JP2004104138A - 光発電装置 - Google Patents
光発電装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004104138A JP2004104138A JP2003338061A JP2003338061A JP2004104138A JP 2004104138 A JP2004104138 A JP 2004104138A JP 2003338061 A JP2003338061 A JP 2003338061A JP 2003338061 A JP2003338061 A JP 2003338061A JP 2004104138 A JP2004104138 A JP 2004104138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- semiconductor layer
- conversion element
- conductor
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 支持体3に形成された複数の各凹部17内に光電変換素子2をそれぞれ配置し、凹部17内面の反射光を光電変換素子2に照射する。光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のn形アモルファスSi(略称a−Si)層7の外周面上に、a−Siよりも光学的バンドギャップが広いp形アモルファスSiC(略称a−SiC)層8を被覆し、pn接合を構成する。凹部17の開口端18の面積をS1とし、光電変換素子2の中心を含む断面積をS2とするとき、集光比x=S1/S2を、2〜8に選び、好ましくは4〜6に選ぶ。
【選択図】 図1
Description
本件明細書中、pin接合というのは、ほぼ球状の光電変換素子の内から外に、または外から内に、順次的にn形、i形およびp形の各半導体層が形成された構成を含むものと解釈されなければならない。
(b)支持体であって、
第1導体と第2導体との間に、電気絶縁体を介して、電気的に絶縁した状態を構成し、
第1導体または第1導体上に形成された被覆層によって内面が形成された複数の凹部が、隣接して形成され、
凹部の開口端の面積をS1とし、光電変換素子の中心を含む断面積をS2とするとき、集光比x=S1/S2を、2〜8に選び、
各凹部内の底に光電変換素子が配置されて凹部の第1導体または第1導体上に形成された前記被覆層による反射光が光電変換素子に照射され、
第1導体は、光電変換素子の第2半導体層に電気的に接続され、
第2導体は、第1半導体層の前記露出した部分に電気的に接続される支持体とを含むことを特徴とする光発電装置である。
本発明に従えば、ほぼ球状の複数の各光電変換素子が、支持体の複数の各凹部にそれぞれ配置され、この凹部の内面は、第1導体または第1導体上に形成された被覆層によって形成され、したがって太陽光などの外部からの光は、光電変換素子に直接に照射されるとともに、凹部内面の第1導体または第1導体上に形成された被覆層によって反射されて光電変換素子に照射される。
また本発明は、凹部は、底になるにつれて先細状に形成され、
凹部の底もしくはその周辺で、光電変換素子の第1および第2半導体層が、相互に電気的に絶縁されている第2および第1導体に、それぞれ電気的に接続されることを特徴とする。
したがって高信頼性、高効率の光発電装置を提供することができるようになる。
こうして形成された凹部17内に、開口部9を有する光電変換素子2が配置される。
本発明の光電変換素子2は、前述の構成以外の構成を有していてもよい。
(1)(a)ほぼ球状の形状を有し、第1半導体層およびそれよりも外方の第2半導体層を有し、第2半導体層の開口部から第1半導体層の一部分が露出し、第1および第2半導体層間から光起電力を出力する複数の光電変換素子と、(b)支持体であって、第1導体と第2導体との間に、電気絶縁体を介して、電気的に絶縁した状態を構成し、第1導体または第1導体上に形成された被覆層によって内面が形成された複数の凹部が、隣接して形成され、各凹部内に光電変換素子が配置されて凹部の第1導体または第1導体上に形成された前記被覆層による反射光が光電変換素子に照射され、第1導体は、光電変換素子の第2半導体層に電気的に接続され、第2導体は、第1半導体層の前記露出した部分に電気的に接続される支持体とを含むことを特徴とする光発電装置。
光電変換素子の外径は、0.5〜2mmφであり、好ましくは0.8〜1.2mmφであり、あるいはまた約1mmφであってもよい。これによって高純度のSiなどの材料の使用量を充分少なくし、しかも発生電力をできるだけ大きくすることができるようになるとともに、製造時の球状光電変換素子のハンドリングが容易であり、生産性が優れている。
(21)直接遷移形半導体層は、InAs、GaSb、CuInSe2、Cu(InGa)Se2、CuInS、GaAs、InGaP、CdTeから成るグループから選ばれた1種類であることを特徴とする光発電装置。
また、光電変換素子の製造が容易である。
2 光電変換素子
3,3b 支持体
4 組合せ体
7 第1半導体層
8 第2半導体層
9 開口部
10 一部分
13 第1導体
14 第2導体
15 電気絶縁体
17 凹部
18 開口端
Claims (5)
- (a)ほぼ球状の形状を有し、第1半導体層およびそれよりも外方の第2半導体層を有し、第2半導体層の開口部から第1半導体層の一部分が露出し、第1および第2半導体層間から光起電力を出力する複数の光電変換素子と、
(b)支持体であって、
第1導体と第2導体との間に、電気絶縁体を介して、電気的に絶縁した状態を構成し、
第1導体または第1導体上に形成された被覆層によって内面が形成された複数の凹部が、隣接して形成され、
凹部の開口端の面積をS1とし、光電変換素子の中心を含む断面積をS2とするとき、集光比x=S1/S2を、2〜8に選び、
各凹部内の底に光電変換素子が配置されて凹部の第1導体または第1導体上に形成された前記被覆層による反射光が光電変換素子に照射され、
第1導体は、光電変換素子の第2半導体層に電気的に接続され、
第2導体は、第1半導体層の前記露出した部分に電気的に接続される支持体とを含むことを特徴とする光発電装置。 - 集光比x=S1/S2を、4〜6に選ぶことを特徴とする請求項1記載の光発電装置。
- 各光電変換素子は、各凹部内に配置されることを特徴とする請求項1または2記載の光発電装置。
- 凹部は、底になるにつれて先細状に形成され、
凹部の底もしくはその周辺で、光電変換素子の第1および第2半導体層が、相互に電気的に絶縁されている第2および第1導体に、それぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項1〜3のうちの1つに記載の光発電装置。 - 光電変換素子は、第2半導体層の開口部と、この開口部から露出している第1半導体層の一部分とは、一平面である構成を有することを特徴とする請求項1〜4のうちの1つに記載の光発電装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003338061A JP3776098B2 (ja) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 光発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003338061A JP3776098B2 (ja) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 光発電装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000358229A Division JP3490969B2 (ja) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | 光発電装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004104138A true JP2004104138A (ja) | 2004-04-02 |
JP3776098B2 JP3776098B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=32290796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003338061A Expired - Fee Related JP3776098B2 (ja) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 光発電装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3776098B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007055253A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Kyocera Corporation | 光電変換装置 |
RU2532857C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2014-11-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" | Фотовольтаическая структура |
-
2003
- 2003-09-29 JP JP2003338061A patent/JP3776098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007055253A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Kyocera Corporation | 光電変換装置 |
RU2532857C1 (ru) * | 2013-03-22 | 2014-11-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" | Фотовольтаическая структура |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3776098B2 (ja) | 2006-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3490969B2 (ja) | 光発電装置 | |
EP1213772B1 (en) | Photovoltaic apparatus with spherical semiconductor particles | |
US20080289688A1 (en) | Photovoltaic Apparatus Including Spherical Semiconducting Particles | |
US10879405B2 (en) | Solar cell | |
US8053666B2 (en) | Solar cell and manufacturing method of the solar cell | |
KR101867855B1 (ko) | 태양 전지 | |
US20100089449A1 (en) | High efficiency solar cell and manufacturing method thereof | |
MX2007010330A (es) | Nanocables en celdas solares de silicio de pelicula delgada. | |
US20110303278A1 (en) | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices | |
US20100252094A1 (en) | High-Efficiency Solar Cell and Method of Manufacturing the Same | |
JP2009283940A (ja) | 太陽電池セル及びこれを利用する太陽電池モジュール | |
EP2816609B1 (en) | Solar cell | |
JP5642355B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
US20100282304A1 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
JP2012129359A (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池セル | |
JP2023155871A (ja) | 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法 | |
AU2024201762A1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
WO2012057604A1 (en) | Nanostructure-based photovoltaic cell | |
EP4318607A1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
KR101203907B1 (ko) | 태양 전지 | |
JP3776098B2 (ja) | 光発電装置 | |
JP3754431B2 (ja) | 光発電装置 | |
TWI573284B (zh) | 太陽能電池、其模組及其製造方法 | |
US20110220173A1 (en) | Active solar concentrator with multi-junction devices | |
CN220934090U (zh) | 太阳能电池及光伏组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20051122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110303 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110303 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140303 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |