JP5018419B2 - モジュール構造体、その製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明は、発熱体との密着性を向上させ、熱伝導性および電気伝導性を高めるモジュール構造体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明では上記課題を解決するために、基板上に、前記基板との間に空洞部を有し、複数の開口を有する封止部材を形成する工程と、前記空洞部内の前記基板上に触媒物質を形成し、前記触媒物質から前記カーボンナノチューブを、前記開口から突出するまで成長させる工程と、前記空洞部に固定材を充填して、前記カーボンナノチューブの端部を固定する工程と、を有することを特徴とするモジュール構造体の製造方法が提供される。
このようなモジュール構造体の製造方法によれば、基板上に、基板との間に空洞部と、複数の開口を有する封止部材が形成され、空洞部内の基板上に触媒物質を形成し、触媒物質からカーボンナノチューブを、開口から突出するまで成長させて、空洞部に固定材を充填して、カーボンナノチューブの端部が固定されたモジュール構造体が得られるようになる。
図1は、本発明のモジュール構造体の概要を示し、(A)は斜視模式図、(B)は断面模式図である。なお、(B)の断面模式図は、基板11のいずれかの辺と平行にモジュール構造体10を切断した断面を模式的に示している。
実施の形態では、第1の実施の形態として、本発明の概要を踏まえたモジュール構造体について、第2の実施の形態として、本発明を踏まえたモジュール構造体の別の構成例について、第3の実施の形態では、このようなモジュール構造体を備えた半導体装置についてそれぞれ説明する。
図2は、第1の実施の形態におけるモジュール構造体の断面模式図である。なお、この断面模式図は、図1と同様に、CNT24およびカーボンシート21のいずれかの辺と平行にモジュール構造体20を切断した面の断面を模式的に示している。
図3,4,5は第1の実施の形態のモジュール構造体の封止部材の製造工程における、(A)は平面模式図、(B)は断面模式図、図6は第1の実施の形態のモジュール構造体の封止部材の空洞部へのBCB樹脂の充填工程における、(A)は平面模式図、(B)は断面模式図、図7は第1の実施の形態のカーボンナノチューブの製造工程における、(A)は平面模式図、(B)は断面模式図である。なお、図3〜図6の各(B)の断面模式図は、図1と同様に、カーボンシート21のいずれかの辺に対して平行にモジュール構造体20を切断した面の断面を模式的に示している。
続いて、ボンダー装置を用いてそれらを貼り合わせる。圧力を掛けながら貼り合わせる段階で、CNT24の一部は開口窓22bから封止部材22内部へ嵌合される。そして、CNT24がBCB樹脂23を通過し、CNT24の端部がカーボンシート21の底面に接触したところで、BCB樹脂23を硬化して、CNT24を接着させる。また残りのCNT24は、封止部材22の開口窓22b以外の面と接触する。そして、Si基板24aおよび触媒膜24bを剥がす。
第1の実施の形態では、基板側とCNT側とを別に製造して、張り合わせて基板側にCNTを転写させてモジュール構造体を製造する場合を例に挙げて説明した。一方、第2の実施の形態では、基板側に直接CNTを作りこむことでモジュール構造体を製造する場合を例に挙げて説明する。
最後に、図8を参照しながら説明する。不要なレジスト材32dおよび触媒膜34の除去後、第1の実施の形態と同様に、プロセスガスとしてC2H2ガス、キャリアガスとしてArガスまたはHガスを用いて、例えば、圧力を100Pa程度、成長温度を600℃程度の条件のもと、CVD法により、触媒膜34からCNT35を成長させる。なお、CNT35の長さは成長時間によって制御可能であり、第1の実施の形態と同様に、例えば、100μm程度の長さに成長させる。
第3の実施の形態は、第1および第2の実施の形態で説明したモジュール構造体を備えた半導体装置の場合を例に挙げて説明する。
11 基板
12 封止部材
12a 空洞部
12b 開口
13 固定材
14 CNT
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成され、複数の開口を有する封止部材と、
前記封止部材と前記基板との間に充填された固定材と、
前記固定材により端部が固定され、前記開口から突出するカーボンナノチューブと、
を有することを特徴とするモジュール構造体。 - 前記開口に対応する前記基板上に触媒物質をさらに有し、
前記カーボンナノチューブが前記触媒物質から成長し、前記カーボンナノチューブの端部と前記触媒物質とを前記固定材で固定することを特徴とする請求項1記載のモジュール構造体。 - 前記基板はヒートスプレッダーであることを特徴とする請求項2記載のモジュール構造体。
- 基板上に、前記基板との間に空洞部を有し、複数の開口を有する封止部材を形成する工程と、
前記空洞部に固定材を充填する工程と、
カーボンナノチューブを前記開口から前記封止部材に嵌入して、前記カーボンナノチューブの端部を前記固定材で固定する工程と、
を有することを特徴とするモジュール構造体の製造方法。 - 基板上に、前記基板との間に空洞部を有し、複数の開口を有する封止部材を形成する工程と、
前記空洞部内の前記基板上に触媒物質を形成し、前記触媒物質から前記カーボンナノチューブを、前記開口から突出するまで成長させる工程と、
前記空洞部に固定材を充填して、前記カーボンナノチューブの端部を固定する工程と、
を有することを特徴とするモジュール構造体の製造方法。 - 前記封止部材を形成する工程は、
前記基板上に第1の部材を形成する工程と、
前記第1の部材を覆う第2の部材を形成する工程と、
前記第2の部材に前記開口を形成する工程と、
前記開口を介して、前記第1の部材を除去し、前記空洞部を形成する工程と、
により実行されることを特徴とする請求項4または5に記載のモジュール構造体の製造方法。 - 半導体チップと、
前記半導体チップと接続されたヒートスプレッダーとを有し、
前記ヒートスプレッダーは、
前記ヒートスプレッダー上に形成され、複数の開口を有する封止部材と、
前記封止部材と前記ヒートスプレッダーとの間に充填された固定材と、
前記固定材により端部が固定され、前記開口から突出するカーボンナノチューブと、を有し、
前記カーボンナノチューブを介して、前記半導体チップと接続されることを特徴とする半導体装置。
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