記弾性表面波素子片と前記パッケージとを固定している接合部材と、
を有し、
平面視で前記基板の弾性表面波の伝搬方向側にある前記実装面のそれぞれの端から前記接合部材までの領域と前記パッケージとの間に空間があり、平面視で前記第一と第二の反射器が前記空間と重なっていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1に記載の電子デバイスにおいて、
前記パッケージは、前記ベース部に前記弾性表面波素子片と接続されている接続端子を有し、
平面視において前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に前記ベース部の一方の主面が露出して介在していることを特徴とする電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008055877A JP5071164B2 (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008055877A JP5071164B2 (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009213004A JP2009213004A (ja) | 2009-09-17 |
JP5071164B2 true JP5071164B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=41185691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008055877A Expired - Fee Related JP5071164B2 (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5071164B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109467041A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-03-15 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种高稳定性mems谐振器件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04293310A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3154640B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2001-04-09 | 三菱電機株式会社 | 表面弾性波装置のパッケージ |
JP2005033496A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
JP2005136938A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイスを用いた装置 |
JP2007166461A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子、及びこれを用いた弾性表面波デバイス |
-
2008
- 2008-03-06 JP JP2008055877A patent/JP5071164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009213004A (ja) | 2009-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5396795B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP6252209B2 (ja) | 圧電振動片および当該圧電振動片を用いた圧電デバイス | |
JP2008131549A (ja) | 水晶振動デバイス | |
TW201340598A (zh) | 振動裝置及振盪器 | |
JP5885825B1 (ja) | 圧電振動子および圧電振動子の製造方法 | |
JP5152012B2 (ja) | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2013042440A (ja) | 圧電振動素子、圧電振動子、電子デバイス、及び電子機器 | |
JP2009010864A (ja) | 圧電振動デバイスの本体筐体部材、圧電振動デバイス、および圧電振動デバイスの製造方法 | |
JP2007274339A (ja) | 表面実装型圧電振動デバイス | |
JP2010062789A (ja) | 音叉型水晶振動子 | |
CN107104652B (zh) | 压电振动片及压电振动器 | |
JP5082968B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP2009055354A (ja) | 圧電振動デバイス用パッケージ、および圧電振動デバイス | |
JP5071164B2 (ja) | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 | |
JP6295835B2 (ja) | 圧電振動片および当該圧電振動片を用いた圧電デバイス | |
JP4466691B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP4935490B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2010021613A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2006033413A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2014086842A (ja) | 圧電振動デバイス | |
WO2015115388A1 (ja) | 圧電デバイス用パッケージ及び圧電デバイス | |
JP2009239475A (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
TW202118222A (zh) | 壓電振動元件及其製造方法 | |
JP5621285B2 (ja) | 振動片、振動子および発振器 | |
JP5018852B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100421 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110729 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5071164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |