JP5057457B2 - 磁気光学材料及びその製造方法 - Google Patents
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Description
そのため、AD法によれば低い温度条件と高い成膜速度で各種基材上に厚い酸化膜を作成することができる。さらに、この方法は複数の組成を持つ結晶微粒子を原材料として利用することが可能であり、従来法(スパッタリング、ゾル-ゲル、CVD など)と比較してコーティング処理の前後において開始物質の組成が変化せず保持されるという特徴がある。このため、AD法を利用して、従来の技術では得られなかった新規な磁気光学特性を有する材料を製造することが期待されている。
1.基板表面に、チタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中に0.001〜1重量%のコバルト超微粒子を分散させた薄膜を形成した光透過性の磁気光学材料。
2.前記コバルト超微粒子の平均粒子径が20〜150nmであることを特徴とする1に記載の磁気光学材料。
3.前記磁気光学材料の光透過率が20〜80%であることを特徴とする1又は2に記載の磁気光学材料。
4.チタン酸ジルコン酸鉛微粉末結晶とコバルト超微粒子を均一に混合してなる原料粉末をキャリアガス中に浮遊させて、常温で基板の表面に吹き付けることにより常温衝撃固化現象を利用して基板表面で接合させて、コバルト超微粒子をチタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中に均一に分散させることを特徴とする1〜3のいずれかに記載された磁気光学材料の製造方法。
5.前記チタン酸ジルコン酸鉛の平均粒子径が200〜500nmであり、前記コバルト超微粒子の平均粒子径が20〜50nmであることを特徴とする4に記載された磁気光学材料の製造方法。
6.さらに、得られた磁気光学材料を100〜800℃でアニーリング処理することを特徴とする4又は5に記載された磁気光学材料の製造方法。
図 1は、本発明において、AD法を用いて本発明の磁気光学材料を製造するプロセスを説明する模式図である。本発明では、チタン酸ジルコン酸鉛微粉末結晶2とコバルト超微粒子1を均一に混合してなる原料複合粉末3をキャリアガス中に浮遊させて、常温で基板23の表面に吹き付けることにより常温衝撃固化現象を利用して基板表面で接合させて、コバルト超微粒子1をチタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス2中に均一に分散させた薄膜4を得る。
この方法によれば、5 nm から 200 nm に及ぶ各種サイズのナノ磁性粒子に適用が可能である。また、沈積層の構造が複数成分を持つ粉体の構造と類似しているため、誘電体マトリックス中にナノ磁性粒子を良好に分布させることが容易である。したがって、ホストマトリックス粒子と混合する当該ナノ磁性粒子の量をコントロールすることだけで、ホストマトリックス中に分散するナノ磁性粒子の濃度を所望の値に調節することができる。
この装置では、キャリアーガスを内蔵するガスボンベ11は、質量流量コントローラ12を備えた搬送管13を介してエアロゾルチャンバー(ガラスボトル)14に接続されている。エアロゾルチャンバー14内に原料複合粉末15を入れ、20Torr程度の真空に排気した後、キャリアガスとして窒素の流量を制御しながら導入する。エアロゾルチャンバー14を加振器(図示せず)により振動させることで、気体中に原料粉末15の微粒子を分散させたエアロゾルを発生させ、キャリアガスによりフィルター16及び分別器17を備えた搬送管18を介して、成膜チャンバー20に搬送する。成膜チャンバー20は、排気管25を介してメカニカルバスターポンプ26及びロータリーポンプ27により所定の真空度に排気される。成膜チャンバー20内では、ノズル21から支持台24に固定された基板23に粉末ビーム22を吹き付けることで、基板23の表面に薄膜を形成する。
アニーリング温度は置かれた環境とアニーリング方法により異なる。たとえば、標準的な炉を用いるアニーリングでは 100〜800℃ の範囲の温度(好ましくは 400-600℃ 程度)を用いる。アニーリング時間は温度によって、例えば3〜10分間、あるいは更に長い時間を適用し、好ましくは酸化性の環境または真空条件でアニーリングを行う。 300〜900℃ の温度を用いて、20〜100 秒程度で行う迅速加熱アニーリングを適用することも可能である。さらに、比較的高い温度(600℃ 以上)で、短時間(30 秒未満)パルスレーザーを照射することによっても、アニーリングが可能である。このときの全圧は数 mTorr から 1.0 atm の範囲になると予想される。
(実施例1)
ナノ複合膜を作成するために、粉体 PZT(重量比でZr/Ti=52/48)とコバルトのナノ粒子(20- 50 nm)から金属-誘電体複合粉末を調製した。PZT のサイズは 200〜500 nm 程度であった。コバルトナノ粒子の濃度は0.005〜0.1wt% である。プロセス条件として 4-6 L/min のN2ガスを流して沈積時間を 3-5 分として、目的とする透明磁性ナノ複合層を室温でガラス基材上に直接成膜させた。得られた典型的なコバルトと PZT からなるナノ複合層の膜厚値は 1-10 μm であった。
図5から分かるように、本発明で得られた薄膜4は割れや亀裂を全く含まず、空孔のない稠密なコバルト/PZT ナノ複合膜である。また、図6において明るく表示されているコバルトナノ粒子1は 、PZTマトリックス2中で良好な空間分布を示している。コバルトナノ粒子1の大きさは 20 nm から 150 nm 未満までの範囲である。
図 7 に示すのはナノコバルトをそれぞれ 0.005、0.02、0.05、0.1 wt% 含んだコバルト/PZT ナノ複合膜の (a) 透過スペクトルと (b) 透過率をプロットしたグラフである。複合膜の透過スペクトルと、透過率は次のようにして測定した。
(光透過率の測定)
光透過率は、垂直入射条件において、日本分光の分光光度計(MV-2020)によって測定した。作製された成形体型光学材料薄膜の試料表面を研磨し、表面散乱の影響を極力除去している。
磁気光学測定は、偏光した直線偏光を垂直入射条件において入射させて、光の進行方向に沿って磁界を印加し、NEOARKのファラデー効果測定装置(BH−600LD2)によって測定した。
アニーリング温度は置かれた環境とアニーリング方法により異なる。たとえば、標準的な炉を用いるアニーリングでは 100〜800℃ の範囲の温度(好ましくは 400-600℃ 程度)を用いる。アニーリング時間は温度によって 3〜10分間、あるいは更に長い時間を適用し、好ましくは酸化性の環境または真空条件でアニーリングを行う。 300 から 900℃ の温度を用いて 20 から 100 秒程度で行う迅速加熱アニーリングを適用することも可能である。さらに、比較的高い温度(600℃ 以上)で短時間(30 秒未満)パルスレーザーを照射することによってもアニーリングが可能である。このときの全圧は数 mTorr から 1.0 atm の範囲になると予想される。
2 チタン酸ジルコン酸鉛微粉末
3、15 原料複合粉末
4 薄膜
11 ガスボンベ
12 質量流量コントローラ
13、18 搬送管
14 エアロゾルチャンバー
16 フィルター
17 分別器
20 成膜チャンバー
21 ノズル
22 粉末ビーム
23 基板
24 支持台
25 排気管
26 メカニカルバスターポンプ
27 ロータリーポンプ
Claims (6)
- 基板表面に、チタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中に0.001〜1重量%のコバルト超微粒子を分散させた薄膜を形成した光透過性の磁気光学材料。
- 前記コバルト超微粒子の平均粒子径が20〜150nmであることを特徴とする請求項1に記載の磁気光学材料。
- 前記磁気光学材料の光透過率が20〜80%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気光学材料。
- チタン酸ジルコン酸鉛微粉末結晶とコバルト超微粒子を均一に混合してなる原料粉末をキャリアガス中に浮遊させて、常温で基板の表面に吹き付けることにより常温衝撃固化現象を利用して基板表面で接合させて、コバルト超微粒子をチタン酸ジルコン酸鉛のマトリックス中に均一に分散させることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載された磁気光学材料の製造方法。
- 前記チタン酸ジルコン酸鉛の平均粒子径が200〜500nmであり、前記コバルト超微粒子の平均粒子径が20〜50nmであることを特徴とする請求項4に記載された磁気光学材料の製造方法。
- さらに、得られた磁気光学材料を100〜800℃でアニーリング処理することを特徴とする請求項4又は5に記載された磁気光学材料の製造方法。
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