JP5067288B2 - センサ - Google Patents
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Description
また、レーザートリミングを用いる方法では、ウェーハ状態(多面付け状態)のセンサに対して出力補正を行うことは可能であるが、チップ状態、あるいは最終的なパッケージ封止後のセンサの出力補正を行なうことは困難である。しかし、零点、零点温度特性はウェーハ状態だけではなく、その後のパッケージ封止工程においても影響を受けるため、特許文献2に開示されている温度補償方法では、最終的なパッケージ封止後のセンサの出力補正に対応できないという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、最終的なパッケージ封止後であってもピエゾ抵抗素子のブリッジ回路の温度補償を容易に行うことができ高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサを提供することを目的とする。
本発明の他の態様として、前記温度補償回路は、ブリッジ回路の隣接する2つの対角間に配設されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記温度補償用抵抗は、厚膜抵抗またはピエゾ抵抗素子であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記温度補償用抵抗は、前記枠部に配設されているような構成とした。
図1は、本発明のセンサの一実施形態である加速度センサを示す平面図であり、図2は図1に示されるセンサのI−I線における断面図であり、図3は図1に示されるセンサのII−II線における断面図である。図1〜図3において、センサ1は、センサ本体2と、このセンサ本体2に接合された支持基板3とを有している。センサ本体2は、酸化シリコン層13をシリコン層12(活性層シリコン)とシリコン層14(基板シリコン)で挟持した3層構造を有するSOI(Silicon On Insulator)基板11からなる。
センサ1を構成する支持基板3は、例えば、ガラス、シリコン、SUS板、インバー(Fe−36%Ni合金)等の金属板、絶縁性樹脂板等を用いることができ、厚みは50〜1000μm程度の範囲で適宜設定することができる。尚、本発明のセンサは、センサ本体2からなり、支持基板3を備えていないものであってもよく、この場合、パッケージ用基板に直接搭載してもよい。
尚、ピエゾ抵抗素子の保護を目的として、ピエゾ抵抗素子を被覆するように、センサ本体2を構成するシリコン層12(活性層シリコン)上に絶縁層を設けてもよい。このような絶縁層は、例えば、二酸化珪素膜、窒化珪素等であってよく、厚みは0.1〜1μm程度の範囲で適宜設定することができる。
また、Y軸方向の外力を検出する4個のピエゾ抵抗素子RY1、RY2、RY3、RY4は、ブリッジ回路を構成するように接続され検出部31Yを構成し、ブリッジ回路の左右両辺にはピエゾ抵抗素子(この例では、ピエゾ抵抗素子RY1とRY4)と直列にそれぞれ温度補償回路32が接続されている。各温度補償回路32は、ピエゾ抵抗素子RY1とRY4と直列に接続された2個の温度補償用抵抗RSと、各温度補償用抵抗RSに並列に接続された調整用配線33と、各調整用配線33に接続された複数の調整用パッドP、図示例では各調整用配線33に接続された1組の調整用パッドP(PY1とPY2、PY3とPY4、PY5とPY6、PY7とPY8)からなる。
10kΩ×(1−0.005)+3×200Ω=10.01kΩ
となる。また、調整用パッドP1とP2、調整用パッドP3とP4、調整用パッドP5とP6間に過電流を流して調整用配線33を断線させる(図7(C))ことにより、ピエゾ抵抗素子Rの抵抗値は、
10kΩ×(1−0.005)+2×200Ω=9.99kΩ
となる。このように、本発明のセンサでは、温度補償前の抵抗値のバラツキ0.5%に対して、±0.1%までバラツキを抑えることができる。
また、上述の実施形態では、各ブリッジ回路の4辺の左右2辺にピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路32が接続されているが、これに限定されるものではなく、本発明では、ブリッジ回路の4辺の少なくとも1つの辺にピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路が接続されていればよい。
図8において、シリコン層12(活性層シリコン)、酸化シリコン層13、シリコン層14(基板シリコン)の3層構造を有するSOIウェーハ11′に多面付けで加工が行われる。まず、各面付け毎に、梁部22、枠部23、錘接合部24を形成する部位を設定し、梁部22となるシリコン層12(活性層シリコン)の所定箇所に熱拡散法あるいはイオン注入法を用いて検出部31X、31Y、31Z(図示せず)を形成する。この検出部31X、31Y、31Zの形成において、温度補償用抵抗RSがピエゾ抵抗素子である場合には、ブリッジ回路用のピエゾ抵抗素子と同時に形成することができ、また、別の工程で形成してもよい。温度補償用抵抗RSが厚膜抵抗である場合には、例えば、ペースト状の厚膜抵抗を所定位置に配設し、800〜1000℃程度で焼結して形成することができる。
このようなセンサを構成する枠部、梁部、錘部の形成と、ピエゾ抵抗素子を備えた検出部、配線等の形成の工程順序は特に制限はない。
そして、ピエゾ抵抗素子が形成されたセンサ本体2に支持基板3を接合することにより上述のセンサ1が得られる。センサ本体2と支持基板3との接合は、例えば、陽極接合、直接接合、共晶接合、接着剤を用いた接合等により行うことができる。
2…センサ本体
3…支持基板
21…錘部
22…梁部
23…枠部
24…錘接合部
26…錘
31X,31y,31Z…検出部
32…温度補償回路
33…調整用配線
P…調整用パッド
R(RX1、RX2、RX3、RX4、RY1、RY2、RY3、RY4、RZ1、RZ2、RZ3、RZ4)…ピエゾ抵抗素子
RS…温度補償用抵抗
Claims (4)
- 枠部と、該枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、該梁により支持される錘部と、前記梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、該ピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路を有する検出部と、を備えたセンサにおいて、
前記ピエゾ抵抗素子は直交するX軸、Y軸、Z軸の各軸方向の物理量を検出するように少なくとも4個づつ配設されており、前記ブリッジ回路の4辺の少なくとも1つの辺には前記ピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路が接続され、該温度補償回路は前記ピエゾ抵抗素子と直列に接続された少なくとも1個の温度補償用抵抗と、各温度補償用抵抗と並列に接続された調整用配線と、各調整用配線に接続された複数の調整用パッドからなり、前記調整用配線は前記ブリッジ回路を構成する配線と同じ材質であることを特徴とするセンサ。 - 前記温度補償回路は、ブリッジ回路の隣接する2つの対角間に配設されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサ。
- 前記温度補償用抵抗は、厚膜抵抗またはピエゾ抵抗素子であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセンサ。
- 前記温度補償用抵抗は、前記枠部に配設されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のセンサ。
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