JP5063161B2 - 層間絶縁膜形成用塗布液および層間絶縁膜を有する基板 - Google Patents
層間絶縁膜形成用塗布液および層間絶縁膜を有する基板 Download PDFInfo
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Description
一つずつに対して、電圧の制御を行なうための「アクティブ素子」を持つ。
また、このような構造であることから、鮮明でムラのない画面表示が可能となる。
[1](i)一般式RnSi(OR’)4-n
[式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはアルケニル基を表わし、
nは0〜3の整数である]
で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルと、
(ii)前記アルコキシシランの部分加水分解物と
の反応物と、
ポリシリコーン樹脂とが分散媒に分散または溶解してなるアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液。
[2]前記ポリシリコーン樹脂がポリエーテル変性シリコーン樹脂である[1]のアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液。
[3]前記ポリシリコーン樹脂の数平均分子量が1,000〜100,000の範囲にある[1]または[2]のアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液。
[4]前記反応物の濃度が固形分として5〜50重量%の範囲にあり、前記ポリシリコーン
樹脂の濃度が固形分として0.01〜0.5重量%の範囲にある[1]〜[3]のアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液。
[5](i)一般式RnSi(OR’)4-n[式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはアルケニル基を表わし、nは0〜3の整数である]
で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルと、
(ii)前記アルコキシシランの部分加水分解物と
の反応物と、ポリシリコーン樹脂とからなる層間絶縁膜
を有するアクティブマトリックス基板。
[6]前記反応物の含有量が固形分として90〜99.98重量%の範囲にあり、前記ポリ
シリコーン樹脂の含有量が固形分として0.02〜10重量%の範囲にある[5]のアクテ
ィブマトリックス基板。
[7]前記ポリシリコーン樹脂がポリエーテル変性シリコーン樹脂である[5]または[6]のア
クティブマトリックス基板。
層間絶縁膜形成用塗布液
本発明に係るアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液は、
(i)シリカゾルと、
(ii)アルコキシシランの部分加水分解物と
の反応物と、
ポリシリコーン樹脂とが分散媒に分散または溶解してなる。
[シリカゾル]
本発明に用いられるシリカゾルは水と有機溶媒との混合溶媒中、アルカリ触媒の存在下でアルコキシシランを加水分解重縮合して得られたものである。
アルコキシシランとしては一般式RnSi(OR’)4-n[式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはアルケニル基を表わし、nは0〜3の整数である]で表される。
有機溶媒としては、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類等が挙げられ、より具体的には、例えばメタノール、エタノール、ブロバノール、ブタノールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのエチレングリコールエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類等が用いられる。
アルカリ触媒としては、アンモニア、アミン、アルカリ金属水酸化物、第4級アンモニウム化合物、アミン系カップリング剤など、水溶液中でアルカリ性を示す化合物が用いられ、反応混合物のpHが7〜12、好ましくは8〜11となるような量で用いられる。
シリカゾルの調製法をさらに具体的に例示すると、例えば、水−アルコール混合溶媒を撹拌しながら、この混合溶媒にアルコキシシランおよび、例えばアンモニア水のようなアルカリ触媒を添加し、加水分解させる。
5〜25モルとなるような量で用いられ、アンモニアは前記のpH範囲となる量で、アルコキシシランをSiO2例えば0.01〜1.0モル/SiO2モル、好ましくは0.05〜0.
8モル/SiO2モルとなるような量で用いられる。
シリカ粒子が生成、成長する。
また、上記のように、例えば撹拌下の水−アルコール混合溶媒に、アルコキシシランとアンモニアとを添加し、水−アルコール混合溶媒の沸点以下の温度、例えば約100℃以下の温度で反応を進行させて、シリカ粒子を生成・成長させ、その後、上記温度を溶媒の沸点以上の温度、例えば約100℃以上の温度に昇温し、一定時間保持して加熱処理を行なってもよい。
本発明において用いられるシリカゾルは、シリカ粒子の平均粒子径が5〜50nm、好ましくは10〜30nmの範囲にあることが好ましい。シリカ粒子の平均粒子径が小さすぎると、得られる層間絶縁膜形成用塗布液を用いた層間絶縁膜成形時に膜面にクラックが発生する傾向があり、一方、大きすぎても膜にボイドが多発し、緻密な膜が得られない場合がある。
シリカ粒子の濃度が50重量%を越えるとゲル化し易い傾向があり、シリカ粒子の濃度が2重量%未満の場合は層間絶縁膜形成用塗布液の濃度が低すぎて所望の厚さの層間絶縁膜が形成できない場合がある。
このシリカゾルと、アルコキシシランの部分加水分解物とのを反応物が使用される。
[アルコキシシランの部分加水分解物]
シリカゾルと反応させるアルコキシシランとしてはシリカゾルの調製に用いた一般式RnSi(OR’)4-nで示されるアルコキシシランを用いるが、この時シリカゾルの調製に用いた
と同一のアルコキシシランでもよく、異なっていてもよい。
1個以上が加水分解によりOH基となり、加水分解重縮合物中にOR’残基を有する加水分解を意味する。
しくは0.5〜2モルの量で用いられる。酸触媒が用いられる場合には、反応液のpHが、通常、0〜6、好ましくは1〜3となるような量で、また、アルカリ触媒か用いられる場合には、反応液のpHが、通常、7〜10、好ましくは7〜8となるような量で用いられる。
の整数である)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上を、有機溶媒、水および酸触媒の存在下で部分加水分解し、次いで得られた部分加水分解液を、アルカリと接触させ、得られた塗布液をさらに必要に応じて酸を加えて酸性にしてなる、アルコキシシラン部分加水分解物の縮重合物を含むシリカ系被膜形成用塗布液を本発明における部分加水分解物として用いることができる。
本発明においては、シリカゾルと、アルコキシシランの部分加水分解物とを混合して反応させる。
好ましくは0.25〜4.0となるような重量比で混合させることが望ましい。
するとクラックが発生することがある。処理温度が高すぎると、アルコキシシランの重縮合反応が進行し過ぎ、層間絶縁膜形成用塗布液の安定性が不充分となることがある。
本発明に用いるポリシリコーン樹脂としては、ポリエーテル変性シリコーン樹脂、アミノ変性シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、アルコキシ変性樹脂等の従来公知の樹脂が挙げられる。
00、さらには10,000〜80,000の範囲にあることが好ましい。
シシラン部分加水分解物あるいは反応物との親和性が強くなり膜表面に存在しにくくなり、塗膜の乾燥を均一にする効果が不充分となり、アクティブマトリックス基板の製造時に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡等の膜ムラが発生し層間絶縁膜の外観が悪化する。
(A)オルガノシロキサンコポリマーとしては、下記のようなポリマーが例示される。
(B)ポリオキシアルキレンとしては下記(i)、(ii)、(iii)等が例示される。
R1-(OCH2CH2)Z-OR2 (i)
R1-(OCH2CH(CH3))W-OR2 (ii)
R1-(OCH2CH2)Z(OCH2CH(CH3))W-OR2 (iii)
式中、R1はアルケニル基(アルキレン基)、OR2のR2はこの工程を阻害しないどんな置
換基(ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリロキシ基、アリーロキシ基、アルキルシロシキ基、アセチロキシ基、カルボン酸エステル基、イソシアネート基など)である。zは1〜20の値を取り、wは1〜20の値をとる。
層間絶縁膜形成用塗布液は前記反応物と、ポリシリコーン樹脂とが分散媒に分散または溶解しているが、分散媒としては有機溶媒が適しており、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類、芳香族類等が挙げられ、より具体的には、例えばエタノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール類、アセトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのエチレングリコールエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロピルプロピレングリコールなどのグリコール類等が挙げられる。
前記反応物の濃度が大きすぎるとと、層間絶縁膜形成用塗布液の粘度が高くなり、安定性が不充分となることがある。また、膜を形成する場合、膜厚が厚くなりすぎたり、膜厚のコントロールが困難となることがある。前記反応物の濃度が少ないと、層間絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁性が不充分となることがある。
つぎに、本発明に係るアクティブマトリックス基板について説明する。
本発明に係るアクティブマトリックス基板は、一般成RnSi(OR’)4-n[式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、nは0〜3の整数である]で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルと、該アルコ
キシシランの部分加水分解物との反応物と、ポリシリコーン樹脂とからなる層間絶縁膜を有している。該層間絶縁膜は前記層間絶縁膜形成用塗布液を基板上に塗布し、ついで乾燥、加熱処理することによって形成されたものである。
(i)一般式RnSi(OR’)4-n[式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基また
はアルケニル基を表わし、nは0〜3の整数である]
で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルと、
(ii)前記アルコキシシランの部分加水分解物と
の反応物と、ポリシリコーン樹脂とから構成される。
量%、好ましくは92〜99.95重量%の範囲にあり、前記ポリシリコーン樹脂の含有量が固形分として0.02〜10重量%、好ましくは0.05〜8重量%の範囲にある。
本発明のアクティブマトリクス基板における実施例の1態様を図1と図2に示した。
なお、図1および図2を参照しながら本発明の実施形態を説明するが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。
液晶層60は、画素電極15と対向電極51との間に印加された電圧に応じてその配向状態を変化させ、それにより液晶層60を通過する光を変調することによって表示が行われる。
にわたって均一な膜厚となるように塗布することができ、このため塗膜をより均一に乾燥することができ、前記膜ムラの生成を抑制することができる。
上記の加熱処理温度は、通常、150〜800℃、好ましくは200〜450℃程度である。
とが好ましい。膜厚が薄すぎると、絶縁性が不充分となったり、アクティブマトリックス基板のカバーレッジ性が低下することがある。また、膜厚が厚すぎても、乾燥が不均一になることがあり、このため層間絶縁膜にクラックが発生し、絶縁性が不充分となることがある。
[実施例]
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
シリカゾル(1)の調製
純水139.1gとメタノール169.9gの混合溶液を60℃に保持し、これに、エチルシリケート−28の水−メタノール溶液(重量比2/8の水/メタノール混合液2450gにエチルシリケート−28を532.5に加えたもの)2982.57gおよび濃度0.25重量%のアンモニア水596.4gを同時に52時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で3時間熟成した。その後、限外濾過法で濃縮の操作を行い、SiO2濃度10重量%、平均粒径20nmのSiO2粒子が分散したシリカゾル(1)を得た。
メチルトリメトキシシラン454.5g、エタノール185.5gおよび純水360.Ogの混合溶液を濃硝酸でpH1.0に調整した後、50℃、2時間加水分解させた。その後、濃度1重量%のアンモニア水を添加し、pHを7.0に調整した後、さらに50℃で2時間処理してアルコキシシラン部分加水分解物(1)を得た。この分子量を測定し、結
果を表に示した。
シリカゾル(1)とアルコキシシラン部分加水分解物(1)とを重量比60/40の割合で混合し、ついで、50℃で1時間加熱処理して反応物(1)を得た。
反応物(1)をロータリーエバポレー夕―で、水、アルコールを留去し、プロピレングリ
コールモノプロピルエーテルと溶媒置換し、固形分濃度10重量%の反応物(1)のプロピ
レングリコールモノプロピルエーテル分散液とした。
ル変性シリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.05gを混合して層間絶縁膜形成用塗布液(1)を調製した。
ガラス基板(コーニング社製:220cmx250cm)に吸着チャック孔を用いて固定し、層間絶縁膜形成用塗布液(1)をスリットコーターで塗布を行った。その後、ガラス
基板を支持ピンで持ち上げ、コロ(ローラー)に乗せて移動し、ついで、支持ピンに載せて350℃で10分間焼成を行い、層間絶縁膜(1)を形成した。
び膜ムラの観察を行い、以下の基準で評価し、結果を表1に示した。以下の尺度で評価し
た。
吸着チャック孔跡が全く認められない :◎
僅かに認められるが問題にならない:○
僅かに認められ問題になる :△
鮮明に認められる :×
支持ピン跡評価
支持ピン跡が全く認められない :◎
僅かに認められるが問題にならない:○
僅かに認められ問題になる :△
鮮明に認められる :×
コロ跡評価
コロ跡が全く認められない :◎
僅かに認められるが問題にならない:○
僅かに認められ問題になる :△
鮮明に認められる :×
膜全体の膜ムラ評価
膜ムラが全く認められない :◎
僅かに認められるが問題にならない:○
僅かに認められ問題になる :△
鮮明に認められる :×
また、得られた層間絶縁膜(1)の膜厚、密着性、クラックの有無および比誘電率を以下
のようにして評価し、結果を表に示した。
層間絶縁膜(1)の一部分を剥がし取り段差を作製した。得られた段差を東京精密株式会
社製サーフコム(表面粗さ測定器)で測定することより、膜厚を測定した。
市販のセロハンテープを膜面にはりつけ、その端部を膜面に対して直角に保ち、瞬間的に引き剥がし、そのときの膜の剥離状態を観察し、以下の基準で評価し、結果を表1に示した。
一部認められる:△
全面的に剥離 :×
クラックの有無
クラックの有無を目視観察し、結果を表1に示した。
層間絶縁膜形成用塗布液(1)を別途シリコンウェハ状に層間絶縁膜と同じ膜厚となるよ
うにスピナー法で塗布し、乾燥し、350℃で30分間、窒素気流中で焼成して薄膜を形成し、さらにこの薄膜上にAlの蒸着膜を形成して比誘電率を測定した。結果を表1に示した。
[実施例2]
層間絶縁膜形成用塗布液(2)の調製
実施例1において、反応物(1)のプロピレングリコールモノプロピルエーテル分散液に
ポリエーテル変性シリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.01gを混合した以外は同様にして層間絶縁膜形成用塗布液(2)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(2)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[実施例3]
層間絶縁膜形成用塗布液(3)の調製
実施例1において、反応物(1)のプロピレングリコールモノプロピルエーテル分散液に
ポリエーテル変性シリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.1gを混合した以外は同様にして層間絶縁膜形成用塗布液(3)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(3)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[実施例4]
反応物(4)の調製
実施例1と同様にして調製したシリカゾル(1)とアルコキシシラン部分加水分解物(1)とを重量比30/70の割合で混合し、ついで、50℃で1時間加熱処理して反応物(4)を
得た。
反応物(4)のプロピレングリコールモノプロピルエーテル分散液にポリエーテル変性シ
リコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.05gを混合して層間絶縁膜形成用塗布液(1)を調製した。実施例1において、反応物(4)を用いた以外は同様にして層間絶縁膜形成用塗布液(4)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(4)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[実施例5]
反応物(5)の調製
実施例1と同様にして調製したシリカゾル(1)とアルコキシシラン部分加水分解物(1)とを重量比80/20の割合で混合し、ついで、50℃で1時間加熱処理して反応物(5)を
得た。
反応物(5)のプロピレングリコールモノプロピルエーテル分散液にポリエーテル変性シ
リコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.05gを混合して層間絶縁膜形成用塗布液(5)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(5)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[実施例6]
シリカゾル(6)の調製
純水139.1gとメタノール169.9gの混合溶液を60℃に保持し、これに、エチルシリケート−28の水−メタノール溶液(重量比2/8の水/メタノール混合液24
50gにエチルシリケート−28を532.5に加えたもの)2982.57gおよび濃度0.25重量%のアンモニア水596.4gを同時に24時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で5時間熟成した。その後、限外濾過法で濃縮の操作を行い、SiO2濃度10重量%、平均粒径10nmのSiO2粒子が分散したシリカゾル(6)を得た。
シリカゾル(6)と実施例1と同様にして調製したアルコキシシラン部分加水分解物(1)とを重量比60/40の割合で混合し、ついで、50℃で1時間加熱処理して反応物(6)を
得た。
実施例1において、反応物(6)を用いた以外は同様にして層間絶縁膜形成用塗布液(6)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(6)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
アルコキシシラン部分加水分解物(7)の調製
テトラメトキシシラン454.5g、エタノール185.5gおよび純水360.Ogの混合溶液を濃硝酸でpH1.0に調整した後、50℃、2時間加水分解させた。その後、濃度1重量%のアンモニア水を添加し、pHを7.0に調整した後、さらに50℃で2時間処理してアルコキシシラン部分加水分解物(7)を得た。この分子量を測定し、結果を表1に示した。
実施例1と同様にして調製したシリカゾル(1)とアルコキシシラン部分加水分解物(7)とを重量比60/40の割合で混合し、ついで、50℃で1時間加熱処理して反応物(7)を
得た。
反応物(7)をロータリーエバポレー夕―で、水、アルコールを留去し、プロピレングリ
コールモノプロピルエーテルと溶媒置換し、固形分濃度10重量%の反応物(7)のプロピ
レングリコールモノプロピルエーテル分散液とした。
ル変性シリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.05gを混合して層間絶縁膜形成用塗布液(7)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(7)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[実施例8]
アルコキシシラン部分加水分解物(8)の調製
テトラエトキシシラン454.5g、エタノール185.5gおよび純水360.Ogの混合溶液を濃硝酸でpH1.0に調整した後、50℃、2時間加水分解させた。その後、濃度1重量%のアンモニア水を添加し、pHを7.0に調整した後、さらに50℃で2時間処理してアルコキシシラン部分加水分解物(8)を得た。この分子量を測定し、結果を表1に示した。
実施例1と同様にして調製したシリカゾル(1)とアルコキシシラン部分加水分解物(8)とを重量比60/40の割合で混合し、ついで、50℃で1時間加熱処理して反応物(8)を
得た。
反応物(8)をロータリーエバポレー夕―で、水、アルコールを留去し、プロピレングリ
コールモノプロピルエーテルと溶媒置換し、固形分濃度10重量%の反応物(8)のプロピ
レングリコールモノプロピルエーテル分散液とした。
ル変性シリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54)0.05gを混合して層間絶縁膜形成用塗布液(8)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(8)の膜厚、密着性、クラックの有無およ
び比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[比較例1]
層間絶縁膜形成用塗布液(R1)の調製
実施例1において、ポリエーテル変性シリコーン樹脂を加えなかった以外は同様にして層間絶縁膜形成用塗布液(R1)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(R1)の膜厚、密着性、クラックの有無および比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
[比較例2]
層間絶縁膜形成用塗布液(R2)の調製
実施例1において、ポリエーテル変性シリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング(株)製:ペンタッド54、)1.0gを混合した以外は同様にして層間絶縁膜形成用塗布液(R2)を調製した。
実施例1と同様に吸着チャック孔跡、支持ピン跡、コロ跡および膜ムラの観察を行い、結果を表に示した。また、得られた層間絶縁膜(R2)の膜厚、密着性、クラックの有無および比誘電率を評価し、結果を表1に示した。
2 非表示領域(額縁領域)
10 基板(透明絶縁性基板)
11 信号配線
12 第1の層間絶縁膜
12a 基材(マトリクス)
12b シリカフィラー
12’ コンタクトホール
13 走査配線
13a 第1の導電部材
14 薄膜トランジスタ(TFT)
14G ゲート電極
14S ソース電極
14D ドレイン電極
15 画素電極
15a 第2の導電部材
16 ゲート絶縁膜
16’ コンタクトホール
17 半導体層(真性半導体層)
18 不純物添加半導体層
19 層間絶縁膜
19’ コンタクトホール
20 補助容量配線
21 補助容量電極
23 シールド電極
30 ゲートドライバ
40 ソースドライバ
60 液晶層
100 液晶表示装置
100a アクティブマトリクス基板(TFT基板)
Claims (3)
- (i)一般式RnSi(OR')4-n
[式中、R、R'は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはアルケニル基を表わし、nは0〜3の整数である]
で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルと、
(ii)前記アルコキシシランの部分加水分解物と
の反応物と、
ポリエーテル変性シリコーン樹脂とが分散媒に分散または溶解してなり、
前記反応物の濃度が固形分として5〜50重量%の範囲にあり、前記ポリエーテル変性シリコーン樹脂の濃度が固形分として0.01〜0.5重量%の範囲にあることを特徴とするアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液。 - 前記ポリエーテル変性シリコーン樹脂の数平均分子量が1,000〜100,000の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリックス層間絶縁膜形成用塗布液。
- (i)一般式RnSi(OR')4-n
[式中、R、R'は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはアルケニル基を表わし、nは0〜3の整数である]
で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルと、
(ii)前記アルコキシシランの部分加水分解物と
の反応物と、
ポリエーテル変性シリコーン樹脂とからなり、前記反応物の含有量が固形分として90〜99.98重量%の範囲にあり、前記ポリエーテル変性シリコーン樹脂の含有量が固形分として0.02〜10重量%の範囲にある層間絶縁膜
を有するアクティブマトリックス基板。
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