JP5066104B2

JP5066104B2 - 青色蛍光体

Info

Publication number: JP5066104B2
Application number: JP2008557540A
Authority: JP
Inventors: 光徳大観; 剛大橋; 誠樋口; 明日香篠倉; 純一伊東
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd; Tottori University
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd; Tottori University
Priority date: 2007-11-22
Filing date: 2008-11-19
Publication date: 2012-11-07
Anticipated expiration: 2028-11-19
Also published as: TW200927885A; JPWO2009066452A1; WO2009066452A1

Description

本発明は、青色蛍光体に関する。より詳しくは、近紫外ＬＥＤ（発光ダイオード）を励起源とする照明用蛍光体として用いたり、ＦＥＤ（電界放射型ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などのディスプレイ用蛍光体として用いたりすることができる青色蛍光体に関する。

現在の照明用光源の主流は、蛍光灯や白熱電球であるが、ＬＥＤ（発光ダイオード）を光源に用いたものは、蛍光灯等に比べて消費電力が少なく、寿命も長く、手で触っても熱くない安全性を備えている上、水銀等の有害物質を含まず環境面でも優れており、近い将来、照明用光源の主流となることが期待されている。

しかし、青色と黄色の光を混ぜて発光させる従来の白色ＬＥＤは、自然な発色性を示す演色性に劣り、商店の商品照明や食卓などの屋内照明には不適当であった。白色ＬＥＤの演色性を改善する手法として、近紫外ＬＥＤと赤、緑、青の３種類の蛍光体とを組み合わせる方法が考えられるが、既存の蛍光体は、近紫外光の励起では発光効率が悪いため、近紫外光の励起において高い発光強度を示す蛍光体の開発が望まれていた。

他方、ＦＥＤ（電界放射型ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などのディスプレイ技術においては、青色蛍光体、赤色蛍光体および緑色蛍光体を組み合わせるか、或いは、青色蛍光体と色変換材料とを組み合わせることでカラー表示を実現しており、純度が高い青色を発光し、輝度が高く、かつ環境に優しい蛍光体の開発が求められていた。

従来、無機ＥＬなどのディスプレイ用青色蛍光体として、（１）ＳｒＳ：Ｃｅ、（２）ＭＧａ₂Ｓ₄：Ｃｅ（Ｍ＝Ｓｒ、Ｃａ）、（３）ＢａＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、（４）Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅ等が知られている。また、ＬＥＤランプ用の青色蛍光体として（５）(Ｂａ,Ｍｇ)Ａｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ、（６）Ｓｒ₅(ＰＯ₄)₃Ｃｌ：Ｅｕ等が知られている。

また、本出願人らは、色純度が良く、輝度が高く、化学的安定性が良く、且つ結晶化温度が低い青色蛍光体として、Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅからなる青色蛍光体を開示している（特許文献１参照）。

特開２００７−２１１２６５

本発明は、特許文献１で開示したＢａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅについてさらに研究を進め、輝度がより一層高く、特に近紫外領域の励起によって優れた発光強度を示す新たな青色蛍光体を提供せんとするものである。

本発明は、一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅ（但し、式中のｘは０＜ｘ＜１）で示される結晶を含有する青色蛍光体、すなわち、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅで示される結晶のＳｉサイトの一部をＡｌに置換してなる結晶を含有する青色蛍光体を提案するものである。

一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅで示される青色蛍光体におけるＳｉサイトの一部をＡｌに置換することにより、近紫外領域（３５０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度）の励起による発光スペクトルの発光強度をより一層高めることができ、輝度をさらに向上させることができる。
この要因として、先ずは、Ｓｉサイトの一部をＡｌに置換したことで、３価のＡｌが２価のＳｉのサイトに導入されたことによる電荷補償効果の影響が考えられるが、同じく３価のＧａやＹを添加しても発光強度の向上が確認されなかった結果からすると、Ａｌ特有の効果であるとも考えられる。

本発明の青色蛍光体によれば、近紫外領域（３５０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度）の励起による発光スペクトルの発光強度を高めることができるから、例えば近紫外ＬＥＤ（例えば４０５ｎｍ）を励起源とする照明装置用蛍光体として用いたり、例えばＦＥＤ（電界放射型ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などのディスプレイの発光素子乃至装置用の蛍光体として用いたりすることができる。

また、本発明の青色蛍光体と、黄色蛍光体と、励起源とを組合わせることにより、水銀、Ｓｅ、Ｃｄ等の有害物質を含まず、輝度の高い白色発光素子乃至装置を構成することもできる。

試験例１で得られた蛍光体それぞれのＸ線回折（ＸＲＤ）チャートを並べて示した図である。試験例１で得られた蛍光体それぞれのフォトルミネセンス（ＰＬ）発光スペクトルを示した図である。試験例１で得られた蛍光体それぞれのフォトルミネセンス（ＰＬ）励起スペクトルを示した図である。試験例２で得られた蛍光体それぞれのフォトルミネセンス（ＰＬ）発光スペクトルを示した図である。試験例２で得られた蛍光体について、Ｃｅ濃度とピーク波長との関係、並びに、Ｃｅ濃度とピーク強度との関係を示した図である。ペレット形状の青色蛍光体の製造工程図である。ペレット形状の青色蛍光体の別の製造工程図である。ペレット形状の青色蛍光体の更に別の製造工程図である。ターゲット形状の青色蛍光体の製造、加工、ボンディングの例示す製造工程図である。

発明を実施するための形態

以下に本発明の実施形態について詳細に述べるが、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。

本実施形態に係る青色蛍光体（以下「本青色蛍光体」という）は、一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅ（但し、式中のｘは０＜ｘ＜１）で示される結晶を含む蛍光体であって、好ましくは当該結晶からなる単一相からなる蛍光体である。

本青色蛍光体の発光中心（発光イオン）は、３価のＣｅ³⁺であることが重要である。

Ｃｅ^3＋の濃度は、Ｂａ₂ＳｉＳ₄に対して０．１〜５ｍｏｌ％であるのが好ましく、特に１〜２ｍｏｌ％であるのが好ましい。なお、Ｃｅの添加量が増えると、発光色が緑色方向にシフトし、明るく見えるようになるため、輝度向上を重視すると、Ｃｅ^3＋の濃度は、Ｂａ₂ＳｉＳ₄に対して０．５〜４ｍｏｌ％であるのが好ましく、特に１〜２ｍｏｌ％であるのが好ましい。

一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅは、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅで示される化合物におけるＳｉサイトの一部をＡｌに置換してなる構造を示しており、一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：ＣｅにおいてＡｌの置換比率を示すｘの値は、０＜ｘ＜０．１であればよいが、好ましくは０．０５以上であり、特に好ましくは０．１以上である。また、上限値は０．４以下であるのが好ましく、特に０．３以下、中でも０．２以下であるのが特に好ましい。

一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅで示される化合物と対比すると、当該化合物のＳｉサイトの一部をＡｌに置換することにより、輝度が向上することが確認されており、特にｘが０．０５以上であればより一層輝度を向上させることができ、０．１以上であれば輝度を３０％程度も向上させることができる。他方、Ａｌを添加し過ぎると、例えばｘ＝０．５以上添加すると、ＢａＡｌ₂Ｓ₄などの異相が析出し発光輝度が低下するようになる。

（本青色蛍光体の特徴）
本青色蛍光体を、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折（ＸＲＤ）すると、ＸＲＤパターンにおいて、回折角２θ＝２１〜２３．５°に現れる主ピークの半値幅を、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅのピークの半値幅よりも小さくすることができ、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅのピークの半値幅の９０％以上１００％未満に、さらには９０〜９８％に、またさらには９０〜９５％にすることができる。かかる観点からすると、一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：ＣｅにおいてＡｌの置換比率を示すｘの値が０．０５〜０．３（特に０．３未満）、中でも特に０．１〜０．２であるのが好ましい。

常識的には、不純物を添加すれば結晶性が低下して半値幅が大きくなるのが通常であるが、本青色蛍光体の場合は、Ｓｉサイトの一部をＡｌに置換しても、置換しないものに比べて結晶ピークの半値幅を同じか若しくは小さくすることができるという特徴を有している。
なお、回折角２θ＝２１〜２３．５°に現れる主ピークは、（０１２）面のピークと推察される。

また、本青色蛍光体は、波長２５０ｎｍ〜４８０ｎｍの光、特に近紫外領域（３５０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度）の光によって励起され、青色光を発光する特徴を備えている。

発光スペクトルに関して言えば、本青色蛍光体は、波長４０５ｎｍの光励起によって、少なくとも波長４３５ｎｍ±３０ｎｍの領域に発光ピークを有するという特徴を備えている。

（製造方法）
次に、本青色蛍光体の好ましい製造方法の一例について説明する。但し、下記に説明する製造方法に限定されるものではない。

本青色蛍光体は、バリウム原料、ケイ素原料、アルミニウム原料およびセリウム原料、必要に応じてさらにイオウ原料をそれぞれ秤量して混合し、還元雰囲気中１０００〜１４００℃で焼成し、必要に応じて分級して得ることができる。

上記のバリウム原料としては、ＢａＳ、ＢａＣＯ₃等を挙げることができる。

ケイ素原料としては、Ｓｉ、ＳｉＳ₂等を挙げることができる。

アルミニウム原料としては、Ａｌ、Ａｌ₂Ｓ_３等を挙げることができる。

イオウ原料としては、Ｓ、ＢａＳ、ＳｉＳ₂、Ｃｅ₂Ｓ₃等を挙げることができる。

セリウム原料としては、Ｃｅ₂Ｓ₃、Ｃｅ₂(ＣＯ₃)₃等を挙げることができる。

演色性を向上させるために、Ｐｒ、Ｓｍなどの希土類元素を色目調整剤として原料に添加してもよい。

励起効率の向上のために、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ等の希土類族元素から選択される１種以上の元素を増感剤として原料に添加するようにしてもよい。

ただし、上記の添加量は、それぞれ５モル％以下とするのが好ましい。これらの元素の含有量が５モル％を超えると、異相が多量に析出し、輝度が著しく低下するおそれがある。

また、アルカリ金属元素、Ａｇ^＋等の１価の陽イオン金属、Ｃｌ^-、Ｆ^-、Ｉ^-等のハロゲンイオンを電荷補償剤として原料に添加するようにしてもよい。その添加量は、電荷補償効果及び輝度の点で、アルミニウム族や希土類族の含有量と等量程度とするのが好ましい。

原料の混合は、乾式、湿式いずれで行なってもよい。

乾式混合する場合、その混合方法を特に限定するものではなく、例えばジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェーカーやボールミル等で混合し、必要に応じて乾燥させて、原料混合物を得るようにすればよい。

湿式混合する場合は、原料を懸濁液の状態とし、上記同様にジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェーカーやボールミル等で混合した後、篩等でメディアを分離し、減圧乾燥や真空乾燥などの適宜乾燥法によって懸濁液から水分を除去して乾燥原料混合物を得るようにすればよい。

焼成する前に、必要に応じて、上記如く得られた原料混合物を粉砕、分級、乾燥を施すようにしてもよい。但し、必ずしも粉砕、分級、乾燥を施さなくてもよい。

焼成は、８００℃以上で焼成するのが好ましい。

この際の焼成雰囲気としては、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、一酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気、硫化水素、二硫化炭素、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気などを採用することができる。

焼成温度が８００℃未満である場合には、焼成に長時間を要したり、焼成が不十分であったりする傾向がある。一方、焼成温度の上限は焼成炉の耐久温度、生成物の分解温度等によって決まるが、本青色蛍光体の製造方法においては１０００〜１２００℃で焼成することが特に好ましい。また、焼成時間は焼成温度と関連するが、２〜２４時間程度である。

