JP5032496B2 - スタック型太陽電池装置 - Google Patents
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 abstract description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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Description
太陽電池としては、(A)平面受光形の太陽電池、(B)粒状の太陽電池セルを複数行複数列にパネル状に配置した太陽電池、(C)複数のファイバー形太陽電池セルをパネル状に配置した太陽電池、(D)タンデム形太陽電池、(E)スタック形太陽電池、などが公知である。
複数のロッド受光形サブモジュールからなる太陽電池モジュールでは、複数のロッド受光形サブモジュールを並列接続する構成を採用し、その並列接続されるサブモジュールの数を変えることにより、太陽電池モジュールで発生する電流を変えることができる。
波長の短い光ほど透過性が弱いため、上記のように感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように複数種類の太陽電池モジュールを積層することで、各太陽電池モジュールの光電変換効率を高めることができる。
(1)少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面状のpn接合を有する平面受光形太陽電池セルで夫々構成された複数の平面受光形サブモジュールで構成された。
(2)3種類の太陽電池モジュールを備え、2種類の太陽電池モジュールは複数のロッド受光形サブモジュールで夫々構成され、1種類の太陽電池モジュールは複数の平面受光形サブモジュールで構成され、複数の平面受光形サブモジュールで構成された太陽電池モジュールが最上段位置に配置された。
(4)ロッド受光形サブモジュールにおける複数のロッド形太陽電池セルは、第1,第2電極を結ぶ導電方向を水平方向に揃えて平行に配置されると共に、第1,第2電極を介して電気的に直列接続された。
(8)前記外装ケースの複数の凹部内の隙間に透明合成樹脂製の封止材が充填され、前記外装ケースとレンズ部材とでパッケージされた。
(9)前記外装ケースの底壁には、上方へ所定小高さ突出する台形状の突出台が形成された。
(10)前記外装ケースの凹部の端部を塞ぐ側栓ブロックを設け、この側栓ブロックに前記第1,第2の接続ロッドの端部を挿入して電気的に接続する複数の金属製の接続パイプを設け、これら接続パイプを側栓ブロックの外側へ突出させて外部端子に構成した。
2 外装ケース
2a 側壁
2b 底壁
2c 突出台
3 凹部
4 太陽電池ユニット
5 カバーガラス(レンズ部材)
5a レンズ部
6 側栓ブロック
10 平面受光形太陽電池モジュール
11 太陽電池セル(サブモジュール)
20a,20b 接続ロッド
20A,20B 接続パイプ
30 太陽電池モジュール
31 ロッド受光形サブモジュール
32 太陽電池セル
33 基材
35 p形GaAs層(別導電層)
36 p形GaAlAs層
37 pn接合
38 負電極
39 正電極
40a,40b 接続ロッド
40A,40B 接続パイプ
50 太陽電池モジュール
51 ロッド受光形サブモジュール
52 太陽電池セル
53 基材
55 n形Ge拡散層(別導電層)
56 pn接合
57 正電極
58 負電極
60a,60b 接続ロッド
60A,60B 接続パイプ
63 封止材
図11〜図15に示すように、この集光型のスタック型太陽電池装置1は、金属板製の外装ケース2と、この外装ケース2の3つの凹部3に夫々収容されたスタック型太陽電池ユニット4と、凹部3内に充填された封止材63(図13では図示省略)と、この太陽光入射側に配置されたカバーガラス5と、外装ケース2の凹部3の端部に配置された側栓ブロック6などで構成されている。
この平面受光形サブモジュール11は、平面受光形のGaAsP/GaP太陽電池セルで構成されている。このGaAsP/GaP太陽電池セルは、周知のオレンジ色光を発する発光ダイオードの製造方法と同様の方法で製作することができる。
図4に示すように、ロッド形太陽電池セル70は、断面円形のロッドにしたSi、Geなどの単一元素から成る半導体結晶、叉はIII −V族元素やII−VI族元素などの化合物半導体結晶を基材71にして製作する。
GaAsロッド形太陽電池セル32の基材33として、断面が円形のn形GaAs単結晶に基材33の軸心と平行な帯状の平坦面34を形成したものを準備する。この基材33の表面のうちの平坦面34とその両側近傍部をSi3N4被膜でマスクした状態で、基材33の表面にGaを溶液とするGaAsのメルトを高温でコンタクトさせてから降温し、基材33の表面のうちのマスクしない部分円筒面上に均一な厚みのn形のGaAs層(図示略)をエピタキシャル成長させる。
最初に、Geロッド形太陽電池セル52の基材53として、直径が0.9mm程度の断面円形のロッド形のp形Ge単結晶に基材53の軸心と平行な帯状の平坦面54を形成したものを準備する。上記のロッド形Ge単結晶は、例えばゲルマニウムを融かしたグラファイト製の坩堝の底のノズルで細径の種結晶をゲルマニウムの融液とコンタクトさせて下方に引きだすようにして作る。それを一定の直径の円柱になるように表面の凹凸をなくすように研磨し薬品でエッチングする。
図12〜図18に示すように、このスタック型太陽電池装置1は、例えば3組の太陽電池ユニット4を有し、これら3組の太陽電池ユニット4は、外装ケース2と、6つの側栓ブロック6と、カバーガラス5でパッケージされている。
各凹部3の後端部分に側栓ブロック6を予め接着した状態において、太陽電池モジュール50の接続ロッド60a,60bの後端側部分を上記側栓ブロック6の接続パイプ60A,60Bに夫々挿入し、太陽電池モジュール30の接続ロッド40a,40bの後端側部分を上記側栓ブロック6の接続パイプ40A,40Bに夫々挿入し、太陽電池モジュール10の接続ロッド20a,20bの後端側部分を上記の側栓ブロック6の接続パイプ20A,20Bに挿入し、太陽電池モジュール10,30,50を平行な水平姿勢に保持する。
図19は、前記スタック型太陽電池ユニット4の等価回路を示す図であり、前記太陽電池セル11,32,52をダイオード11A,32A,52Aで図示してある。太陽電池モジュール10,30は、前後両側において接続パイプ20B,40Aを電気的に接続するコネクタ61により直列接続されている。
ロッド形の太陽電池セル32,52は、部分円筒形のpn接合と、その軸方向に平行で且つp型領域とn型領域の表面中心部に夫々接続された帯状の1対の電極を設けたものである。基材の軸心に垂直方向の表面において太陽光の指向性はほとんどなく、直射光のみならず反射や散乱した方向の光も利用できる。
1)外装ケース2に3つの凹部3を形成し、3組の太陽電池ユニット4を組み込んだ例について説明したが、これは一例に過ぎず、必要に応じて4つ以上の凹部3を形成し、4組以上の太陽電池ユニット4を組み込むこともある。
5)中段部のサブモジュール31のロッド形の太陽電池セル32の代わりに、GaAlAs、Si、InPの結晶を基材とする平面受光形太陽電池セル、叉はそれらの何れかの半導体結晶で基材を構成したロッド形太陽電池セルを採用してもよい。
Claims (10)
- 複数の太陽電池モジュールを電気的に直列接続し且つ複数層に積層したスタック型太陽電池装置において、
前記複数の太陽電池モジュールは、感度波長帯域の異なる複数種類の太陽電池モジュールであって、感度波長帯域の中心波長が短い太陽電池モジュールほど太陽光の入射側に位置するように積層された複数種類の太陽電池モジュールからなり、
少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面上に平行に配列した複数のロッド形の太陽電池セルを夫々組み込んだ複数のロッド受光形サブモジュールで構成され、
前記ロッド形の太陽電池セルは、p形叉はn形の半導体からなる円形叉は部分円形の断面を有するロッド形の半導体結晶からなる基材と、前記基材の表面層のうちの前記基材の軸心と平行な帯状部分を除く部分に形成され且つ前記基材の導電形とは異なる導電形の別導電層と、前記基材と別導電層とで形成された部分円筒形のpn接合と、前記基材の帯状部分の表面にオーミック接続された帯状の第1電極と、前記基材の軸心を挟んで第1電極と反対側において前記別導電層の表面にオーミック接続された帯状の第2電極とを備え、
前記ロッド受光形サブモジュールは、複数のロッド形の太陽電池セルを、第1,第2電極を結ぶ導電方向を水平方向に揃えて平面上に平行に配列し且つ隣接するロッド形の太陽電池セルの第1,第2電極を当接状態に接続することにより、複数のロッド形太陽電池セルを電気的に直列接続して構成され、
前記複数のロッド受光形サブモジュールは、前記ロッド形の太陽電池セルの長手方向と平行な方向に平面上に直列的に配置され且つ電気的に並列接続され、
下方へ凹入した凹部を有する金属板製の外装ケースを設け、
前記外装ケースの凹部は、その幅が上方程広くなるような実質的に逆台形断面を有し、この凹部の1対の側壁と底壁の内面は複数の太陽電池モジュールへ光を反射集光する為の光反射面に形成され、
前記複数種類の太陽電池モジュールは出力電流が等しくなるように夫々構成され且つ前記外装ケースの凹部にこの外装ケースに対して絶縁状態となるように積層状態にして収容されたことを特徴とするスタック型太陽電池装置。 - 少なくとも1種類の太陽電池モジュールは、平面状のpn接合を有する平面受光形太陽電池セルで夫々構成された複数の平面受光形サブモジュールで構成されたことを特徴とする請求項1に記載のスタック型太陽電池装置。
- 3種類の太陽電池モジュールを備え、2種類の太陽電池モジュールは複数のロッド受光形サブモジュールで夫々構成され、1種類の太陽電池モジュールは複数の平面受光形サブモジュールで構成され、複数の平面受光形サブモジュールで構成された太陽電池モジュールが最上段位置に配置されたことを特徴とする請求項2に記載のスタック型太陽電池装置。
- 各ロッド受光形サブモジュールと各平面受光形サブモジュールは、太陽光を受光する受光面積が等しくなるように形成されたことを特徴とする請求項2叉は3に記載のスタック型太陽電池装置。
- 太陽電池モジュールを構成する複数のロッド受光形サブモジュールを並列接続し且つ一体的に連結する1対の第1接続ロッドを設けると共に、太陽電池モジュールを構成する複数の平面受光形サブモジュールを並列接続し且つ一体的に連結する2対の第2接続ロッドを設けたことを特徴とする請求項1に記載のスタック型太陽電池装置。
- 前記外装ケースは、前記凹部の幅方向に水平に並べた平行な複数の凹部を有し、
前記複数の凹部の各々に複数種類の太陽電池モジュールを積層状態にして収容したことを特徴とする請求項1に記載のスタック型太陽電池装置。 - 複数の太陽電池モジュールよりも太陽光入射側に、複数の太陽電池モジュールの方へ太陽光を集光する集光機能を持つレンズ部を有するレンズ部材を設けたことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
- 前記外装ケースの凹部内の隙間に透明合成樹脂製の封止材が充填され、前記外装ケースとレンズ部材とでパッケージされたことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
- 前記外装ケースの底壁には、上方へ所定小高さ突出する台形状の突出台が形成されたことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
- 前記外装ケースの凹部の端部を塞ぐ側栓ブロックを設け、この側栓ブロックに前記第1,第2の接続ロッドの端部を挿入して電気的に接続する複数の金属製の接続パイプを設け、これら接続パイプを側栓ブロックの外側へ突出させて外部端子に構成したことを特徴とする請求項1又は6に記載のスタック型太陽電池装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2006/323017 WO2008059593A1 (fr) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | Dispositif de cellule solaire superposée |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008059593A1 JPWO2008059593A1 (ja) | 2010-02-25 |
JP5032496B2 true JP5032496B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=39401408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544055A Expired - Fee Related JP5032496B2 (ja) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | スタック型太陽電池装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8716590B2 (ja) |
EP (1) | EP2083450A1 (ja) |
JP (1) | JP5032496B2 (ja) |
KR (1) | KR101069061B1 (ja) |
CN (1) | CN101553935B (ja) |
AU (1) | AU2006350830B2 (ja) |
CA (1) | CA2672158C (ja) |
HK (1) | HK1132376A1 (ja) |
TW (1) | TWI331402B (ja) |
WO (1) | WO2008059593A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8648825B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-02-11 | Z124 | Off-screen gesture dismissable keyboard |
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FR2947955B1 (fr) | 2009-07-08 | 2014-07-04 | Total Sa | Procede de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-electrodes |
WO2011088781A1 (zh) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | 华中科技大学 | 一种采用光子晶体的色散型太阳能电池 |
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US8842057B2 (en) | 2011-09-27 | 2014-09-23 | Z124 | Detail on triggers: transitional states |
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-
2006
- 2006-11-17 JP JP2008544055A patent/JP5032496B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-17 AU AU2006350830A patent/AU2006350830B2/en not_active Ceased
- 2006-11-17 KR KR1020097010535A patent/KR101069061B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-17 US US12/311,988 patent/US8716590B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-17 WO PCT/JP2006/323017 patent/WO2008059593A1/ja active Application Filing
- 2006-11-17 CA CA2672158A patent/CA2672158C/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-17 EP EP06832895A patent/EP2083450A1/en not_active Withdrawn
- 2006-11-17 CN CN2006800563715A patent/CN101553935B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-12 TW TW095146407A patent/TWI331402B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-12-30 HK HK09112284.1A patent/HK1132376A1/xx not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2008059593A1 (ja) | 2010-02-25 |
TWI331402B (en) | 2010-10-01 |
WO2008059593A1 (fr) | 2008-05-22 |
KR101069061B1 (ko) | 2011-09-29 |
US20100018568A1 (en) | 2010-01-28 |
CA2672158C (en) | 2013-06-18 |
US8716590B2 (en) | 2014-05-06 |
AU2006350830B2 (en) | 2011-10-06 |
AU2006350830A1 (en) | 2008-05-22 |
CA2672158A1 (en) | 2008-05-22 |
KR20090073242A (ko) | 2009-07-02 |
CN101553935A (zh) | 2009-10-07 |
EP2083450A1 (en) | 2009-07-29 |
HK1132376A1 (en) | 2010-02-19 |
CN101553935B (zh) | 2011-01-19 |
TW200824136A (en) | 2008-06-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120420 |
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A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120601 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |