JP5021784B2 - Luminescence measurement device, luminescence measurement method, control program, and readable recording medium - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオード(以下LEDという)などの光学素子の発光を検査する発光測定装置および発光測定方法、この発光測定方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、この制御プログラムが格納された可読記録媒体に関する。   The present invention relates to a light emission measuring apparatus and a light emission measuring method for inspecting light emission of an optical element such as a light emitting diode (hereinafter referred to as LED), a control program for causing a computer to execute the light emission measuring method, and a readable program storing the control program. The present invention relates to a recording medium.

近年、地球環境保護の観点から小型、長寿命、有害物質を含まないなど、省エネルギー用照明部品として、LEDの必要性が認識されてきている中、低価格LEDへの要求も非常に高まってきている。   In recent years, the need for LEDs as energy-saving lighting parts, such as small size, long life, and no harmful substances, has been recognized from the viewpoint of global environmental protection, and the demand for low-priced LEDs has increased greatly. Yes.

従来のLED測定は、LEDと受光センサ(フォトダイオード)とを1対1で対峙(対向)させて配置し、各受光センサにより電気量に変換してLEDの発光量を測定していた。これは、複数個のLEDを同時に発光させた場合に、各受光センサが受光面単位で光信号を電気信号に変換すると、各受光センサ側で複数個のLEDの同時発光に対して、個々のLEDの発光量として区別することが不可能なためである。   In the conventional LED measurement, the LED and the light receiving sensor (photodiode) are arranged in a one-to-one relationship (opposite), and each light receiving sensor converts the light into an electric quantity to measure the light emission amount of the LED. This is because, when a plurality of LEDs emit light at the same time, each light receiving sensor converts an optical signal into an electric signal in units of light receiving surfaces, and each light receiving sensor side has an individual light emission for simultaneous light emission of a plurality of LEDs. This is because it is impossible to distinguish the light emission amount of the LED.

これによって、LED複数個に対して同一数の受光センサを設置し、1対1で対峙(対向)させれば、複数個のLEDの同時測定は可能であるが、装置価格が増加したり、装置サイズが大きくなったり、受光センサの感度ばらつきによる測定精度に問題があって、現状、このような形態をとらずに1個の受光センサでシングル測定している。   As a result, if the same number of light receiving sensors are installed for a plurality of LEDs and face-to-face (facing) one by one, a plurality of LEDs can be measured simultaneously, but the price of the apparatus increases. There is a problem in measurement accuracy due to an increase in the size of the apparatus or a variation in sensitivity of the light receiving sensor, and at present, a single light receiving sensor performs a single measurement without taking such a form.

図10は、従来の発光測定装置の要部構成例を説明するための模式図である。   FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a configuration example of a main part of a conventional luminescence measuring apparatus.

図10において、ウエハ101上に、発光素子としてのLEDが設けられた複数の半導体チップ102がマトリクス状に配設され、従来の発光測定装置100は、各半導体チップ102毎に電源電圧を、プローブピンコンタクトであるパッド103にプローブピン104から印加してLEDを発光させて検査することができる。このLEDの発光量を、PD方式または積分球による軸上測定機105により測定してその測定した発光量が不良かどうかを検査することができる。このようにして、1半導体チップ102ずつ順番にそのLEDの発光量を測定する。   In FIG. 10, a plurality of semiconductor chips 102 provided with LEDs as light emitting elements are arranged in a matrix on a wafer 101, and the conventional light emission measuring apparatus 100 uses a probe voltage for each semiconductor chip 102. An inspection can be performed by applying light from the probe pin 104 to the pad 103 which is a pin contact to cause the LED to emit light. The light emission amount of the LED can be measured by the on-axis measuring device 105 using the PD method or integrating sphere, and it can be inspected whether or not the measured light emission amount is defective. In this way, the light emission amount of the LED is measured sequentially for each semiconductor chip 102.

このように、従来の発光測定装置100では、1半導体チップ102ずつ順番にそのLEDの発光量を測定するため、全チップのLEDの発光量を測定するのに時間がかかるという問題があった。これを解決するために、複数個のLEDの発光量を同時に測定して測定時間を短縮する特許文献1が提案されている。   As described above, the conventional light emission measuring device 100 has a problem in that it takes time to measure the light emission amounts of the LEDs of all the chips because the light emission amount of the LEDs is sequentially measured for each semiconductor chip 102. In order to solve this, Patent Document 1 has been proposed in which the amount of light emitted from a plurality of LEDs is simultaneously measured to shorten the measurement time.

特許文献1では、複数個のLEDの発光量を同時に測定するために、個々のLED測定回路にID信号を発生させる回路を組み込み、LEDの発光信号に、どのLEDであるかを示す識別信号としてのID信号を合成させた信号として発生させる。この合成信号は、受光センサ側で発光信号を電気量に変換する際に、ID信号と発光信号を区別する専用ソフトにより、どのLEDの信号かを判断しながら発光量の測定を行う手法である。   In Patent Document 1, in order to measure the light emission amount of a plurality of LEDs simultaneously, a circuit for generating an ID signal is incorporated in each LED measurement circuit, and an identification signal indicating which LED is included in the LED light emission signal. Are generated as a synthesized signal. This composite signal is a technique for measuring the amount of light emission while judging which LED signal is obtained by using dedicated software for distinguishing between the ID signal and the light emission signal when the light emission signal is converted into an electric quantity on the light receiving sensor side. .

図11は、特許文献1に開示されている従来のLED同時測定装置の要部構成例を示すブロック図である。なお、図11では、説明上2個のLEDを同時に測定する場合について表わしているが、同一回路を追加することによって、その数に応じた複数個のLEDを同時に測定することができる。   FIG. 11 is a block diagram showing a configuration example of a main part of a conventional LED simultaneous measurement device disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG. Note that FIG. 11 shows the case where two LEDs are measured simultaneously for the sake of explanation, but by adding the same circuit, a plurality of LEDs corresponding to the number can be measured simultaneously.

図11に示すように、従来のLED同時測定装置200は、LED201,202を発光させる信号源からLED201,202に到る発光バイアス印加セクションA(図11の中央点線の上部)と、光量検出測定セクションB(図11の中央点線の下部)との二つに別けることができる。   As shown in FIG. 11, a conventional LED simultaneous measurement apparatus 200 includes a light emission bias application section A (upper part of the center dotted line in FIG. 11) from a signal source that causes the LEDs 201 and 202 to emit light, and a light amount detection measurement. It can be divided into two sections: section B (lower part of the center dotted line in FIG. 11).

まず、発光バイアス印加セクションAの動作から説明する。   First, the operation of the light emission bias application section A will be described.

ACBはACベース信号発生器で、一定振幅および一定周波数(周波数fb)の正弦波ACベース信号を発生する。この信号の一部はバイアス変調器BM201bに加えられ、ここで、識別信号発生器ID201aの識別信号(周波数f1)によって、振幅変調、周波数変調または位相変調などの変調を受け、ACバイアス信号(図12では振幅変調例)となる。   The ACB is an AC base signal generator that generates a sinusoidal AC base signal having a constant amplitude and a constant frequency (frequency fb). A part of this signal is applied to the bias modulator BM201b, where it is subjected to modulation such as amplitude modulation, frequency modulation or phase modulation by the identification signal (frequency f1) of the identification signal generator ID201a, and an AC bias signal (FIG. 12 is an amplitude modulation example).

これと同様に、ACベース信号の一部は、バイアス変調器BM202bにも加えられ、ここで、識別信号発生器ID202aの識別信号(周波数f2)によって同様の変調を受け、ACバイアス信号となる。これらの識別信号発生器ID201aの識別信号(周波数f1)と識別信号発生器ID202aの識別信号(周波数f2)とは異なる周波数なので、各ACバイアス信号の波形もそれに応じて異なってくる。   Similarly, a part of the AC base signal is also applied to the bias modulator BM 202b, where it is similarly modulated by the identification signal (frequency f2) of the identification signal generator ID 202a to become an AC bias signal. Since the identification signal (frequency f1) of the identification signal generator ID 201a and the identification signal (frequency f2) of the identification signal generator ID 202a are different frequencies, the waveform of each AC bias signal also differs accordingly.

バイアス変調器BM201b、BM202bからの出力はそれぞれ、アナログ加算機で代表されるバイアス信号合成器BC201c、BC202cに加えられ、ここで、DCバイアス基準レベル発生器DCBの直流バイアス電圧に一定の比率で重疊される。この比率は、後に述べるように受光側でACバイアス信号による発光成分が忠実に現われるように設定することが重要で、0.1≦ACバイアス/DCバイアス≦0.9の範囲の比率が最適である。   The outputs from the bias modulators BM201b and BM202b are respectively applied to bias signal synthesizers BC201c and BC202c typified by an analog adder, where they are superimposed on the DC bias voltage of the DC bias reference level generator DCB at a constant ratio. Is done. As will be described later, it is important to set this ratio so that the light emission component by the AC bias signal appears faithfully on the light receiving side, and the ratio in the range of 0.1 ≦ AC bias / DC bias ≦ 0.9 is optimal. is there.

バイアス信号合成器BC201c,BC202cの出力信号の波形の一例を図12に示している。   An example of waveforms of output signals of the bias signal synthesizers BC201c and BC202c is shown in FIG.

この信号は、D/A変換器の機能を有するバイアスレベル調整部BL201d、BL202dによって、所定のバイアスレベルに調整される。バイアスレベル調整部BL201d、BL202dにLEDの各測定条件が予めプログラムとして入力されていれば、それに応じたバイアスレベルを設定することができる。   This signal is adjusted to a predetermined bias level by bias level adjusters BL201d and BL202d having the function of a D / A converter. If each LED measurement condition is previously input as a program to the bias level adjusters BL201d and BL202d, a bias level corresponding to the measurement conditions can be set.

この信号を印加電流出力部IP20e1、IP202eに駆動指令信号として与えると、この駆動指令信号に比例した電流がバイアス電流として被測定LEDであるLED201、LED202にそれぞれ印加される。このバイアス電流の波形は、図12の波形に示すように、DCバイアス電流の基準レベル上に識別信号によって振幅変調されたACバイアス電流が一定比率で重疊した波形なので、LED201、LED202の発光出力もこれに応じた固有の発光出力となる。   When this signal is applied as a drive command signal to the applied current output units IP20e1 and IP202e, a current proportional to the drive command signal is applied as a bias current to the LEDs 201 and 202, which are the LEDs to be measured. The waveform of the bias current is a waveform in which the AC bias current amplitude-modulated by the identification signal is superimposed on the reference level of the DC bias current at a certain ratio as shown in the waveform of FIG. The light emission output is specific to this.

次に、図11の光量検出測定セクションBの動作について説明する。   Next, the operation of the light quantity detection measurement section B in FIG. 11 will be described.

PDは、フォトダイオードおよび光電管のような受光センサであり、1個の受光センサPDによってLED201、LED202の発光量の和の光量を同時に受光するようになっている。したがって、LED201とLED202間の光の遮弊は全く不要である。また、LED201とLED202の発光出力以外の本来は測定の妨害となる外部入射光があっても後述の通りこれを排除することができる。   PD is a light receiving sensor such as a photodiode and a phototube, and a single light receiving sensor PD simultaneously receives the light amount of the sum of the light emission amounts of LED 201 and LED 202. Therefore, there is no need to block light between the LED 201 and the LED 202. Moreover, even if there is externally incident light that would otherwise interfere with the measurement other than the light emission outputs of the LED 201 and the LED 202, this can be eliminated as described later.

受光センサPDは、入射光総量にほぼ比例した電流変化を発生し、I/V変換アンプなどと呼ばれる電流電圧変換器IVCにより、電圧の変化に変換される。   The light receiving sensor PD generates a current change substantially proportional to the total amount of incident light, and is converted into a voltage change by a current-voltage converter IVC called an I / V conversion amplifier.

この出力成分を分析すれば次の成分(a)および(b)を有している。   If this output component is analyzed, it has the following components (a) and (b).

(a)各LEDの発光に共通して含まれるDCバイアス成分の総和に相当する電圧(以下DC受光分電圧という。)。   (A) A voltage corresponding to the sum of the DC bias components included in common to the light emission of each LED (hereinafter referred to as DC received light voltage).

(b)DC受光分電圧に重疊された、ACバイアス信号成分の総和に相当する電圧(以下AC受光分電圧といい、ACベース信号の周波数成分fbを含む)。   (B) A voltage corresponding to the sum of AC bias signal components superimposed on the DC light reception voltage (hereinafter referred to as AC light reception voltage, including the frequency component fb of the AC base signal).

以上、上記成分(a)および(b)を含む出力電圧を高域フィルタHPFに入力し、まず、上記成分(a)のDC受光分電圧を取り除く。   As described above, the output voltage including the components (a) and (b) is input to the high pass filter HPF, and first, the DC light reception voltage of the component (a) is removed.

DC受光分電圧(a)を取り除いても、各LEDの光量情報は(b)のAC受光分電圧に比例的に含まれているので、測定に支障は生じない。   Even if the DC light reception voltage (a) is removed, the light quantity information of each LED is proportionally included in the AC light reception voltage of (b), so that there is no problem in measurement.

高域フィルタHPFからの出力は、乗算機能を有する位相検知器PSD203に入力される。同時に、この位相検知器PSD203には、ACベース信号発生器ACBからACベース信号(周波数fb)が加えられ、両信号は乗算される。すると、高域フィルタHPFの交流出力の周波数成分は、ACバイアス信号の周波数をfbとして、識別信号周波数をf1、f2とすると、上側波帯成分fb+f1、fb+f2、および下側波帯成分fb−f1、fb−f2とからなる。このうち、ACバイアス信号と位相、タイミングが一致するのはfb成分のみということになる。したがって、位相検知器PSD203からの出力には、下記周波数成分の電圧が現れる。   The output from the high pass filter HPF is input to the phase detector PSD 203 having a multiplication function. At the same time, an AC base signal (frequency fb) is added to the phase detector PSD 203 from the AC base signal generator ACB, and both signals are multiplied. Then, the frequency components of the AC output of the high-pass filter HPF are the upper sideband components fb + f1, fb + f2, and the lower sideband component fb−f1, where the frequency of the AC bias signal is fb and the identification signal frequencies are f1 and f2. , Fb-f2. Of these, only the fb component has the same phase and timing as the AC bias signal. Therefore, the voltage of the following frequency component appears in the output from the phase detector PSD 203.

この位相検知器PSD203の出力を遮断周波数がfbより+分低く設定されている低域フィルタLPF204に通すことにより、高域成分が取り除かれ、低域フィルタLPF204の出力には、次の(1)と(2)の電圧のみが現れる。
(1)高域フィルタHPFの出力に、ACベース信号の位相と完全に同相な信号が存在する場合にのみ現れる零Hzの電圧、即ち直流で、その電圧レベルは前記(b)のAC受光分電圧中のACベース信号成分のレベルに比例する。
(2)f1,f2で、振幅は識別信号の振幅に比例する電圧。
By passing the output of the phase detector PSD 203 through a low-pass filter LPF 204 whose cutoff frequency is set to be lower than fb, the high-frequency component is removed, and the output of the low-pass filter LPF 204 includes Only the voltage of (2) appears.
(1) A voltage of 0 Hz that appears only when a signal completely in phase with the phase of the AC base signal is present at the output of the high pass filter HPF, that is, a direct current, the voltage level of which is the amount of AC light received in (b) above. It is proportional to the level of the AC base signal component in the voltage.
(2) A voltage whose amplitude is proportional to the amplitude of the identification signal at f1 and f2.

また、低域フィルタLPF204を通過帯域周波数が零Hz≪通過帯域周波数≪fbとなるような帯域フィルタに置換すれば、上記(2)の電圧成分のみが通過する。この信号は、識別信号の総和の信号である。   Further, if the low-pass filter LPF 204 is replaced with a band filter in which the pass band frequency is zero Hz << pass band frequency << fb, only the voltage component (2) passes. This signal is a sum signal of the identification signals.

こうして得られた上記(1)および(2)の成分のみの信号かまたは(2)の電圧成分のみからなる信号を位相検知器PSD203とほぼ同様の乗算機能を有する位相検知器PSD201f、PSD202fに供給する。   The signals of only the above components (1) and (2) or the voltage component of (2) thus obtained are supplied to phase detectors PSD201f and PSD202f having a multiplication function substantially similar to that of the phase detector PSD203. To do.

一方、発光バイアス印加セクションAの各識別信号発生器ID201a、ID202aからは、各系統に対応した識別信号と同成分の信号が位相検知器PSD201f、PSD202fに供給される。   On the other hand, from each identification signal generator ID201a, ID202a of the light emission bias application section A, a signal having the same component as the identification signal corresponding to each system is supplied to the phase detectors PSD201f, PSD202f.

位相検知器PSD201f、PSD202fからの信号を遮断周波数を識別信号周波数f1、f2より低くした低域フィルタLPF201g、LPF202gに加えると、高域成分が取り除かれ、即ち、識別信号による発光により生じた直流電圧ED201h、ED202hが得られる。この直流電圧ED201h、ED202hを、2チャンネル以上のスキャナ付のA/D変換器ADCに入力し、これを時分割選択して測定値を得る。   When the signals from the phase detectors PSD201f and PSD202f are added to the low-pass filters LPF201g and LPF202g whose cutoff frequencies are lower than the identification signal frequencies f1 and f2, the high-frequency components are removed, that is, the DC voltage generated by the light emission by the identification signal. ED201h and ED202h are obtained. The DC voltages ED201h and ED202h are input to an A / D converter ADC with a scanner having two or more channels, and this is time-divisionally selected to obtain a measured value.

特開2004−31460号公報   JP 2004-31460 A

上記従来の発光測定装置100では、複数個のLED発光を識別して発光量を測定することが不可能なため、複数個のLED発光の同時測定ができない。仮に、受光ダイオードPDを2個設置し、2個のLEDを同時に測定する場合であっても、各受光ダイオードPDで光量を電気量にそれぞれ変換するため、システム自体も2台必要であり、LED発光を同時に測定できるものの、システム価格は2倍になるという問題を有していた。   In the conventional light emission measuring device 100, it is impossible to measure the amount of light emission by identifying a plurality of LED light emissions, and therefore it is impossible to measure a plurality of LED light emissions simultaneously. Even if two light-receiving diodes PD are installed and two LEDs are measured at the same time, each light-receiving diode PD converts the amount of light into an electrical quantity, so two systems are required. Although the luminescence can be measured at the same time, the system price has been doubled.

上記従来の発光測定装置200では、上記従来の発光測定装置100に比べて、個々の発光量の測定時間全体を短縮できるものの、測定するLEDの数が増える毎に、測定LEDを識別するためのID回路も増やす必要があって、測定機の価格がその分だけ高くなる。この場合に、ID信号が正確に出力されているかどうかなど、識別ID回路に問題がないことを確認するためのチェック機構もソフト/ハード両面で必要となるため、装置価格が更に増加してしまう。さらに、識別ID回路に問題が発生した場合に部品交換ではなく、計測基板として交換するため、装置停止時間が増加してしまう。また、発光量信号と識別ID信号の合成タイミングにばらつきがある場合、識別信号を正確に取り込めない。この識別ID信号にノイズなどが載った場合、正確な識別ID信号として取り込めない。   Although the conventional luminescence measuring apparatus 200 can shorten the entire measurement time of each luminescence amount as compared with the conventional luminescence measuring apparatus 100, each time the number of LEDs to be measured increases, the measurement LED is identified. It is necessary to increase the number of ID circuits, and the price of the measuring machine increases accordingly. In this case, since a check mechanism for confirming that there is no problem in the identification ID circuit, such as whether the ID signal is output correctly, is required on both software and hardware sides, the device price further increases. . Furthermore, when a problem occurs in the identification ID circuit, the apparatus is stopped as a measurement board, not as a part, so that the apparatus stop time increases. Further, when there is a variation in the synthesis timing of the light emission amount signal and the identification ID signal, the identification signal cannot be accurately captured. If noise or the like is included in this identification ID signal, it cannot be captured as an accurate identification ID signal.

いずれにせよ、上記従来の発光測定装置100、200では、LEDと受光ダイオードPDとを1対1で対峙させて配置し、フォトダイオードPDによりLEDの発光量を電気量に変換してLEDの発光量を測定しているが、LEDの発光量が基準値に達しているかどうかしか測定することができず、LED発光の指向性やごみ付着不良などについては全く検査することができないという問題を有していた。   In any case, in the conventional light emission measuring devices 100 and 200, the LED and the light receiving diode PD are arranged to face each other, and the light emission amount of the LED is converted by the photodiode PD into the electric amount. However, there is a problem that it cannot be inspected at all about the directivity of LED light emission and dust adhesion failure. Was.

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、1個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ID回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができる発光測定装置および発光測定方法、この発光測定方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、この制御プログラムが格納された可読記録媒体を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems. In addition to the light emission amount of one optical element, the light emission amount of a plurality of optical elements can be easily and accurately used without using a conventional identification ID circuit. A light emission measuring device and a light emission measuring method capable of easily and accurately measuring and inspecting the directivity of light emission of an optical element and dust adhesion failure, and a computer to execute the light emission measurement method It is an object of the present invention to provide a control program and a readable recording medium storing the control program.

本発明の発光測定装置は、光学素子の発光を検査する発光測定装置において、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子と、該撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する制御部とを有し、該制御部は、該光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段と、該アドレス指定手段により指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査手段とを有し、該制御部は、該アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否を判定する判定手段をさらに有し、該判定手段で判定した判定結果が不良の場合に、該アドレス指定手段がアドレス指定する受光部を変更して、該判定手段は、変更後の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否のさらなる判定をするものであり、そのことにより上記目的が達成される。
The light emission measuring device of the present invention is a light emission measuring device for inspecting light emission of an optical element. An image pickup element provided with a plurality of light receiving portions that receive light from the optical element and pick up an image thereof; have a control unit for checking controlling the light emission state of the optical element by using the image signal, the control unit from among the plurality of light receiving portions for imaging the light emission state of the optical element, one or more light receiving portions Addressing means for addressing the light source, and light emission state inspection means for inspecting the light emission state of the optical element based on an imaging signal from one or a plurality of light receiving units designated by the address designation means, and the control The unit further includes a determination unit that compares a value of an imaging signal from one or a plurality of light receiving units specified by the address specifying unit with a reference value, and determines whether the light emission state of the optical element is good. Judgment result judged by means If the light receiving unit is defective, the addressing unit changes the light receiving unit to be addressed, and the determination unit compares the value of the imaging signal from the light receiving unit after the change with the reference value, and emits light from the optical element. Further determination of the quality of the state is made, and thereby the above object is achieved.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置におけるアドレス指定手段は、前記光学素子の発光状態の検査にどの画素を用いるかの画素アドレスの指定入力が外部から為されるかまたは該画素アドレスが予め選択設定されている。   Further preferably, the address specifying means in the light emission measuring device of the present invention is configured such that the pixel address specifying input indicating which pixel is used for the inspection of the light emission state of the optical element is made from the outside, or the pixel address is set in advance. Selected and set.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置におけるアドレス指定手段は、前記光学素子の発光中心およびその近傍を通る一方向または複数方向の複数画素アドレスを指定するかまたは/および、該光学素子の発光中心の一画素アドレスまたは、該光学素子の発光中心およびその近傍を含むブロックエリアの複数画素アドレスを指定する。   Further preferably, the addressing means in the light emission measuring device of the present invention specifies a plurality of pixel addresses in one direction or a plurality of directions passing through the light emission center of the optical element and the vicinity thereof, and / or the light emission of the optical element. One central pixel address or a plurality of pixel addresses of a block area including the light emission center of the optical element and its vicinity are designated.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、前記判定手段は、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段を有する。
Further, preferably, Oite the luminometer of the present invention, the determination means compares the value with the reference value of the image signals from one or more light receiving portions specified by said address specifying means, the image pickup signal A light amount determining unit that determines that the light amount is poor when the value of the image signal is lower than the reference value and determines that the light amount is good when the value of the imaging signal is equal to or greater than the reference value.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、前記判定手段は、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段を有する。
Further, preferably, Oite the luminometer of the present invention, the determination means compares the value with the reference value of the image signals from one or more light receiving portions specified by said address specifying means, said optical element There is directivity determining means for determining whether the directivity of light emission is good or bad.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、前記光量判定手段および/または前記指向性判定手段で判定した判定結果が不良の場合に、その判定内容をそのチップ番号に登録する不良登録手段を有する。   Further preferably, in the light emission measuring device of the present invention, when the determination result determined by the light amount determination means and / or the directivity determination means is defective, a defect registration means for registering the determination content in the chip number is provided. Have.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、隣接した二つの前記光学素子間に光混合防止用の仕切り板が配設されている。
Further preferably, in the light emission measuring apparatus of the present invention, a partition plate for preventing light mixing is disposed between the two adjacent optical elements.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、隣接した四つの前記光学素子間に光混合防止用の平面視十字状の仕切り板が配設されている。
Further preferably, in the light emission measuring device of the present invention, a partition plate having a cross shape in plan view for preventing light mixing is disposed between the four adjacent optical elements.

さらに、好ましくは、本発明の発光測定装置において、1個以上の前記光学素子を同時に発光させる発光駆動手段を有する。
Furthermore, it is preferable that the light emission measuring device of the present invention further includes a light emission driving unit that simultaneously emits light from one or more of the optical elements.

本発明の発光測定方法は、光学素子の発光を検査する発光測定方法において、制御手段が、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する検査制御ステップを有し、該検査制御ステップは、アドレス指定手段が、該光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定ステップと、発光状態検査手段が、該アドレス指定ステップで指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査ステップとを有し、該発光状態検査ステップは、判定手段が、該アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否を判定する判定ステップと、該判定ステップにおける判定結果が不良の場合に、該アドレス指定手段がアドレス指定する受光部を変更して、該判定手段が、変更後の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否のさらなる判定をするさらなる判定ステップとを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
The luminescence measurement method of the present invention is an luminescence measurement method for inspecting luminescence of an optical element. In the luminescence measurement method, an image is picked up from an image pickup element provided with a plurality of light receiving portions that receive and radiate light emitted from the optical element. have a test control step of inspecting controlling the light emission state of the optical element by using the signal, the test control step, the addressing means, from a plurality of light receiving portions for imaging the light emission state of the optical element, one Alternatively, the addressing step for addressing a plurality of light receiving units and the light emission state inspection means inspect the light emitting state of the optical element based on the imaging signals from one or a plurality of light receiving units specified in the addressing step. A light emission state inspection step, wherein the light emission state inspection step compares a reference value with a value of an imaging signal from one or a plurality of light receiving units specified by the addressing unit by the determination unit. The determination step for determining whether the light emitting state of the optical element is good or not, and when the determination result in the determination step is bad, the address designation unit changes the light receiving unit to be addressed, and the determination unit And a further determination step of comparing the value of the imaging signal from the subsequent light receiving unit with a reference value to further determine the quality of the light emission state of the optical element , thereby achieving the above object. .

さらに、好ましくは、本発明の発光測定方法における発光状態検査ステップは、光量判定手段が、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定ステップと、指向性判定手段が、アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定ステップとを有する。 Further preferably, in the light emission state inspection step in the light emission measurement method of the present invention, the light amount determination means compares the value of the imaging signal from one or a plurality of light receiving units designated by the address designation means with a reference value, A light amount determination step for determining a light amount defect when the value of the imaging signal is lower than the reference value, and determining that the light amount is good when the value of the imaging signal is equal to or greater than the reference value; by comparing the value with the reference value of the image signals from one or more light receiving portions specified by designating means, and a directional determination step of determining the directionality of quality of emission of the optical element.

本発明の制御プログラムは、本発明の上記発光測定方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。   The control program of the present invention describes a processing procedure for causing a computer to execute each step of the above-described luminescence measurement method of the present invention, thereby achieving the above object.

本発明の可読記録媒体は、本発明の上記制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。   The readable recording medium of the present invention is a computer-readable medium in which the control program of the present invention is stored, whereby the above object is achieved.

上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。   With the above configuration, the operation of the present invention will be described below.

本発明においては、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子と、この撮像素子からの撮像信号を用いて光学素子の発光状態を検査制御する制御部とを有している。この制御部は、光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段と、このアドレス指定手段により指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて光学素子の発光状態を検査する発光状態検査手段とを有している。   In the present invention, an image sensor provided with a plurality of light receiving units that receive and image light emitted from the optical element, and a control unit that inspects and controls the light emission state of the optical element using an image signal from the image sensor And have. The control unit includes: an address designating unit for addressing one or a plurality of light receiving units out of a plurality of light receiving units for imaging the light emission state of the optical element; and one or a plurality of light receiving units designated by the address designating unit. And a light emission state inspection means for inspecting the light emission state of the optical element based on the imaging signal from the optical element.

これによって、複数の受光部を持つ受光センサを用いて発光素子(例えばLED)の発光状態を1枚の画像として測定するので、その中心近傍の1受光部(1画素)のデータを取り出しても発光の明るさ(または輝度)を測定することが可能であるし、X方向やY方向の一列のデータを取り出せば、発光の分布を測定することも可能である。   Thus, since the light emitting state of the light emitting element (for example, LED) is measured as a single image using a light receiving sensor having a plurality of light receiving portions, data of one light receiving portion (one pixel) in the vicinity of the center is taken out. The brightness (or luminance) of light emission can be measured, and the distribution of light emission can also be measured by taking out a row of data in the X direction and the Y direction.

また、二つの発光素子(例えばLED)の間に板状の仕切り部材を入れると、二つの発光素子からの発光の干渉を抑えることができて、二つの発光素子からの発光を同時に画像として捉えることが可能となる。四つの発光素子であれば十字状の仕切り部材を入れれば、四つの発光素子からの各発光を同時に画像として捉えることが可能となる。   In addition, if a plate-shaped partition member is inserted between two light emitting elements (for example, LEDs), interference of light emission from the two light emitting elements can be suppressed, and light emission from the two light emitting elements can be captured as an image at the same time. It becomes possible. If there are four light-emitting elements, if a cross-shaped partition member is inserted, each light emission from the four light-emitting elements can be simultaneously captured as an image.

したがって、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出して光学素子の発光状態を検査制御するので、1個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ID回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することが可能となる。   Therefore, the light emission state of the optical element is inspected and controlled by taking out the signal at the pixel level using the image pickup signal from the image pickup element provided with a plurality of light receiving portions that receive and pick up the light emitted from the optical element. In addition to the light emission amount of each optical element, the light emission amount of a plurality of optical elements can be easily and accurately measured and inspected without using a conventional identification ID circuit. It is possible to easily and accurately measure and inspect the dust adhesion failure.

以上により、本発明によれば、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出して光学素子の発光状態を検査制御するため、1個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ID回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができる。   As described above, according to the present invention, the light emission state of the optical element is obtained by extracting the signal at the pixel level using the image pickup signal from the image pickup element provided with the plurality of light receiving portions that receive the light emission from the optical element and pick up the image. In addition to the light emission amount of one optical element, the light emission amount of a plurality of optical elements can be easily and accurately measured and inspected without using a conventional identification ID circuit. It is possible to easily and accurately measure and inspect the directivity of light emitted from the optical element and dust adhesion failure.

本発明の実施形態1における発光測定装置の要部構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structural example of the light emission measuring apparatus in Embodiment 1 of this invention. 図1の発光測定装置がチップ切断前の各チップの光学素子発光を測定している様子を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a mode that the light emission measuring apparatus of FIG. 1 is measuring the optical element light emission of each chip | tip before chip | tip cutting | disconnection. 図2の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加してLEDを発光させる場合の上面図である。FIG. 3 is a top view when a LED is caused to emit light by applying a power supply voltage to each of the two semiconductor chips of FIG. 2. (a)および(b)は、チップ切断後の各チップ間隔を広げて光学素子を発光させている様子を示す模式図である。(A) And (b) is a schematic diagram which shows a mode that the optical element is light-emitted by extending each chip | tip space | interval after chip | tip cutting | disconnection. (a)および(b)は、チップ切断後の各チップをパッケージ化して光学素子を発光させている様子を示す模式図である。(A) And (b) is a schematic diagram which shows a mode that each chip | tip after chip | tip cutting is packaged and an optical element is made to light-emit. 図3の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加したLEDの発光を、図1の発光測定装置が測定した画面図であって、半導体チップ毎の光量判定エリアを示す画面図である。FIG. 4 is a screen view showing the light emission determination device of FIG. 1 for measuring the light emission of the LED respectively applied with the power supply voltage to the two semiconductor chips of FIG. 3, and showing the light quantity determination area for each semiconductor chip. 図3の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加したLEDの発光を、図1の発光測定装置が測定した画面図であって、各画素のアドレス選択エリアを示す画面図である。FIG. 4 is a screen view showing the light emission of the LED to which the power supply voltage is respectively applied to the two semiconductor chips of FIG. 3 measured by the light emission measuring device of FIG. 1 and showing the address selection area of each pixel. (a)〜(e)は、図7のアドレス選択エリアを選択した場合のLEDの発光状態を示す指向性分布図である。(A)-(e) is a directivity distribution map which shows the light emission state of LED at the time of selecting the address selection area of FIG. 複数の仕切り板を持つ図1の発光測定装置の具体例を複数用いた場合を示す要部縦断面図である。It is a principal part longitudinal cross-sectional view which shows the case where two or more specific examples of the light emission measuring apparatus of FIG. 1 with a some partition plate are used. 従来の発光測定装置の要部構成例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the example of a principal part structure of the conventional light emission measuring device. 特許文献1に開示されている従来の発光測定装置の要部構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structural example of the conventional light emission measuring device currently disclosed by patent document 1. FIG. 図11の従来の発光測定装置で使用されるACバイアス信号の波形を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the waveform of the AC bias signal used with the conventional light emission measuring device of FIG.

以下に、本発明の発光測定装置および発光測定方法の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of a luminescence measuring apparatus and a luminescence measuring method of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, each thickness, length, etc. of the structural member in each figure are not limited to the structure to illustrate from a viewpoint on drawing preparation.

(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1における発光測定装置の要部構成例を示すブロック図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a main part of a luminescence measuring apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

図1において、本実施形態1の発光測定装置1は、後述する半導体チップ12の発光素子としてのLEDを発光させた場合に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する複数の受光部がマトリクス状に設けられた撮像素子2と、撮像素子2からの撮像信号からノイズを除去した後にA/D変換するA/D変換部3と、全体の制御を行うと共に発光測定制御を行うCPU(中央演算処理装置)で構成された制御部4と、CPUに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク(例えばインターネットやイントラネット)を介して受信入力する入力装置などの操作部5と、表示画面上に、初期画面、選択画面、CPUによる制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部6と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのROM7と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、CPUによる制御毎にデータを読み出し・記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのRAM8とを有している。   In FIG. 1, the light emission measuring device 1 according to the first embodiment includes a plurality of light receiving units that photoelectrically convert incident light from a subject when an LED as a light emitting element of a semiconductor chip 12 described later emits light. An image pickup device 2 provided in a matrix, an A / D conversion unit 3 that performs A / D conversion after removing noise from the image pickup signal from the image pickup device 2, and a CPU that performs overall control and performs light emission measurement control ( The control unit 4 is configured by a central processing unit), a keyboard, a mouse, a touch panel and a pen input device for giving an input command to the CPU, and further received via a communication network (for example, the Internet or an intranet). Display that displays an initial screen, a selection screen, a control result screen by the CPU, an operation input screen, and the like on the operation unit 5 such as an input device and the display screen. 6, ROM 7 as a computer-readable readable recording medium in which the control program and its data are stored, and the control program and its data are read at startup, and the data is read and stored for each control by the CPU It has RAM8 as a memory | storage part which works as a work memory.

撮像素子2は、後述する半導体チップ12の発光素子としてのLEDの発光状態を画像として撮像するCCD型イメージセンサまたはCMOS型イメージセンサで構成されており、複数の受光部として例えば200×400画素程度で構成されていてもよいが、この画素数よりも多くても少なくてもよい。   The imaging device 2 is configured by a CCD type image sensor or a CMOS type image sensor that captures an image of a light emission state of an LED as a light emitting device of a semiconductor chip 12 to be described later, and has, for example, about 200 × 400 pixels as a plurality of light receiving units. However, it may be more or less than this number of pixels.

制御部4は、LEDからの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子2からの撮像信号を用いてLEDの発光状態を検査制御する。制御部4は、操作部5から、発光状態の検査にどの画素を用いるかの画素アドレスの選択指定入力が為されるかまたは、検査モードに応じて自動的に選択設定して、LED発光近傍を通るX方向またはY方向の一列の複数画素アドレスを指定するかまたは、所定エリアの一または複数画素のアドレスを指定するアドレス指定手段41と、LEDの発光を一または複数の画素で画像的に撮像してその一画素の値または平均値を求め、それと基準値とを比較する光量判定手段42と、発光素子としてのLEDの指向性を判定する指向性判定手段43と、光量判定手段42および/または指向性判定手段43で判定した判定結果がNGの場合に、その判定内容およびNGチップ番号をRAM8に登録する不良登録手段としてのNGチップ登録手段44とを有している。これらの光量判定手段42および指向性判定手段43により、アドレス指定手段41で指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいてLEDの発光状態を検査する発光状態検査手段が構成されている。   The control unit 4 inspects and controls the light emission state of the LED using an image pickup signal from the image pickup device 2 provided with a plurality of light receiving units that receive and pick up light emitted from the LED. The control unit 4 receives from the operation unit 5 pixel address selection designation input indicating which pixel is used for the inspection of the light emission state, or automatically selects and sets the pixel address according to the inspection mode, and the vicinity of the LED light emission. Addressing means 41 that designates a plurality of pixel addresses in one column in the X direction or Y direction that passes through or addresses of one or more pixels in a predetermined area; A light amount determination means 42 that obtains a value or average value of one pixel and compares it with a reference value, a directivity determination means 43 that determines the directivity of an LED as a light emitting element, a light amount determination means 42, and If the determination result determined by the directivity determining means 43 is NG, the NG chip registering means 4 as defect registering means for registering the determination contents and the NG chip number in the RAM 8. And it has a door. The light quantity determination unit 42 and the directivity determination unit 43 constitute a light emission state inspection unit that inspects the light emission state of the LED based on the imaging signal from one or a plurality of light receiving units designated by the address designation unit 41. Yes.

アドレス指定手段41は、外部選択指定入力または検査モードに応じた所定の内部選択設定により、所定範囲の画素エリア、例えば200×400画素において、例えばX(横方向番号;左側の1行目トップを基準として、例えば1〜200)が50〜100、Y(縦方向番号;1〜400)が例えば50〜100の画素エリアが行列方向(縦横方向)に選択設定される。この場合に、アドレス指定手段41には、光学測定をする撮像素子2から1画素以上の個別信号を取り出す手段が設けられており、順次入力される例えば200×400画素データから、アドレス指定された画素エリアの発光状態の画素データだけが、アドレス指定手段41のアドレス指定情報に対して、行列方向(縦横方向)にカウントされ、そのカウント値が一致して取り込まれる。LEDの指向性について説明すると、ピーク値が一つのLEDの発光断面が円形または楕円形の指向性のものや、ピーク値が二つあるLEDの発光断面がハート形状の指向性のものなどがある。X方向またはY方向の一列の複数画素アドレスを指定すると、LEDの発光断面(円形またはハート形など)の指向性形状(ピーク値とその周辺値)を測定することができる。LEDの発光断面が円形または楕円形であっても、LED中央にごみが付着している場合には、発光断面がハート形状のようになったりするため、これを不良(NG)とする。いずれにせよ、X方向またはY方向の一列の複数画素アドレスを指定することにより、光学素子発光の指向性形状やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して良否検査することができる。   The address designating means 41 can select, for example, X (horizontal direction number; left first line top) in a predetermined area of pixel area, for example, 200 × 400 pixels, by external selection designation input or predetermined internal selection setting according to the inspection mode. As a reference, for example, a pixel area in which 1 to 200) is 50 to 100 and Y (vertical direction number; 1 to 400) is 50 to 100, for example, is selected and set in the matrix direction (vertical and horizontal directions). In this case, the address specifying means 41 is provided with means for taking out individual signals of one pixel or more from the image sensor 2 for optical measurement, and the address is specified from, for example, 200 × 400 pixel data that is sequentially input. Only the pixel data of the light emission state of the pixel area is counted in the matrix direction (vertical and horizontal directions) with respect to the addressing information of the address designating means 41, and the count values match and are captured. Explaining the directivity of the LED, there is a directivity in which the light emission cross section of the LED having one peak value is circular or elliptical, and the light emission cross section of the LED having two peak values is in the shape of a heart shape. . When a plurality of pixel addresses in a row in the X direction or the Y direction are designated, the directivity shape (peak value and its peripheral value) of the light emission cross section (such as a circle or a heart shape) of the LED can be measured. Even if the light emission cross section of the LED is circular or elliptical, if dust is attached to the center of the LED, the light emission cross section becomes like a heart shape, which is regarded as defective (NG). In any case, by specifying a plurality of pixel addresses in a row in the X direction or the Y direction, it is possible to easily and accurately measure the directivity shape of the light emitted from the optical element and the dust adhesion failure and to check the quality.

アドレス指定手段41において、光学測定をする撮像素子2の受光エリアを図7のX1、Y1、D1のように任意に設定することができる。また、光学測定をする撮像素子2の受光エリアを図7のX1、Y1、D1のうちの少なくとも二つのように複数エリア設定することもできる。さらに、不良(NG)と判定された場合に、その不良部分の受光データを1画素ずつ詳細にアドレス指定してそのデータを取り込んで不良部分を検証することもできる。   In the address designation means 41, the light receiving area of the image sensor 2 for optical measurement can be arbitrarily set as X1, Y1, D1 in FIG. Also, a plurality of light receiving areas of the image sensor 2 for optical measurement can be set as at least two of X1, Y1, and D1 in FIG. Furthermore, when it is determined as defective (NG), the received light data of the defective portion can be addressed in detail pixel by pixel, and the defective portion can be verified by fetching the data.

光量判定手段42は、所定画素領域の各画素(X,Y)のアンドを取って総和光量またはその平均光量またはピーク光量が所定の基準値を満たしているかどうかでLED光量の良否を判定する。   The light amount determination means 42 determines whether the LED light amount is good or not by taking an AND of each pixel (X, Y) in the predetermined pixel region and whether the total light amount, the average light amount, or the peak light amount satisfies a predetermined reference value.

指向性判定手段43は、所定画素領域の各画素(X,Y)のアンドを取って指向性、例えば円形またはハート形かどうかを判定し、円形のところハート形やピーク位置が中央位置からずれている場合などはごみまたは汚れ付着などを含む指向性不良(NG)として判定する。   The directivity determining means 43 determines whether or not the directivity, for example, a circle or a heart shape, is obtained by taking an AND of each pixel (X, Y) in a predetermined pixel region. If it is, the directivity defect (NG) including dust or dirt is determined.

NGチップ登録手段44は、光量判定手段42および/または指向性判定手段43で判定した判定結果がNGの場合に、その判定内容(光量NGまたは/および指向性NG、さらに指向性NGの種類)およびNGチップ番号をRAM8に登録する。   When the determination result determined by the light amount determination unit 42 and / or the directivity determination unit 43 is NG, the determination content (the amount of light NG or / and the directivity NG, and the type of directivity NG). The NG chip number is registered in the RAM 8.

可読記録媒体としてのROM7としては、ハードディスクの他、形態自在な光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどで構成されていてもよい。この制御プログラムおよびそのデータなどがROM7に記憶されるが、この制御プログラムおよびそのデータは、他の可読記録媒体から、または、無線、有線またはインターネットなどを介してROM7にダウンロードされてもよい。   The ROM 7 as a readable recording medium may be composed of a hard disk, a formable optical disk, a magneto-optical disk, a magnetic disk, an IC memory, and the like. The control program and its data are stored in the ROM 7, but the control program and its data may be downloaded to the ROM 7 from another readable recording medium or via wireless, wired or internet.

図2は、図1の発光測定装置1が切断前の各チップの光学素子発光を測定している様子を示す模式図である。図3は、図2の二つの半導体チップ12に電源電圧をそれぞれ印加してLEDを発光させる場合の上面図である。   FIG. 2 is a schematic diagram showing a state in which the light emission measuring device 1 of FIG. 1 measures the optical element light emission of each chip before cutting. FIG. 3 is a top view when the LED is caused to emit light by applying a power supply voltage to each of the two semiconductor chips 12 of FIG.

図2および図3において、ウエハ11上に、発光ダイオード(LED)が設けられた複数の半導体チップ12が行列方向にマトリクス状に配設されており、複数の半導体チップ12(ここでは二つ)毎に電源電圧を、プローブピンコンタクトであるパッド13にプローブピン14から印加してLEDを発光させることができる。このように、制御部4には、プローブピン14から所定の電源電圧を印加して、1個以上のLED20や任意のLED20を同時または個別に発光させる発光駆動手段を有している。このとき、制御部4は、プローブピン14はパッド13に接触している必要があると同時に、左上側の半導体チップ12を基点として、どの位置の半導体チップ12を測定しているのかを認識している必要がある。これによって、LEDの発光量や指向性の良否判定を、発光測定装置1により検査することができる。このようにして、所定数(ここでは二つ)の半導体チップ12(チップAとチップB)ずつ間に仕切り板(図2および図3では図示せず)を介在させて順番にそのLEDの発光量および発光状態を測定して検査する。   2 and 3, a plurality of semiconductor chips 12 provided with light emitting diodes (LEDs) are arranged in a matrix in a matrix direction on a wafer 11, and a plurality of semiconductor chips 12 (two here) are arranged. A power supply voltage is applied to the pad 13 which is a probe pin contact from the probe pin 14 every time, and LED can be light-emitted. As described above, the control unit 4 includes a light emission driving unit that applies a predetermined power supply voltage from the probe pin 14 and causes one or more LEDs 20 or arbitrary LEDs 20 to emit light simultaneously or individually. At this time, the control unit 4 needs to contact the pad 13 with the probe pin 14 and at the same time recognizes the position of the semiconductor chip 12 measured from the upper left semiconductor chip 12 as a base point. Need to be. Thereby, the light emission measurement device 1 can inspect whether the light emission amount of the LED or the directivity is good or bad. In this way, a predetermined number (here, two) of semiconductor chips 12 (chip A and chip B) are interposed between the partition plates (not shown in FIGS. 2 and 3), and the LEDs emit light sequentially. Measure and inspect quantity and luminescence status.

この場合、発光測定装置1は、複数個のLEDを受光できるサイズの撮像素子2を搭載し、撮像エリアに対して任意のアドレス指定した撮像信号を取り出すことが可能な測定装置である。   In this case, the light emission measuring device 1 is a measuring device that is equipped with an image pickup device 2 having a size capable of receiving a plurality of LEDs, and can take out an image pickup signal having an arbitrary address assigned to the image pickup area.

LEDの発光に対して、撮像素子2の撮像エリアを画素アドレス(X,Y)で指定し、電気信号として取り出すことにより、一つの撮像素子2に対して複数個(ここでは2個)のLEDを発光させても必要な画素情報を選択することができる。さらに、撮像素子2に仕切り板を設けることにより、横からの光の影響を無くす構造を持させることができる。画素レベルで精細に複数信号を取り出すため、指向性に関する発光量分布がわかって、指向性不良およびごみ付着不良をも検査することができるようになっている。   With respect to light emission of the LED, a plurality of (two in this case) LEDs are assigned to one image pickup device 2 by designating an image pickup area of the image pickup device 2 with a pixel address (X, Y) and taking it out as an electric signal. Necessary pixel information can be selected by emitting light. Furthermore, by providing a partition plate in the image sensor 2, it is possible to have a structure that eliminates the influence of light from the side. Since a plurality of signals are extracted in detail at the pixel level, the light emission amount distribution related to directivity is known, and it is possible to inspect directivity defects and dust adhesion defects.

図4(a)および図4(b)は、チップ切断後の各チップ間隔を広げて光学素子を発光させている様子を示す模式図である。   FIG. 4A and FIG. 4B are schematic views showing a state in which the optical element is caused to emit light by increasing the interval between the chips after cutting the chips.

図4(a)および図4(b)において、前述したウエハ11の複数の半導体チップ12を、ダイシングフレームであるリング15で固定された粘着シート16を貼り付けた状態で、ダイシングワイヤまたはダイシングブレードにより個々の半導体チップ12に切断後、粘着シート16をエクスパンド(引き伸ば)して個々の半導体チップ12間に一定の隙間を空けて固定する。この場合、個々の半導体チップ12間に一定の隙間が空くため、各半導体チップ12間に仕切り板(図示せず)を介在させやすくなって検査がより容易になる。   4 (a) and 4 (b), a dicing wire or a dicing blade in a state where the plurality of semiconductor chips 12 of the wafer 11 described above are attached with an adhesive sheet 16 fixed by a ring 15 which is a dicing frame. After cutting into individual semiconductor chips 12, the adhesive sheet 16 is expanded (stretched) and fixed with a certain gap between the individual semiconductor chips 12. In this case, since a certain gap is left between the individual semiconductor chips 12, a partition plate (not shown) is easily interposed between the semiconductor chips 12, thereby facilitating the inspection.

この状態で、複数の半導体チップ12(ここでは二つ)毎に電源電圧を、プローブピンコンタクトであるパッド13にプローブピン14から印加してLEDを発光させることができる。このLEDの発光量や指向性の良否判定を、発光測定装置1により検査することができる。このようにして、所定数(ここでは二つ)の半導体チップ12ずつ間に仕切り板(図示せず)を介在させて順番にそのLEDを検査する。   In this state, the LED can be caused to emit light by applying a power supply voltage to each of the plurality of semiconductor chips 12 (here, two) from the probe pins 14 to the pads 13 serving as probe pin contacts. The light emission amount and directivity quality determination of the LED can be inspected by the light emission measuring device 1. In this way, the LEDs are sequentially inspected with a partition plate (not shown) interposed between a predetermined number (here, two) of semiconductor chips 12.

図5(a)および図5(b)は、チップ切断後の各チップをパッケージ化して光学素子を発光させている様子を示す模式図である。   FIG. 5A and FIG. 5B are schematic views showing a state in which each chip after chip cutting is packaged and the optical element emits light.

図5(a)および図5(b)において、個々の半導体チップ12に切断して個片化後、半導体チップ12にコンタクトピン17を装着し、これをパッケージ化したパッケージ品18に対して、電源電圧をコンタクトピン17から印加してLEDを発光させることができる。このLEDの発光量や指向性の良否判定を、発光測定装置1により検査することができる。このようにして、所定数(ここでは二つ)のパッケージ品18ずつ間に仕切り板(図示せず)を介在させて順番にそのLEDを検査する。   5 (a) and 5 (b), after cutting into individual semiconductor chips 12 and dividing them into individual pieces, contact pins 17 are attached to the semiconductor chips 12, and packaged products 18 are packaged. A power supply voltage can be applied from the contact pin 17 to cause the LED to emit light. The light emission amount and directivity quality determination of the LED can be inspected by the light emission measuring device 1. In this way, the LEDs are sequentially inspected with a partition plate (not shown) interposed between a predetermined number (here, two) of package products 18.

図6および図7は、図3の二つの半導体チップに電源電圧をそれぞれ印加したLEDの発光を、図1の発光測定装置1が測定した画面図であって、図6は半導体チップ毎の光量判定エリアを示す画面図、図7は、各画素のアドレス選択エリアを示す画面図である。   6 and FIG. 7 are screen views obtained by measuring the light emission of the LED to which the power supply voltage is applied to the two semiconductor chips of FIG. 3 by the light emission measuring device 1 of FIG. 1, and FIG. 6 shows the light quantity for each semiconductor chip. FIG. 7 is a screen diagram showing an address selection area for each pixel.

図6に示すように、半導体チップ毎(LED毎)の光量判定エリアとして、例えばチップAでは1画素の光量判定エリアA1、チップBでは1画素の光量判定エリアB1であるが、複数画素エリアであってもよく、光量判定エリアは予め設定しておくが、これに限らず、任意に設定可能である。   As shown in FIG. 6, the light amount determination area for each semiconductor chip (for each LED) is, for example, a light amount determination area A1 for one pixel in chip A and a light amount determination area B1 for one pixel in chip B. The light amount determination area may be set in advance, but is not limited to this and can be arbitrarily set.

図7に示すように、各画素のアドレス選択エリアとして、例えばチップAではX方向およびY方向の各一列のアドレス選択エリアX1およびY1、チップBでは画素ブロックのアドレス選択エリアD1であるが、アドレス選択エリアX1およびY1、D1のうちの少なくともいずれかであってもよいし、これに限らず、アドレス選択エリアはこの他に任意に設定可能である。   As shown in FIG. 7, as the address selection area of each pixel, for example, in the chip A, the address selection areas X1 and Y1 in one column in the X direction and in the Y direction, and in the chip B, the address selection area D1 of the pixel block. It may be at least one of the selection areas X1, Y1, and D1, and is not limited to this, and the address selection area can be arbitrarily set.

図8(a)は、一列のアドレス選択エリアX1を選択し、その断面が所定の指向性分布になっている。即ち、円形の指向性の基準曲線として、LED中央は明るくその周辺部は暗くなっている。この場合、2箇所の明るさe1(中央部)と明るさe2(端部)が所定基準値よりも明るいことが基準となる。   In FIG. 8A, one row of address selection areas X1 is selected, and the cross section has a predetermined directivity distribution. That is, as the circular reference curve for directivity, the center of the LED is bright and the periphery thereof is dark. In this case, the standard is that the brightness e1 (center portion) and the brightness e2 (end portion) at two locations are brighter than a predetermined reference value.

図8(b)では、一列のアドレス選択エリアX1を選択し、その断面が所定の指向性分布(図8(a))から崩れた分布になっている。即ち、全体としての発光量(明るさ)としては足りているが、LED真ん中の明るさが落ち込んでいる。これはLED真ん中に遮光するごみや汚れの付着の他、傷が付いている虞があり、また、光の指向性不良の虞もあって、指向性中央不良(NG)のためである。この場合、LED中央部の明るさe1とその周辺部(端部)の明るさe2との差分が逆転しているかまたは所定値を下回っていると共に、その中央部の明るさe1が所定基準値の下限を遥かに下回ることにより、指向性中央不良(NG)と判定することができる。   In FIG. 8B, a row of address selection areas X1 is selected, and the cross section has a distribution that is broken from a predetermined directivity distribution (FIG. 8A). That is, although the amount of light emission (brightness) as a whole is sufficient, the brightness in the middle of the LED is reduced. This is due to a directional central defect (NG) because there is a possibility of scratches in addition to dust and dirt adhering to the middle of the LED, and there is also a possibility of a light directivity defect. In this case, the difference between the brightness e1 of the LED central part and the brightness e2 of the peripheral part (end part) is reversed or lower than a predetermined value, and the brightness e1 of the central part is a predetermined reference value. By far below the lower limit, it can be determined that the central directivity defect (NG).

図8(c)では、一列のアドレス選択エリアX1を選択し、その断面が所定の指向性分布(図8(a))から崩れた分布になっている。即ち、全体としての発光量としては足りているが、LED真ん中の明るさが所定値よりも大幅に明るく、周辺の明るさが所定値よりも落ち込んでいる。これはLED周辺部に遮光するごみや汚れの付着の他、傷が付いている虞があり、また、光の指向性不良の虞もあって、指向性周辺不良(NG)である。この場合、LED中央部の明るさe1とその周辺部(端部)の明るさe2の差分が所定基準値を上回ると共に、その周辺部(端部)の明るさe2が所定基準値を下回ることにより、指向性周辺不良(NG)と判定することができる。   In FIG. 8C, a row of address selection areas X1 is selected, and the cross section has a distribution that is broken from a predetermined directivity distribution (FIG. 8A). That is, although the amount of light emission as a whole is sufficient, the brightness in the middle of the LED is significantly brighter than a predetermined value, and the surrounding brightness is lower than the predetermined value. This is a directional peripheral defect (NG) because there is a risk that the LED peripheral part may be scratched in addition to dust and dirt adhering to the LED peripheral part, and there is also a possibility of a light directivity defect. In this case, the difference between the brightness e1 of the LED central portion and the brightness e2 of the peripheral portion (end portion) exceeds the predetermined reference value, and the brightness e2 of the peripheral portion (end portion) falls below the predetermined reference value. Thus, it can be determined that the directivity peripheral defect (NG).

図8(d)では、一列のアドレス選択エリアX1を選択し、その断面が所定の指向性分布になっている。即ち、全体としての発光量としては足りているが、LED周辺片方の明るさだけが中央部の明るさと同程度に明るく、LED周辺他方の片方の明るさは暗くなっている。これはLED周辺片側部に遮光するごみや汚れの付着の他、傷が付いている場合の他に、パッケージ不良を含む片方周辺不良(NG)である。この場合、LED中央部の明るさe1とその周辺部の明るさe2の差分が所定値を下回ると共に、その周辺部の明るさe2が所定値を大幅に上回ることにより、片方周辺不良(NG)と判定することができる。   In FIG. 8D, a row of address selection areas X1 is selected, and the cross section has a predetermined directivity distribution. That is, although the amount of light emission as a whole is sufficient, only the brightness of one side of the LED is as bright as the brightness of the central part, and the brightness of the other side of the LED is dark. This is one-side peripheral failure (NG) including package failure, in addition to dust and dirt adhering to one side of the LED periphery and scratches. In this case, the difference between the brightness e1 of the LED central portion and the brightness e2 of the peripheral portion thereof is lower than a predetermined value, and the peripheral portion brightness e2 is significantly higher than the predetermined value. Can be determined.

これらの図8(b)〜図8(d)で不良(NG)と判定された場合に、一列のアドレス選択エリアY1を選択し、その断面が所定の指向性分布になっているかどうかを詳細に検査することができる。このように、複数箇所のアドレス選択指定を行うことができる。要するに、不良(NG)と判定した部分の周辺およびその断面を更にアドレス選択指定してより詳細に指向性分布を測定し、LED発光の特徴と不良の特徴を差別化できる。   8B to 8D, when it is determined as defective (NG), the address selection area Y1 in a row is selected, and whether or not the cross section has a predetermined directivity distribution is detailed. Can be inspected. In this manner, a plurality of address selection designations can be performed. In short, it is possible to differentiate the characteristics of LED light emission from the characteristics of defects by measuring the directivity distribution in more detail by further selecting and addressing the periphery of the portion determined to be defective (NG) and its cross section.

図8(e)では、ブロックのアドレス選択エリアD1を選択し、その断面が所定の指向性分布(ハート形分布)になっている。即ち、ハート形の指向性の基準曲線として、LED中央は少し暗くその周辺で2箇所明るくなっている。この場合、3箇所の明るさe11,e21,e12が所定値よりも明るいことが基準となる。   In FIG. 8E, the block address selection area D1 is selected, and the cross section has a predetermined directivity distribution (heart-shaped distribution). That is, as a heart-shaped directivity reference curve, the center of the LED is a little darker and brighter in two places around it. In this case, the standard is that the brightness e11, e21, e12 at three locations is brighter than a predetermined value.

光学素子としてのLED20の発光を検査する本実施形態1の発光測定方法は、ROM7内の制御プログラムおよびそのデータに基づいて、検査制御手段が、LED20からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子2からの撮像信号を用いてLED20の発光状態を検査制御する検査制御ステップをコンピュータ(CPU)に実行させる。この検査制御ステップは、アドレス指定手段41が、LED20の発光状態を撮像する複数の受光部のうち、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定ステップと、発光状態検査手段が、アドレス指定ステップで指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいてLED20の発光状態を検査する発光状態検査ステップとを有している。さらに、この発光状態検査ステップは、光量判定手段42が、アドレス指定手段41で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、撮像信号の値が基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、撮像信号の値が基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定ステップと、指向性判定手段43が、アドレス指定手段41で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、LED20の発光の指向性の良否を判定する指向性判定ステップとを有している。このように、発光状態検査手段は光量判定手段42および指向性判定手段43により構成されている。   The light emission measurement method of the first embodiment for inspecting the light emission of the LED 20 as an optical element is based on a control program in the ROM 7 and its data, and the inspection control means receives a light emission from the LED 20 and picks up an image. A computer (CPU) is caused to execute an inspection control step for inspecting and controlling the light emission state of the LED 20 using an imaging signal from the imaging device 2 provided with the unit. This inspection control step includes an address specifying step in which the address specifying means 41 addresses one or a plurality of light receiving sections among a plurality of light receiving sections for imaging the light emitting state of the LED 20, and a light emitting state inspecting means in the address specifying step. And a light emission state inspection step of inspecting the light emission state of the LED 20 based on the imaging signals from one or a plurality of light receiving units specified in. Further, in this light emission state inspection step, the light quantity determination means 42 compares the value of the imaging signal from one or a plurality of light receiving units designated by the address designation means 41 with the reference value, and the value of the imaging signal is determined from the reference value. A light amount determination step that determines that the light amount is poor when the value of the imaging signal is equal to or greater than a reference value, and one or a plurality of light receptions that the directivity determination unit 43 designates with the address designation unit 41. A directivity determination step of comparing the value of the imaging signal from the unit with the reference value to determine whether the light emission directivity of the LED 20 is good or bad. As described above, the light emission state inspection unit includes the light amount determination unit 42 and the directivity determination unit 43.

以上により、本実施形態1によれば、LEDの発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段41と、アドレス指定手段41で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、撮像信号の値が基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、撮像信号の値が基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段42と、アドレス指定手段41で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、LEDの発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段43とを有し、LEDからの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子2からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出してLED20の発光状態を検査制御している。このため、指向性に対する発光量分布がわかって指向性不良のチップも排除することができる。また、同測数による回路としての増減もなく、ソフト/ハード面の改造も必要ない。さらに、画像撮像素子に対するソフト/ハードにおける特別なチェック機構も不要であり、従来の受光センサと同様な日常点検で機構の問題の有無が詳細に判断できる。   As described above, according to the first embodiment, out of the plurality of light receiving units that image the light emission state of the LED, the address specifying unit 41 for addressing one or a plurality of light receiving units and the one specified by the address specifying unit 41 are used. Or, compare the values of the imaging signals from multiple light receiving units with the reference value, and determine that the light intensity is poor if the imaging signal value is lower than the reference value, and that the light intensity is good if the imaging signal value is greater than or equal to the reference value Directivity determination that compares the value of the imaging signal from one or a plurality of light receiving units specified by the address specifying unit 41 with a reference value to determine whether the LED light emission directivity is good or bad. Means 43 for detecting the light emission state of the LED 20 by taking out the signal at the pixel level using the image pickup signal from the image pickup device 2 provided with a plurality of light receiving portions for receiving and picking up the light emission from the LED. is doingFor this reason, a light emission amount distribution with respect to directivity can be known, and chips with poor directivity can be eliminated. In addition, there is no increase / decrease in the circuit by the same measurement number, and no software / hardware modification is required. Furthermore, a special check mechanism in software / hardware for the image pickup device is not required, and the presence or absence of a problem in the mechanism can be determined in detail by daily inspection similar to the conventional light receiving sensor.

最後に、光量判定手段42および/または指向性判定手段43で判定した判定結果がNGの場合に、NGチップ登録手段44により、その判定内容(光量NGまたは/および指向性NG、さらに指向性NGの種類)およびNGチップ番号をRAM8に登録する。即ち、ウエハ11の位置に対応したマップアドレスと呼ばれるチップ番号に対応したアドレス位置に、判定内容(光量NGまたは/および指向性NGのNGの種類)が格納される。NGの種類としては、例えば光量判定手段42による光量は問題ないが、指向性判定手段43で問題がある場合にはランクBになる。また、例えば光量判定手段42による光量に問題があって、指向性判定手段43で問題がない場合にはランクCになる。さらに、例えば光量判定手段42による光量に問題がなく、指向性判定手段43でも問題がない場合にはランクAになる。さらに詳細に不良を区別することもできる。例えば光量判定手段42による光量に関して、二つの閾値を設けておいて、光量不良を2段階に区分けすることができる。   Finally, when the determination result determined by the light amount determination unit 42 and / or the directivity determination unit 43 is NG, the determination content (the light amount NG or / and the directivity NG, and further the directivity NG And the NG chip number are registered in the RAM 8. That is, the determination content (a light quantity NG or / and NG type of directivity NG) is stored at an address position corresponding to a chip number called a map address corresponding to the position of the wafer 11. As the type of NG, for example, there is no problem with the amount of light by the light amount determination means 42, but when there is a problem with the directivity determination means 43, the rank is B. Further, for example, when there is a problem with the light amount by the light amount determination unit 42 and there is no problem with the directivity determination unit 43, the rank C is obtained. Further, for example, when there is no problem in the light amount by the light amount determination means 42 and there is no problem in the directivity determination means 43, the rank A is obtained. Further, it is possible to distinguish defects in detail. For example, regarding the light amount by the light amount determination means 42, two threshold values are provided, and the light amount defect can be divided into two stages.

なお、上記実施形態1では、図6および図7に示すように二つの発光素子(例えばLED)の間(チップA,B間)に板状の仕切り板19を入れると、二つの発光素子(例えばLED)からの光の混合を抑えることができて、二つの発光素子からの発光を同時に画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査したが、これに限らず、1個の発光素子(例えばLED)からの発光を画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査することもできるし、また、四つの発光素子であれば十字状の仕切り板を入れれば、四つの発光素子からの各発光を同時に画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査することもできる。さらには、複数の仕切り板19を持つ発光測定装置を用いて、複数の発光素子からの各発光を同時に画像として捉えて発光量および指向性の良否を検査することもできて検査を素早く容易に行うことができる。この場合の発光測定装置の具体例について、図9に示している。   In the first embodiment, when the plate-shaped partition plate 19 is inserted between two light emitting elements (for example, LEDs) (between chips A and B) as shown in FIGS. 6 and 7, two light emitting elements ( The mixing of light from, for example, LEDs) can be suppressed, and the light emission from the two light emitting elements is simultaneously captured as an image to check the light emission amount and directivity. However, the present invention is not limited to this. It is possible to inspect the light emission (for example, LED) as an image and inspect the light emission amount and directivity, and if there are four light emitting elements, if a cross-shaped partition plate is inserted, four light emitting elements It is also possible to inspect the light emission amount and directivity quality by simultaneously capturing each light emission as an image. Furthermore, using a light emission measuring device having a plurality of partition plates 19, it is possible to inspect each light emission from a plurality of light emitting elements as an image at the same time to inspect the light emission amount and the quality of directivity, thereby making the inspection quick and easy. It can be carried out. A specific example of the luminescence measuring apparatus in this case is shown in FIG.

図9は、複数の仕切り板を持つ図1の発光測定装置の具体例を複数用いた場合を示す要部縦断面図である。   FIG. 9 is a longitudinal sectional view of an essential part showing a case where a plurality of specific examples of the luminescence measuring apparatus of FIG. 1 having a plurality of partition plates are used.

図9に示すように、複数の発光測定装置1A(4×4測定用)を並べて、縦方向および横方向にマトリクス状に配置された複数のLED20の一つ飛ばし毎に仕切り板19を設けて、複数のLED20の一つ飛ばし毎にLED20を発光させてこれを測定して良否検査することができる。縦方向および横方向にマトリクス状に配置された複数のLED20に対して、複数の発光測定装置1A(4×4)を、縦方向または横方向のいずれかにスライドさせれば、全てのLED20について画像的に光量および指向性を測定して良否検査することができる。また、1個の発光測定装置1Aが、複数のLED20の8×8のうちの4×4を1ブロックずつ測定することもできる。さらに、複数の発光測定装置1B(1×4測定用)を用いて順次縦方向にずらして行くことにより、複数のLED20が配置された領域の1行に対してこの仕切り板19を用いることもできる。LはLED20からの発光を示している。仕切り板19の底面が対向しているLED20は発光させていない。発光は縦方向(図9の奥行き方向)および横方向(図9の左右方向)に一つ飛ばしである。   As shown in FIG. 9, a plurality of light emission measuring devices 1A (for 4 × 4 measurement) are arranged, and a partition plate 19 is provided for each of the plurality of LEDs 20 arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions. The LED 20 can be caused to emit light every time one of the plurality of LEDs 20 is skipped, and this can be measured to check the quality. If a plurality of light emission measuring devices 1A (4 × 4) are slid in either the vertical direction or the horizontal direction with respect to the plurality of LEDs 20 arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions, all the LEDs 20 It is possible to inspect the quality by measuring the light quantity and directivity imagewise. Moreover, one light emission measuring device 1A can measure 4 × 4 of 8 × 8 of the plurality of LEDs 20 one block at a time. Further, the partition plate 19 may be used for one row of the region where the plurality of LEDs 20 are arranged by sequentially shifting in the vertical direction using the plurality of light emission measuring devices 1B (for 1 × 4 measurement). it can. L indicates light emission from the LED 20. The LED 20 facing the bottom surface of the partition plate 19 does not emit light. One light emission is skipped in the vertical direction (depth direction in FIG. 9) and in the horizontal direction (left-right direction in FIG. 9).

なお、上記実施形態1では、特に説明しなかったが、ウエハ11の基点となるチップから順次一つまたは二つずつ発光量および指向性の良否を検査するが、いまどのチップのLEDをプローブして検査しているかは、制御部4に設けられたアドレス指定手段41が、指定画素アドレスの他に、今計っているチップのLEDがウエハ11の基点から何番目のものかを認識することができるし、ウエハ11の位置に対応したマップアドレスと呼ばれるチップ番号に対応したアドレス位置に、判定NG内容が登録される。また、複数チップを同時に発光させて、その発光量および指向性の良否を検査する場合にも、上記と同様に、今計っているチップのLEDがウエハ11の基点から何番目のものかを認識することができる。   Although not specifically described in the first embodiment, the light emission amount and directivity are inspected one by one or two at a time from the chip serving as the base point of the wafer 11, but the LED of which chip is currently probed. The address designation means 41 provided in the control unit 4 recognizes the number of the LED of the chip currently measured from the base point of the wafer 11 in addition to the designated pixel address. The determination NG content is registered at an address position corresponding to a chip number called a map address corresponding to the position of the wafer 11. In addition, when a plurality of chips emit light at the same time and the light emission amount and directivity are inspected, the LED of the chip currently measured is recognized from the base point of the wafer 11 as described above. can do.

なお、上記実施形態1では、特に説明しなかったが、さらに、1個以上の電子部品(半導体チップ)の発光素子(例えばLED)を同時に発光させる機能を有する。また、1個以上の電子部品(半導体チップ)の発光素子(例えばLED)に対して任意の部品を発光させる機能を有する。さらに、1個以上の電子部品(半導体チップ)の発光素子を同時に発光させ、それぞれの電子部品の発光量を識別できる。さらに、光学測定をする撮像素子2は1画素以上の個別信号を任意に取り出しができる。これによって、LED20上にごみが付着している場合などにおいて、1画素ずつ個別信号を任意に取り出して信号レベルを検証することによって、LED20上にごみが付着している位置を詳細に得ることができる。   Although not particularly described in the first embodiment, the light emitting element (for example, LED) of one or more electronic components (semiconductor chips) has a function of simultaneously emitting light. Moreover, it has the function to make arbitrary components light-emit with respect to the light emitting element (for example, LED) of one or more electronic components (semiconductor chip). Furthermore, the light emitting elements of one or more electronic components (semiconductor chips) can emit light simultaneously, and the light emission amount of each electronic component can be identified. Furthermore, the image sensor 2 for optical measurement can arbitrarily take out individual signals of one pixel or more. As a result, in the case where dust is attached on the LED 20, the position where the dust is attached on the LED 20 can be obtained in detail by arbitrarily extracting individual signals pixel by pixel and verifying the signal level. it can.

なお、上記実施形態1では、特に説明しなかったが、LED20からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子2と、この撮像素子2からの撮像信号を用いて光学素子の発光状態を検査制御する制御部4とを有している。この構成によって、1個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ID回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができるという本発明の目的を達成することができる。   Although not particularly described in the first embodiment, the imaging element 2 provided with a plurality of light receiving units that receive and capture the light emitted from the LED 20 and the imaging signal from the imaging element 2 are used. And a control unit 4 for inspecting and controlling the light emission state of the optical element. With this configuration, not only the light emission amount of one optical element but also the light emission amounts of a plurality of optical elements can be easily and accurately measured and inspected without using a conventional identification ID circuit. It is possible to achieve the object of the present invention that the directivity of light emission and dust adhesion failure can be measured and inspected easily and accurately.

以上のように、本発明の好ましい実施形態1を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。   As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable Embodiment 1 of this invention, this invention should not be limited and limited to this Embodiment 1. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range from the description of the specific preferred embodiment 1 of the present invention based on the description of the present invention and the common general technical knowledge. Patents, patent applications, and documents cited herein should be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.

本発明は、発光ダイオード(以下LEDという)などの光学素子の発光を検査する発光測定装置および発光測定方法、この発光測定方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、この制御プログラムが格納された可読記録媒体の分野において、光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて画素レベルで信号を取り出して光学素子の発光状態を検査制御するため、1個の光学素子の発光量だけではなく、従来のような識別ID回路を用いずに複数個の光学素子の発光量をも容易かつ正確に測定して検査すると共に、光学素子発光の指向性やごみ付着不良についても容易かつ正確に測定して検査することができる。   The present invention relates to a light emission measuring apparatus and a light emission measuring method for inspecting light emission of an optical element such as a light emitting diode (hereinafter referred to as LED), a control program for causing a computer to execute the light emission measuring method, and a readable program storing the control program. In the field of recording media, the light emission state of the optical element is inspected and controlled by taking out the signal at the pixel level using the image pickup signal from the image pickup element provided with a plurality of light receiving portions that receive the light emission from the optical element and pick up the image. Therefore, not only the light emission amount of one optical element but also the light emission amounts of a plurality of optical elements can be measured and inspected easily and accurately without using a conventional identification ID circuit, and the light emission of the optical element is also performed. It is possible to easily and accurately measure and inspect the directivity and poor adhesion of dust.

1、1A、1B 発光測定装置
2 撮像素子
3 A/D変換部
4 制御部
41 アドレス指定手段
42 光量判定手段
43 指向性判定手段
44 NGチップ登録手段
5 操作部
6 表示部
7 ROM
8 RAM
11 ウエハ
12 半導体チップ
13 パッド
14 プローブピン
15 リング
16 粘着シート
17 コンタクトピン
18 パッケージ品
19 仕切り板
20 LED
A、B チップ
X,Y 画素アドレス
L 発光
D1、X1、Y1 アドレス選択エリア
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A, 1B Luminescence measuring apparatus 2 Image pick-up element 3 A / D conversion part 4 Control part 41 Address designation means 42 Light quantity determination means 43 Directivity determination means 44 NG chip registration means 5 Operation part 6 Display part 7 ROM
8 RAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Wafer 12 Semiconductor chip 13 Pad 14 Probe pin 15 Ring 16 Adhesive sheet 17 Contact pin 18 Package product 19 Partition plate 20 LED
A, B Chip X, Y Pixel address L Light emission D1, X1, Y1 Address selection area

Claims (13)

光学素子の発光を検査する発光測定装置において、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子と、該撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する制御部とを有し、
該制御部は、該光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定手段と、該アドレス指定手段により指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査手段とを有し、
該制御部は、該アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否を判定する判定手段をさらに有し、
該判定手段で判定した判定結果が不良の場合に、該アドレス指定手段がアドレス指定する受光部を変更して、該判定手段は、変更後の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否のさらなる判定をする、発光測定装置。
In a light emission measuring apparatus for inspecting light emission of an optical element, an image pickup element provided with a plurality of light receiving portions that receive light from the optical element and pick up an image, and the optical element using an image pickup signal from the image pickup element the light emission state have a control unit for checking the control of,
The control unit includes: an address designating unit for addressing one or a plurality of light receiving units out of a plurality of light receiving units for imaging a light emission state of the optical element; and one or a plurality of light receiving units designated by the address designating unit. Light emission state inspection means for inspecting the light emission state of the optical element based on the imaging signal from the unit,
The control unit further includes a determination unit that compares a value of an imaging signal from one or a plurality of light receiving units specified by the address specifying unit and a reference value to determine whether the light emitting state of the optical element is good or bad,
When the determination result determined by the determination unit is defective, the addressing unit changes the light receiving unit to be addressed, and the determination unit compares the value of the imaging signal from the changed light receiving unit with the reference value. Then, a light emission measuring device for further judging whether the light emitting state of the optical element is good or bad .
請求項に記載の発光測定装置において、前記アドレス指定手段は、前記光学素子の発光状態の検査にどの画素を用いるかの画素アドレスの指定入力が外部から為されるかまたは該画素アドレスが予め選択設定されている発光測定装置。 2. The light emission measuring device according to claim 1 , wherein the address designating means inputs a pixel address designating which pixel is used for the examination of the light emission state of the optical element from the outside, or the pixel address is set in advance. The luminescence measuring device that is selected and set. 請求項に記載の発光測定装置において、前記アドレス指定手段は、前記光学素子の発光中心およびその近傍を通る一方向または複数方向の複数画素アドレスを指定するかまたは/および、該光学素子の発光中心の一画素アドレスまたは、該光学素子の発光中心およびその近傍を含むブロックエリアの複数画素アドレスを指定する発光測定装置。 3. The light emission measuring device according to claim 2 , wherein the address designating unit designates a plurality of pixel addresses in one direction or a plurality of directions passing through the light emission center of the optical element and the vicinity thereof and / or light emission of the optical element. A light emission measuring device for designating one pixel address of a center or a plurality of pixel addresses of a block area including a light emission center of the optical element and its vicinity. 請求項に記載の発光測定装置において、前記判定手段は、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定手段を有する発光測定装置。 The luminescence measuring apparatus according to claim 1 , wherein the determination unit compares a value of the imaging signal from one or a plurality of light receiving units designated by the address designation unit with a reference value, and the value of the imaging signal is A light emission measuring device including a light amount determination unit that determines that the light amount is defective when the value is lower than a reference value and determines that the light amount is good when the value of the imaging signal is equal to or greater than the reference value. 請求項またはに記載の発光測定装置において、前記判定手段は、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定手段を有する発光測定装置。 In luminescence measuring device according to claim 1 or 4, wherein the determination means compares the value with the reference value of the image signals from one or more light receiving portions specified by said address specifying means, emission of the optical element The light emission measuring device which has the directivity determination means which determines the quality of directivity. 請求項またはに記載の発光測定装置において、前記光量判定手段および/または前記指向性判定手段で判定した判定結果が不良の場合に、その判定内容をそのチップ番号に登録する不良登録手段を有する発光測定装置。 In luminescence measuring device according to claim 4 or 5, wherein when the light amount determining means and / or the determination result of the determination by the directional determination means is defective, the defective registration means for registering the determination content to the chip number Luminescence measuring device having. 請求項1に記載の発光測定装置において、隣接した二つの前記光学素子間に光混合防止用の仕切り板が配設されている発光測定装置。 The luminescence measuring apparatus according to claim 1, wherein a partition plate for preventing light mixing is disposed between the two adjacent optical elements. 請求項1に記載の発光測定装置において、隣接した四つの前記光学素子間に光混合防止用の平面視十字状の仕切り板が配設されている発光測定装置。 The luminescence measuring apparatus according to claim 1, wherein a cross-shaped partition plate for preventing light mixing is disposed between the four adjacent optical elements. 請求項1に記載の発光測定装置において、1個以上の前記光学素子を同時に発光させる発光駆動手段を有する発光測定装置。 The luminescence measuring apparatus according to claim 1, further comprising a luminescence driving unit configured to simultaneously emit one or more optical elements. 光学素子の発光を検査する発光測定方法において、制御手段が、該光学素子からの発光を受光して撮像する複数の受光部が配設された撮像素子からの撮像信号を用いて該光学素子の発光状態を検査制御する検査制御ステップを有し、
該検査制御ステップは、
アドレス指定手段が、該光学素子の発光状態を撮像する複数の受光部のうちから、一または複数の受光部をアドレス指定するアドレス指定ステップと、発光状態検査手段が、該アドレス指定ステップで指定された一または複数の受光部からの撮像信号に基づいて該光学素子の発光状態を検査する発光状態検査ステップとを有し、
該発光状態検査ステップは、
判定手段が、該アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否を判定する判定ステップと、
該判定ステップにおける判定結果が不良の場合に、該アドレス指定手段がアドレス指定する受光部を変更して、該判定手段が、変更後の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光状態の良否のさらなる判定をするさらなる判定ステップと
を有する、発光測定方法。
In the light emission measuring method for inspecting the light emission of the optical element, the control means uses the image pickup signal from the image pickup element provided with a plurality of light receiving sections for receiving and picking up the light emission from the optical element. have a test control step of inspecting controlling emission state,
The inspection control step includes:
An address designating unit for addressing one or a plurality of light receiving units from among a plurality of light receiving units for imaging the light emitting state of the optical element, and a light emitting state inspecting unit are designated by the address designating step. A light emission state inspection step for inspecting a light emission state of the optical element based on an imaging signal from one or a plurality of light receiving units,
The light emission state inspection step includes:
A determining step for comparing the value of the imaging signal from one or a plurality of light receiving units specified by the address specifying unit with a reference value to determine whether the optical element is in a light emitting state;
When the determination result in the determination step is bad, the address designation unit changes the light receiving unit to be addressed, and the determination unit compares the value of the imaging signal from the changed light receiving unit with the reference value. A further determination step for further determining the quality of the light emission state of the optical element;
A method for measuring luminescence.
請求項10に記載の発光測定方法において、前記発光状態検査ステップは、
光量判定手段が、前記アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該撮像信号の値が該基準値よりも低い場合に光量不良と判定し、該撮像信号の値が該基準値以上の場合に光量良好と判定する光量判定ステップと、
指向性判定手段が、アドレス指定手段で指定した一または複数の受光部からの撮像信号の値と基準値を比較して、該光学素子の発光の指向性の良否を判定する指向性判定ステップとを有する発光測定方法。
The light emission measuring method according to claim 10 , wherein the light emission state inspection step includes:
The light quantity determination means compares the value of the imaging signal from one or a plurality of light receiving units designated by the address designation means with a reference value, and determines that the light quantity is defective when the value of the imaging signal is lower than the reference value. A light amount determination step for determining that the light amount is good when the value of the imaging signal is equal to or greater than the reference value;
Directivity determination means compares the value with the reference value of the image signals from one or more light receiving portions specified by the address specifying means, a directional determination step of determining the directionality of quality of emission of the optical element A luminescence measuring method comprising:
請求項1011のいずれかに記載の発光測定方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラム。 A control program in which a processing procedure for causing a computer to execute each step of the luminescence measurement method according to any one of claims 10 to 11 is described. 請求項12に記載の制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体。
A computer readable storage medium storing the control program according to claim 12 .
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