JP5053884B2 - ステージ装置及び露光装置 - Google Patents

ステージ装置及び露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5053884B2
JP5053884B2 JP2008037682A JP2008037682A JP5053884B2 JP 5053884 B2 JP5053884 B2 JP 5053884B2 JP 2008037682 A JP2008037682 A JP 2008037682A JP 2008037682 A JP2008037682 A JP 2008037682A JP 5053884 B2 JP5053884 B2 JP 5053884B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
guide
pad
substrate
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008037682A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009200111A (ja
Inventor
智康 畑
真 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2008037682A priority Critical patent/JP5053884B2/ja
Publication of JP2009200111A publication Critical patent/JP2009200111A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5053884B2 publication Critical patent/JP5053884B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明はステージ装置及び露光装置に関する。
光源からの光を利用して原版(マスク又はレチクル)のパターンを基板に露光する露光装置は従来から知られている。原版や基板は専用のステージ装置に搭載されて移動及び位置決めされるが、高いスループットを確保するためには高速移動が要求され、高い重ね合わせ精度を維持するために高精度な位置決めが要求される。
一般に、ステージ装置は、被搭載物を搭載するステージと、ステージを案内するガイドを搭載した定盤と、ステージの底面に設けられたパッドとガイドとを重力方向に非接触で支持するエアベアリング(気体軸受又は空気軸受)機構とを有する。パッドとガイドが接触すると摩擦によりステージの円滑な運動が妨げられるので両者の接触を検出する検出手段を設け、検出手段が両者の接触を検出した場合にはステージを停止して原状回復するための必要な措置を採る必要がある。この点、特許文献1は、パッドとガイドを金属部材から構成して両者の電気的導通により両者の接触を検出している。また、特許文献2は、変位センサ、力センサ又はピエゾ歪センサを使用して両者の接触又は変形を検出している。
特開平02−51620号公報 特開2005−079373号公報
特許文献1のようにパッドとガイドを金属材料から構成すると接触時に一方又は両者が損傷する。これを防止するため、パッドを、例えば、柔らかい材料(絶縁体)から構成し、特許文献2のような変位センサを使用することも考えられるが、この方法は多数のセンサを必要とするために現実的ではない。
そこで、本発明は、パッド又はガイドが絶縁体であっても両者の接触を簡単に検出可能なステージ装置及び露光装置を提供することを例示的な目的とする。
本発明の一側面としてのステージ装置は、基準面を有する定盤と、被搭載物を搭載して前記基準面の上を移動可能なステージと、前記定盤に設けられ、前記ステージを案内するガイドと、前記ステージに設けられて前記ガイドに対向して気体を噴出するパッドを含み、前記ステージを前記ガイドから浮上した状態で支持可能な気体軸受と、前記ステージの駆動を規定するステージ制御部と、前記ステージの位置を検出する検出部と、前記ステージ制御部が規定した前記ステージの駆動状態と前記検出部の検出結果から前記パッドと前記ガイドとの摩擦力を状態方程式を使用して推定する外乱オブザーバと、前記外乱オブザーバが推定した摩擦力に基づいて前記パッドが前記ガイドに接触しないように前記気体の圧力を制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、パッド又はガイドが絶縁体であっても両者の接触を簡単に検出可能なステージ装置及び露光装置を提供することができる。
図1はステージ装置100のブロック図である。図1に示すように、ステージ装置100は、定盤101、ステージ102、ステージ制御部103、パッド104、ガイド105、外乱オブザーバ106、圧力制御部107、レギュレータ108、レーザ干渉計110、演算部111を有する。
定盤101は、床などに載置されて上面に水平面である基準面(XY平面)101aを有する。ステージ102は、被搭載物である原版又は基板を搭載して基準面101aの上を二次元的に(XY方向に)移動可能に構成され、パッド104及びガイド105により支持されている。ステージ102には、バーミラー109が搭載されている。レーザ干渉計(検出部)110は、バーミラー109と協働してステージ102のXYθ方向の位置を検出する。レーザ干渉計110の出力は外乱オブザーバ106と演算部111に送信される。
ステージ制御部103は、ステージ102のアクチュエータに与える、ステージ102の駆動を規定するための駆動指令値を生成及び送信する。ガイド105は、定盤101に設けられ、ステージ102をXY方向に案内する。図1においては、ガイド105はXY平面に延びているが、その形状は問わない。
ステージ装置は、ステージ102をガイド105から浮上した状態で支持可能に構成されている気体軸受を有する。気体軸受は、ステージ102に設けられてガイド105に対向して気体を図示しない一又は複数の噴出孔(図示しない)から噴出するパッド104を含む。噴出孔はガイド105に対向する面に設けられる。噴出孔には配管112が接続され、配管112を通じて空気、その他の気体(窒素など)が供給される。配管112には、レギュレータ108が設けられている。レギュレータ108は、気体(流体)の流量や圧力を圧力制御部107の制御の下で調節する。レギュレータ108は、パルスモータなどにより駆動可能である。気体の圧力はパッド104とガイド105との間の圧力でもあり、パッド104(ステージ102)の浮上量を決定する。気体の圧力が高すぎると浮上量が高すぎてステージ102の駆動応答性が低下する。圧力が低すぎると浮上量が低すぎてパッド104とガイド105とが接触する。
外乱オブザーバ106は、ステージ制御部103が規定したステージ102の駆動状態(位置、速度、加速度)とレーザ干渉計110の検出結果(位置、速度、加速度)からパッド104とガイド105との摩擦力を推定する。外乱オブザーバ106としては、数式1に示すような、外乱を新たな状態変数の一つとして加えている拡大系の状態方程式を使用する。
ここで、Mはステージ102の質量、pはレーザ干渉計110からの位置情報、uは駆動指令値、k1、k2、k3は外乱オブザーバ106のゲイン、
は、ステージ102の推定位置、推定速度、推定外乱(内部状態)である。
は、
の微分である。yは推定摩擦力である。
圧力制御部107は、外乱オブザーバ106が推定した摩擦力に基づいてパッド104がガイド105に接触しないようにパッド104に供給される気体の圧力を制御する。この結果、パッド104のガイド105からの浮上量は所期の範囲内に維持される。演算部111は、ステージの駆動状態に関する目標値とレーザ干渉計110の検出結果とを比較して比較結果をステージ制御部103に供給する。ステージ102は、レーザ干渉計110により測定された位置情報に基づいて、ステージ制御部103によりフォードバック制御され、目標値に等しくなるよう駆動される。
図2は、ステージ装置100の変形例としてのステージ装置100Aのブロック図である。ステージ装置100Aは、メモリ120を有する点でステージ装置100と相違する。ステージ102の各位置情報に対する摩擦力を外乱オブザーバ106を用いて予め測定し、メモリ120に記憶しておく。圧力制御部107は、圧力制御の遅れを補償するため、摩擦力情報に基づいてステージ102の各位置に対するパッド104の圧力をフィードフォワード的に制御する。
ステージ装置100及び100Aによれば、ステージ制御部103がステージ駆動用アクチュエータに与える駆動指令値とレーザ干渉計(検出部)110から検出されたステージ102の駆動状態から、外乱オブザーバ106により摩擦力を推定することができる。これにより、パッド104及びガイド105の少なくとも一方が絶縁体であっても、多数の変位センサなどを配置せずに、パッド104とガイド105間の接触状態を検出することができる。また、推定された摩擦力に基づいてパッド104とガイド105間の圧力を制御することにより、気体軸受に発生する摩擦力を低減し、パッド104とガイド105が齧ることのないステージ装置を実現することができる。
以下、ステージ装置を有する露光装置について説明する。露光装置は、図1に示すように、光源からの光を利用して原版Rのパターンを基板Wに露光する。露光装置は、照明装置1、原版ステージ2、投影光学系3、基板ステージ4を有し、ステップアンドスキャン方式で原版Rのパターンを基板Wに露光する。なお、本発明は、ステップアンドリピート方式の露光装置にも適用可能である。
照明装置1は、原版Rを照明し、光源と、照明光学系とを有する。光源は、レーザや水銀ランプを使用することができる。照明光学系は、原版Rを均一に照明する光学系である。原版Rは、回路パターン(又は像)を有し、原版ステージ2に支持及び駆動される。原版Rから発せられた回折光は、投影光学系3を通り基板W上に投影される。原版Rと基板Wは光学的に共役の関係にあり、原版Rと基板Wを縮小倍率比の速度比で同期走査することにより原版パターンを基板Wに転写する。投影光学系3は、原版パターンを基板Wに縮小倍率で投影する。投影光学系3は、屈折型光学系、反射屈折型光学系、反射型光学系のいずれも使用可能である。投影光学系3の基板Wに最も近い最終光学素子を液体に浸漬して液浸露光を実現してもよい。基板Wは、本実施例ではウエハであるが、別の実施例では液晶基板であり、被露光体を代表する。基板Wの表面にはフォトレジストが塗布されている。基板Wは基板ステージ4により、移動及び位置決めされる。
ステージ装置100又は100Aは、原版ステージ2又は基板ステージ4に適用可能である。ステージ装置100又は100Aにより、高い重ね合わせ精度を維持し、パッド104とガイド105の接触を防止して高いスループットを確保することができる。
次に、図4及び図5を参照して、露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図4は、半導体デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。ステップ1(回路設計)では、半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり,アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では,ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図5は、図4のステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光材を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置によってレチクルパターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では,現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では,エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれば、露光装置はスループットを上げることができる。このように、露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物(中間、最終生成物)としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
本発明の一側面のステージ装置のブロック図である。 図1に示すステージ装置の変形例のブロック図である。 図1又は図2に示すステージ装置を適用可能な露光装置のブロック図である。 図3に示す露光装置を用いたデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。 図4に示すステップ4の詳細なフローチャートである。
符号の説明
R 原版
W 基板
2 原版ステージ
3 投影光学系
4 基板ステージ
100、100A ステージ装置
101 定盤
102 ステージ
103 ステージ制御部
104 パッド
105 ガイド
106 外乱オブザーバ
107 圧力制御コントローラ
120 メモリ

Claims (4)

  1. 基準面を有する定盤と、
    被搭載物を搭載して前記基準面の上を移動可能なステージと、
    前記定盤に設けられ、前記ステージを案内するガイドと、
    前記ステージに設けられて前記ガイドに対向して気体を噴出するパッドを含み、前記ステージを前記ガイドから浮上した状態で支持可能な気体軸受と、
    前記ステージの駆動を規定するステージ制御部と、
    前記ステージの位置を検出する検出部と、
    前記ステージ制御部が規定した前記ステージの駆動状態と前記検出部の検出結果から前記パッドと前記ガイドとの摩擦力を状態方程式を使用して推定する外乱オブザーバと、
    前記外乱オブザーバが推定した摩擦力に基づいて前記パッドが前記ガイドに接触しないように前記気体の圧力を制御する圧力制御部と、
    を有することを特徴とするステージ装置。
  2. 前記外乱オブザーバが推定した摩擦力と前記検出部の検出結果とを記憶するメモリを更に有し、
    前記圧力制御部は前記メモリの情報に基づいて前記気体の圧力を制御することを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
  3. 光源からの光を利用して原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、
    前記原版又は前記基板を駆動する請求項1又は2に記載のステージ装置を有することを特徴とする露光装置。
  4. 請求項3に記載の露光装置を使用して基板を露光するステップと、
    露光された基板を現像するステップと、
    を有することを特徴とするデバイス製造方法。
JP2008037682A 2008-02-19 2008-02-19 ステージ装置及び露光装置 Expired - Fee Related JP5053884B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008037682A JP5053884B2 (ja) 2008-02-19 2008-02-19 ステージ装置及び露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008037682A JP5053884B2 (ja) 2008-02-19 2008-02-19 ステージ装置及び露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009200111A JP2009200111A (ja) 2009-09-03
JP5053884B2 true JP5053884B2 (ja) 2012-10-24

Family

ID=41143340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008037682A Expired - Fee Related JP5053884B2 (ja) 2008-02-19 2008-02-19 ステージ装置及び露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5053884B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009200111A (ja) 2009-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2466383B1 (en) Wafer table for immersion lithography
US8619258B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007103657A (ja) 光学素子保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2007335662A (ja) 露光装置
JP2000021702A (ja) 露光装置ならびにデバイス製造方法
TW201011476A (en) Projection system, lithographic apparatus, method of projecting a beam of radiation onto a target and device manufacturing method
JP2009016385A (ja) ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4479911B2 (ja) 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP6228878B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4717911B2 (ja) リソグラフィ装置および露光方法
JP2018189748A (ja) ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP4838834B2 (ja) サーボ制御システム、リソグラフィ装置および制御方法
JP5053884B2 (ja) ステージ装置及び露光装置
US11914307B2 (en) Inspection apparatus lithographic apparatus measurement method
JP5196669B2 (ja) リソグラフィ装置
JP2008159632A (ja) キネマティック保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2008113502A (ja) ステージ装置
CN112585539A (zh) 用于校准物体装载过程的平台设备和方法
US20080143995A1 (en) Moving apparatus
JP2011258602A (ja) 移動制御方法、露光方法、ステージ装置、露光装置、プログラム、記録媒体、及びデバイス製造方法
US11156924B2 (en) Substrate support, lithographic apparatus, substrate inspection apparatus, device manufacturing method
JP2011114314A (ja) 基板保持装置、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2023094329A (ja) 検出装置、露光装置及び物品の製造方法
JP2023528753A (ja) 高さ測定方法及び高さ測定システム
KR20200049538A (ko) 스테이지 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120626

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120726

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5053884

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees