JP5064653B2 - ワックス印刷とリフトオフを使用するパターン生成方法及び印刷システム - Google Patents
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- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 229960001716 benzalkonium Drugs 0.000 claims 3
- CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N benzododecinium Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 205
- 230000008569 process Effects 0.000 description 69
- 238000013461 design Methods 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0335—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by their behaviour during the process, e.g. soluble masks, redeposited masks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Weting (AREA)
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Description
本発明は、電子材料製造一般に関し、特に、リソグラフィ技術を使用することなくパターン生成プロセスを実施するシステムと方法に関する。
最新のビデオとコンピュータの液晶ディスプレー（ＬＣＤ）表示装置は、大きい配列の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を一般的に備えて、表示装置内の個別の画素をアドレス指定する。大型ＬＣＤ表示装置の需要が増加し続けているので、これらのＬＣＤ表示装置に使用されるＴＦＴ配列は、増加した数のＴＦＴと一層複雑化した相互接続構成体を備えなければならない。加えて、大型表示装置分野の需要により、従来の半導体プロセスを使用するこれらのデバイスの製作が複雑化する。これらの要因を組合せると、絶えず増加するＴＦＴ配列のサイズと複雑化が生じる。
これらの大型ＬＣＤ表示装置の生産に付随するコストの一部を削減するために、リフトオフプロセスを使用して、ＴＦＴ配列を構成するパターン生成された層を生成することが時にはある。従来のリフトオフプロセスでは、ベース層上にフォトレジスト層が形成され、その上に重ねて薄膜で、一般的には金属層でブランケット被覆される。ついで、パターン生成されたフォトレジスト層が剥離され、それにより、パターン生成されたフォトレジスト層の上端に形成された金属層のこれらの部分が除去されて、パターン生成された金属層をベース層上に残す。このプロセスは、図１Ａから１Ｆに図示される。
図１Ａは、上にフォトレジスト層１２０が形成された基板１１０を示す。図１Ｂにおいて、リソグラフィ工程では、フォトマスク１３０を使用して、フォトレジスト層１２０の一部分１２１を露光する。ついで図１Ｃにおいて、表面処理操作が、フォトレジスト層１２０上に実施され表面１２２が生成され、その表面は、フォトレジスト層１２０の下側の層よりも遅く現像される。この表面処理は、代わりに、図１Ｂに示される露光ステップの前に実施できることに留意する。
図１Ｄにおいて、フォトレジスト層１２０の未露光部分が基板１１０から剥離されて、フォトレジスト機能部分１２１Ａ（図１Ｂの部分１２１に対応する）を残す。図１Ｃに示される処理された表面１２２が、フォトレジスト層１２０の下側の層よりも遅い速さで現像されるので、現像されたフォトレジスト機能部分１２１Ａの上端は、フォトレジスト機能部分１２１Ａの側壁の上に突出るので、図１Ｄに示されるアンダーカット輪郭を生成する。
次に図１Ｅにおいて、金属層１３０が、基板１１０とフォトレジスト機能部分１２１Ａ上にブランケット状に溶着される。ついでフォトレジストストリップ操作が実施されて、パターン生成されたフォトレジスト機能部分１２１Ａを溶解する。パターン生成されたフォトレジスト機能部分１２１Ａの突出し領域が、薄肉化された、または一様に未被覆の侵蝕箇所１３１と１３２を生成し、それらの箇所によりフォトレジストストリッパが、パターン生成されたフォトレジスト機能部分１２１Ａへ達することができる（薄肉化された侵蝕箇所１３１と１３２の場合、フォトレジストストリッパは、自然発生ピンホールを通して金属層１３０を貫通できる）。パターン生成されたフォトレジスト機能部分１２１Ａが剥離されるとき、レジスト機能部分１２１Ａ上に形成される金属層１３０の部分は、基板１１０からリフトオフされるので、図１Ｆに示されるようにパターン生成された金属層１３０が生成される。
パターン生成された金属層１３０Ａ（図１Ｆにおける）を生成する別個のエッチングプロセスの必要性を無くすことにより、図１Ａから１Ｆに関して説明された従来の（フォトレジストに基づいた）リフトオフプロセスは、全体の生産プロセスを単純化できるので、生産コストを削減できる。しかしながらパターン生成フォトレジスト層１２０（図１Ｂにおける）は、リソグラフィ工程を依然必要とする。コスト削減目的のために、必要とされるリソグラフィ工程の数を最小にすることが一般に望ましい。これは、リソグラフィ工程自体の要求のきびしい特性によるだけではなく、リソグラフィ工程に使用される扱いにくいフォトマスクの生産に伴う時間とコストにもよるものである。
したがって、リソグラフィ工程を必要としないリフトオフプロセスを実施するシステムと方法を提供することが望ましい。
本発明は、リフトオフ操作を実施する方法であって、リフトオフパターンをベース層上に印刷するステップと、前記ベース層上にブランケット層を形成し、ブランケット層の第１の部分がリフトオフパターンを被覆するステップと、および前記リフトオフパターンとブランケット層の前記第１の部分を前記ベース層から除去して、パターン生成されたブランケット層を生成するステップと、を含むことを特徴とする。
さらに、本発明は、集積回路（ＩＣ）を生成する方法であって、リフトオフパターンをベース層上に印刷し、前記ベース層が半導体デバイスの接点を被覆するステップと、前記ベース層上にブランケット層を形成し、ブランケット層の第１の部分がリフトオフパターンを被覆するステップと、前記リフトオフパターンとブランケット層の前記第１の部分を除去して、パターン生成されたブランケット層を生成するステップと、および前記ベース層を前記パターン付けされたブランケット層を通してエッチングし、パターン生成されたベース層を形成し、前記パターン生成されたベース層が半導体デバイスの前記接点への通過点を備えるステップと、を含むことを特徴とする。
また、本発明は、ベースパターンをベース層中にエッチングする方法であって、リフトオフパターンをベース層上に印刷するステップと、前記ベース層上にブランケット層を形成し、ブランケット層の第１の部分がリフトオフパターン上に形成されるステップと、前記リフトオフパターンとブランケット層の前記第１の部分を除去して、パターン生成されたブランケット層を生成するステップと、および前記パターン生成されたブランケット層をエッチングマスクとして使用して前記ベース層をエッチングして、前記ベースパターンを生成するステップと、を含むことを特徴とする。
また、本発明は、被印刷体のベース層上にリフトオフパターンを印刷する印刷システムであって、被印刷体を支承する載台と、印刷流体を前記ベース層上に噴射して、前記リフトオフパターンを形成するプリントヘッドと、前記載台に関して前記プリントヘッドを平行移動する位置決め機構と、および前記位置決め機構と前記プリントヘッドを制御して、印刷流体の多層を前記ベース層上の選択された位置へ噴射するコントローラと、を備えることを特徴とする。
集積回路（ＩＣ）パターンの印刷は、新しく生れた技術であり、その技術は、従来のＩＣ製造に使用される扱いにくく時間のかかるリソグラフィ技術を用いてパターンを生成せずにＩＣパターンを基板上に直接印刷することにより、ＩＣ生産に付随するコストを削減しようとするものである。印刷されたＩＣパターンは、実際のＩＣ機能部分（すなわち、薄膜トランジスタのゲートおよびソースとドレインの領域のような最終ＩＣに組込まれるエレンメント、信号ライン、光電子デバイス構成部材など）、と引き続く半導体処理工程（たとえば、エッチング、イオン注入など）用のマスク部分から一般的に構成される。本発明は、パターン印刷を採用して、リフトオフプロセスに使用されるリフトオフパターンを生成するので、従来のリフトオフプロセスに使用されるコストがかかり高い精密さを必要としているリソグラフィ工程の代案を提供する。本発明の種々の実施の態様によれば、リフトオフパターン用の印刷プロセスを、全体の製造品質と性能を向上するように調整できる。
リフトオフパターン印刷方法について説明する。図２Ａから２Ｈは、パターン印刷を使用するリフトオフプロセスを具体的に示す。図２Ａにおいて、画線２３０が、被印刷体２０１のベース層２２０上に溶着される。本発明の種々の実施例によれば、画線２３０を、とりわけ、インキジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア、オフセット印刷およびゼログラフィによって溶着できる。典型的な例として、ベース層２２０が、基板２１０上に印刷された例を示したが、本発明の他の実施例によれば、被印刷体２０１はベース層２２０だけから構成できることに留意する。明確にするために、ベース層２２０が、単一の層として典型的な例を示したが、本発明の種々の他の実施例によれば、ベース層２２０は任意の数の層から構成できることにさらに留意する。同様に、基板２１０が、単一の層として印刷した例を示したが、本発明の種々の他の実施例によれば、基板２１０は、任意の数の層から構成でき、かつこれらの層内に任意の形式のデバイスまたは構成体（ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を備えることができる。
リフトオフパターンの形式と意図された用途に応じて、画線２３０を形成するのに使用される印刷流体は、種々の物質から構成でき、それには、たとえば、相変化物質（たとえば、ワックス、フォトレジストおよびエポキシ）、およびコロイド懸濁液（たとえば、溶液処理自在の電子物質（ｓｏｌｕｔｉｏｎ−ｐｒｏｃｃｅｓｓａｂｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）（すなわち、導電性、半導体性または誘電性物質））が含まれる。一方、上にリフトオフパターンを印刷できるベース層２２０は任意の物質、たとえば、半導体物質、ガラスプレート、さらには繊維またはプラスチックのようなやわらかい物質からでも構成できる。
画線２３０は、プリントヘッド（図示されない）の噴射器が印刷流体をベース層２２０上に噴射するときに形成される。印刷流体は、湿潤作用を通してベース層２２０上にそれ自体を接着させ、その場で丸い断面輪郭に凝固し始める。この輪郭の特定のサイズと形状は、凝固過程と湿潤の度合いにより左右される。相変化物質を印刷する場合に凝固は、印刷される液滴がその熱エネルギを基板に奪われ、固体形態に戻るときに生じる。他の場合、溶液またはキャリアにおける、有機ポリマと、および電子物質の懸濁液とのようなコロイド懸濁液が基板へ印刷および湿潤されて、印刷された機能部分を残す。印刷流体と基板の熱条件と物質特性、および周囲の雰囲気条件によって、溶着される印刷流体が液体から固体へ変換する特定の速さが決定される。
本発明の実施例によれば、より密接して印刷されている画線を、最小の画線寸法よりもかなり小さいリフトオフパターン機能部分を生成するのに使用できる。たとえば、第２の画線２３１（点線で示される）を画線２３０に隣接して印刷できるであろう。画線２３０と２３１は、最小幅Ａを有するが、幅Ａよりも小さい間隔Ｂだけ離間（２３０の縁部から２３１の縁部へ）される。このようにして、幅Ｂを含むリフトオフパターンを、画線２３０と２３１（幅Ｂよりも大きい最小幅を有する）を使用して形成できる。
図２Ｂにおいて、任意選択の表面処理が、ベース層２２０上に実施される。表面処理（清浄化操作のような）をすることで、ベース層２２０と引き続いて溶着されるリフトオフ層（図２Ｃに関して以下に詳細に説明される）との間の結合力が向上するので、最後のリフトオフ操作の条件が改善される。本発明の実施例によれば、表面処理は、室温で３０から１２０秒間、ベース層２２０をプラズマ（たとえば、酸素プラズマ）へさらす（ｅｘｐｏｓｉｎｇ）ステップから成ることができる。
図２Ｃにおいて、リフトオフ層２４０が、ベース層２２０と画線２３０上にブランケット溶着される。画線２３０の丸い輪郭のために、リフトオフ層２４０のリフトオフ層は、画線２３０の周りに侵蝕箇所２４１と２４２を含む。侵蝕箇所２４１と２４２は、残りのリフトオフ層２４０の部分と比較して薄いので、引き続くストリップ操作中に溶剤がリフトオフ層２４０に浸透し、かつ画線２３０を侵蝕する。リフトオフ層２４０自体は、画線２３０の剥離に使用される溶剤により著しく影響されない物質であれば、どのような物質から成ることができる点に留意する。たとえば、画線２３０がワックスから成るならば、リフトオフ層２４０は、とりわけ、金属層（たとえば、金、クロムまたはアルミニウム）、酸化層、もしくは半導体層から成ることができるであろう。
侵蝕箇所２４１と２４２における薄肉化の程度は、画線２３０の濡れ角の大きさなど、輪郭に大きく左右されることにさらに留意する。薄肉である程、ストリップ操作によって、画線２３０を一層有効に侵蝕でき、そしてリフトオフ操作を一層確実に実施できる。本発明の実施例によれば、印刷操作パラメータ（たとえば、印刷物質、印刷速さ）を、画線輪郭により実際の間隙がリフトオフ層２４０に形成されるように調整できる。たとえば、図２Ｄにおいて、高く丸められた画線２３０Ａが、リフトオフ層２４０内に侵蝕箇所２４１と２４２を生じ、それらの箇所が、画線２３０Ａのベース部分を完全に露出する。
リフトオフ層２４０層が形成された後に、ストリップ（リフトオフ）操作が実施されて、画線２３０と、および画線２３０に重なるリフトオフ層２４０の部分とを除去する。リフトオフ層２４０に著しく影響することなく、画線２３０を侵蝕できる溶剤が使用される。たとえば、画線２３０がワックスから成り、かつリフトオフ層２４０が金属層から成るならば、テトラヒドラフランまたはトルエンをストリップ操作中に溶剤として使用できるであろう。本発明の種々の実施例によれば、超音波処理および／または加熱を、このリフトオフプロセスを加速させるために使用できるであろう。
リフトオフ操作が一旦完了すると、図２Ｅに示されるように、パターン生成されたリフトオフ層２４０Ａが残る。したがって、パターン生成されたリフトオフ層２４０Ａは、画線２３０により形成されたパターンの逆のパターンが生成される。本発明の実施例によれば、パターン生成されたリフトオフ層２４０Ａは、実際のデバイス構成体（たとえば、ＩＣ用の接触パッド、基板２１０におけるトランジスタデバイスまたは他の構成体用の電極、もしくはバスライン）から成ることができる。本発明の他の実施例によれば、パターン生成されたリフトオフ層２４０Ａは、ベース層２２０のさらなる処理用のマスクから成ることができる。
たとえば、パターン生成されたリフトオフ層２４０Ａは、図２Ｆに示されるように、ベース層２２０用のエッチングマスクとして作用して、図２Ｇに示されるように、パターン生成されたベース層２２０Ａを生成できる。ついでパターン生成されたリフトオフ層２４０Ａが除去されて、図２Ｈに示されるように、パターン生成されたベース層２２０Ａだけが残される。このようにして、エッチング操作を、リソグラフィ技術を使用することなく、ベース層２２０上に実施できる。
多層リフトオフパターン印刷について説明する。本発明の種々の他の実施例によれば、印刷されたリフトオフパターンを、同一の箇所（または複数の）を横断する複数の印刷パスを作製することにより形成できる。結果として生じた多層パターンを、その後、有益なマスキング特性を有するパターン生成されたリフトオフ層を生成するのに使用できる。たとえば、図３Ａは、画線３３１と３３２から形成される多層の印刷されたリフトオフパターン３３０を示す。多層の印刷されたリフトオフパターン３３０は、典型的な例として２層から形成さるとして説明されるが、本発明の種々の実施例によれば、任意選択の（点線の）画線３３３により示されるように、任意の数の層を使用できるであろう。
印刷されたリフトオフパターン３３０は、被印刷体３０１内のベース層３２０上に形成される。ベース層３２０は、基板３１０内に形成されるＴＦＴ３００（たとえば、表示または画像センサのＩＣにおけるＴＦＴ）を覆う。ベース層３２０は、たとえば、ＴＦＴ３００を保護する酸化層から成ることができる。ＴＦＴ３００は、典型的な例であり、任意の他の構成体またはデバイスで置換えできることに留意する。図３Ｂに示されるように、任意選択の表面処理を、リフトオフ層のベース層３２０への接着を向上するのに使用できる（図２Ｂに関して説明したように）。
図３Ｃにおいて、リフトオフ層３４０が、ベース層３２０とリフトオフパターン３３０上にブランケット溶着される。リフトオフ層３４０は、ベース層３２０と印刷されたリフトオフパターン３３０の両方の上に形成でき、かつ印刷されたリフトオフパターン３３０をベース層３２０から剥離するのに使用される溶剤に耐えることができる任意の物質から成ることができる。
図２Ｃに関して今述べたように、印刷されたリフトオフパターン３３０の輪郭により、リフトオフ層３４０の薄肉化領域を形成する侵蝕箇所３４１と３４２が生じ、それらの領域は、引き続くストリップ操作中に印刷されたリフトオフパターン３３０へ溶剤が浸透するための経路になる。かくして、ストリップ（リフトオフ）操作中に、印刷されたリフトオフパターン３３０は、侵蝕箇所３４１と３４２を経て溶解され、ついでリフトオフ層３４０の上に重なる部分が除去されるので、図３Ｄに示されるように。パターン生成されたリフトオフ層３４０Ａが形成される。本発明の種々の他の実施例によれば、ストリップ操作を、超音波処理および／または加熱を経て加速できる。
画線３３２を溶着する前に画線３３１を部分的に凝固させることにより、印刷されたリフトオフパターン３３０は、図３Ａから３Ｃに示されるように、波形側壁（ｓｃａｌｌｏｐｅｄ ｓｉｄｅｗａｌｌ）（断面）輪郭を保持することになる。この波形側壁輪郭により、パターン生成されたリフトオフ層３４０Ａ内に開口３４９が形成されて、末広（張り出し）（ｄｉｖｅｒｇｉｎｇ（ｏｖｅｒ ｈａｎｇｉｎｇ））輪郭を示す。言い換えれば、開口３４９の上端における幅Ａ１は、開口３４９の下端におけるベース層３２０の露出表面の幅Ａ２よりも狭い。この末広開口輪郭のために、図３Ｅに示されるような、パターン生成されたリフトオフ層３４０Ａが、ベース層３２０用のエッチングマスクとして使用されるときに、開口３４９を通してＴＦＴ３００までベース層３２０中にエッチングされた開口３２９は、図３Ｆに示されるように、先細輪郭（すなわち、開口の幅が深さと共に狭くなる）を示す。開口３４９を形成する湾曲した側壁輪郭は、この「先細エッチング」効果を強化するのに使用できる。側壁の張り出し部分によって、直情からエッチング液が流入するのを防ぐことで、側壁の張り出し部分の真下のベース層３２０の部分におけるエッチング速さ（プラズマまたはドライエッチングプロセスにおける）を、エッチング液に直接曝されるベース層３２０の部分におけるエッチング速さよりも遅くなることにより達成される。
かくして、パターン生成されたリフトオフ層３４０Ａが除去される（後エッチング）ときに、図３Ｇに示されるように、パターン生成されたリフトオフ層３２０Ａにおける開口３２９は、上部幅Ｂ１と下部幅Ｂ２を有し、上部幅Ｂ１は下部幅Ｂ２よりも広い。当該技術において知られているように、この形式の先細溝（または深い細長溝）輪郭の場合、引き続いて行われる充填操作の際に、充填物質と溝（または細長溝）との間に形成される空隙を最小限に抑えられるため、引き続く充填操作の性能を向上する。多層印刷されたリフトオフパターンを利用することにより、本発明は、この望ましい先細開口輪郭を確実に生成できる。
代わりに、ベース層３２０を、疎水性表面を有するように（たとえば、自己集成単層（ＯＴＳまたはＨＭＤＳのような）をベース層３２０の表面へ適用することにより）処理することで、印刷されたリフトオフパターンは、非常に丸い断面輪郭を有する。大きく十分に丸い断面輪郭を有するリフトオフパターンを利用するリフトオフプロセスは、図３Ｆに示されるものと同様な末広開口輪郭を生成できる。代わりに、基板３１０の温度を所定位置の印刷された物質を急冷するように制御することによっても、丸い断面輪郭を有する印刷されたリフトオフパターンを生成できる。
図４は、実例の溝３２９（１）、３２９（２）、３２９（３）および３２９（４）の拡大した顕微鏡写真を示し、それらの溝全ては、図３Ａから３Ｇに関して説明した多層印刷されたリフトオフパターンを使用して生成されたものである。溝３２９（１）、３２９（２）、３２９（３）および３２９（４）のそれぞれは、図３Ｇに関して説明した先細開口輪郭を示す。たとえば、溝３２９（１）は上部開口幅Ｂ１（１）と下部開口幅Ｂ２（１）を有し、上部開口幅Ｂ１（１）は下部開口幅Ｂ２（１）よりも広い。溝３２９（２）、３２９（３）および３２９（４）は、同様な開口輪郭特性を示す。
図３Ｇに戻ると、開口３２９がベース層３２０Ａを通して一旦形成されると、ＴＦＴ３００用の溝プラグと接触パッド（電極）を、従来の技法を使用して生成できる。たとえば、図３Ｈから３Ｌは、開口３２９におけるＴＦＴ３００用のプラグと接点の形成を具体的に示す。図３Ｈにおいて、金属層３５０が、パターン生成されたベース層３２０Ａ上に形成される。金属層３５０も、開口３２９からＴＦＴ３００まで充填して、プラグ（異なるＩＣ層間の相互接続部）を形成する。
次に、エッチングマスク３６０が、金属層３５０上に形成されて、所要の接触部位を形成する。本発明によれば、エッチングマスク３６０を、図３Ａから３Ｆに関して説明したリフトオフ技法、種々の他のＩＣ印刷技法、または標準リソグラフィ技術を使用して形成できる。
ついで、図３Ｊに示されるように、エッチング操作が実施され、またエッチングマスク３６０により覆われない金属層の部分がエッチング除去されて、図３Ｋに示されるように、パターン生成された金属層３５０Ａが残される。かくして、エッチングマスク３６０が図３Ｌにおいて取外されるとき、パターン生成された金属層３５０Ａは、ＴＦＴ３００と接触している接触パッド３５２とプラグ３５１を備える。上述のようにプラグ３５１は、開口３２９が先細輪郭であるため、パターン生成されたベース層３２０Ａ内には、最小限に抑えられた、わずかな空隙しかない。このようにして、ＴＦＴ３００への確実な電気的接続性が、接触パッド３５２において提供される。
接触パッド３５２自体を、図３Ｍと３Ｎにおいて具体的に示されるリフトオフプロセスにより生成できる。図３Ｍにおいて、リフトオフパターン３３５が、パターン生成されたベース層３２０Ａ上に（ただし、ベース層３２０Ａ上であって、接触パッド３５２用の所要箇所の外側の部分に）直接印刷され、また金属層３５５が、パターン生成されたベース層３２０Ａと印刷されたリフトオフパターン３３５上に形成される。ついで、リフトオフ操作がリフトオフパターン３３５と金属層３５５の上に重なる部分とを除去すると、パターン生成された金属層３５５Ａが生成され、その金属層３５５Ａは、図３Ｎに示されるように、ＴＦＴ３００と接触している接触パッド３５７とプラグ３５６を備える。
リフトオフパターンの印刷強化について説明する。一般的に、パターン印刷は、固体基板を横断する単一の軸（「プリント走行軸」）に沿ってラスタビットマップにより印刷流体を溶着するステップを含む。プリントヘッド、および特に、プリントヘッドに組込まれる噴射器の装置は、このプリント走行軸に沿う印刷のために最適化される。
かくして、同様なシステムを使用してリフトオフパターンを印刷するステップは、同一のラスタ方式で実施され、プリントヘッド内の噴射器（または複数の）が印刷流体の個別の液滴を基板上に小出しするにつれて、プリントヘッドが、基板を横切って「印刷パス」を形成する。それぞれの印刷パスの最後において、新規の印刷パスを開始する前にプリントヘッドは、プリント走行軸に関して垂直に移動する。プリントヘッドは、リフトオフパターンが完全に印刷されるまで、このようにして、基板を横切って印刷パスを形成し続ける。
このラスタ印刷方法のために、複数の印刷パス（すなわち、多パス機能部分）から形成された画線は、望ましくない平面図縁部波形（ｅｄｇｅ ｓｃｌｌｏｐｉｎｇ）（図３Ａから３Ｆに関して説明された望ましいことが多い側壁波形と対照的に）を示すことが多い。たとえば、図５は、複数の印刷パス内に印刷された画線５００の顕微鏡写真を示す。各印刷パスの印刷に要する時間により、それぞれの印刷流体液滴が、次の印刷流体液滴が印刷される前に部分的に凝固されるので、それらの液滴は融合されなかった。その結果、画線５００は、個別の印刷流体液滴の外形を明確に目視できるので、著しい縁部波形を示す。
この形式の縁部波形は、リフトオフパターンを並列配置機能部分（ｐａｒａｌｌｅｌ ｌａｙｏｕｔ ｆｅａｔｕｒｅｓ）だけを有する個別のデザイン層に分離することにより、リフトオフパターンの印刷時に最小にすることができる。ついで、これらの個別のデザイン層を、別々の印刷操作において印刷でき、その際に、それぞれの印刷操作の印刷方向が、印刷されているデザイン層の並列配置機能部分と整合される。このようにして、多パス機能部分の印刷を避けることができ、かつ均質で平滑な縁部のリフトオフパターンを印刷できる。
たとえば、図６Ａには、例としてリフトオフパターン６００Ａが示され、そのパターンは、複数のアドレスライン６２０とワードライン６３０を含む。アドレスライン６２０とワード６３０は、たとえば、ＴＦＴ６１０（参照のために点線で示される）の配列用の相互接続ラインを構成する。リフトオフパターン６００ＡがＸ軸（画線６２０）とＹ軸（画線６３０）の両方に平行に延びる画線を含むので、従来のリフトオフパターン印刷システムを使用してリフトオフパターン６００Ａを印刷すると、プリント方向がＸ軸に平行であったか、またはＹ軸に平行であったかには関係なく、多パス機能部分が印刷されるであろう。
しかしながら、リフトオフパターン６００Ａを、図６Ｂおよび６Ｃにそれぞれ示されるデザイン層６００Ｂおよび６００Ｃのような複数のデザイン層に分離できる。図６Ｂにおけるデザイン層６００Ｂは、リフトオフパターン６００Ａの全ての画線６３０（すなわち、ワードライン画線）を含み、それらの画線がＹ軸に平行に延び、一方、図６Ｃにおけるデザイン層６００Ｃは、リフトオフパターン６００Ａの全ての画線６２０（すなわち、アドレスライン画線）を含み、それらの画線がＸ軸に平行に延びる。ここで使用される用語「Ｘ軸」と「Ｙ軸」は、２つの直交する軸を単に説明し、引用の絶対的な構成を規定しないことに留意する。
デザイン層６００Ｂおよび６００Ｃが、リフトオフパターン６００Ａから一旦抽出されると、最終の（印刷される）リフトオフパターンのワードとアドレスのラインを、２つの個別の印刷操作で印刷できる。第１の印刷操作において、プリント方向をＹ軸に平行に設定して、デザイン層６００Ｂを基板上に印刷できる。デザイン層６００Ｂは、Ｙ軸に平行に延びる配置画線だけを含むので、プリント方向をＹ軸に平行に設定すると、平滑な縁部をなす構造的に均質な印刷された機能部分を生じるであろう。
第２の印刷操作において、プリント方向をＸ軸に平行に設定して、デザイン層６００Ｃを基板上に印刷できる。デザイン層６００Ｃは、Ｘ軸に平行に延びる配置画線だけを含むので、プリント方向をＸ軸に平行に設定すると、平滑な縁部をなす構造的に均質な印刷された機能部分を生じるであろう。印刷の順序は、それぞれのデザイン層に付随するプリント方向が維持される限り、逆にすることができるであろう。
本明細書で使用される「プリント方向」とは、基板に関しての特定の軸方向をさしており、この軸に沿って印刷が行なわれる。したがって、２つの異なるプリント方向は、上述の第１と第２の印刷操作に付随される。これは、プリント走行軸（すなわち、印刷システムに関してプリントヘッドの移動の軸）、または複数のプリント走行軸が、第１と第２の印刷操作の両方について同一のままである場合でも当てはまる。プリントヘッドに関して基板の向き／回転配向（ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）が、第１と第２の印刷操作中に異なる限り、２つの印刷操作は、異なる印刷方向を有するであろう。
「プリント方向」が軸方向を指すので、その軸に沿う順方向と反対方向の両方は、同一のプリント方向を有するものとみなされることに留意する。プリント方向は、平面状または非平面状パスで規定される曲線形状（すなわち、非直線軸）から成ることができることにも留意する。さらに、リフトオフパターンを、並列層機能部分だけを有するデザイン層に分割できないが、特定の層における配置機能部分のほぼ全て（一般に９０％以上）が互いに平行である限り、かなりの利点を達成できる。
リフトオフパターン印刷手段の較正について説明する。図７は、リフトオフパターン（たとえば、図２Ａにおける画線２３０および図３Ａにおける印刷されるリフトオフパターン）を印刷する印刷システム７００の透視図である。印刷システム７００は、被印刷体７０１（たとえば、ウェーハ）を支える（かつ任意選択的に平行移動する）載台７１０と、印刷サポート構成体７８０へ取付けられるプリントアセンブリ７５０と、およびシステムコントローラとデータプロセッサの両方として機能するコンピュータ／ワークステーション７９０とを備える。載台７１０は、回転自在の操作架台７１２を備え、その架台により、基板の向きを調整できる。回転自在の操作架台７１２上に必要に応じて整合機能部材７１１を備えて、被印刷体７０１を全体的に位置決めし、かつ拘束できる。
プリントアセンブリ７５０は、プリントヘッド７３０（回転自在の取付け部材上の）、および強固な取付け台７６０に取付けられたカメラ７７０（高倍率機能を有する）を備える。プリントヘッド７３０は、噴射器ベース７３１に取付けられた１つ以上の噴射器７４０を備える。噴射器７４０は、適切な印刷流体の液滴を被印刷体７０１のベース層７２０上に小出しするように構成される。
コンピュータ／ワークステーション７９０は、データソース７９１からリフトオフパターンデータを受信するように、かつついで適切な制御信号を印刷サポート構成体７８０および／または載台７１０へ送信するように構成される。データソース７９１は、どんな形式でもリフトオフパターンを取得してもよい。例えば、ネットワークに接続されたコンピュータからでも、構内ネットワーク（ＬＡＮ）または広域ネットワーク（ＷＡＮ）経由で接続されたリフトオフパターンデータベースからでも、もしくはＣＤ−ＲＯＭまたは他の取外し自在の記憶媒体のいずれかのソースからでも取得することができる。コンピュータ／ワークステーション７９０により生成される制御信号は、プリントヘッド７３０がベース層７２０に対して平行移動するときに、プリントヘッド７３０の動きと印刷動作が制御される。
印刷動作は、印刷サポート構成体７８０により、載台７１０により、または両方を組合せることにより実施できることに留意する。印刷動作は、載台７１０がベース層７２０を平行移動させる間にプリントヘッド７３０が静止状態に保持されるので、プリントヘッド自体の実際の動きを含む必要がないことにさらに留意する。コンピュータ／ワークステーション７９０も、カメラ７７０からの画像生成データを受信しかつ処理するように連結される。引き続いて述べるように、カメラ７７０は、印刷システム７００用の手動および自動による較正機能を提供できる。
ベース層７２０に関して印刷システム７００を適正に較正し位置合わせすることにより、印刷システム７００により印刷されたリフトオフパターンを、被印刷体７０１内の既存の画線と正確に整合させることができるので、高歩留まりの製造プロセスが保証される。システム較正を、ビデオカメラ顕微鏡（図７に示されるカメラ７７０のような）により達成でき、そのビデオカメラ顕微鏡の光軸は、プリントヘッドの噴射器位置に関して固定される。
図８は、較正と印刷プロセスのフローチャートを示す。ステップ８１０において、カメラに関しての噴射器の位置が決められる。ついでステップ８２０において、プリントヘッドが印刷システムのプリント走行軸（または複数の軸）と整合される。ステップ８２０でなされる調整と、ステップ８１０のカメラ−ヘッドの位置決めを繰返して、最適な設定をする必要があることに留意する。ステップ８３０において、噴射器の「使用時」の位置（プリントヘッドの熱膨張を考慮した）が決められる。ステップ８４０において、噴射器が選択選別されるので、所要の程度の印刷精度を提供する噴射器だけが印刷プロセスに使用される。ステップ８１０のカメラ−ヘッド位置決めにおいて使用される噴射器（または複数の）が、ステップ８４０において使用されるように選択されないならば、ステップ８５０において、ステップ８４０において選択された噴射器（または複数の）を使用して、他のカメラ−ヘッド位置決め操作が実施される。ついでステップ８６０において任意選択の立証が、ステップ８４０において選択された噴射器を使用して実施されて、適正な印刷精度（ｏｐｔｉｏｎａｌ ｖｅｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ）が較正された印刷システムにより提供されることを立証できる。
次に、位置合わせステップ８７０において、印刷システム７００がベース層７２０に関して既知の位置に載置されるので、印刷されるリフトオフパターンは、ベース層７２０内の既存の機能部分と適切に整合されることが保証される。最後に、リフトオフパターンは、ステップ８８０において印刷される。ステップ８８０は、図６Ａから６Ｃに関して述べたように、リフトオフパターンを、並列の画線を有するデザイン層に分離するステップと、および個別の印刷操作においてデザイン層を印刷するステップとを含むことができる。そのような場合、それぞれのデザイン層の印刷の前に、プロセスは、位置合わせステップ８７０へループバックすることができる。
本発明の種々の他の実施例は、図８に示されるステップの任意の組合せを含むことができることに留意する。図８のフローチャートにおける個別のステップが以下に述べるように詳細に検討される。
カメラ−ヘッド位置決め（ステップ８１０）について説明する。そのようなカメラを使用する校正操作における第１のステップは、プリントヘッドに関してカメラの位置を正確に決めることが必要とされる。この「カメラとプリントヘッド間の位置」の決定は、容易に実施できる。というのは、カメラとプリントヘッドの両方は、互いに関して固定された位置に保持されるからである。たとえば、図９Ａ（引き続いて詳細に検討される）は、カメラ７７０と、およびプリントアセンブリ７５０に取付けられるプリントヘッド７３１とを示す。選択された噴射器（たとえば、噴射器７４０（０））に関してカメラ７７０の位置を決める１つの方法は、選択された噴射器からスポット（たとえば、７２５（０））を印刷し、ついでそのスポットの直上のカメラ７７０の画像生成部位において参照マークを位置決めするのに必要な、水平方向の偏りＣｈと垂直方向の偏りＣｖを測定することである。種々の他の方法も容易に明らかであろう。
ヘッド−走行整合（ステップ８２０）について説明する。複数の噴射器を有するプリントヘッドは、リフトオフパターン印刷システムのプリント走行軸（または複数の軸）と正確に整合しなければならないので、印刷流体の液滴を、ベース層上の所要の箇所に所要の精度で当てることができることになる。プリント走行軸とプリントヘッドとの間に角度的な不整合があるならば、プリントヘッドにより生成されたリフトオフパターンは、対応する大きさのゆがみを示すであろう。図９Ａと９Ｂは、このプリントヘッドのプリント走行方向の調整を実施する方法を具体的に示すリフトオフパターン印刷システムの詳細図を提供する。
図９Ａにおいて、プリントアセンブリ７５０（図７に示されるような）は、載台７１０上のベース層７２０上に位置決めされる。プリントアセンブリ７５０は、プリントヘッド７３０、および強固な取付け台７６０に取付けられるカメラ７７０を備える。プリントヘッド７３０は、噴射器ベース７３１に対角線で配置される噴射器７４０（０）から７４０（５）を備える。６つの噴射器が具体的に示されるが、プリントヘッド７３０は、任意の数と配置の噴射器を含むことができることに留意する。噴射器７４０（０）から７４０（５）の中から選択された第１の噴射器７４０、この場合は噴射器７４０（０）により、単一のスポット７２５（０）がベース層７２０上に印刷される。
ついで図９Ｂに示されるように、プリントアセンブリ７５０は、Ｘ軸方向に距離Ｄｘ（１）だけ、かつＹ軸方向に距離Ｄｙ（１）だけ平行移動さる。ここで距離Ｄｘ（１）とＤｙ（１）は、第２の選択された噴射器（この場合は噴射器７４０（５））をスポット７２５（０）上に位置決めするのに必要な値を表す。ついで噴射器７４０（５）は、第２のスポット７２５（５）を印刷する。
ついでカメラ７７０は、スポット７２５（０）とスポット７２５（５）との間の距離を測定するのに使用でき、またプリントヘッド７３０の配向を、ベース層７２０（または載台７１０）に関して調整して、不整合を補償することができる。プリントヘッド７３０のこの相対的な回転は、固定された取付け台７６０内でプリントヘッド７３０を実際に回すことにより（図９Ｂの湾曲した矢印で示されるように）、またはプリントヘッド７３０の位置を不変のままにし、かつ載台７１０を回すことにより達成できることに留意する。
カメラを噴射器／液滴箇所へ再較正後に、２つの噴射器（７４０（０）と７４０（５））を、単一の箇所に２つ以上の液滴を印刷して、さらに回転に関して補正が必要かどうかを判断するのに使用できる。この様式の繰返しを、２つの噴射器により生成されたスポットが所要の正確度内に整合するまで継続できる。このプロセスは、図９Ｃに示されるフローチャートのステップ９０１から９０６に要約される。
リフトオフパターン位置合わせ（ステップ８７０）について説明する。本発明に従うリフトオフパターンの印刷が、一般的により大きい生産プロセスの一部に含まれるため、位置合わせステップは、リフトオフパターン（およびそのために、リフトオフプロセスを経て形成される構成体）が、被印刷体７０１（たとえば、図３Ａにおける画線３３０とＴＦＴ３００）内の既存の画線と適正に整合されることを保証するのに役立つことができる。加えて、リフトオフパターンが、複数の印刷操作（図６Ａから６Ｃに関して説明したように）を使用して印刷されるならば、それぞれの印刷操作中に印刷されたデザイン層が互いに確実に整合するように位置合わせされていることが必要である。これらの調整は、基板盤上の一組の整合マークを利用して容易にできる。つまり、プリントアセンブリに取付けられるカメラ（たとえば、図７に示されるカメラ７７０）が整合マークを使用して、位置合わせ操作を実施できる。
図１０Ａは、この位置合わせ操作を実施する方法を具体的に示す。図１０Ａにおいて、被印刷体７０１は、載台７１０上の回転自在の操作架台７１２上に載置されて、被印刷体７０１上の定盤７２２のような標準位置決め機能部材（ｓｔａｎｄａｒｄ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ ｆｅａｔｕｒｅｓ）と載台７１０上の整合機能部材（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｆｅａｔｕｒｅｓ）７１１を使用して位置決めされる。整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）が、ベース層７２０上の既知であるが未使用の箇所において識別される。４つの整合マークが具体的に示されるが、ベース層７２０は、任意の数の整合マーク（１つよりも多い）を含むことができるのに留意する。整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）は、説明目的のために十字形画線として具体的に示されるが、位置を正確に表示できる任意の形状から成ることができる点にさらに留意する。
ベース層７２０（および、したがって被印刷体７０１）に関して印刷システムの位置合わせにおいて、整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）のそれぞれについてデザイン位置（ｄｅｓｉｇｎ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）と実際の位置との間の位置の偏り（すなわち、ベクトル距離と方向）を測るために、カメラ７７０が使用される。これら測定は以下のようにして行われる。まず、カメラ７７０をデザイン位置に載置する（カメラを動かすか、および／または基板を動かして）。ついでカメラ７７０（カメラ７７０とその付随するプリントヘッドを収納するプリントアセンブリは明確にするために図示されない）の画像生成センサを用いて、対応する整合マークの実際位置を、整合目標位置７１１と比較することにより得ることができる。たとえば、整合マーク７２１（ａ）についての偏りは、水平方向偏りＯｘ（ａ）と垂直方向偏りＯｙ（ａ）から求められる。それぞれのそのような測定後、または規定回数のそのような測定後、被印刷体７０１は、回転自在の操作架台７１２により回される（図１０Ａにある湾曲した矢印により示されるように）。この測定−回転シーケンスは、整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）のそれぞれについての偏りがなくなる（規定された許容差以内になる）まで、繰返される。
ついで、カメラ７７０は、事前に規定された原点に対する参照マークの位置を測定し、これらの測定値を平均して、整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）についての整合参照点（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｐｏｉｎｔ）の実際位置（箇所７２５（ｒｅｆ）として示される）を得る。ベース層７２０について、整合参照点の位置は参照原点（箇所７２５（Ｌ１）として示される）に対して既知なので、整合参照点の実際の箇所が一旦わかると、ベース層７２０についての参照原点の実際箇所を求めることができる。このようにして、整合参照点とベース層７２０の参照原点とを一致することができる。ＣｘとＣｙは、それぞれベース層７２０の参照原点の実際箇所と、その予想位置（箇所７２５（ｅｘｐ）として示される）の間のＸ軸とＹ軸の偏りである。これらは、印刷されるリフトオフパターン（またはリフトオフパターンのデザイン層）へ適用できる平行移動ベクトルを形成するので、リフトオフパターンがベース層７２０と整合される。したがって、リフトオフパターンが、ベース層７２０上の先に生成された画線（またはデザイン層）と整合される。平行移動ベクトルをこのように適用することは、物理的領域に生じたものでも（たとえば、載台に関してプリントヘッドの位置／配向の調整）または電子的領域に生じたものでも（たとえば、リフトオフパターンデータの値の調整）可能な点に留意する。この位置合わせプロセスは、図１０Ｃに示されるフローチャートのステップ１００１から１００７において要約される。
プリントヘッドが単一の噴射器だけを有するならば、基板に関してプリントヘッドの回転配向は、重要ではない。というのは、単一の噴射器はベクトル印刷操作を実施できるからである。したがって、上述の位置合わせプロセスを単一噴射器プリントヘッドに使用できるであろうが、より幾分単純な層整合プロセスも使用できるであろう。図１０Ｂは、単一噴射器プリントヘッドを用いた場合の位置合わせ操作を具体的に示す。図１０Ｂにおいて、被印刷体７０１は載台７１０上に載置されて、被印刷体７０１上の定盤７２２のような標準位置決め機能部材と載台７１０上の整合機能部材７１１を使用して位置決めされる。整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）が、ベース層７２０上の既知であるが未使用の箇所において識別される。４つの整合マークが具体的に示されるが、任意の数の整合マーク（１つよりも多い）をベース層７２０上に含むことができるのに留意する。整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）は、説明目的のために十字形画線として具体的に示されるが、位置を正確に表示できる任意の形状から成ることができることに、さらに留意する。
カメラ７７０（カメラ７７０とその付随するプリントヘッドを収納するプリントアセンブリは明確にするために図示されない）は、整合マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）の実際箇所を測定し、デザイン整合マーク位置からのそれらの偏りを求める。たとえば、参照マーク７２１（ａ）についてのＸ軸とＹ軸方向における偏りは、それぞれ偏りＲｘ（ａ）とＲｙ（ａ）である。ついで参照マーク７２１（ａ）から７２１（ｄ）の全てについて測定された偏りを、ベース層７２０上に印刷されるリフトオフパターン（またはリフトオフパターンのデザイン層）へ適用される回転角度と平行移動ベクトルを計算するのに使用できる。このプロセスは、図１０Ｄに示されるフローチャートのステップ１０９１から１０９５において要約される。
比較的平坦な断面輪郭を有する印刷されたリフトオフパターンを生成するために、ベース層を、親水性表面を有するように処理できるであろう。
１１０ 基板、１２０ フォトレジスト層、１２２ 処理された表面、１３０ フォトマスク、１２１Ａ フォトレジスト機能部分、１３０ 金属層、１３１ 侵蝕箇所、１３０Ａ パターン生成された金属層、２０１ 被印刷体、２１０ 基板、２２０ ベース層、２３０，２３０Ａ 画線、２４０ リフトオフ層、２４１ 侵蝕箇所、２４０Ａ パターン生成されたリフトオフ層、３００ ＴＦＴ、３０１ 被印刷体、３１０ 基板、３２０ ベース層、３３０ 印刷されたリフトオフパターン、３３１ 画線、３３２ 画線、３４０ リフトオフ層、３４１ 侵蝕箇所、３４０Ａ パターン生成されたリフトオフ層、３４９ 開口、３２９ 開口、３５０ 金属層、３６０ エッチングマスク、３５０Ａ パターン生成された金属層、３５１ プラグ、３５２ 接触パッド、３３５ リフトオフパターン、３５５ 金属層、３５５Ａ パターン生成された金属層、３５６ プラグ、３５７ 接触パッド、７１０ 載台、７２０ ベース層、７２１ 整合マーク、７２５ スポット、７３０ プリントヘッド、７４０ 噴射器、７５０ プリントアセンブリ、７６０ 取付け台、７７０ カメラ。
Claims (8)
- リフトオフ操作を実施する方法であって、
第１のパターンと、前記第１のパターンの上に設けられる第２のパターンとを有するリフトオフパターンをベース層上に印刷するステップと、
前記ベース層上にブランケット層を形成し、ブランケット層の第１の部分がリフトオフパターンを被覆するステップと、および
前記リフトオフパターンとブランケット層の前記第１の部分を前記ベース層から除去して、パターン生成されたブランケット層を生成するステップと、
を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第２のパターンを溶着する前に前記第１のパターンを部分的に凝固させることで形成される波形の輪郭を含む側壁を有することを特徴とするリフトオフ操作を実施する方法。 - 集積回路（ＩＣ）を生成する方法であって、
第１のパターンと、前記第１のパターンの上に設けられる第２のパターンとを有するリフトオフパターンをベース層上に印刷し、前記ベース層が半導体デバイスの接点を被覆するステップと、
前記ベース層上にブランケット層を形成し、ブランケット層の第１の部分がリフトオフパターンを被覆するステップと、
前記リフトオフパターンとブランケット層の前記第１の部分を除去して、パターン生成されたブランケット層を生成するステップと、および
前記ベース層を前記パターン付けされたブランケット層を通してエッチングし、パターン生成されたベース層を形成し、前記パターン生成されたベース層が半導体デバイスの前記接点への通過点を備えるステップと、
を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第２のパターンを溶着する前に前記第１のパターンを部分的に凝固させることで形成される波形の輪郭を含む側壁を有することを特徴とする集積回路を生成する方法。 - ベースパターンをベース層中にエッチングする方法であって、
第１のパターンと、前記第１のパターンの上に設けられる第２のパターンとを有するリフトオフパターンをベース層上に印刷するステップと、
前記ベース層上にブランケット層を形成し、ブランケット層の第１の部分がリフトオフパターン上に形成されるステップと、
前記リフトオフパターンとブランケット層の前記第１の部分を除去して、パターン生成されたブランケット層を生成するステップと、および
前記パターン生成されたブランケット層をエッチングマスクとして使用して前記ベース層をエッチングして、前記ベースパターンを生成するステップと、
を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第２のパターンを溶着する前に前記第１のパターンを部分的に凝固させることで形成される波形の輪郭を含む側壁を有することを特徴とするベースパターンをベース層中にエッチングする方法。 - 被印刷体のベース層上に、第１のパターンと、前記第１のパターンの上に設けられる第２のパターンとを有するリフトオフパターンを印刷する印刷システムであって、
被印刷体を支承する載台と、
印刷流体を前記ベース層上に噴射して、前記リフトオフパターンを形成するプリントヘッドと、
前記載台に関して前記プリントヘッドを平行移動する位置決め機構と、および
前記位置決め機構と前記プリントヘッドを制御して、印刷流体の多層を前記ベース層上の選択された位置へ噴射するコントローラと、
を備え、
前記リフトオフパターンは、
前記第２のパターンを溶着する前に前記第１のパターンを部分的に凝固させることで形成される波形の輪郭を含む側壁を有することを特徴とする印刷システム。 - 請求項１に記載のリフトオフ操作を実施する方法において、
前記第１のパターンは、第１の液体を含み、
前記第２のパターンは、第２の液体を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第１の液体の上に前記第２の液体を印刷することによって積層形成されることを特徴とするリフトオフ操作を実施する方法。 - 請求項２に記載の集積回路を生成する方法において、
前記第１のパターンは、第１の液体を含み、
前記第２のパターンは、第２の液体を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第１の液体の上に前記第２の液体を印刷することによって積層形成されることを特徴とする集積回路を生成する方法。 - 請求項３に記載のベースパターンをベース層中にエッチングする方法において、
前記第１のパターンは、第１の液体を含み、
前記第２のパターンは、第２の液体を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第１の液体の上に前記第２の液体を印刷することによって積層形成されることを特徴とするベースパターンをベース層中にエッチングする方法。 - 請求項４に記載の印刷システムにおいて、
前記第１のパターンは、第１の液体を含み、
前記第２のパターンは、第２の液体を含み、
前記リフトオフパターンは、
前記第１の液体の上に前記第２の液体を印刷することによって積層形成されることを特徴とする印刷システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/741,252 US7309563B2 (en) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | Patterning using wax printing and lift off |
| US10/741,252 | 2003-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005183994A JP2005183994A (ja) | 2005-07-07 |
| JP5064653B2 true JP5064653B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=34678094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004367496A Expired - Fee Related JP5064653B2 (ja) | 2003-12-19 | 2004-12-20 | ワックス印刷とリフトオフを使用するパターン生成方法及び印刷システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7309563B2 (ja) |
| JP (1) | JP5064653B2 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4344270B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2006202961A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Nec Lcd Technologies Ltd | 印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置 |
| US7459400B2 (en) * | 2005-07-18 | 2008-12-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Patterned structures fabricated by printing mask over lift-off pattern |
| US7344928B2 (en) * | 2005-07-28 | 2008-03-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Patterned-print thin-film transistors with top gate geometry |
| US8637138B2 (en) | 2005-12-27 | 2014-01-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Layered structures on thin substrates |
| US7816146B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-10-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Passive electronic devices |
| US7784173B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-08-31 | Palo Alto Research Center Incorporated | Producing layered structures using printing |
| US7365022B2 (en) * | 2006-01-20 | 2008-04-29 | Palo Alto Research Center Incorporated | Additive printed mask process and structures produced thereby |
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| US8821799B2 (en) | 2007-01-26 | 2014-09-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method and system implementing spatially modulated excitation or emission for particle characterization with enhanced sensitivity |
| US9164037B2 (en) | 2007-01-26 | 2015-10-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method and system for evaluation of signals received from spatially modulated excitation and emission to accurately determine particle positions and distances |
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| US8968985B2 (en) * | 2007-03-30 | 2015-03-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method and system for patterning a mask layer |
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| US8765226B2 (en) | 2007-12-13 | 2014-07-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for patterning using phase-change material |
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| US8723140B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Particle analyzer with spatial modulation and long lifetime bioprobes |
| US9029800B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-05-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Compact analyzer with spatial modulation and multiple intensity modulated excitation sources |
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| JP6685791B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-04-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| US10549921B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-02-04 | Rexam Beverage Can Company | Beverage container body decorator inspection apparatus |
| US10976263B2 (en) | 2016-07-20 | 2021-04-13 | Ball Corporation | System and method for aligning an inker of a decorator |
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| MX2021008304A (es) | 2019-01-11 | 2021-08-05 | Ball Corp | Sistema de impresion de retroalimentacion de circuito cerrado. |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2003
- 2003-12-19 US US10/741,252 patent/US7309563B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-20 JP JP2004367496A patent/JP5064653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050136358A1 (en) | 2005-06-23 |
| JP2005183994A (ja) | 2005-07-07 |
| US7309563B2 (en) | 2007-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |