JP5020840B2 - 画像検出装置および画像検出器の駆動方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 75
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
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Description
部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用し、Cs 電極14上に位置す
る部位は電荷蓄積容量5における誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量5は、走査配線2と同一層に形成されたCs 電極14と接続電極13との重畳領域によって形
成されている。なお、ゲート絶縁膜15としては、SiNX やSiOX に限らず、走査配線2及びCs 電極14を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。
接続電極13とのコンタクトを図る。
向している部分上に位置する部位に、コンタクトホール16を有している。
上方には、ゲート絶縁膜15を介して、チャネル層(i層)8、及び、コンタクト層(n+ 層)9がこの順に形成されている。コンタクト層9上には、データ配線3と接続電極
13とが形成されている。接続電極13は、電荷蓄積容量5を構成する層の上方に積層されている。
電極13が配されている。
2,214 走査配線
3,20,215 データ配線
4,212 TFTスイッチ
5,213 電荷蓄積容量
6 半導体膜
7 バイアス電極
8 チャネル層
9 コンタクト層
10 アクティブマトリックス基板
11 電荷収集電極
12 層間絶縁膜
13 接続電極(他方の電極)
14 Cs電極(一方の電極)
15 ゲート絶縁膜
16 コンタクトホール
17 絶縁保護膜
100 放射線画像検出装置
101 放射線画像検出器
102,216 信号検出器
102a 基準電極配線
103 スキャン信号制御装置
104 信号処理装置
105,211 画像センサ部
106,113 可変Cs電源
106a 直流電圧源
106b スイッチ
107 アンプIC
108 高圧電源
109 スキャン制御信号ライン
110 制御ライン
111 信号ライン
112 Cs電源制御ライン
200 ディスプレイ
Claims (9)
- 記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する電荷発生部と、2つの電極が対向配置されて前記電荷発生部において発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷量に応じて一方の電極の電位を基準として他方の電極の電位が変化する蓄積容量と、該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのTFT型のスイッチ素子とを有する検出部を備えた画像検出器と、
前記一方の電極に電圧を印加する電源部と、
前記画像検出器から前記蓄積容量に蓄積された電荷を読み出す前に、所定時間だけ、前記スイッチ素子からリーク電流が流れ易くなるよう前記電源部から前記一方の電極に印加される電圧を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする画像検出装置。 - 前記制御部は、前記画像検出器に前記記録用の電磁波を照射した後から前記画像検出器から前記電荷を読み出す前までの間に、前記所定時間だけ前記一方の電極に印加される電圧を制御することを特徴とする請求項1記載の画像検出装置。
- 前記制御部は、前記画像検出器に前記記録用の電磁波が照射されている期間を含む前記所定時間だけ前記一方の電極に印加される電圧を制御することを特徴とする請求項1記載の画像検出装置。
- 前記画像検出器が有する前記TFTスイッチ素子は、前記蓄積容量に電荷が蓄積されて前記他方の電極の電位が一定値以上となると電流が流れることにより回路を保護する耐電圧保護機能を備えていることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の画像検出装置。
- 前記電源部が、前記画像検出器とは別個に設けられた周辺回路基板に設けられていることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の画像検出装置。
- 前記画像検出器の検出部から読み出された電荷信号の電位を検出することにより蓄積された電荷量を検出する信号検出器を有し、
前記電荷信号の電位を検出する際、前記信号検出器において検出の基準となる基準電極配線の電位と前記蓄積容量を構成する前記一方の電極の電位とを同じレベルにすることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の画像検出装置。 - 前記所定時間が、100μs〜1sであることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載の画像検出装置。
- 記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する電荷発生部と、2つの電極が対向配置されて前記電荷発生部において発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷量に応じて一方の電極の電位を基準として他方の電極の電位が変化する蓄積容量と、該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのTFT型のスイッチ素子とを有する検出部を備えた画像検出器と、
前記一方の電極に印加される電圧を制御することにより前記スイッチ素子からのリーク電流を変動させる機構と、
を備えたことを特徴とする画像検出装置。 - 記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する電荷発生部と、2つの電極が対向配置されて前記電荷発生部において発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷量に応じて一方の電極の電位を基準として他方の電極の電位が変化する蓄積容量と、該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのTFT型のスイッチ素子とを有する検出部を備えた画像検出器の駆動方法であって、
前記スイッチ素子を介して前記蓄積容量から前記電荷を読み出す時点よりも前のタイミングにおいて、前記スイッチ素子からリーク電流が流れ易くなるよう前記一方の電極に印加される電圧を変動させることを特徴とする画像検出器の駆動方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008021612A JP5020840B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-01-31 | 画像検出装置および画像検出器の駆動方法 |
US12/213,601 US7608832B2 (en) | 2007-06-26 | 2008-06-23 | Image detection device and method of driving image detector |
CN2008101288769A CN101335842B (zh) | 2007-06-26 | 2008-06-24 | 图像检测装置及驱动图像检测器的方法 |
EP08011432.5A EP2009902A3 (en) | 2007-06-26 | 2008-06-24 | Image detection device and method of driving image detector |
KR1020080060381A KR101041832B1 (ko) | 2007-06-26 | 2008-06-25 | 화상 검출 장치 및 화상 검출기의 구동 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007167114 | 2007-06-26 | ||
JP2007167114 | 2007-06-26 | ||
JP2008021612A JP5020840B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-01-31 | 画像検出装置および画像検出器の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009033701A JP2009033701A (ja) | 2009-02-12 |
JP5020840B2 true JP5020840B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40198114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008021612A Expired - Fee Related JP5020840B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-01-31 | 画像検出装置および画像検出器の駆動方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5020840B2 (ja) |
CN (1) | CN101335842B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011242261A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
JP6385187B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-09-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム |
CN109997352B (zh) * | 2016-12-27 | 2021-06-01 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置、相机以及摄像方法 |
JP6884064B2 (ja) * | 2017-07-26 | 2021-06-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
EP3567405A1 (en) * | 2018-05-08 | 2019-11-13 | Koninklijke Philips N.V. | Photon counting spectral ct |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10170658A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Toshiba Corp | X線撮像装置 |
JP3489782B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2004-01-26 | 株式会社東芝 | X線撮像装置 |
JP3624165B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2005-03-02 | キヤノン株式会社 | 電磁波検出装置 |
JP2002314754A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2002350551A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
JP2005012049A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびそれを備えた放射線撮像装置 |
-
2008
- 2008-01-31 JP JP2008021612A patent/JP5020840B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-24 CN CN2008101288769A patent/CN101335842B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101335842B (zh) | 2011-07-20 |
JP2009033701A (ja) | 2009-02-12 |
CN101335842A (zh) | 2008-12-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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