なお、上記焼成に先立って、仮焼成するようにしてもよい。

この際、仮焼成は、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、一酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気、硫化水素、二硫化炭素、不活性ガス又は還元性ガスなどの雰囲気中で、８００℃以上の温度で２時間〜２４時間仮焼してもよい。この仮焼の場合には、焼成の場合と違って還元性ガス雰囲気中で実施することもできる。

仮焼温度が８００℃未満では、原料に炭酸塩を用いる場合などは、炭酸ガスの分解が不十分であり、また、ハロゲン化物を使う場合は、フラックス効果が十分に得られない。一方、１１００℃を超える高温では異常粒成長を起こして、均一な微粒子が得られにくくなる。また、仮焼時間が１時間未満では物質特性に再現性が得られにくく、１２時間を超えると物質飛散の増加による組成変動の問題が生じる。

仮焼後、さらに混合粉体全体が均一となるように、粉砕混合し、そして焼成するようにしてもよい。

上記焼成及び仮焼成において、原料混合物中にイオウ原料を含ませない場合には、硫化水素又は二硫化炭素の雰囲気中で焼成する必要がある。しかし、原料混合物中にイオウ原料を含む場合には、硫化水素、二硫化炭素又は不活性ガスの雰囲気中で焼成することができる。この場合の硫化水素及び二硫化炭素はイオウ化合物となることもあり、また生成物の分解を抑制する機能もある。

他方、焼成雰囲気又は仮焼雰囲気に硫化水素又は二硫化炭素を用いる場合には、これらの化合物もイオウ化合物となるため、例えば、原料成分としてＢａＳを用いる場合には、バリウム化合物及びイオウ化合物を用いたことになり、ＳｉＳ₂を用いる場合には、ケイ素化合物及びイオウ化合物を用いたことになる。

また、バリウム原料、ケイ素原料、イオウ原料、アルミニウム原料及びセリウム原料の内の２成分を含む混合物を硫化水素、二硫化炭素、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気中で８００℃以上の温度で２〜２４時間仮焼し、分級し、次いで残りの原料を混合して得られる混合物を用いることもできる。

本青色蛍光体の製造方法においては、蒸着用ペレットの形状で焼成することができる。そのペレット形状の青色蛍光体の製造例を図６〜図８の製造工程図で示す。

図６〜図８において、「（Ｓ化合物）」の記載はイオウ化合物を添加する場合と添加しない場合とがあることを意味しているが、仮焼雰囲気及び焼成雰囲気の両方で硫化水素又は二硫化炭素を用いていない場合にはイオウ化合物の添加は必須である。

また、本青色蛍光体の製造方法においては、スパッタ用ターゲットの形状で焼成することができる。そのターゲット形状の青色蛍光体の製造、加工、ボンディングの例を図９の製造工程図で示す。

図６〜図９において、調合の条件については均一に混合できれば特には制限はない。例えば、ペイントシェイカーで１００分間混合することができる。

仮焼及び焼成の条件は前記した通りである。分級については、後の混合、成形が容易であれば特には制限はない。例えば、１５０メッシュ以下に分級する。蒸着用ペレット形状の青色蛍光体を得るためには２００ｋｇ／ｃｍ²程度で成形することができる。

（用途）
本青色蛍光体は、励起源と組合わせて青色発光素子乃至装置を構成し、各種用途に用いることができる。例えば一般照明のほか、特殊光源、液晶のバックライトやＥＬ、ＦＥＤ、ＣＲＴ用表示デバイスなどの表示デバイスなどに利用することができる。

本青色蛍光体とこれを励起し得る励起源とを組合わせた青色発光素子乃至装置の一例として、波長２５０ｎｍ〜４８０ｎｍの光を発生する発光体の近傍、すなわち該発光体が発光した光を受光し得る位置に本青色蛍光体を配置することにより構成することができる。
具体的には、発光体からなる発光体層上に、本青色蛍光体からなる蛍光体層を積層するようにすればよい。

この際、蛍光体層は、例えば、粉末状の本青色蛍光体を、結合剤と共に適当な溶剤に加え、充分に混合して均一に分散させ、得られた塗布液を、発光層の表面に塗布及び乾燥して塗膜（蛍光体層）を形成するようにすればよい。

また、本青色蛍光体をガラス組成物に混練してガラス層内に本青色蛍光体を分散させるようにして蛍光体層を形成することもできる。

さらにまた、本青色蛍光体をシート状に成形し、このシートを発光体層上に積層するようにしてもよいし、また、本青色蛍光体を発光体層上に直接スパッタリングさせて製膜するようにしてもよい。

（用語の解説）
本青色蛍光体は、粉体、成形体のいずれの形態であってもよい。

また、本発明において「青色発光素子乃至装置」或いは「白色発光素子乃至装置」における「発光素子」とは、少なくとも蛍光体とその励起源としての発光源とを備えた、比較的小型の光を発する発光デバイスを意図し、「発光装置」とは、少なくとも蛍光体とその励起源としての発光源とを備えた、比較的大型の光を発する発光デバイスを意図するものである。

本明細書において「Ｘ〜Ｙ」（Ｘ、Ｙは任意の数字）と記載した場合、特にことわらない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」或いは「好ましくはＹより小さい」の意も包含する。

以下、実施例に基づいて本発明を説明する。但し、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。

＜ＰＬ発光スペクトルの測定＞
分光蛍光光度計（日立社製、Ｆ−４５００）を用いてＰＬ (フォトルミネッセンス)スペクトルを測定した。

＜ＸＲＤ測定＞
Ｘ線回折用のサンプルをビオデンメッシュセメントでガラスホルダーに充填し、ＲＩＮＴ−２２００Ｖ（（株）リガク製）を使用し、ＣｕＫα線を用いてＸＲＤパターンを得、回折角２θ＝２１〜２３．５°に現れる主ピーク（この範囲の最大ピーク）の半値幅（ＦＷＨＭ）を求めた。
この際の精密化は、上記ＲＩＮＴ−２２００Ｖ附属のアプリケーションソフト（ソフト名：格子定数の精密化）を用いて実施した。

（試験例１）
出発原料としてＢａＳ、Ｓｉ、Ｃｅ₂Ｓ₃及びＡｌ₂Ｓ₃を用い、Ａｌ／Ｓｉの原子比が０／１〜０．５／０．５の比率になるように配合し、φ３ｍｍのジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェイカーで１００分間混合した。

次いで、硫化水素雰囲気中、１１５０℃で４時間仮焼した後、得られた仮焼品を円柱状に成形し、硫化水素雰囲気中で１１５０℃で４時間焼成し、一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅ（但し、式中のｘは表１に示す）で示される蛍光体を得た。

得られた蛍光体を、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合プラズマ)で分析した結果、表１に示すように、配合したＡｌ／Ｓｉの原子比とＩＣＰによる分析値は略同じであることを確認した。

また、得られた蛍光体のＸ線回折（ＸＲＤ）を行い、ＸＲＤチャートをまとめて図１に示すと共に、フォトルミネセンス（ＰＬ）強度（ａ.ｕ.）を測定し、その発光スペクトルを図２に示し、その励起スペクトルを図３に示した。

本青色蛍光体をＸ線回折（ＸＲＤ）すると、図１に示されるとおり、得られた蛍光体は、Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅで示される単一相からなるものであることを確認することができた。
さらに、ＣｕＫα線を用いたＸＲＤパターンから求められる回折角２θ＝２１〜２３．５°に現れる主ピークの半値幅は、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅのピークの半値幅よりも小さく、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅのピークの半値幅の９０〜９５％になることが判明した。

また、図２及び図３より、本青色蛍光体は、波長２５０ｎｍ〜４８０ｎｍの光によって励起され、青色光を発光することが確認された。

発光スペクトルに関して言えば、本青色蛍光体は、波長４０５ｎｍの光励起によって、少なくとも波長４３５ｎｍ±３０ｎｍの領域に発光ピークを有することも確認された。

また、発光スペクトルの強度をより高める観点から、Ａｌの配合量ｘは０．０５以上であるのが好ましく、０．０５〜０．３０（特に０．３０未満）であるのがより好ましく、中でも０．１０以上であるのが好ましく、その中でも特に０．１０〜０．２０であるのが好ましいことが分かった。

（試験例２）
Ａｌ／Ｓｉの原子比が０．１／０．９の比率になるようにＡｌ₂Ｓ₃を配合するか、或いは、当該Ａｌ₂Ｓ₃の代わりにＧａ₂Ｓ₃、Ｙ₂Ｓ₃を使用し、Ｍ／Ｓｉ（Ｍ＝Ｇａ又はＹ）の原子比が０．１／０．９の比率になるように配合するかして、それ以外は試験例１と同様に蛍光体を得た。

得られた蛍光体のフォトルミネセンス（ＰＬ）強度（ａ.ｕ.）を測定し、結果を図４に示した。

図４の結果、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅで示される青色蛍光体におけるＳｉサイトの一部をＡｌに置換することにより、近紫外領域の励起による発光スペクトルの発光強度をより一層高めることができ、輝度がより一層向上することが確認できた。

その一方、同じく３価のＧａやＹを添加しても、発光スペクトルの発光強度を高めることはできないことが分かった。これより、このような輝度の向上効果は、Ａｌ特有の効果であることが予想される。

（試験例３）
Ａｌ／Ｓｉの原子比が０．１／０．９の比率になるようにＡｌ₂Ｓ₃を配合した場合において、０．５〜４ｍｏｌ％の間でＣｅ濃度を変化させ、それ以外は試験例１と同様に蛍光体を得た。

得られた蛍光体のフォトルミネセンス（ＰＬ）強度（ａ.ｕ.）を測定し、Ｃｅ濃度とピーク波長との関係、並びに、Ｃｅ濃度とピーク強度との関係を図５に示した。

図５より、Ｃｅ^3＋の濃度は、Ｂａ₂ＳｉＳ₄に対して０．５ｍｏｌ％以上であれば、好ましくピーク強度に着目すると１〜２ｍｏｌ％であるのが特に好ましいことが分かる。但し、Ｃｅの添加量が増えると、発光色が緑色方向にシフトし、明るく見えるようになるため、輝度向上を重視すると、Ｃｅ^3＋の濃度は、Ｂａ₂ＳｉＳ₄に対して０．５〜４ｍｏｌ％であるのが好ましく、特に１〜２ｍｏｌ％であるのが好ましいとが考えられる。

Claims

一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅで示される結晶を含有する青色蛍光体であって、前記式中のｘが０．０５〜０．５であることを特徴とする青色蛍光体。
一般式：Ｂａ₂（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）Ｓ₄：Ｃｅで示される結晶を含有する青色蛍光体であって、前記式中のｘが０．０５〜０．３０であることを特徴とする青色蛍光体。
ＣｕＫα線を用いたＸＲＤパターンにおいて、回折角２θ＝２１〜２３．５°に現れる主ピークの半値幅が、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅのピークの半値幅よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の青色蛍光体。
ＣｕＫα線を用いたＸＲＤパターンにおいて、回折角２θ＝２１〜２３．５°に現れる主ピークの半値幅が、一般式：Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅのピークの半値幅の９０％以上１００％未満であることを特徴とする請求項３に記載の青色蛍光体。
励起源と、請求項１〜４の何れかに記載の青色蛍光体とを備えた青色発光素子。
励起源と、請求項１〜４の何れかに記載の青色蛍光体とを備えた青色発光装置。
励起源と、請求項１〜４の何れかに記載の青色蛍光体と、黄色蛍光体とを備えた白色発光素子。
励起源と、請求項１〜４の何れかに記載の青色蛍光体と、黄色蛍光体とを備えた白色発光装置。