JP5053050B2 - ハロゲン含有ガスの乾式処理装置及び乾式処理方法 - Google Patents
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このため、燃焼排ガスに対して10倍以上の高濃度となる塩化水素を含む熱分解ガス(未処理ガス)の乾式処理(高温下)では、吸収剤の表面に生成した反応生成物(CaCl2)が融解することによって、隣接する吸収剤粒子間で融着してガス流れを阻害する。他方、低温下および運転休止下等において、水蒸気雰囲気下になった場合は、未反応吸収剤の消化(消石灰化・水和石灰化)による粉化及び吸収剤の表面に生成したCaCl2が潮解して粒子間が溶着(固着)して乾式処理が阻害される現象を知見した。当該知見に基づき、所定温度範囲に温度を維持して乾式処理を行えば上記カルシウム成分の消化(水和石灰化)による粉化、および、融着ないし溶着が発生しないことを見出して、下記構成の酸性ガス(ハロゲン含有ガス)の乾式処理方法さらには処理装置に想到した(特許文献3参照)。
そして、上記構成の乾式処理方法に使用する乾式処理装置としては、例えば、図1に示すようなものがある。
吸収剤充填室と、前記ガス導入口を有するガス導入室と、前記ガス導出口を有するガス導出室とを備え、
前記吸収剤充填室は、ガス接触帯(反応帯)を形成可能に吸収剤が充填される構成を有し、
前記ガス導入室は、該ガス導入口から導入した未処理ガスが拡散して前記反応帯に面的に流入可能に、前記吸収剤充填室に接続され、
前記ガス導出室は、処理済みガスが前記反応帯から面的に流出して前記ガス導出口に集合可能に前記吸収剤充填室に接続されている、
ことを特徴とするハロゲン含有ガスの乾式処理装置。」
本発明は、当該先願発明の変形態様に係り、ハロゲン含有ガスの乾式処理に際しての多様な要請(熱エネルギー節減、脱ハロゲン率向上、異ハロゲン濃度ガスの同時処理、置換移動吸収剤のハロゲン吸収量の均一化)に応えるものである。
1) ハロゲンを含有する未処理ガスをガス導入口から導入し、塩基性の吸収剤と接触させて、脱ハロゲン処理をして処理済みガスとし、該処理済みガスをガス導出口から導出させる構成を備えたハロゲン含有ガスの乾式処理装置であって、
一個の立設平板状の吸収剤充填室、並びに、少なくとも一組の前記ガス導入口を有するガス導入室及び前記ガス導出口を有するガス導出室を備え、
前記吸収剤充填室は、上方に吸収剤供給手段を、下方に吸収剤排出手段をそれぞれ備え、前記吸収剤充填室内を置換移動する粒状吸収剤で吸収剤充填層を形成可能とされる構成を有するとともに、該吸収剤充填層に上・下反応帯が形成可能とされ、
該上・下反応帯は、前記吸収剤充填室において、前面および後面が上・下通気隔壁とされて形成されるとともに、該前面および後面の各上・下通気隔壁の間が非通気壁で連接され、さらに、
前記上・下反応帯は、それぞれ、被処理ガスが拡散して面的に流入して、該流入の幅・高さと同一幅・高さで、面的に流出可能に、かつ、導入ガスがショートパスしない距離を有するように前記非通気壁により形成される、ことを特徴とする。
上記各装置に係る発明を方法発明として表現した場合乃至各装置の使用態様を方法発明として表現した場合は、下記構成となる。当然各装置に対応する作用・効果を奏する。
前記ハロゲン含有ガス中におけるハロゲン成分の吸収除去を行って処理済みガスとするハロゲン含有ガスの乾式処理方法であって、
置換移動する粒状吸収剤で形成した立設平板状の吸収剤充填層に、それぞれ、被処理ガスを拡散させて面的に流入させて、該流入の幅・高さと同一幅・高さで処理済みガスを面的に流出可能に上・下反応帯を形成し、該上・下反応帯の前面および後面の各間を非通気壁により非通気とするとともに、前記上・下反応帯の距離を前記非通気壁により導入ガスがショートパスしないものとし、
前記下反応帯に高濃度のハロゲン含有ガスを、前記上反応帯に低濃度のハロゲン含有ガスを通過させる、ことを特徴とする。
熱分解室32は例えば、内部に抵抗発熱体31を備えた電気炉であり内部から加熱する方式である。加熱時には高温の水蒸気を封入しながら450℃〜550℃に維持する。すると、封入された水蒸気によって酸素は追い出され、無酸素状態での加熱となり被処理物(有機ハロゲン化合物)は炭化が促進される。また、水蒸気は空気に比べ保有熱量も大きいため真空中や空気中の場合より効率的且つ均一に加熱・炭化することが可能である。さらには、水蒸気封入により急激な燃焼による爆発の発生もおこらず、安全に炭化させることが可能である。熱分解室で加熱・炭化が進むと乾留ガス(熱分解ガス)が発生するが、この乾留ガスは、乾式処理装置112を経て燃焼(脱臭)室36で燃焼される。
乾式処理装置112においては、熱分解室(電気炉)32からでた乾留ガスを塩基性の吸収剤が乾式処理装置112(吸収剤充填室102)内に充填されて形成された反応帯124を通すことによりハロゲン成分が吸収除去される。ポリ塩化ビニル(PVC)などのプラスチック(有機ハロゲン化合物)から発生する塩素成分(ハロゲン成分)を含有する乾留ガス中の塩素系有機化合物は、熱分解室32に導入された水蒸気と反応して大部分がHClとなるが、一部はガス化した塩素系有機化合物(例えば、クロロフェノール、トリクロロエチレン、クロロベンゼン等)として残る。HClは、塩基性の吸収剤と中和反応するとともに、ガス化塩素系有機化合物も脱塩素反応により吸収除去される。
燃焼室36の内部は1000℃に制御されている。燃焼室36は熱分解室32よりも速く加熱され、乾式処理装置112で乾式処理された処理済ガスが導入される前にヒータ(電気ヒータ)35によって1000℃±10℃に温度制御した状態で加熱されており、ハロゲン成分が除去された処理済みガスと該ガスと所定混合比の空気の導入によって燃焼が始まり、高温で安定して完全燃焼され、ダイオキシン類などは完全に分解される。燃焼状態は酸素センサー(図示せず)によりモニタリングされており、適切な状態になるように導入空気の制御を行っている。さらに燃焼が開始されると発熱がおこるため自己燃焼熱によって炉の内部が高温に維持され、加熱はほとんど必要でなくなり、投入エネルギーが抑えられる。このため、比較的低ランニングコストで運転が可能である。
燃焼室36を経た燃焼ガスが流入する排ガス処理部は、散水管37を備えた急冷塔38、バグフィルター39を備えた集塵機40、及び触媒層41を備えた触媒塔42から構成されている。こうして、熱分解室32、乾式処理装置112と燃焼室36とを通過した排ガスを急冷した後、触媒塔42を通過させることにより、さらに安全性を高めている。
被処理ガス:塩素含有率:10000〜140000ppm、処理流量:100m3N/h
図3・・・上反応帯高さ:20cm、下反応帯:20cm、反応帯幅:40cm、反応帯厚み(羽板の幅を除く):20cm、
先願・・・反応帯高さ:56cm、反応帯幅:40cm、反応帯厚み(羽板の幅を除く):20cm、算定除去率99.96%
104・・・ガス導入室
104A・・・上ガス導入室
104B・・・下ガス導入室
105・・・ガス連通室(ガス連通路)
106・・・ガス導出室
106A・・・上ガス導出室
106B・・・下ガス導出室
112、112A・・・ハロゲン含有ガスの乾式処理装置
114・・・吸収剤供給手段(供給ホッパー)
116・・・吸収剤排出手段(スクリューコンベヤ)
118・・・ガス導入口
118A・・・上ガス導入口
118B・・・下ガス導入口
120・・・ガス導出口
120A・・・上ガス導出口
120B・・・下ガス導出口
124A・・・上反応帯
124B・・・下反応帯
R・・・吸収剤充填層
Claims (12)
- ハロゲンを含有する未処理ガスをガス導入口から導入し、塩基性の吸収剤と接触させて、脱ハロゲン処理をして処理済みガスとし、該処理済みガスをガス導出口から導出させる構成を備えたハロゲン含有ガスの乾式処理装置であって、
一個の立設平板状の吸収剤充填室、並びに、少なくとも一組の前記ガス導入口を有するガス導入室及び前記ガス導出口を有するガス導出室を備え、
前記吸収剤充填室は、上方に吸収剤供給手段を、下方に吸収剤排出手段をそれぞれ備え、前記吸収剤充填室内を置換移動する粒状吸収剤で吸収剤充填層を形成可能とされる構成を有するとともに、該吸収剤充填層に上・下反応帯が形成可能とされ、
該上・下反応帯は、前記吸収剤充填室において、前面および後面が上・下通気隔壁とされて形成されるとともに、該前面および後面の各上・下通気隔壁の間が非通気壁で連接され、さらに、
前記上・下反応帯は、それぞれ、被処理ガスが拡散して面的に流入して、該流入の幅・高さと同一幅・高さで、面的に流出可能に、かつ、導入ガスがショートパスしない距離を有するように前記非通気壁により形成される、
ことを特徴とするハロゲン含有ガスの乾式処理装置。 - 前記吸収剤充填室の前面側において、前記下反応帯に前記ガス導入室が接続されるとともに、前記上反応帯に前記ガス導出室が接続され、前記吸収剤充填室の後面側において、前記下反応帯と上反応帯の間にガス連通路が接続されていることを特徴とする請求項1記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- 前記上・下反応帯の温度制御を行う加熱手段を備えている、ことを特徴とする請求項2記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- 前記ガス導入室が、前記上・下反応帯にそれぞれ接続されて上・下ガス導入室とされるとともに、該上・下ガス導入室に対応して上・下ガス導出室が前記上・下反応帯を挟んで接続されていることを特徴とする請求項1記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- 前記下ガス導入室と前記上ガス導入室とが前記吸収剤充填室の反対面に接続されているとともに、前記下ガス導入室の下ガス導入口に高濃度のハロゲン含有ガスの第一供給配管が接続可能とされ、また、前記上ガス導入室の上ガス導入口に低濃度のハロゲン含有ガスの第二ガス供給配管が接続されていることを特徴とする請求項4記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- 前記ガス導入室が平板状とされ、前記ガス導入口を平板周面に有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- 前記吸収剤排出手段と接続される前記吸収剤充填室の吸収剤排出口を、前記吸収剤充填室の前面側に偏在させて形成するとともに、前記吸収剤充填室の後面下方部を前記吸収剤排出口に接続する傾斜壁で形成することを特徴とする請求項1〜6いずれか一記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- 前記吸収剤充填室が全体的に後傾されていることを特徴とする請求項7記載のハロゲン含有ガスの乾式処理装置。
- ハロゲンを含有する未処理ガスを塩基性の吸収剤で形成される反応帯に接触させて、
前記ハロゲン含有ガス中におけるハロゲン成分の吸収除去を行って処理済みガスとするハロゲン含有ガスの乾式処理方法であって、
置換移動する粒状吸収剤で形成した立設平板状の吸収剤充填層に、それぞれ、被処理ガスを拡散させて面的に流入させて、該流入の幅・高さと同一幅・高さで処理済みガスを面的に流出可能に上・下反応帯を形成し、該上・下反応帯の前面および後面の各間を非通気壁により非通気とするとともに、前記上・下反応帯の距離を前記非通気壁により導入ガスがショートパスしないものとし、
前記下反応帯に高濃度のハロゲン含有ガスを、前記上反応帯に低濃度のハロゲン含有ガスを通過させる、
ことを特徴とするハロゲン含有ガスの乾式処理方法。 - 前記上・下反応帯の温度を350℃以上に保持制御するとともに、前記下反応帯及び前記上反応帯へ相互に反対側面からガス導入をすることを特徴とする請求項9記載のハロゲン含有ガスの乾式処理方法。
- 高濃度のハロゲン含有ガスを前記下反応帯で一次処理して低濃度のハロゲン含有ガスとしたものを前記上反応帯に導入して二次処理をすることを特徴とする請求項9又は10記載のハロゲン含有ガスの乾式処理方法。
- 前記下反応帯に含ハロゲンの有機廃棄物の熱分解による熱分解ガス(高濃度ハロゲン含有ガス)を導入し、前記上反応帯に前記有機物の熱分解後の残渣燃焼による燃焼ガス(低濃度ハロゲン含有ガス)を導入して、それぞれ別系統の脱ハロゲン処理を行うことを特徴とする請求項9又は10記載のハロゲン含有ガスの乾式処理方法。
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