JP5032496B2 - スタック型太陽電池装置 - Google Patents

スタック型太陽電池装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5032496B2
JP5032496B2 JP2008544055A JP2008544055A JP5032496B2 JP 5032496 B2 JP5032496 B2 JP 5032496B2 JP 2008544055 A JP2008544055 A JP 2008544055A JP 2008544055 A JP2008544055 A JP 2008544055A JP 5032496 B2 JP5032496 B2 JP 5032496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
rod
light
type
solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008544055A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008059593A1 (ja
Inventor
仗祐 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyosemi Corp
Original Assignee
Kyosemi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyosemi Corp filed Critical Kyosemi Corp
Publication of JPWO2008059593A1 publication Critical patent/JPWO2008059593A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5032496B2 publication Critical patent/JP5032496B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281Shape of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20Optical components
    • H02S40/22Light-reflecting or light-concentrating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は太陽光のスペクトルのうちの広範囲の波長成分を有効利用する為に、感度波長帯域の異なる複数の太陽電池モジュールを積層したスタック型太陽電池装置に関し、特に半導体の禁止帯幅が大きい太陽電池モジュール、つまり、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するにように積層したスタック型太陽電池装置に関する。
太陽電池装置を普及させる為には、太陽電池叉は太陽電池モジュールの利便性、光電変換効率、製作コスト、品質の安定性、寿命、太陽電池製造に要するエネルギー消費量、使用後の廃棄処理などが重要な要素である。
太陽電池としては、(A)平面受光形の太陽電池、(B)粒状の太陽電池セルを複数行複数列にパネル状に配置した太陽電池、(C)複数のファイバー形太陽電池セルをパネル状に配置した太陽電池、(D)タンデム形太陽電池、(E)スタック形太陽電池、などが公知である。
前記(B)の太陽電池は、例えば、WO02/35613 号公報、WO03/017383号公報、WO 03/036731号公報、WO2004/001858号公報などに提案されている。前記(C)の太陽電池は、例えば、米国特許第 3,984,256号、米国特許第5,437,736 号公報などに提案されている。前記(D)のタンデム形の太陽電池は、平面受光形の太陽電池セル単独の光電変換効率の向上を図る為に、太陽光スペクトルの感度波長帯域を複数に区切り、各感度波長帯域に最適な禁止帯幅を持つ半導体でpn接合を作り、これを共通の半導体基板上に連続的に結晶成長させたものである。
前記(E)のスタック形太陽電池は、太陽光スペルトルの利用効率と光電変換効率を高める為に、太陽光スペクトルの感度波長帯域ごとに最適な禁止帯幅の半導体を用いて作った太陽電池セルで平板形の太陽電池モジュールを製作し、複数種類の太陽電池モジュールを上下方向に積層したものである。
前記(A)〜(E)の太陽電池において、レンズや反射器によって太陽光を集光してエネルギー密度を上げる技術も採用されている。この場合は、光電変換効率を向上できるだけでなく、比較的小さい受光面積で高い出力が得られるため、太陽電池のコストを下げることが可能である。これらの技術については既に多くの学術文献や特許公報で開示されている。
例えば、太陽電池においてレンズで集光する技術については、米国特許第4,834,805 号、第4,834,805 号、第4,638,110 号などに開示されている。 集光により太陽電池セルの温度が上昇し、光電変換効率が下がり、太陽電池モジュールが劣化しやすくなるため、集光により発生した熱をいかに効率よく放熱するかが重要になる。米国特許第5,482,568 号、第6,252,155 号、第6,653,551 号、第6,440,769 号では、複数のコーン形状の反射面の底部に太陽電池セルを収容しその反射面により集光し、発生した熱を放熱させる構造を採用した太陽電池が開示されている。
しかし、従来のタンデム型太陽電池やスタック型太陽電池は、受光面が平面で、しかも表面からのみ受光するため、周囲の多方向から来る反射散乱光に対し効果的な光電変換が出来ない。その上、太陽電池に形成された複数の平面状のpn接合は、同一面積の単一のpn接合であり、それらは直列接続されている。そのため、タンデム型太陽電池またはスタック型太陽電池を構成する複数のpn接合中の最も出力電流が小さいpn接合によって出力電流が制限されるため、本来、単独では高い出力電流が出せるpn接合はその出力を最大限発揮できないという問題がある。
しかも、タンデム型太陽電池では、共通の半導体基板上に異なる禁止帯幅の異なる格子定数の半導体結晶を薄膜成長させ、各層にpn接合と異なるトンネル接合を成形しなければならない。異種半導体の連続的成長の為には格子定数を整合させる必要があり、選択できる半導体に制約があり、また、薄膜結晶成長において精密な組成などの制御が必要で製造装置や作業にかかる費用が高くなる。
複数種類の太陽電池モジュールを機械的にスタックする波長分割型のスタック型太陽電池では、トンネル接合を形成したり格子定数を整合させる必要はないが、複数の平板形の単一のpn接合の太陽電池をスタックする際、太陽電池モジュールの電極の配置や太陽電池モジュールの間隔と平行度を精密に設定しないと電極による遮蔽や表面の反射によって出力が低下するおそれがある。
以上のような従来のスタック形太陽電池が持つ問題を解決するため、本願発明者は、WO 2005/088733号公報に示すように、平面受光形の太陽電池モジュールと、禁止帯幅が異なる半導体で作った多数の球状太陽電池セルを複数行複数例に組み込んだ複数種類の太陽電池モジュールを独立に製作し、これら太陽電池モジュールを、禁止帯幅が大きいモジュールほど太陽光の入射光側となるように積み重ねたスタック型太陽電池を提案した。
このスタック型太陽電池において、禁止帯幅が異なる半導体で構成された互いに独立した太陽電池モジュールを直列接続するに当たって各太陽電池モジュールを流れる電流の大きさが揃うように太陽電池セルの直列数と並列数を選択し、全体の出力を最大化できるようにした。
WO 02/35613 号公報 WO 03/017383号公報 WO 03/036731号公報 WO 2004/001858号公報 米国特許第 3,984,256号公報 米国特許第5,437,736 号公報 米国特許第4,834,805 号公報 米国特許第4,834,805 号公報 米国特許第4,638,110 号公報 米国特許第5,482,568 号公報 米国特許第6,252,155 号公報 米国特許第6,653,551 号公報 米国特許第6,440,769 号公報 WO 2005/088733号公報
しかし、前記のスタック型太陽電池においては、球状太陽電池セルの数が多くなると必然的にセルを電気的に接続する箇所が多くなるため、結線のコストを含む組み立てコストが高価になり、装置の信頼性が低下しやすくなる。また、多数の球状太陽電池セルを最大限稠密に配置しても埋まらない隙間が発生し、特にレンズで集光した光を受光する場合、隙間を通過する光を十分に利用できないという欠点があった。
本発明の目的は、部分円筒形のpn接合と帯状の1対の電極を有する複数のロッド形太陽電池セルからなる少なくとも1種類の太陽電池モジュールを組み込んだスタック型太陽電池装置を提供すること、ロッド形太陽電池セルを用いて太陽電池セルの数と結線個所の数を少なくして組み立てコストを低減可能なスタック型太陽電池装置を提供すること、レンズと反射面による集光により光電変換効率を向上させ且つ製作コストを低減可能なスタック型太陽電池装置を提供すること、金属製の外装ケースにより放熱性を向上できるスタック型太陽電池装置を提供すること、などである。
本発明に係るスタック型太陽電池装置は、複数の太陽電池モジュールを電気的に直列接続し且つ複数層に積層したスタック型太陽電池装置において、前記複数の太陽電池モジュールは、感度波長帯域の異なる複数種類の太陽電池モジュールであって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された複数種類の太陽電池モジュールからなり、少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面上に平行に配列した複数のロッド形の太陽電池セルを夫々組み込んだ複数のロッド受光形サブモジュールで構成され、前記ロッド形の太陽電池セルは、p形叉はn形の半導体からなる円形叉は部分円形の断面を有するロッド形の半導体結晶からなる基材と、前記基材の表面層のうちの前記基材の軸心と平行な帯状部分を除く部分に形成され且つ前記基材の導電形とは異なる導電形の別導電層と、前記基材と別導電層とで形成された部分円筒形のpn接合と、前記基材の帯状部分の表面にオーミック接続された帯状の第1電極と、前記基材の軸心を挟んで第1電極と反対側において前記別導電層の表面にオーミック接続された帯状の第2電極とを備え、前記ロッド受光形サブモジュールは、複数のロッド形の太陽電池セルを、第1,第2電極を結ぶ導電方向を水平方向に揃えて平面上に平行に配列し且つ隣接するロッド形の太陽電池セルの第1,第2電極を当接状態に接続することにより、複数のロッド形太陽電池セルを電気的に直列接続して構成され、前記複数のロッド受光形サブモジュールは、前記ロッド形の太陽電池セルの長手方向と平行な方向に平面上に直列的に配置され且つ電気的に並列接続され、下方へ凹入した凹部を有する金属板製の外装ケースを設け、前記外装ケースの凹部は、その幅が上方程広くなるような実質的に逆台形断面を有し、この凹部の1対の側壁と底壁の内面は複数の太陽電池モジュールへ光を反射集光する為の光反射面に形成され、前記複数種類の太陽電池モジュールは出力電流が等しくなるように夫々構成され且つ前記外装ケースの凹部にこの外装ケースに対して絶縁状態となるように積層状態にして収容されたことを特徴とするものである。
ロッド形太陽電池セルは、ロッド形の基材と、基材の導電形と異なる導電形の別導電層と、部分円筒形のpn接合と、基材の軸心を挟んでセルの両端に設けられpn接合に接続された帯状の第1,第2電極とを有するため、pn接合の各点から第1,第2電極までの距離をほぼ一定の小さな値に維持できる。そのため、pn接合の全体が均等に光起電力を発生するので、ロッド形太陽電池セル光電変換効率を高く維持することができる。
複数のロッド形太陽電池セルを平行に並べ、第1,第2電極を介して直列接続したロッド受光形サブモジュールを構成する場合に、基材の直径を変えることで複数のロッド形太陽電池セルの数を変えて、サブモジュールで発生する電圧を変えることができる。
複数のロッド受光形サブモジュールからなる太陽電池モジュールでは、複数のロッド受光形サブモジュールを並列接続する構成を採用し、その並列接続されるサブモジュールの数を変えることにより、太陽電池モジュールで発生する電流を変えることができる。
ロッド形太陽電池セルでは、その軸心方向の長さを基材の直径の数倍〜十数倍の大きさに設定することができるため、粒状の太陽電池セルと比較して、受光面積を格段に大きくすることができるうえ、複数のロッド形太陽電池セルを稠密に平行に並べてロッド受光形サブモジュールを構成することができ、太陽光の投射面積に対する受光面積の割合を大きくし、太陽光を受光する受光効率を高めることができる。
しかも、ロッド受光形サブモジュールでは、複数の粒状の太陽電池セルを組み込んだサブモジュールと比較して、太陽電池セルを電気的に接続する結線個所の数を格段に少なくすることができるため、その結線コストを含むサブモジュールの組み立てコストを大幅に低減することができる。
この太陽電池装置は、感度波長帯域の異なる複数種類の太陽電池モジュールであって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された複数種類の太陽電池モジュールを備えているため、太陽光のスペクトルのうちの広い波長範囲の太陽光を光電変換することができる。
波長の短い光ほど透過性が弱いため、上記のように感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように複数種類の太陽電池モジュールを積層することで、各太陽電池モジュールの光電変換効率を高めることができる。
この太陽電池装置において、上下方向に積層される複数種類の太陽電池モジュールを直列接続し、それらの出力電流をほぼ同じ電流に揃えることで、複数種類の太陽電池モジュールの発電能力を最大限発揮させることができる。
少なくとも1種類の太陽電池モジュールを複数のロッド受光形サブモジュールで構成するため、各サブモジュールにおけるロッド形太陽電池セルの直列接続数を変えることで、ロッド受光形サブモジュールの出力電圧を調整でき、複数のロッド受光形サブモジュールを並列接続する並列接続数を変えることで、その太陽電池モジュールの出力電流を調整できるため、上下方向に積層される複数種類の太陽電池モジュールの出力電流を揃えやすくなる。
本発明の従属請求項の構成として、次のような種々の構成を採用してもよい。
(1)少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面状のpn接合を有する平面受光形太陽電池セルで夫々構成された複数の平面受光形サブモジュールで構成された。
(2)3種類の太陽電池モジュールを備え、2種類の太陽電池モジュールは複数のロッド受光形サブモジュールで夫々構成され、1種類の太陽電池モジュールは複数の平面受光形サブモジュールで構成され、複数の平面受光形サブモジュールで構成された太陽電池モジュールが最上段位置に配置された。
(3)各ロッド受光形サブモジュールと各平面受光形サブモジュールは、太陽光を受光する受光面積が等しくなるように形成された。
(4)ロッド受光形サブモジュールにおける複数のロッド形太陽電池セルは、第1,第2電極を結ぶ導電方向を水平方向に揃えて平行に配置されると共に、第1,第2電極を介して電気的に直列接続された。
(5)太陽電池モジュールを構成する複数のロッド受光形サブモジュールを並列接続し且つ一体的に連結する1対の第1の接続ロッドを設けると共に、太陽電池モジュールを構成する複数の平面受光形サブモジュールを並列接続し且つ一体的に連結する2対の第2接続ロッドを設けた。
(6)前記外装ケースは、前記凹部の幅方向に水平に並べた平行な複数の凹部を有し、複数の凹部の各々に複数種類の太陽電池モジュールを積層状態にして収容した
(7)複数の太陽電池モジュールよりも太陽光入射側に、複数の太陽電池モジュールの方へ太陽光を集光する集光機能を持つレンズ部を有するレンズ部材を設けた。
(8)前記外装ケースの複数の凹部内の隙間に透明合成樹脂製の封止材が充填され、前記外装ケースとレンズ部材とでパッケージされた。
(9)前記外装ケースの底壁には、上方へ所定小高さ突出する台形状の突出台が形成された。
(10)前記外装ケースの凹部の端部を塞ぐ側栓ブロックを設け、この側栓ブロックに前記第1,第2の接続ロッドの端部を挿入して電気的に接続する複数の金属製の接続パイプを設け、これら接続パイプを側栓ブロックの外側へ突出させて外部端子に構成した。
本発明の実施例に係る太陽電池装置に組み込まれる平面受光形太陽電池セル(サブモジュール)の平面図である。 図1のII−II線断面図である。 図1の太陽電池セルの底面図である。 ロッド形太陽電池セルの斜視図である。 ロッド形太陽電池セル32の断面図である。 図5の太陽電池セル32の右側面図である。 図5の太陽電池セル32の左側面図である。 ロッド形太陽電池セル52の断面図である。 図5の太陽電池セル52の右側面図である。 図5の太陽電池セル52の左側面図である。 太陽電池ユニットの分解斜視図である。 太陽電池装置の平面図である。 図12のXIII−XIII線断面図である。 図12のXIV−XIV 線断面図である。 図13のXV−XV線断面部分図である。 側栓ブロックの斜視図である。 側栓ブロックの正面図である。 太陽電池装置の要部拡大断面図である。 太陽電池装置の等価回路図である。 太陽電池スペクトルと太陽電池装置の分光感度特性の説明図である。 変更例に係るロッド形太陽電池セルの斜視図である。
1 太陽電池装置
2 外装ケース
2a 側壁
2b 底壁
2c 突出台
3 凹部
4 太陽電池ユニット
5 カバーガラス(レンズ部材)
5a レンズ部
6 側栓ブロック
10 平面受光形太陽電池モジュール
11 太陽電池セル(サブモジュール)
20a,20b 接続ロッド
20A,20B 接続パイプ
30 太陽電池モジュール
31 ロッド受光形サブモジュール
32 太陽電池セル
33 基材
35 p形GaAs層(別導電層)
36 p形GaAlAs層
37 pn接合
38 負電極
39 正電極
40a,40b 接続ロッド
40A,40B 接続パイプ
50 太陽電池モジュール
51 ロッド受光形サブモジュール
52 太陽電池セル
53 基材
55 n形Ge拡散層(別導電層)
56 pn接合
57 正電極
58 負電極
60a,60b 接続ロッド
60A,60B 接続パイプ
63 封止材
本発明に係る太陽電池装置は、複数の太陽電池モジュールを複数層に積層したスタック型太陽電池装置において、感度波長帯域の異なる複数種類の太陽電池モジュールであって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された複数種類の太陽電池モジュールを備え、少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、複数のロッド形の太陽電池セルを夫々組み込んだ複数のロッド受光形サブモジュールで構成され、ロッド形の太陽電池セルは後述のような特有の構成を有する。
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明する。
図11〜図15に示すように、この集光型のスタック型太陽電池装置1は、金属板製の外装ケース2と、この外装ケース2の3つの凹部3に夫々収容されたスタック型太陽電池ユニット4と、凹部3内に充填された封止材63(図13では図示省略)と、この太陽光入射側に配置されたカバーガラス5と、外装ケース2の凹部3の端部に配置された側栓ブロック6などで構成されている。
スタック型太陽電池ユニット4は、感度波長帯域の異なる3種類の太陽電池モジュール10,30,50であって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された3種類の太陽電池モジュール10,30,50を備えている。第1の太陽電池モジュール10は、平面受光形太陽電池セルである平面受光形サブモジュール11を5個並列接続したものであり、最上段に配置されている。
第2の太陽電池モジュール30は、4つロッド形太陽電池セル32を直列接続したロッド受光形サブモジュール31を5個並列接続したものであり、最上段の次の段に配置されている。第3の太陽電池モジュール50は、8つのロッド形太陽電池セル52を直列接続したロッド受光形サブモジュール51を5個並列接続したものであり、最下段に配置されている。太陽電池ユニット4において、3種類の太陽電池モジュール10,30,50は所定の小間隔を空けて平行に配置されている。
最初に、平面受光形サブモジュール11について図1〜図3に基づいて説明する。
この平面受光形サブモジュール11は、平面受光形のGaAsP/GaP太陽電池セルで構成されている。このGaAsP/GaP太陽電池セルは、周知のオレンジ色光を発する発光ダイオードの製造方法と同様の方法で製作することができる。
GaAsP/GaP太陽電池セル(サブモジュール11)では、n形のGaP単結晶のウエハを基板12として用い、この基板12上に例えば気相エピタキシャル成長法(VPE)によってn形のGaAsP層13を成長させる。この場合、n形GaP基板12の表面から徐々にPに対するAsの割合を増やす傾斜層を形成しながら、最終的に組成が一定のn形のGaAs0.40.6層13を成長させる。 次にn形GaP基板12の下側表面に不純物拡散の為の拡散マスクとしてシリコン窒化膜(Si34)を被着した後、GaAsP層13の表面全体にp形不純物である亜鉛を拡散して深さ0.5〜1.0μmまでp形のGaAs0.40.6層14とし平面状のpn接合15を形成する。
次にn形のGaP基板12の下側表面のシリコン窒化膜を除去した状態で、その下側表面にAu−Geを蒸着すると共に、p形のGaAs0.40.6層14の表面にAu−Znを蒸着し、フォトエッチングすることにより、図1、図3に示すように、GaAsP/GaP太陽電池セル11の上下両面に細長い矩形スリット状の複数のスリット窓16,17が上下両面に対向するように形成され、次にシンタリングによりそれぞれの表面にオーミック接続された正電極18と負電極19を設ける。尚、図示省略したが、正負の電極18,19を除く表面の全域をSiO2などの反射防止膜(図示略)で覆う。
図11に示すように、第1の太陽電池モジュール10は、例えば5枚のサブモジュール11を正電極18を上面側にし、スリット窓16,17の方向を揃えて平面上に1列に並べて並列接続したものである。この第1の太陽電池モジュール10を組み立てる場合、銅またはニッケル・鉄合金製の直径0.5〜1.0mmの棒材からなる接続ロッド20a,20bを4本準備し、5つのサブモジュール11の一端部に上下1対の接続ロッド20a,20bを配置すると共に他端部に上下1対の接続ロッド20a,20bを配置する。
5つのサブモジュール11の上面側の正電極18の両端部を正極リードとしての1対の接続ロッド20aにハンダ叉は導電性接着剤で電気的に接続し、5つのサブモジュール11の下面側の負電極19の両端部を負極リードとしての1対の接続ロッド20bにハンダ叉は導電性接着剤で電気的に接続する。
前記サブモジュール11におけるGaAsP層13とpn接合15は、気相エピタキシャル成長法に限らず、有機金属化学気相成長法(MOCVD)、モルキュラービームエピタキシャル成長法(MBE)により形成することもできる。また、必要に応じて、p形のGaAs0.40.6層14の上にPの割合を高くした薄いp形のウインドウ層を追加的に設け、表面での発生キャリヤーの再結合速度を少なくして光電変換効率の向上を図ることも有効である。
GaAsP/GaP太陽電池セルからなる平面受光形サブモジュール11は、図20に曲線Aで示す分光感度範囲(波長感度帯域)内の光を吸収して光電変換するが、それよりも長い波長の光は、GaAsP/GaP太陽電池セル11のスリット窓16,17を透過して下方へ進む。このサブモジュール11のサイズは、例えば、縦7mm、横6mm、厚さ0 .4mm程度である。
但し、大きなサイズの共通のGaP基板12上に多数の太陽電池セルを同時に形成し、その後上記のサイズの太陽電池セルに分割してセル生産の生産性を上げることができる。その場合、大きなサイズのGaP基板12を用いて大きなサイズの単一の太陽電池セルを作るよりも、部分的に特性が悪い部分を除くことができ、基板12の割れにより太陽電池セル全体が不良化することがなく、高価な化合半導体を有効利用することができる。
次に、第2,第3の太陽電池モジュール30,50のロッド受光形サブモジュール31,51に採用するロッド形太陽電池セル32,52の構造を説明する為に、これらと同構造のロッド形太陽電池セル70ついて説明する。
図4に示すように、ロッド形太陽電池セル70は、断面円形のロッドにしたSi、Geなどの単一元素から成る半導体結晶、叉はIII −V族元素やII−VI族元素などの化合物半導体結晶を基材71にして製作する。
このロッド形の半導体結晶は、例えば、GeやSiでは、ロッド形の種結晶を坩堝の細径のノズルを通じて融液(メルト)とコンタクトさせ、上方へ引き上げ叉は下方に引き下げながら、冷却して単結晶のロッドを細長く連続的に成長させる方法で製作する。Si、Ge、GaAs,GaSbなどの半導体では、この方法により直径0.5〜2.5mmの単結晶のロッドを製造することができる。
しかし、このような細径のロッド形結晶を成長させることが難しい材料では、バルク結晶から機械的に切りだしてロッド形に加工してもよい。この細長いロッド形の半導体結晶は、その直径の約3倍〜10倍程度の長さに分断して、ロッド形太陽電池セル70を作る半導体結晶基材とする。尚、前記約3倍〜10倍の長さに限定される訳ではなく、基材71の直径の10倍以上叉は数10倍の長さに分断してもよい。この分断の際にはロッドの軸心に対して垂直に切断する。ロッド形太陽電池セル70は、上記の断面円形のロッド形の半導体結晶を基材として以下のように製作する。
最初に、例えば、図4に示すように、n形半導体結晶の基材71を準備し、次にその基材71の表面部分の一部を軸心と平行に切断して軸心と平行な帯状の平坦面72(帯状部分)を形成する。尚、この平坦面72の幅は基材71の直径の0.4〜0.6倍程度とする。次に、この平坦面72とその両側近傍部分を除いて、基材71の表面層に部分円筒状のp形層73(別導電層)を設け、部分円筒状のpn接合74を基材71の全長にわたって形成する。基材71の平坦面72にはn形半導体結晶(基材71)にオーミック接続され且つ基材71の軸心と平行な帯状の負電極75を形成する。基材71の軸心を挟んで負電極75と反対側においてp形層73の表面にオーミック接続され且つ基材71の軸心と平行な帯状の正電極76を形成する。次に、正負の電極76,75以外の表面の全面を透明な絶縁性反射防止膜77で被覆する。
このロッド形太陽電池セル70においては、正負の電極76,75と平坦面72及びその近傍部分を除く表面の大部分が受光可能な表面であり、平坦面72を除いて、基材71の軸心78に直交する方向から見た投影断面積はほぼ一定であり、直射光に対する受光面積は入射角度によらずほぼ一定である。pn接合74の各点P,Q,Rから正負の電極76,75を結ぶ直線の距離の和(a+b),(a’+b’),(a”+b”)はほぼ一定であり、pn接合74を流れる電流分布の対称性、均一性に優れ、入射光に対する指向性が少なく、高効率の光電変換が可能になる。
但し、基材をp形半導体で構成し、その表面層に部分円筒状のn形半導体層(別導電層)を形成してもよい。ロッド形太陽電池セル70のpn接合74を形成する形成方法として、公知の選択的な不純物拡散、イオン注入、気相または液相エピタキシャル成長法を活用できる。電極形成、反射防止膜形成についても公知の技法を利用して設けることが可能であり、その詳細な説明は省略する。
次に、第2の太陽電池モジュール30のロッド受光形サブモジュール31に採用するロッド形太陽電池セル32について図5〜図7に基づいて説明する。
GaAsロッド形太陽電池セル32の基材33として、断面が円形のn形GaAs単結晶に基材33の軸心と平行な帯状の平坦面34を形成したものを準備する。この基材33の表面のうちの平坦面34とその両側近傍部をSi34被膜でマスクした状態で、基材33の表面にGaを溶液とするGaAsのメルトを高温でコンタクトさせてから降温し、基材33の表面のうちのマスクしない部分円筒面上に均一な厚みのn形のGaAs層(図示略)をエピタキシャル成長させる。
次に、GaAsメルトを取替えて、亜鉛をドープしたGa0.8Al0.2Asのメルトをコンタクトさせながらさらに降温させ、p形のGa0.8Al0.2As層36を連続的に成長する。 このp形のGa0.8Al0.2As層36を成長させている間にGa0.8Al0.2Asのメルトから亜鉛が前記部分円筒形のn形GaAs層の途中の深さまで熱拡散してp形GaAs層35(別導電層)が形成され、このp形GaAs層35と隣接するn形GaAs層との境界に部分円筒形のpn接合37が形成される。
こうして、例えば、直径約1 .7mmの細径のn形GaAs単結晶からなる基材33の表面層のうち前記マスクをしない部分円筒状の領域に、厚さ20〜50μmのn形GaAs層(図示略)と、1〜2μmのp形のGaAlAs層36を連続的に成長させるとともに両者の成長界面からn形GaAs層側の0.5〜1.0μmの位置までp形GaAs層35が形成され、エピタキシャル成長により形成したn形GaAs層(図示略)とp形GaAs層35との境界に部分円筒形のpn接合37を形成する。p形のGaAlAs層36は、光が透過するウインドウ層として機能し、また、p形GaAs層35とGaAlAs層36の境界面のヘテロ接合により、太陽電池セル32の表面における少数キャリァの再結合速度が小さくなり、GaAs太陽電池セルの光電変換効率が向上する。
次に、前記Si34被膜のマスクを化学的エッチングにより除去し、基材33のn形GaAs層の表面を平坦面34に露出させ、n形GaAs層が露出している平坦面34に基材33の軸心と平行な帯状の負電極38であってn形GaAs層に電気的に接続された負電極38を形成する。基材33の軸心を挟んで負電極38と反対側において、p形GaAlAs層36の表面に、負電極38と平行な帯状の正電極39を設ける。この正負の電極39,38の形成の際、p形GaAlAs層36の表面にはZnをドープした金、平坦面34に露出したn形GaAs層の表面にはGeをドープした金を、それぞれ蒸着しシンターして、p形GaAlAs層36にオーミックコンタクトされた正電極39と、基材33にオーミックコンタクトされた負電極38とする。尚、正負の電極39,38は数μmの厚さの電極である。こうして、ロッド形太陽電池セル32の連続体を製作することができる。
次に、このロッド形太陽電池セル32の連続体をワイヤソウなどの切断装置を用いて例えば長さ約8mm毎に切断して、ロッド形太陽電池セル32とする。複数のロッド形太陽電池セル32を耐酸性ワックスで束ねてから切断表面を露出させ、薬品でエッチングして酸化被膜を形成して端面におけるpn接合37の表面のリーク電流を少なくする。なお、図示省略したが、正負の電極39,38を除く全表面をSiO2などの反射防止膜(図示略)で覆いロッド形太陽電池セル32を完成させる。 図20には、このロッド形GaAs太陽電池セル32の分光感度特性が曲線Bで図示されている。
但し、上記の例では、pn接合37を形成する際にSi34被膜のマスクを採用したが、断面円形のn形GaAs単結晶からなる基材を採用し、この基材の全表面に、前記と同様にしてn形GaAs層、Znをドープしたp形GaAlAs層を形成して、円筒形のpn接合を形成し、その後基材の軸心と平行な帯状部分を切削加工により除去して平坦面34を形成し、軸心と平行な帯状のn形GaAs層を露出させ、その平坦面34に帯状の負電極38を形成してもよい。
図11に示すように、ロッド受光形サブモジュール31を製作する際には、4つのロッド形太陽電池セル32を正電極39から負電極38に向かう導電方向を揃えて水平方向に向け、それら太陽電池セル32を平面上に近接状に平行に配置する。次に、隣接する太陽電池セル32の正負の電極39,38を当接させてハンダ叉は導電性接着剤により接着することによりサブモジュール31製作する。
第2の太陽電池モジュール30は、例えば、5つのサブモジュール31を、導電方向と軸心方向を揃えて平面上に1列に並べて並列接続した構造のものである。この第2の太陽電池モジュール30を組み立てる場合、銅またはニッケル・鉄合金製の直径0.5 〜1.0 mmの棒材からなる2本の接続ロッド40a,40bを準備し、5つのサブモジュール31の両端側に1対の接続ロッド40a,40bを配置して、サブモジュール31の一端側の正電極39を正極リードとしての接続ロッド40aにハンダ叉は導電性接着剤で電気的に接続すると共に、サブモジュール31の他端側の負電極38を負極リードとしての接続ロッド40bにハンダ叉は導電性接着剤で電気的に接続する。
次に、第3の太陽電池モジュール50のロッド受光形サブモジュール51に採用するロッド形太陽電池セル52について図8〜図10に基づいて説明する。
最初に、Geロッド形太陽電池セル52の基材53として、直径が0.9mm程度の断面円形のロッド形のp形Ge単結晶に基材53の軸心と平行な帯状の平坦面54を形成したものを準備する。上記のロッド形Ge単結晶は、例えばゲルマニウムを融かしたグラファイト製の坩堝の底のノズルで細径の種結晶をゲルマニウムの融液とコンタクトさせて下方に引きだすようにして作る。それを一定の直径の円柱になるように表面の凹凸をなくすように研磨し薬品でエッチングする。
その後、この基材53の表面のうち、平坦面54とその両側近傍部をSi34被膜でマスクした状態で、ロッド形のp形ゲルマニウムをアンチモンを含むガス雰囲気中で加熱して表面から深さ0.5〜1.0μmのn形拡散層55(別導電層)を設けて部分円筒形のpn接合56を形成する。その後、Si34被膜からなるマスクをエチッングで除去し、p形Geが露出している平坦面54の中央部に錫を含む銀を蒸着し、軸心を挟んで反対側のn形Geからなる拡散層55の表面にアンチモンを含む銀を蒸着し、シンタリングを行ない、p形Ge層が露出している平坦面54にオーミックコンタクトされた帯状の正電極57と、n形の拡散層55にオーミックコンタクトされた帯状の負電極58を設ける。尚、正負の電極57,58は数μmの厚さの電極である。こうして、ロッド形太陽電池セル52の連続体を製作する。
次に、このロッド形太陽電池セル52の連続体をワイヤソウなどの切断装置を用いて長さ約10mm毎に切断し、太陽電池セル52とする。この太陽電池セル52を複数個耐酸性ワックスで束ねて周面をマスクし切断した表面を公知の技法による化学薬品でエッチングして酸化被膜を形成し切断面におけるpn接合56のリーク電流を少なくする。図20には、このGeロッド形太陽電池セル52の分光感度特性が曲線Cで図示されている。
尚、上記の例では、pn接合56を形成する際にSi34被膜のマスクを採用したが、断面円形のp形Geロッドの全表面に円筒形のpn接合を形成し、その後ロッド形Ge単結晶の表面部分のうちの軸心と平行な帯状部分を切削加工により除去することにより、軸心と平行な帯状の平坦面54を形成し、この平坦面54にp形Ge基材を露出させ、この平坦面54に帯状の正電極57を設け、この正電極57と反対側においてn形Ge層に接続された帯状の負電極58を設けてもよい。
図11に示すように、ロッド受光形サブモジュール51を製作する際には、8つのロッド形太陽電池セル52を正電極57から負電極58に向かう導電方向を揃えて水平方向に向け、それらの太陽電池セル52を平面上に近接状に平行に配置する。次に、隣接する太陽電池セル52の正負の電極57,58を当接させてハンダ叉は導電性接着剤により接着することによりサブモジュール51を製作する。尚、サブモジュール11,31,51はそれらの縦、横の寸法、つまり受光面積が等しく、叉はほぼ等しくなるように構成されている。
第3の太陽電池モジュール50は、例えば、5つのサブモジュール51を、導電方向と軸心方向を揃えて平面上に1列に並べて並列接続した構造のものである。この第3の太陽電池モジュール50を組み立てる場合、銅またはニッケル・鉄合金製の直径0.5 〜1.0 mmの棒材からなる2本の接続ロッド60a,60bを準備し、5つのサブモジュール51の両端側に1対の接続ロッド60a,60bを配置して、サブモジュール51の一端側の正電極57を正極リードとしての接続ロッド60aにハンダ叉は導電性接着剤で電気的に接続すると共に、サブモジュール51の他端側の負電極58を負極リードとしての接続ロッド60bにハンダ叉は導電性接着剤で電気的に接続する。
次に、以上説明したサブモジュール11,31,51を組み込んだ集光型のスタック型太陽電池装置1の構造について説明する。
図12〜図18に示すように、このスタック型太陽電池装置1は、例えば3組の太陽電池ユニット4を有し、これら3組の太陽電池ユニット4は、外装ケース2と、6つの側栓ブロック6と、カバーガラス5でパッケージされている。
外装ケース2は、ステンレス鋼の薄板(厚さ0.5〜1.5mm)をプレス成型して平面視にて長方形に製作される。外装ケース2には、樋状の3つの凹部3がその幅方向に並べて平行に形成され、各凹部3はその幅が上方ほど広くなる実質的に逆台形断面を有し、太陽電池ユニット4へ光を集光するため、凹部3の1対の側壁2aと底壁2bの内面は光反射面に形成され、底壁2bの両端部分を除く部分には上方へ所定小高さ突出する断面台形状の突出台2cが形成されている。
凹部3の側壁2aと底壁2bの表面は、光反射効果の高めるため鏡面加工されるか、叉は銀などの金属皮膜が形成され、叉は酸化マグネシュウム粉末が付着させてある。隣接する凹部3の1対の側壁2aの上端部には共通の水平な支持部2dが形成されている。外装ケース2の左右端部分には、平坦なフランジ部2eとこのフランジ部2eの端部から所定高さ垂直に立ち上った囲い壁2fが形成されている。
側栓ブロック6は、白色の絶縁性のセラミック材料で構成され、外装ケース2の凹部3の両端部に夫々装着される。図16、図17に示すように、側栓ブロック6には、太陽電池モジュール10,30,50の接続ロッド20a,20b,40a,40b,60a,60bの端部が夫々挿入される複数の金属製の接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bが予め図示のように設けられ、これら接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bは、側栓ブロック6の内側へ所定長さ突出すると共に、側栓ブロック6の外側へ所定長さ突出している。上記の接続パイプはFe58%−Ni42%合金などで構成され、側栓ブロック6を気密に貫通している。
各太陽電池ユニット4において、太陽電池モジュール10,30,50を直列接続するため、側栓ブロック6の外面側には、接続ロッド20b,40aが挿入される接続パイプ20B,40Aを直列接するコネクタ61と、接続ロッド40b,60aが挿入される接続パイプ40B,60Aを直列接するコネクタ62とが設けられている。
図12〜図14、図18に示すように、カバーガラス5は透明なガラス材料で構成され、カバーガラス5は、3つの凹部3に向けて夫々集光する3つの部分円筒形のレンズ部5aと、外装ケース2の左右両端部のフランジ部2eに固定する為の左右1対の平板部5bと、凹部3の上端部に嵌合する逆台形状の高さの小さな嵌合部5cと、外装ケース2の2つの支持部2dに係合する2つの係合溝5dとを有し、カバーガラス5の下面はほぼ平坦に形成されている。
次に、スタック型太陽電池装置1の組み立て方法について説明する。
各凹部3の後端部分に側栓ブロック6を予め接着した状態において、太陽電池モジュール50の接続ロッド60a,60bの後端側部分を上記側栓ブロック6の接続パイプ60A,60Bに夫々挿入し、太陽電池モジュール30の接続ロッド40a,40bの後端側部分を上記側栓ブロック6の接続パイプ40A,40Bに夫々挿入し、太陽電池モジュール10の接続ロッド20a,20bの後端側部分を上記の側栓ブロック6の接続パイプ20A,20Bに挿入し、太陽電池モジュール10,30,50を平行な水平姿勢に保持する。
次に、太陽電池モジュール10,30,50の接続ロッド20a,20b,40a,40b,60a,60bの前端側部分を、前方側の側栓ブロック6の接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bに夫々挿入してから、その側栓ブロック6を凹部3の前端部分に位置決めして接着する。こうして、各太陽電池ユニット4の太陽電池モジュール10,30,50は、外装ケース2の凹部3内に所定の小間隔を空けた状態にして上下方向に積層(段重ね)される。
その後、接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bをカシメることにより、これら接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bと接続ロッド20a,20b,40a,40b,60a,60bを電気的に接続する。但し、導電性接着剤にて接着することで電気的に接続してもよい。尚、接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bは、外部端子としても活用される。
次に、太陽電池モジュール10,30,50を収容した凹部3の中に透明な合成樹脂(例えば、シリコンゴムなど)を充填後、脱泡して加熱キュアを行って合成樹脂を重合させて、全部のサブモジュール11,31,51を合成樹脂封止材63内に埋め込んだ状態にする。その後、カバーガラス5の下面に透明なシリコン樹脂などを塗布してから、カバーガラス5を上方から被せ、支持部2dを係合溝5dに係合させて接着し、平板部5bをフランジ部2eに接着する。カバーガラス5と外装ケース2及び合成樹脂封止材63との間の隙間は透明なシリコン樹脂64で封止される。
次に、図12〜図14に示すように、左右両端部においてカバーガラス5の平板部5bと外装ケース2のフランジ部2eとを4本のボルト65とナット66で夫々締結する。このボルト締結部では、ブチルゴム製のパッキング67とワッシャ68を介して締結する。
次に、以上説明した太陽電池装置1の作用について説明する。
図19は、前記スタック型太陽電池ユニット4の等価回路を示す図であり、前記太陽電池セル11,32,52をダイオード11A,32A,52Aで図示してある。太陽電池モジュール10,30は、前後両側において接続パイプ20B,40Aを電気的に接続するコネクタ61により直列接続されている。
太陽電池モジュール30,50は、前後両側において接続パイプ40B,60Aを電気的に接続するコネクタ62により直列接続されている。なお、中央の1組の太陽電池ユニット4に対して、図13、図14における左右両側の太陽電池ユニット4は、接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60Bとリード線を介して並列接続されている。接続パイプ20Aに接続されたリード線の中央部に正極端子80が形成され、接続パイプ60Bに接続されたリード線の中央部に負極端子81が形成されている。
図20に図示の太陽電池セル11,32,52の分光感度特性のように、太陽電池セル11,32,52の種類によってその光電気変換ができる感度波長帯域とエネルギー密度が異なる。地上における太陽光のエネルギー密度は100mW/cm2であり、この太陽光による太陽電池セル単独の開放電圧は、GaAsP/GaP太陽電池セル11(サブモジュール)で約1.2ボルト、GaAs太陽電池セル32で約0.9ボルト、Ge太陽電池セル52で約0.4ボルトである。
太陽電池モジュール10,30,50が直列接続されている関係上、仮に、太陽電池モジュール0,30,50の出力電流に大きなバラツキがある場合には、出力電流が最少となる太陽電池モジュールの出力電流の制約を受け、それ以外の太陽電池モジュールもそれ以上の出力電流を発生することができない。そこで、この太陽電池装置1では、GaAsP/GaP太陽電池セル11は受光面積あたりの出力電流が最も小さいため、他のサブモジュール31,51の出力電流の大きさをGaAsP/GaP太陽電池セル11の出力電流の大きさとほぼ等しくし、太陽電池モジュール10,30,50の出力電流がほぼ同じ値になるように設定している。そのため、太陽電池セル11、32、52は、それぞれの発電能力を最大限発揮することができる。
太陽電池モジュール10においては、サブモジュール11の数(並列接続数)を増減すことにより出力電流を増減させることができ、また、サブモジュール11の受光面積を増減することにより出力電流を増減させることができる。太陽電池モジュール30,50においては、サブモジュール31,51の数(並列接続数)を増減すことにより出力電流を増減することができ、また、サブモジュール31,51に組み込む太陽電池セル32,52の数(直列接続数)を増減することによりサブモジュール31,51の出力電圧を増減することができる。
この集光型の太陽電池装置1においては、カバーガラス5のレンズ部5aによる屈折と外装ケース2の反射集光による集光作用を利用し、小型の太陽電池モジュール10,30,50で大きな出力が得られる。図18は、中央の1組の太陽電池ユニット4を例として、その集光作用を説明する図である。太陽の直射光がカバーガラス5に対して垂直に入射すると光はレンズ部5aにより屈折を受けて集光する。 多くの直射光は、最上部のGaAsP/GaP太陽電池セル11(サブモジュール11)の表面に入射し、図20の曲線Aの感度波長帯域の光が吸収され、それよりも長い波長の光がその下のGaAs太陽電池セル32からなるサブモジュール31の表面に入射する。
このサブモジュール31によって、図20の曲線Bの感度波長帯域の光が吸収され、それよりも長い波長の光がその下のGe太陽電池セル52からなるサブモジュール51の表面に入射し、図20の曲線Cの感度波長帯域の光が吸収され、それよりも長い波長の光がその下の突出台2cの表面に入射し反射や吸収が生じる。それぞれの太陽電池セル11,32,52において吸収された光から電気エネルギーに光電変換され、各太陽電池モジュール10,30,50の外部端子80,81から電気的出力が得られる。
レンズ部5aを透過した光がGaAsP/GaP太陽電池セル11(サブモジュール11) の表面に直接入射せずに傾斜した側壁2aに入射する光は、そこで反射されてサブモジュール31,51の表面に入射する。その表面でそのまま吸収されるほかに反射して他の方向に向かう光も生じる。この光は外装ケース2、側栓ブロック6、カバーガラス5、各サブモジュール11,31,51の間を多重反射してからサブモジュール11,31,51の表面に到達した光が吸収され光電変換される。
サブモジュール11,31,51同士の間、及びGeサブモジュール51と突出台2cとの間には小さな間隔があり、光が進入できる。その光は、ロッド形の太陽電池セル32,52の表面が円筒面であるため、受光面が平面である太陽電池セル11よりも吸収される割合が高く、この太陽電池装置1の出力アップが達成されている。
なお、図18では、図面作成上、凹部3の側壁2aは平面的に描かれているが、反射光の多くが効果的に太陽電池セル11、31,51に集光するよう曲面形状に設計してもよい。また、GaAsサブモジュール31とGeサブモジュー51は、そこを透過する波長の光(吸収できない波長の光)に対してレンズ部5aのように集光する作用を持つので、集光した光がその先の太陽電池サブモジュールに入射するよう太陽電池セルの配置を光学的見地から工夫することができる。
太陽電池モジュール10,30,50で光電変換されない光エネルギーは、熱エネルギーに変換される。この熱エネルギーによって太陽電池セル11,32,52の温度が上昇すると光電変換効率が低下する。そのため外装ケース2の放熱能力あげて温度上昇を少なくすることが重要である。そこで本実施例では、外装ケース2を樋状にして表面積を大きくし太陽電池セル11,32,52から発生した熱を外部に放熱しやすくしている。なお、外装ケース2の外側を囲む表面にカバー部材(図示略)を設けてダクトを形成し、外装ケース2とカバー部材の間に冷却媒体を流通させるように構成し、冷却効果を高めることもできる。
ここで、入射光のスペクトル分布は、場所や天候の状態によって変動するため、スタック型太陽電池装置1を構成する太陽電池セルの出力電流も変動する。これに対応してサブモジュール11,31,51の並列接続数、直列接続数を変更し、全体の出力の最大化を維持するように構成することも可能である。太陽電池モジュール10,30,50には、それぞれ独立した外部端子(接続パイプ)を有するので、並列接続数、直列接続数を変更する複数の電子スイッチ装置を設け、それら電子スイッチ装置のオン・オフを制御することにより、スペクトル変動に応じて自動的に出力の最大化を図ることも可能である。
また、太陽電池モジュール10,30,50に外部端子としての接続パイプを設けてあるため、状況が変化する太陽光に対して、各太陽電池モジュールの出力特性を個別に測定し、性能を評価することができる。そして、その測定データをもとに太陽電池装置1の各太陽電池モジュールのレンズ部5aや外装ケース2の内面の反射講造及び太陽電池セルの配置や並列接続数、直列接続数に関して最適設計が可能となる。
サブモジュール31においては、複数のロッド形太陽電池セル32を平行に並べ、正負の電極39,38を介して直列接続したロッド受光形サブモジュール31を構成しているため、基材33の直径を変えることで複数のロッド形太陽電池セル32の数を変えて、サブモジュール31で発生する電圧を変えることができる。このことは、サブモジュール51においても同様である。そして、太陽電池モジュール30では、複数のサブモジュール31を並列接続しているため、その並列接続するサブモジュール31の数を変えることにより、太陽電池モジュール30で発生する電流を変えることができる。このことは、太陽電池モジュール50においても、同様である。
ロッド形太陽電池セル32では、その軸心方向の長さを基材33の直径の数倍〜十数倍の大きさに設定ことができるため、粒状の太陽電池セルと比較して、受光面積を格段に大きくすることができるうえ、複数のロッド形太陽電池セル32を稠密に平行に並べてロッド受光形サブモジュール31を構成することができ、太陽光の投射面積に対する受光面積の割合を大きくし、太陽光を受光する受光効率を高めることができる。このことは、ロッド形太陽電池セル52においても同様である。
しかも、ロッド受光形サブモジュール31,51では、複数の粒状の太陽電池セルを組み込んだサブモジュールと比較して、太陽電池セルを電気的に接続する結線個所の数を格段に少なくすることができるため、その結線コストを含むサブモジュールの組み立てコストを大幅に低減することができる。
この太陽電池装置1は、感度波長帯域の異なる複数種類の太陽電池モジュール10,30,50であって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された複数種類の太陽電池モジュールを備えているため、太陽光のスペクトルのうちの広い波長範囲の太陽光を光電変換することができる。波長の短い光ほど透過性が弱いため、上記のように感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように複数種類の太陽電池モジュール10,30,50を積層することで、各太陽電池モジュールの光電変換効率を高めることができる。
この太陽電池装置1において、上下方向に積層される複数種類の太陽電池モジュール10,30,50を直列接続し、それらの出力電流をほぼ同じに揃えるため、それら太陽電池モジュールの発電能力を最大限発揮させることができる。
3種類の太陽電池モジュールのうちの2種類の太陽電池モジュール30,50を複数のロッド受光形サブモジュール31,51で夫々構成するため、各サブモジュール31,51におけるロッド形太陽電池セル32,52の直列接続数を変えることで、ロッド受光形サブモジュール31,51の出力電圧を調整でき、複数のロッド受光形サブモジュール31,51を並列接続する並列接続数を変えることで、その太陽電池モジュール30,50の出力電流を調整できるため、上下方向に積層される複数種類の太陽電池モジュール10,30,50の出力電流を揃えやすくなる。
ロッド形の太陽電池セル32,52の基材は、半導体の融液から種結晶を用いて引上げたり叉は引き下げることにより、容易に細い円柱状の単結晶を成長させることができ、平面状、球状の太陽電池セルの基材の為の半導体単結晶の製造よりも容易にかつ低コストで製作できる。
ロッド形の太陽電池セル32,52を製作する際に、pn接合と電極の形成後に、必要な長さにカットして使うことができ、量産に適する。
ロッド形の太陽電池セル32,52は、部分円筒形のpn接合と、その軸方向に平行で且つp型領域とn型領域の表面中心部に夫々接続された帯状の1対の電極を設けたものである。基材の軸心に垂直方向の表面において太陽光の指向性はほとんどなく、直射光のみならず反射や散乱した方向の光も利用できる。
ロッド形の太陽電池セル32,52では、帯状の長い電極38,39,57,58を形成するため、外部リードとの接続個所を少なくすることができる。また、太陽電池セル32,52の電極同士を直接ハンダや導電性合成樹脂で力学的なストレスなしで接合できる。サブモジュール31,51においては、太陽電池セル32,52を直列接続する数を自由に設定できるため、高電圧の出力が容易に実現できる。
ロッド形の太陽電池セル32,52では、平面受光型太陽電池セル11と比べて電極が受光面に占める割合が少なく、シャドウロスが少なく、電流は電極の厚み方向と垂直に流れるため抵抗が少ない。サブモジュール31,51では、ロッド形の太陽電池セルを稠密に平行に並べてセル同士を直接接続してモジュール化し、その受光面積を自由に拡張できる。サブモジュールは、投影面積に対し受光表面積の割合を大きくできるため、コンパクトな大きさのサブモジュールを製作することができる。
球状太陽電池セルを並べて結線したモジュールでは、セル同士の間に隙間が発生するがロッド形の太陽電池セル32,52では、殆ど隙間なくセルを並べて接続でき、垂直方向の直射光に対して単位面積あたりの出力を大きくすることができる。これはレンズにより集光した太陽電池モジュールを作る場合に有利である。サブモジュール31,51のように、直径の異なるロッド形のセルを用いて同じ面積で直列数が異なるサブモジュールを作ることができる。
外装ケース2の凹部3の中では、感度波長帯域が異なるサブモジュール11,31,51が透明な合成樹脂を介して一定間隔で配置してあり、各太陽電池セルが光を吸収して発生する熱は位置的に分散している。このため温度上昇が部分的に集中せず太陽電池セル11,32,52の温度上昇が少ない。
外装ケース2は、内面が光反射面、外面が放熱面として構成され、集光と温度上昇抑制を兼ね備え両方の相反関係を改善するのに役立っている。側栓ブロック6を光反射あるいは光散乱可能な白色セラミックで構成し、凹部3の内部に光を閉じ込めている。これにより間接的に光がロッド形の太陽電池セル32,52に入射して光の利用効率がアップする。
複数の太陽電池ユニット4を接続パイプ20A,20B,40A,40B,60A,60B(外部端子)を介して並列接続することが可能であるから、太陽電池モジュール10,30,50を直列接続且つ並列接続し、必要な出力電圧や電流を持つ電源を構成することができる。
カバーガラス5のレンズ部5aの中心と凹部3の中心を、カバーガラス5の係合溝5dと外装ケース2の支持部2dの係合により容易に位置合せすることができる。外装ケース2の凹部3の底壁2bに突出台2cを形成してあるため、外装ケース2の剛性を高め、放熱面積を増すことができる。また、側栓ブロック6と、ガバーガラス5のレンズ部5aによっても、太陽電池装置1全体の機械的強度を高めている。
サブモジュール11,31,51は、柔軟性のある透明なシリコン樹脂内に埋没させ、外装ケース2とカバーガラス5をパッキング67を介してボルト65とナット66で締結して密封しているため、機械的強度と雰囲気に対する機密性と太陽光に対する耐候性が確保される。
スタック型太陽電池装置1が不要になった場合には、ボルト65とナット66の締結を解除し、カバーガラス5と外装ケース2に分解し、さらに有機溶剤あるいは高温スチームを加えて透明なシリコン樹脂からなる封止材63からサブモジュール11,31,51を分離回収することも容易に行うことができる。
次に、前記実施例を部分的に変更する例について説明する。
1)外装ケース2に3つの凹部3を形成し、3組の太陽電池ユニット4を組み込んだ例について説明したが、これは一例に過ぎず、必要に応じて4つ以上の凹部3を形成し、4組以上の太陽電池ユニット4を組み込むこともある。
また、太陽電池モジュール10,30,50には5つのサブモジュール11,31,51を組み込んだ例について説明したが、太陽電池モジュール10,30,50に組み込むサブモジュールの数は適宜設定することができ、6つ以上のサブモジュール11,31,51を組み込むこともある。こうして、太陽電池装置1の出力電圧と出力電流を自由に設定する構成ことができる。
2)サブモジュール31に組み込む太陽電池セル32の数も4つに限るものではなく、5つ以上のセル32を組み込むこともある。このことは、サブモジュール51についても同様であり、サブモジュール51に9つ以上の太陽電池セル52を組み込むこともある。
3)最上段のGaAsP/GaP太陽電池セル11の代わりにGaP、InGaP、SiC、GaN、InGaN、ZnOの結晶を基材とする平面受光形太陽電池セルを採用してもよく、それらの何れかの半導体結晶で基材を構成した太陽電池セルからなるロッド受光形サブモジュールを採用してもよい。
4)最下段のサブモジュール51のロッド形のGeセル52の代わりに、GaSb、InGaAs、InGaAsSbの結晶を基材とする太陽電池セルを採用してもよい。
5)中段部のサブモジュール31のロッド形の太陽電池セル32の代わりに、GaAlAs、Si、InPの結晶を基材とする平面受光形太陽電池セル、叉はそれらの何れかの半導体結晶で基材を構成したロッド形太陽電池セルを採用してもよい。
6)上記実施例の太陽電池装置1では、感度波長帯域の異なる3種類の太陽電池モジュール10,30,50を積層状に組み込んだ例について説明したが、感度波長帯域の異なる2種類の太陽電池モジュールを積層状に組み込んだ太陽電池装置でもよく。この場合、少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、ロッド受光形サブモジュールで構成するものとする。尚、感度波長帯域の異なる4種類以上の太陽電池モジュールを積層状に組み込んだ太陽電池装置も製作することができる。
7)前記カバーガラス5の代わりに、透明なポリカーボネートやアクリルなどの合成樹脂材料で構成したカバー部材を採用し、そのカバー部材に前記レンズ部5aと同様のレンズ部を形成する。
8)前記外装ケース2の材料として、内側表面を銀やニッケルなどの反射率が高い金属をメッキしたFe58%−Ni42%合金板、表面を防食処理したアルミニウム板やアルミニウム合金板やマグネシウム合金板を採用してもよい。
9)前記ロッド形太陽電池セル32,52では、基材に帯状の平坦面34,54を形成し、その平坦面に一方の電極38,57を設けたが、図21に示すロッド形太陽電池セル70Aのように、前記の平坦面を省略し、円形断面の基材71Aの表面に基材71Aにオーミックコンタクトされた一方の帯状の電極75Aを形成してもよい。但し、この場合、正負の電極の材料、色、形状などを異ならせることにより、正負の電極を識別可能に構成することが望ましい。その他、図4の太陽電池セル70のものと同様のものに、同一符号を付して説明を省略する。
このスタック型太陽電池装置は、太陽光を利用して発電する種々の発電装置に利用することができる。

Claims (10)

  1. 複数の太陽電池モジュールを電気的に直列接続し且つ複数層に積層したスタック型太陽電池装置において、
    前記複数の太陽電池モジュールは、感度波長帯域の異なる複数種類の太陽電池モジュールであって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された複数種類の太陽電池モジュールからなり、
    少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面上に平行に配列した複数のロッド形の太陽電池セルを夫々組み込んだ複数のロッド受光形サブモジュールで構成され、
    前記ロッド形の太陽電池セルは、p形叉はn形の半導体からなる円形叉は部分円形の断面を有するロッド形の半導体結晶からなる基材と、前記基材の表面層のうちの前記基材の軸心と平行な帯状部分を除く部分に形成され且つ前記基材の導電形とは異なる導電形の別導電層と、前記基材と別導電層とで形成された部分円筒形のpn接合と、前記基材の帯状部分の表面にオーミック接続された帯状の第1電極と、前記基材の軸心を挟んで第1電極と反対側において前記別導電層の表面にオーミック接続された帯状の第2電極とを備え、
    前記ロッド受光形サブモジュールは、複数のロッド形の太陽電池セルを、第1,第2電極を結ぶ導電方向を水平方向に揃えて平面上に平行に配列し且つ隣接するロッド形の太陽電池セルの第1,第2電極を当接状態に接続することにより、複数のロッド形太陽電池セルを電気的に直列接続して構成され
    前記複数のロッド受光形サブモジュールは、前記ロッド形の太陽電池セルの長手方向と平行な方向に平面上に直列的に配置され且つ電気的に並列接続され、
    下方へ凹入した凹部を有する金属板製の外装ケースを設け、
    前記外装ケースの凹部は、その幅が上方程広くなるような実質的に逆台形断面を有し、この凹部の1対の側壁と底壁の内面は複数の太陽電池モジュールへ光を反射集光する為の光反射面に形成され、
    前記複数種類の太陽電池モジュールは出力電流が等しくなるように夫々構成され且つ前記外装ケースの凹部にこの外装ケースに対して絶縁状態となるように積層状態にして収容されたことを特徴とするスタック型太陽電池装置。
  2. なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面状のpn接合を有する平面受光形太陽電池セルで夫々構成された複数の平面受光形サブモジュールで構成されたことを特徴とする請求項1に記載のスタック型太陽電池装置。
  3. 3種類の太陽電池モジュールを備え、2種類の太陽電池モジュールは複数のロッド受光形サブモジュールで夫々構成され、1種類の太陽電池モジュールは複数の平面受光形サブモジュールで構成され、複数の平面受光形サブモジュールで構成された太陽電池モジュールが最上段位置に配置されたことを特徴とする請求項2に記載のスタック型太陽電池装置。
  4. 各ロッド受光形サブモジュールと各平面受光形サブモジュールは、太陽光を受光する受光面積が等しくなるように形成されたことを特徴とする請求項2叉は3に記載のスタック型太陽電池装置。
  5. 太陽電池モジュールを構成する複数のロッド受光形サブモジュールを並列接続し且つ一体的に連結する1対の第1接続ロッドを設けると共に、太陽電池モジュールを構成する複数の平面受光形サブモジュールを並列接続し且つ一体的に連結する2対の第2接続ロッドを設けたことを特徴とする請求項に記載のスタック型太陽電池装置。
  6. 前記外装ケースは、前記凹部の幅方向に水平に並べた平行な複数の凹部を有し、
    前記複数の凹部の各々に複数種類の太陽電池モジュールを積層状態にして収容したことを特徴とする請求項に記載のスタック型太陽電池装置。
  7. 複数の太陽電池モジュールよりも太陽光入射側に、複数の太陽電池モジュールの方へ太陽光を集光する集光機能を持つレンズ部を有するレンズ部材を設けたことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
  8. 前記外装ケースの凹部内の隙間に透明合成樹脂製の封止材が充填され、前記外装ケースとレンズ部材とでパッケージされたことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
  9. 前記外装ケースの底壁には、上方へ所定小高さ突出する台形状の突出台が形成されたことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
  10. 前記外装ケースの凹部の端部を塞ぐ側栓ブロックを設け、この側栓ブロックに前記第1,第2の接続ロッドの端部を挿入して電気的に接続する複数の金属製の接続パイプを設け、これら接続パイプを側栓ブロックの外側へ突出させて外部端子に構成したことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
JP2008544055A 2006-11-17 2006-11-17 スタック型太陽電池装置 Expired - Fee Related JP5032496B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2006/323017 WO2008059593A1 (fr) 2006-11-17 2006-11-17 Dispositif de cellule solaire superposée

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008059593A1 JPWO2008059593A1 (ja) 2010-02-25
JP5032496B2 true JP5032496B2 (ja) 2012-09-26

Family

ID=39401408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008544055A Expired - Fee Related JP5032496B2 (ja) 2006-11-17 2006-11-17 スタック型太陽電池装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8716590B2 (ja)
EP (1) EP2083450A1 (ja)
JP (1) JP5032496B2 (ja)
KR (1) KR101069061B1 (ja)
CN (1) CN101553935B (ja)
AU (1) AU2006350830B2 (ja)
CA (1) CA2672158C (ja)
HK (1) HK1132376A1 (ja)
TW (1) TWI331402B (ja)
WO (1) WO2008059593A1 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8648825B2 (en) 2010-10-01 2014-02-11 Z124 Off-screen gesture dismissable keyboard
US20090025708A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Sunpower Corporation Rolling Motion Tracking Solar Assembly
CN102217089B (zh) * 2008-11-19 2014-12-17 凸版印刷株式会社 光再利用片和太阳能电池模块
FR2947955B1 (fr) 2009-07-08 2014-07-04 Total Sa Procede de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-electrodes
WO2011088781A1 (zh) * 2010-01-19 2011-07-28 华中科技大学 一种采用光子晶体的色散型太阳能电池
WO2011152459A1 (ja) * 2010-06-03 2011-12-08 株式会社Si-Nano 光蓄電装置
KR101144559B1 (ko) * 2010-11-16 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
CN102487106A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶体硅太阳能电池及其制造方法
NL2005944C2 (en) * 2010-12-31 2012-07-03 M H Mensink Beheer B V Solar panel, solar cell converter and method of manufacturing a solar panel.
EP2482333A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-01 AZURSPACE Solar Power GmbH Solarzellenempfänger
US8842057B2 (en) 2011-09-27 2014-09-23 Z124 Detail on triggers: transitional states
JP6016292B2 (ja) * 2011-10-13 2016-10-26 デクセリアルズ株式会社 太陽電池用測定治具及び太陽電池セルの出力測定方法
CN103137716B (zh) * 2011-11-25 2016-04-27 清华大学 太阳能电池、太阳能电池组及其制备方法
WO2013179564A1 (ja) * 2012-05-28 2013-12-05 パナソニック株式会社 太陽電池及びその製造方法
US20140158177A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-12 Green Light Industries, Inc. Producing current that is not essentially steady direct current
JP2016062931A (ja) * 2014-09-15 2016-04-25 国立大学法人長岡技術科学大学 集光型太陽電池モジュール及び集光型太陽光発電システム
GB2545433B (en) * 2015-12-15 2017-12-20 Grafmarine Power generation and cell storage apparatus
US9960302B1 (en) 2016-10-18 2018-05-01 Tesla, Inc. Cascaded photovoltaic structures with interdigitated back contacts
US10937915B2 (en) 2016-10-28 2021-03-02 Tesla, Inc. Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels
US10381973B2 (en) 2017-05-17 2019-08-13 Tesla, Inc. Uniformly and directionally colored photovoltaic modules
US10985688B2 (en) 2017-06-05 2021-04-20 Tesla, Inc. Sidelap interconnect for photovoltaic roofing modules
US10734938B2 (en) 2017-07-21 2020-08-04 Tesla, Inc. Packaging for solar roof tiles
US10857764B2 (en) 2017-07-25 2020-12-08 Tesla, Inc. Method for improving adhesion between glass cover and encapsulant for solar roof tiles
US10978990B2 (en) 2017-09-28 2021-04-13 Tesla, Inc. Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile
WO2019147594A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Glasspoint Solar, Inc. Shipping systems and methods for insulated solar energy receivers
US10454409B2 (en) 2018-02-02 2019-10-22 Tesla, Inc. Non-flat solar roof tiles
US10862420B2 (en) 2018-02-20 2020-12-08 Tesla, Inc. Inter-tile support for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CA3055609A1 (en) 2018-03-01 2019-09-06 Tesla, Inc. System and method for packaging photovoltaic roof tiles
US11431279B2 (en) 2018-07-02 2022-08-30 Tesla, Inc. Solar roof tile with a uniform appearance
US11082005B2 (en) 2018-07-31 2021-08-03 Tesla, Inc. External electrical contact for solar roof tiles
US11245354B2 (en) 2018-07-31 2022-02-08 Tesla, Inc. Solar roof tile spacer with embedded circuitry
US11245355B2 (en) 2018-09-04 2022-02-08 Tesla, Inc. Solar roof tile module
US11581843B2 (en) 2018-09-14 2023-02-14 Tesla, Inc. Solar roof tile free of back encapsulant layer
US11431280B2 (en) 2019-08-06 2022-08-30 Tesla, Inc. System and method for improving color appearance of solar roofs
CN115836396A (zh) * 2020-06-26 2023-03-21 塔卡太阳能公司 太阳能电池系统及其制造方法
WO2022059134A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24 株式会社東芝 太陽電池、および太陽電池システム
KR102500233B1 (ko) 2021-11-12 2023-02-16 (주)소프트피브이 코어쉘 구조의 광발전 파티클을 포함하는 반도체 패키징

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3134906A (en) * 1960-10-31 1964-05-26 Siemens Ag Photoelectric semiconductor device
US5437736A (en) * 1994-02-15 1995-08-01 Cole; Eric D. Semiconductor fiber solar cells and modules
JPH07221335A (ja) * 1993-12-09 1995-08-18 Tonen Corp 太陽電池モジュール
JPH07335925A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Hitachi Ltd 太陽電池
US5720827A (en) * 1996-07-19 1998-02-24 University Of Florida Design for the fabrication of high efficiency solar cells
WO1998015983A1 (en) * 1996-10-09 1998-04-16 Josuke Nakata Semiconductor device
JP2000022184A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 球状または棒状結晶太陽電池およびその製造方法
WO2005088733A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Kyosemi Corporation 積層型太陽電池

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427200A (en) * 1964-09-24 1969-02-11 Aerojet General Co Light concentrator type photovoltaic panel having clamping means for retaining photovoltaic cell
US3984256A (en) 1975-04-25 1976-10-05 Nasa Photovoltaic cell array
FR2327643A1 (fr) 1975-10-09 1977-05-06 Commissariat Energie Atomique Convertisseur d'energie lumineuse en energie electrique
US4069812A (en) * 1976-12-20 1978-01-24 E-Systems, Inc. Solar concentrator and energy collection system
FR2417188A1 (fr) 1978-02-08 1979-09-07 Commissariat Energie Atomique Convertisseur photovoltaique d'energie solaire
US4638110A (en) * 1985-06-13 1987-01-20 Illuminated Data, Inc. Methods and apparatus relating to photovoltaic semiconductor devices
US4834805A (en) 1987-09-24 1989-05-30 Wattsun, Inc. Photovoltaic power modules and methods for making same
US5482568A (en) 1994-06-28 1996-01-09 Hockaday; Robert G. Micro mirror photovoltaic cells
US6204545B1 (en) * 1996-10-09 2001-03-20 Josuke Nakata Semiconductor device
US6057505A (en) * 1997-11-21 2000-05-02 Ortabasi; Ugur Space concentrator for advanced solar cells
US6440769B2 (en) * 1999-11-26 2002-08-27 The Trustees Of Princeton University Photovoltaic device with optical concentrator and method of making the same
US7205626B1 (en) * 2000-10-20 2007-04-17 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving with plurality of particle-shaped semiconductor devices having light-emitting or light-receiving properties
US6762359B2 (en) * 2001-01-15 2004-07-13 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Photovoltaic panel and method of producing same
KR20030086573A (ko) 2001-08-13 2003-11-10 죠스게 나가다 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
EP1445804A4 (en) 2001-10-19 2008-03-05 Josuke Nakata LIGHT EMISSION OR LIGHT RECEPTACLE SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US6717045B2 (en) 2001-10-23 2004-04-06 Leon L. C. Chen Photovoltaic array module design for solar electric power generation systems
EP1553638B1 (en) 2002-06-21 2008-12-10 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting device and its production method
US8039731B2 (en) * 2005-06-06 2011-10-18 General Electric Company Photovoltaic concentrator for solar energy system
US7196262B2 (en) * 2005-06-20 2007-03-27 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices
EP1973169A1 (en) * 2006-01-11 2008-09-24 Kyosemi Corporation Semiconductor module for light reception or light emission

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3134906A (en) * 1960-10-31 1964-05-26 Siemens Ag Photoelectric semiconductor device
JPH07221335A (ja) * 1993-12-09 1995-08-18 Tonen Corp 太陽電池モジュール
US5437736A (en) * 1994-02-15 1995-08-01 Cole; Eric D. Semiconductor fiber solar cells and modules
JPH07335925A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Hitachi Ltd 太陽電池
US5720827A (en) * 1996-07-19 1998-02-24 University Of Florida Design for the fabrication of high efficiency solar cells
WO1998015983A1 (en) * 1996-10-09 1998-04-16 Josuke Nakata Semiconductor device
JP2000022184A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 球状または棒状結晶太陽電池およびその製造方法
WO2005088733A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Kyosemi Corporation 積層型太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2008059593A1 (ja) 2010-02-25
TWI331402B (en) 2010-10-01
WO2008059593A1 (fr) 2008-05-22
KR101069061B1 (ko) 2011-09-29
US20100018568A1 (en) 2010-01-28
CA2672158C (en) 2013-06-18
US8716590B2 (en) 2014-05-06
AU2006350830B2 (en) 2011-10-06
AU2006350830A1 (en) 2008-05-22
CA2672158A1 (en) 2008-05-22
KR20090073242A (ko) 2009-07-02
CN101553935A (zh) 2009-10-07
EP2083450A1 (en) 2009-07-29
HK1132376A1 (en) 2010-02-19
CN101553935B (zh) 2011-01-19
TW200824136A (en) 2008-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5032496B2 (ja) スタック型太陽電池装置
US9331228B2 (en) Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US9252299B2 (en) Solar cell module, solar cell and solar cell module manufacturing method
US9923112B2 (en) Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells
US8704085B2 (en) Solar module serially connected in the front
CN101378086B (zh) 具有绝缘旁通二极管的太阳能电池接收器
US8237045B2 (en) Laminated solar battery
CN102013443B (zh) 供在聚光式太阳能系统中使用的太阳能电池接收器子组合件
US20080121269A1 (en) Photovoltaic micro-concentrator modules
US20090159125A1 (en) Solar cell package for solar concentrator
JP2011003896A (ja) Iii−v族化合物半導体太陽電池用の集光型光起電力システム受け構造
WO1991018419A1 (en) Terrestrial concentrator solar cell module
CN101510571A (zh) 使用iii-v半导体太阳能电池的聚光光伏打系统模块
AU2008264257A1 (en) Nanowire-based solar cell structure
US20060185715A1 (en) Photovoltaic apparatus including spherical semiconducting particles
KR20120131866A (ko) 광전소자 및 그의 제조방법
US10361326B2 (en) Advanced CPV solar cell assembly process
US20110220173A1 (en) Active solar concentrator with multi-junction devices
US9362437B1 (en) Concentrated photovoltaic receiver module with improved optical light guide assembly
TW202339293A (zh) 具有導電附著體之半導體裝置
JP2004104138A (ja) 光発電装置
SE533522C2 (sv) Nanotrådsbaserad effektivmediumsolcell

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120601

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120626

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees