JP5036162B2 - 半導体超微粒子製造装置ならびにその製造方法 - Google Patents
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流体を均一に加熱、あるいは混合、反応させることが容易となり、均質な半導体超微粒子を容易に作製することができる。また、反応路1の最大幅Wを2T以上とすることで、反応路1の断面積を増加させることができるため、容易に大量の半導体超微粒子を作製することができる。しかも、反応路1の最小幅Tは、1mm以下を維持しているため反応路1内での温度差や、混合、反応の偏りがほとんどなく、半導体超微粒子の生成量を増加させたとしても半導体超微粒子の均質性が劣化することがない。
6族元素との化合物、酸化マンガン(II)(MnO)等の周期表第7族元素と周期表第16族元素との化合物、硫化モリブデン(IV)(MoS2)、酸化タングステン(IV)(WO2)等の周期表第6族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化バナジウム(II)(VO)、酸化バナジウム(IV)(VO2)、酸化タンタル(V)(Ta2O5)等の周期表第5族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化チタン(TiO2、Ti2O5、Ti2O3、Ti5O9等)等の周期表第4族元素との周期表第16族元素との化合物、硫化マグネシウム(MgS)、セレン化マグネシウム(MgSe)等の周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化カドミウム(II)クロム(III)(CdCr2O4)、セレン化カドミウム(II)クロム(III)(CdCr2Se4)、硫化銅(II)クロム(III)(CuCr2S4)、セレン化水銀(II)クロム(III)(HgCr2Se4)等のカルコゲンスピネル類、バリウムチタネート(BaTiO3)等が挙げられる。
2・・・反応路部材
3a・・第一の反応路壁
3b・・第二の反応路壁
5・・・反応路側壁
7・・・入口、供給口
9・・・出口、排出口
11・・・接続部材
13・・・供給流路
15・・・排出流路
Claims (5)
- 内部が流体の流れる反応路とされた反応路部材と、該反応路部材を加熱する加熱装置とを具備してなり、前記反応路の入口の断面積が、出口の断面積よりも大きく、前記反応路における最小幅Tが1mm以下であり、前記反応路における最大幅WがW≧2Tを満たしていることを特徴とする半導体超微粒子製造装置。
- 前記反応路が、互いに対向する第1の反応路壁および第2の反応路壁と、前記第1の反応路壁および前記第2の反応路壁に狭持され、互いに対向する反応路側壁とによって形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体超微粒子製造装置。
- 前記第1の反応路壁および前記第2の反応路壁の少なくともいずれかの前記反応路側の面に、前記流体の流れ方向に沿った溝が形成されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体超微粒子製造装置。
- 前記反応路部材の入口側に、前記流体を加圧する加圧装置を具備していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体超微粒子製造装置。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体超微粒子製造装置を用いて、加熱された前記反応路に、半導体原料が配位性有機化合物に溶解された前記流体を流通させて熱分解させることによって半導体超微粒子を生成することを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。
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