JP5060263B2 - チップ内冗長化による高信頼システム及びその制御方法 - Google Patents

チップ内冗長化による高信頼システム及びその制御方法 Download PDF

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Description

本発明は高信頼性を有する半導体冗長化システムにかかり、特に半導体チップ内で冗長化されたマイクロプロセッサ、ハードロジック回路等の機能ブロックを用いたチップ内冗長化による高信頼システムに関する。
宇宙航空、鉄道、自動車などのシステムに対し高い安全性が求められる技術分野では、従来から予備のシステムをバックアップとして配置する冗長化によるシステムの高信頼化が広く実施されている。特に半導体集積回路においては近年になって半導体の集積度が高くなり、システムオンチップ方式のようにシステムレベルの機能ブロック回路が半導体チップ内に実装できるようになっている。さらには例えば特開平6−161798号公報に示されるように複数の機能ブロックが冗長化されたシステムを1つの半導体チップ内で実現できるようになってきている。こうした半導体チップ内に冗長化されたシステムを構成する方式は、組み込みシステムにおいては小型軽量化につながり、また、高性能システムにおいては信号遅延時間を短縮し、ひいては性能向上につながる極めて優れた技術である。
特開平6−161798号公報
上記の従来技術では、たとえばセ氏−40度ないし150度にわたる厳しい熱的環境のもとで、半導体チップに加わる熱サイクルによりチップに割れ、ひびなどの物理的損傷が発生する。従って半導体チップ全体に波及するこれら故障対策に関する考慮が不可欠である。従来冗長化したシステムの出力同士を比較照合することで正常性を保証する方式では、故障を検出するための比較照合回路を冗長化システムと同一半導体チップ内に実装しているため、比較照合回路に故障の影響が及んだ場合の動作を保証することができない。また、前記公知文献1にあるように、プロセッサモジュール、比較回路が各々異なるチップから構成されている場合、現在求められている高速処理に対応することはできない。
そこで本発明では、半導体チップ全体に波及する故障の影響を防ぎ、半導体チップに搭載したオンチップ冗長化システムの信頼性を高めることを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明ではオンチップ冗長化システムの出力を比較照合する比較照合回路を前記オンチップ冗長化システムとは異なる別の半導体チップに実装する。このとき冗長化システムに不可欠の既存の周辺回路と比較照合回路を同一のチップに搭載する。既存の周辺回路としては電源回路、各種出力回路を駆動するドライバ回路等であり、この多くは元々システムに別チップとして備えられており、新たなチップ数の増加を招かずに比較照合回路への故障波及を防止する。
前記比較照合回路により異常が検出された場合には冗長システムへの電力供給を停止させるか、冗長システムへリセット信号またはNMI(ノンマスカブルインタラプト)信号を出すことにより冗長システムの動作を停止させて安全性を確保する。
本発明は、冗長化システムと比較照合回路を別チップとして構成することにより、半導体チップ全体に波及する故障の影響を防ぎ、オンチップ冗長化システムの信頼性を高めることができる。またシステム内の既存の周辺回路を有する第2の半導体チップに比較照合回路を搭載することによりチップ数の増加を招かずにオンチップ冗長化システムの信頼性を高めることができる。
以下に、図を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。ただし本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
以下、図に従い本発明の実施例について説明を加える。図1は本発明の第1の実施例を示すブロック図である。機能ブロックとして冗長化したマイクロプロセッサ20−1,20−2が第1の半導体チップ2内に実装されている。さらにマイクロプロセッサ20−1,20−2の出力21−1,21−2を比較照合する比較照合回路10が半導体チップ2とは別の第2の半導体チップ1内に実装されている。ここで機能ブロックとしては、図1のマイクロプロセッサに替えてFFT(Fast Fourier Transform)回路、デジタルフィルタ等のハードロジック回路を搭載することもできる。
図2は比較照合回路10が電源回路30、出力制御手段として設けられたウォッチドッグタイマ31(WDT)を有する電源回路半導体チップ3内に実装された第2の実施例である。ウォッチドッグタイマ31は出力制御手段を有しマイクロプロセッサ20−1または20−2の少なくとも1つからの生存通知が一定時間以上到達しない場合にはマイクロプロセッサ20−1または20−2の異常と見なしてリセット信号32を出力してマイクロプロセッサ20−1及び20−2の動作を停止する。あるいはウォッチドッグタイマ31がNMI(ノンマスカブルインタラプト)信号33を出力し障害処理ルーチンを起動させマイクロプロセッサを回復可能なポイントから回復させてシステム及び制御対象を安全な状態に保つ。
本実施例ではさらに比較照合回路10が出力制御手段の機能を有し、マイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1,21−2を比較照合し、照合結果19が異常である場合には同様にリセット信号32、又はNMI(ノンマスカブルインタラプト)信号33を出力してマイクロプロセッサ20−1及び20−2の動作を停止し、あるいは回復させてシステム及び制御対象を安全な状態に保つ。
図3は比較照合回路10がドライバ回路としてプリドライバ41を有するドライバ回路半導体チップ4に実装された第3の実施例である。比較照合回路10でマイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1,21−2を比較照合する。比較照合回路10は照合結果19が異常である場合にはプリドライバ41の動作を停止させてシステム及び制御対象を安全な状態に保つ。49はプリドライバ回路41の出力、5は制御対象であるインバータである。
図4は比較照合回路10が実装されているドライバ回路半導体チップ4がさらに昇圧回路であるチャージポンプ42を含んでいる第4の実施例である。比較照合回路10でマイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1,21−2を比較照合し、照合結果19が異常である場合にはチャージポンプ42の動作を停止させることにより、プリドライバ41の動作を停止させてシステム及び制御対象を安全な状態に保つ。
また図4に示すように比較照合回路10からの照合結果19を交番信号とし、交番信号によりチャージポンプ42を駆動することにより、照合結果19の出力固着故障(出力がLまたはHに固定してしまう故障)が発生した場合でも確実にチャージポンプ42の動作を停止させ、ドライバIC4の動作を停止させることが可能となる。
マイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1、21−2を一定周期毎に一致、不一致とすれば比較照合回路10からの照合結果19は一定周期毎にH、Lの値を繰り返し交番信号となる。ここでマイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1、21−2が一致しているときには比較照合回路10からの照合結果19をH出力とし、不一致のときはLとする。
チャージポンプ42は、直流をスイッチング動作により一旦交流にした後に整流してより高い電圧を持つ直流に変換する動作をする。本実施例によれば、照合結果19によりスイッチング動作をさせているので、比較照合回路10からの照合結果19の出力固着故障が発生した場合には照合結果19はHまたはLに固定となり、チャージポンプ42の動作が停止する。これによりプリドライバ41への高圧電源電力の供給が停止されて確実にプリドライバ41の動作を停止させ、システムおよび制御対象を安全な状態に保つことが可能となる。
図5は、負荷やアクチュエータを駆動するパワー半導体素子61を含むパワー半導体素子半導体チップ6に比較照合回路10が設けられている場合を示す第5の実施例である。この場合も同様に比較照合回路10は出力制御手段として機能し、マイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1,21−2を比較照合し、照合結果19が異常である場合にはパワー半導体素子61の動作を停止させてシステム及び制御対象を安全な状態に保つ。
さらにマイクロプロセッサ20−1及び20−2の誤動作によりパワー半導体素子61が破壊されることを自ら防止することができる。ここで、パワー半導体素が駆動するアクチュエータはモータ8の他、ソレノイド、出力段に電源を供給するメインパワーリレー、出力回路からアクチュエータへの駆動電流を断続する出力リレー(モータ制御においては相電流リレー)であってもよい。
図6〜図9は比較照合回路10の種々のパターンを示す変形実施例である。図6は比較器11でマイクロプロセッサ20−1,20−2の出力21−1,21−2を比較する比較照合回路の第1のパターンを示す変形実施例である。本例はマイクロプロセッサ20−1,20−2で同一の処理を実行し、その結果を比較することで正常であることを保証するために好適である。なお比較器11は比較器自身の故障を検出することができるセルフチェッキング型の比較器であることが望ましい。
図7は演算器12でマイクロプロセッサ20−1,20−2の出力21−1,21−2を演算し、その結果と定数13とを比較器11で比較する第2のパターンを示す。なお、演算器12は加減乗除の四則演算のほかに排他的論理和(Exclusive OR)などの論理演算でもよい。本例は、マイクロプロセッサ20−1,20−2間で、互いに与えられた値と所定の演算を施すと定数となる変数を求める問題を出題しあって、その結果が正解であることにより正常であることを保証するために好適である。
図8はマイクロプロセッサ20−1,20−2の出力21−1または21−2の一方と定数13とを演算器12で演算し、その結果と出力21−1または21−2の他方と比較器11で比較する第3のパターンを示す。本例は、マイクロプロセッサ20−1,20−2間で、互いに定数と所定の演算を施すと与えられた値となる変数を求める問題を出題しあって、その結果が正解であることにより正常であることを保証するために好適である。
図9はマイクロプロセッサ20−1,20−2の出力21−1、21−2双方と定数13、13’との演算を演算器12、12’で実行し、その結果を比較器11、で比較する第4のパターンを示す。本例は、マイクロプロセッサ20−1,20−2間で、互いに定数と所定の演算を施すと、与えられた値と定数と所定の演算を施した値になる変数を求める問題を出題しあって、その結果が正解であることにより正常であることを保証するために好適である。また、マイクロプロセッサ20−1,20−2の出力をそれぞれ識別するために固有の演算を施したり、または固有のシグナチャで演算する場合にも有効である。
図10は比較照合回路10でマイクロプロセッサ20−1及び20−2の出力21−1,21−2を比較照合して得られた比較照合回路10の比較照合結果19のマイクロプロセッサ制御への適用に関する第6の実施例である。半導体チップ2に含まれるマイクロプロセッサ20−1,20−2のいずれかからの出力22は比較照合結果19により制御される遮断手段としてのスイッチ23を経て出力24となる。ここで、比較照合結果19が正常を示しているときにはスイッチ23は閉じて出力22が出力24となる。比較照合結果19が異常を示しているときにはスイッチ23は開いて出力24は停止する。本実施例によれば、マイクロプロセッサ20−1及び20−2に異常があった場合には出力24を停止して、システム及び制御対象を安全な状態に保つことが可能である。
図11はインバータ30によりモータ600を制御する第7の実施例である。本実施例では、比較照合回路10の比較照合結果19で論理スイッチ2を制5御してアクチュエータの一つであるインバータ30への駆動信号を断続させる。また比較照合結果19でリレー50によりインバータ30の電力供給を断続させたり、リレー60によりインバータ30からモータ600への駆動電流を断続させる構成としている。本実施例によれば、マイクロプロセッサ20−1及び20−2に異常があった場合には、何重もの安全機構によりモータ600を停止して、システム及び制御対象をより確実に安全な状態に保つことが可能である。
また図12は、ダブルチップ構成の冗長回路における第8の実施例であり、半導体チップ2に含まれるマイクロプロセッサ20−1,20−2のいずれかからの出力22と、もうひとつの半導体チップ2’に含まれるマイクロプロセッサ20−1’,20−2’のいずれかからの出力22’とを比較照合回路10の比較照合結果19により制御される選択手段としてのスイッチ26により切り替えて出力24とする実施例である。
本実施例によれば、マイクロプロセッサ20−1及び20−2に異常があった場合にはマイクロプロセッサ20−1’及び20−2’の出力22’を用いてシステム及び制御対象の動作を継続させることができる。
また、図13の第9の実施例に示すように比較照合結果19だけでなく、比較照合回路10’でマイクロプロセッサ20−1’及び20−2’の出力21−1’,21−2’を比較照合して得られた比較照合結果19’をも用いてスイッチ26を制御することも可能である。
図14は比較照合回路を含む半導体チップ1と冗長化したマイクロプロセッサを含む半導体チップ2とを配線基板8上にベアチップ実装した第10の実施例である。本実施例により、半導体チップ1と冗長化したマイクロプロセッサを含む半導体チップ2の間の故障波及を防止することと、システムの小型軽量化を両立させることができる。半導体チップ1と半導体チップ2はベアチップであるため、外気に触れて酸化したり吸湿したりして特性が劣化しないように図示しない気密封止、トランスファーモールド、ゲル充填などにより外気を遮断して半導体チップを保護する。
図15は、半導体チップ1内に比較照合回路10を有した上で、さらに半導体チップ2に第2の比較照合回路70を設けた第11の実施例を示す。本実施例はチップ全体に亘らない故障については第2の比較照合回路70によりマイクロプロセッサの高速動作に追従した異常検出を実現することができ、さらにチップ全体に亘る故障については半導体チップ1に設けた比較照合回路10により全体への波及の影響を防止できるという本発明固有の効果が得られる。
本発明の第1の実施例をしめすブロック図である。 比較照合回路を電源回路と同一半導体チップに実装した第2の実施例を示すブロック図である。 比較照合回路をドライバ回路と同一半導体チップに実装した第3の実施例を示すブロック図である。 比較照合回路出力でチャージポンプを駆動する第4の実施例を示すブロック図である。 比較照合回路をパワー半導体と同一チップに実装した第5の実施例を示すブロック図である。 比較照合回路の第1のパターンを示すブロック図である。 比較照合回路の第1のパターンを示すブロック図である。 比較照合回路の第1のパターンを示すブロック図である。 比較照合回路の第1のパターンを示すブロック図である。 比較照合結果のシステム出力への適用に関する第6の実施例を示すブロック図である。 比較照合結果のシステム出力への適用に関する第7の実施例を示すブロック図である。 比較照合結果のシステム出力への適用に関する第8の実施例を示すブロック図である。 比較照合結果のシステム出力への適用に関する第9の実施例を示すブロック図である。 配線基盤上にベアチップ実装した第10の実施例を示すブロック図である。 冗長化システムを有する半導体チップに比較照合回路を設けた本発明の第11の実施例を示すブロック図である。
符号の説明
1 半導体チップ
2 半導体チップ
2’ 半導体チップ
3 電源回路半導体チップ
4 ドライバ回路半導体チップ
5 インバータ
6 パワー半導体素子半導体チップ
61 パワー半導体素子
10 比較照合回路
10’ 比較照合回路
20-1 マイクロプロセッサ
20-2 マイクロプロセッサ
23 スイッチ
25 論理スイッチ
26 スイッチ
30 電源回路
55 インバータ
31 ウォッチドッグタイマ
41 プリドライバ回路
42 チャージポンプ
50 リレー
60 リレー
70 比較照合回路

Claims (22)

  1. 同一の機能を有する機能ブロックを第1の半導体チップ内に少なくとも2つ冗長に有し、前記機能ブロックの出力を照合する第1の比較照合手段を第2の半導体チップ内に設け、前記第1の半導体チップ内に、前記複数の機能ブロックの出力を照合する第2の比較照合手段を設け、前記第1の比較照合手段の出力を交番信号としたことを特徴とするチップ内冗長化による高信頼システム。
  2. 前記第1及び第2の比較照合手段は、前記機能ブロックが実行した特定の演算結果を比較照合することを特徴とする請求項1記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  3. 前記機能ブロックがマイクロプロセッサからなることを特徴とする請求項1または2記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  4. 前記機能ブロックがマイクロプロセッサからなり、前記第2の半導体チップが前記高信頼システム内の周辺回路を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  5. 前記機能ブロックがハードロジック回路からなることを特徴とする請求項1または2記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  6. 前記第2の半導体チップが前記高信頼システム内の周辺回路を有することを特徴とする請求項5記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  7. 前記第2の半導体チップが、前記マイクロプロセッサに電力を供給する電源回路を有することを特徴とする請求項3または4記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  8. 前記第2の半導体チップが、前記マイクロプロセッサへのリセット信号、またはノンマスカブルインタラプト信号を出力する出力制御手段を有することを特徴とする請求項3または4記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  9. 前記第1の比較照合手段は前記出力制御手段を有し、前記第1の比較照合手段は前記機能ブロックの出力が合致しなかった場合には前記第1の比較照合手段から前記マイクロプロセッサへリセット信号またはノンマスカブルインタラプト信号を出力することを特徴とする請求項8記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  10. 前記第2の半導体チップが、前記出力制御手段としてウォッチドッグタイマ手段を有し、ウォッチドッグタイマ手段は前記マイクロプロセッサから規定の周期で信号が到達しなかった場合、前記マイクロプロセッサへリセット信号またはノンマスカブルインタラプト信号を出力することを特徴とする請求項8または9記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  11. 前記第2の半導体チップが、前記複数のマイクロプロセッサのいずれかの出力に基づきパワー半導体素子を駆動するドライバ回路を有することを特徴とする請求項3または4記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  12. 前記機能ブロックの出力が合致しなかった場合には前記ドライバ回路の動作を停止させる前記第1の比較照合手段を備えたことを特徴とする請求項11記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  13. 前記ドライバ回路に印加される電源電圧よりも高い電圧を前記ドライバ回路に供給する昇圧回路を有し、前記機能ブロックの出力が合致しなかった場合には前記昇圧回路の動作を停止させる前記第1の比較照合手段を備えたことを特徴とする請求項12記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  14. 前記第2の半導体チップに、前記複数のマイクロプロセッサのいずれかからの出力に基づき、アクチュエータを駆動するパワー半導体素子を有することを特徴とする請求項3または4記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  15. 前記複数のマイクロプロセッサの出力が合致しなかった場合には前記パワー半導体素子の動作を停止させる前記第1の比較照合手段を備えたことを特徴とする請求項14記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  16. 前記複数のマイクロプロセッサのいずれかからの出力を遮断する遮断手段を有し、前記複数のマイクロプロセッサの出力が合致しなかった場合には前記遮断手段により前記マイクロプロセッサのいずれかからの出力を抑止させる前記第1及び第2の比較照合手段を備えたことを特徴とする請求項3または4記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  17. 前記機能ブロック出力の遮断手段を有し、前記機能ブロックの出力が合致しなかった場合には前記高信頼システムから外部への出力回路からアクチュエータへの出力を遮断する前記第1及び第2の比較照合手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  18. 前記高信頼システムから外部への出力回路への電力供給を遮断する遮断手段を有し、前記機能ブロックの出力が合致しなかった場合には前記出力回路への電力供給を停止させる前記第1及び第2の比較照合手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  19. 同一の機能を有する機能ブロックを第3の半導体チップ内に2つ冗長に有し、前記第1の半導体チップ内の前記機能ブロック出力が合致しなかった場合、前記第3の半導体チップの出力を前記高信頼システムの出力とする選択手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  20. 同一の機能を有する機能ブロックを第3の半導体チップ内に少なくとも2つ冗長に有し、前記第3の半導体チップ内の前記機能ブロックの出力を比較照合する前記第2の比較照合手段を第4の半導体チップ内に有し、前記第1の半導体チップ内の前記機能ブロックからの第1の出力と前記第3の半導体チップ内の前記機能ブロックからの第2の出力から一方を選択して前記高信頼システムの出力とする選択手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
  21. 同一の機能を有する機能ブロックを第1の半導体チップ内に少なくとも2つ冗長に有し、前記機能ブロックの出力を比較照合する第1の比較照合手段を第2の半導体チップ内に備え、前記第1の半導体チップの前記機能ブロックと同一機能を有する機能ブロックを第3の半導体チップ内に少なくとも2つ冗長に有し、前記第3の半導体チップ内の前記機能ブロックの出力を比較照合する第2の比較照合手段を第4の半導体チップ内に有し、前記第1の半導体チップ内の前記機能ブロックのいずれかからの第1の出力と前記第3の半導体チップ内の前記機能ブロックのいずれかからの第2の出力から一方を選択して高信頼システムの出力とする選択手段を備え、前記第1の半導体チップまたは前記第3の半導体チップの出力のうち前記機能ブロックのすべての出力が合致した半導体チップの出力を前記選択手段で選択して出力することを特徴とするチップ内冗長化による高信頼システムの制御方法。
  22. 前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを配線基板上に実装し、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップと前記配線基板とを同一パッケージに封止したことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のチップ内冗長化による高信頼システム。
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